JP2007088190A - 高放熱型電子部品収納用パッケージ - Google Patents

Abstract

【課題】ボンディングワイヤの接続信頼性と半田の接合信頼性の両者の信頼性を同時に向上させて満足させることができる安価な高放熱型電子部品収納用パッケージを提供する。
【解決手段】ヒートシンク板１２の上面に絶縁枠体１３を有し、ヒートシンク板１２と絶縁枠体１３でキャビティ部１４が形成され、絶縁枠体１３の上面に電子部品１１と導通状態とするためのワイヤボンドパッド部２０を設ける外部接続端子１８を有する高放熱型電子部品収納用パッケージ１０において、外部接続端子１８に外部と半田２５で接合するための端子部２６をワイヤボンドパッド部２０以外の部位に有し、端子部２６とヒートシンク板１２の下面のそれぞれに被覆される第１のＡｕめっき被膜２２の厚さが、キャビティ部１４の底面とワイヤボンドパッド部２０を含む外表面に露出する金属面に被覆される第２のＡｕめっき被膜２３の厚さより薄い。
【選択図】図１

Description

本発明は、ヒートシンク板、絶縁枠体、及び外部接続端子で構成される高放熱型電子部品収納用パッケージに関し、より詳細には、キャビティ部のヒートシンク板上面に半導体素子等の電子部品が搭載され、金属板等からなる外部接続端子のワイヤボンドパッド部と電子部品をボンディングワイヤで接続して電気的に導通状態とされ、蓋体で電子部品が気密に封止された後に、ヒートシンク板を金属製基台等、外部接続端子をボード等に半田で接合するのに用いられる高放熱型電子部品収納用パッケージに関する。

図３（Ａ）に示すように、従来から、高放熱型電子部品収納用パッケージ５０には、例えば、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）基地局用等のシリコンや、ガリウム砒素電界効果トランジスタ等の高周波、高出力の半導体素子等の電子部品を収納したりするためのものがある。このような高放熱型電子部品収納用パッケージ５０は、実装される電子部品５１から発生する高温、且つ大量の熱を放熱するためのヒートシンク板５２の一方の主面に、セラミックや、樹脂からなる窓枠形状の絶縁枠体５３が接合されて有している。また、高放熱型電子部品収納用パッケージ５０は、絶縁枠体５３の他方の主面である上面に外部と電気的に導通状態とするための金属板からなる外部接続端子５４が接合されて有している。更に、高放熱型電子部品収納用パッケージ５０の表面に露出する全ての金属部分には、Ｎｉめっき被膜、及びＡｕめっき被膜が形成されている。

そして、高放熱型電子部品収納用パッケージ５０は、ヒートシンク板５２の上面と、絶縁枠体５３の窓枠内周側壁面で形成されるキャビティ部５５のヒートシンク板５２の上面のＡｕめっき被膜面に電子部品５１が接合できるようにしている。このキャビティ部５５に収納された電子部品５１は、外部接続端子５４との間をボンディングワイヤ５６で直接接続して電気的導通を形成している。この接続には、ボンディングワイヤ５６の剥がれ等の発生を防止して接続できるように、外部接続端子５４の表面にＡｕめっき被膜が形成されている。なお、この高放熱型電子部品収納用パッケージ５０の外部接続端子５４には、外部と接続するための端子部５７と、ボンディングワイヤ５６を接続するためのワイヤボンドパッド部５８を兼ね備えて設けられている。高放熱型電子部品収納用パッケージ５０には、電子部品５１がキャビティ部５５内に実装された後、樹脂や、セラミックや、金属等からなる蓋体５９が絶縁枠体５３の上面に樹脂や、ガラス等の絶縁性接着材６０で接合されて、電子部品５１がキャビティ部５５内で気密に封止される。

そして、図３（Ｂ）に示すように、電子部品５１が収納された高放熱型電子部品収納用パッケージ５０は、外部接続端子５４の端子部５７下面のＡｕめっき被膜面が配線回路パターンの施された基板ボード６１等に半田６２で接合される。この接合は、半田６２中のＳｎがＡｕめっき被膜層に固溶してＡｕ−Ｓｎ合金層を形成することで、強固な半田付け性を確保している。また、電子部品５１が収納された高放熱型電子部品収納用パッケージ５０は、ヒートシンク板５２の長手方向両端部に設けられている取付部６３（図３（Ａ）参照）で放熱性の向上を兼ねる金属製からなる基台６４にねじ６５（図３（Ａ）参照）でねじ止めする、及び／又は、ヒートシンク板５２下面のＡｕめっき被膜面を基台６４に半田６２で接合している。なお、電子部品５１が収納された高放熱型電子部品収納用パッケージ５０は、ヒートシンク板５２下面のＡｕめっき被膜面と、基台６４との間をできるだけ密接させることで熱伝導性を向上させて放熱性を向上させることができるので、ヒートシンク板５２の下面を半田６２で接合すると共に、ヒートシンク板５２の取付部６３で基台６４にねじ６５でねじ止めすることが好ましい。

通常、Ａｕめっき被膜の厚さは、ボンディングワイヤ５６を接続する所で、Ａｕからなるボンディングワイヤ５６を剥がれ等の発生を防止して接続させることができる接続信頼性と、半田６２で接合する所で、半田６２中のＳｎがＡｕめっき被膜層に固溶しすぎてＡｕが消失する、所謂、半田６２のＡｕ食われでの接合強度の低下や、クラック等の発生を防止して接合させることができる接合信頼性の両者を許容できる適当な範囲の中で満足させることができる厚さとなっている。

従来のセラミック基板には、基板ボード等に半田で接合するための接合部に、セラミック基板の表面に下地導体層を設け、その上にＮｉめっき被膜、Ａｕめっき被膜、再度Ｎｉめっき被膜を形成し、この上に更に半田めっき被膜を形成し、半田での接合時の半田中のＳｎがＡｕめっき被膜に固溶しすぎるのを防止することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、従来の窒化アルミニウムからなるセラミック基板には、電子部品を半田で実装するためのタングステン、Ｎｉめっき被膜、及びＡｕめっき被膜からなる領域部以外をレジストで覆って、電子部品の半田での接合時の半田中のＳｎが実装するための領域部以外にまで固溶が広がるのを防止することが提案されている（例えば、特許文献２参照）。

特許第３３３９９６４号公報 特開平９−２１３７３０号公報

しかしながら、前述したような従来の高放熱型電子部品収納用パッケージは、次のような問題がある。
（１）シリコンや、ガリウム砒素電界効果トランジスタ等の高周波、高出力の半導体素子等の電子部品を収納し、ＲＦ基地局用等に使用する高放熱型電子部品収納用パッケージは、電子部品の更なる高周波、高出力化や、過酷な環境条件の下での使用範囲の更なる拡大等によって、ボンディングワイヤの接続信頼性と、半田の接合信頼性の両者の信頼性を同時に向上させて満足させてことが求められているが、中間的なＡｕめっき被膜厚さでは、両者の向上を同時に満足させることに限界が発生している。
（２）特許第３３３９９６４号公報や、特開平９−２１３７３０号公報で開示されるよう形態での高放熱型電子部品収納用パッケージの場合では、ボンディングワイヤを接続する部分の剥がれ等の発生を防止するために厚いＡｕめっき被膜を形成するので、外部接続端子の端子部となる部分にも厚さの厚いＡｕめっき被膜を形成することとなり、Ａｕの使用量が増加して高放熱型電子部品収納用パッケージのコストアップとなっている。また、特開平９−２１３７３０号公報で開示されるよう形態での高放熱型電子部品収納用パッケージの場合では、外部接続端子の端子部となる部分に厚さの厚いＡｕめっき被膜を形成し、直接、半田で接合することとなるので、半田のＡｕ食われによる接合強度の低下や、クラック等の発生があり、接合信頼性を向上させることが難しい。

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、ボンディングワイヤの接続信頼性と、半田の接合信頼性の両者の信頼性を同時に向上させて満足させることができる安価な高放熱型電子部品収納用パッケージを提供することを目的とする。

前記目的に沿う本発明に係る高放熱型電子部品収納用パッケージは、ヒートシンク板の上面に窓枠形状からなる絶縁枠体を接合して有し、ヒートシンク板の上面と絶縁枠体の内周側壁面で電子部品を実装するためのキャビティ部が形成され、絶縁枠体の上面に電子部品とボンディングワイヤを介して電気的に導通状態とするためのワイヤボンドパッド部を設ける外部接続端子を接合して有する高放熱型電子部品収納用パッケージにおいて、外部接続端子に外部と半田で接合するための端子部をワイヤボンドパッド部以外の部位に有し、端子部とヒートシンク板の下面のそれぞれに被覆される第１のＡｕめっき被膜の厚さが、キャビティ部の底面とワイヤボンドパッド部を含む外表面に露出する金属面に被覆される第２のＡｕめっき被膜の厚さより薄い。

ここで、高放熱型電子部品収納用パッケージは、第１のＡｕめっき被膜の厚さが０を超え、０．１μｍ以下であると共に、第２のＡｕめっき被膜の厚さが０．１μｍを超えるのがよい。

請求項１又はこれに従属する請求項２記載の高放熱型電子部品収納用パッケージは、外部接続端子に外部と半田で接合するための端子部をワイヤボンドパッド部以外の部位に有し、端子部とヒートシンク板の下面のそれぞれに被覆される第１のＡｕめっき被膜の厚さが、キャビティ部の底面とワイヤボンドパッド部を含む外表面に露出する金属面に被覆される第２のＡｕめっき被膜の厚さより薄いので、高周波、高出力の半導体素子等の電子部品を収納するのに、ボンディングワイヤの接続信頼性と、半田の接合信頼性の両者の信頼性を同時に向上させて満足させることができる。また、高放熱型電子部品収納用パッケージは、Ａｕめっき被膜の厚さが必要な部位に必要な厚さに容易に設けられるので、パッケージを安価にすることができる。

特に、請求項２記載の高放熱型電子部品収納用パッケージは、第１のＡｕめっき被膜の厚さが０を超え、０．１μｍ以下であると共に、第２のＡｕめっき被膜の厚さが０．１μｍを超えるので、確実にボンディングワイヤの接続信頼性と、半田の接合信頼性の両者の信頼性を同時に向上させて満足させることができる。

続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施するための最良の形態について説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図１（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る高放熱型電子部品収納用パッケージの平面図、Ａ−Ａ’線拡大縦断面図、図２（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同高放熱型電子部品収納用パッケージの変形例の平面図、Ｂ−Ｂ’線拡大縦断面図である。

図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本発明の一実施の形態に係る高放熱型電子部品収納用パッケージ１０は、実装される電子部品１１から発生する高温、且つ大量の熱を放熱するための高放熱特性を有する略長方形板状の金属板からなるヒートシンク板１２の上面に、窓枠形状からなる絶縁枠体１３を接合して有している。この絶縁枠体１３には、例えば、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）や、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックが用いられている。また、ヒートシンク板１２には、セラミックと熱膨張係数が近似し、ポーラス状からなるタングステンに熱伝導性に優れる銅を含浸させたりして作製されるＣｕ−Ｗ複合金属板や、銅とモリブデンからなるＣｕ−Ｍｏ複合金属板や、Ｃｕ−Ｍｏ系金属板の両面に銅板をクラッドしたＣｕ／Ｃｕ−Ｍｏ／Ｃｕ接合金属板等が用いられている。

そして、ヒートシンク板１２の上面には、下面となる窓枠形状の一方の主面にタングステンや、モリブデン等の導体金属で形成されたメタライズ膜１５、更にその上にＮｉや、Ｎｉ−Ｃｏ等の第１のＮｉめっき被膜１６が施された絶縁枠体１３が間にＡｇ−Ｃｕろう等のろう材１７を介して加熱してろう付け接合されている。上記の高放熱型電子部品収納用パッケージ１０には、電子部品１１を載置して接合するためのヒートシンク板１２の上面と、電子部品１１を囲繞するための絶縁枠体１３の内周側壁面とで電子部品１１を実装するためのキャビティ部１４が形成されている。

また、高放熱型電子部品収納用パッケージ１０のセラミックからなる絶縁枠体１３の上面となる窓枠形状の他方の主面には、タングステンや、モリブデン等の導体金属パターンからなるメタライズ膜１５ａが形成され、更にその上にＮｉや、Ｎｉ−Ｃｏ等の第１のＮｉめっき被膜１６が施されている。この絶縁枠体１３の第１のＮｉめっき被膜１６が施されたメタライズ膜１５ａの上面には、外部接続端子１８が間にＡｇ−Ｃｕろう等のろう材１７を介して加熱してろう付け接合されている。この外部接続端子１８には、電子部品１１とボンディングワイヤ１９を介して直接接続して電気的に導通状態とするためのワイヤボンドパッド部２０が設けられている。そして、この外部接続端子１８を含む高放熱型電子部品収納用パッケージ１０の表面に露出する全ての金属部分には、Ｎｉや、Ｎｉ−Ｃｏ等からなる第２のＮｉめっき被膜２１、更に、この上に第１のＡｕめっき被膜２２、又は第２のＡｕめっき被膜２３が形成されている。

この高放熱型電子部品収納用パッケージ１０の外部接続端子１８は、外部と電気的に導通状態とするためにボード２４等に形成された配線パターンに半田２５で接合するための端子部２６を、ワイヤボンドパッド部２０以外の部位に有している。なお、この高放熱型電子部品収納用パッケージ１０の外部接続端子１８は、ボンディングワイヤ１９を接続するためのワイヤボンドパッド部２０と、外部と電気的に接続させるための端子部２６を兼ね備えている。また、この高放熱型電子部品収納用パッケージ１０のヒートシンク板１２は、高放熱型電子部品収納用パッケージ１０を強固に固定させると共に、電子部品１１からの発熱をヒートシンク板１２の下面を介して更に放熱を促進させるために金属ブロック２７等に半田２５で接合されるようになっている。

この高放熱型電子部品収納用パッケージ１０には、半田２５で接合する部位である外部接続端子１８の端子部２６、及びヒートシンク板１２の下面のそれぞれに第１のＡｕめっき被膜２２が被覆されている。また、この高放熱型電子部品収納用パッケージ１０には、キャビティ部１４の底面と、ワイヤボンドパッド部２０を含む外表面に露出する金属面に第２のＡｕめっき被膜２３が被覆されている。そして、それぞれのＡｕめっき被膜の厚さは、第１のＡｕめっき被膜２２の厚さが第２のＡｕめっき被膜２３の厚さより薄く形成されている。なお、外部接続端子１８の端子部２６の第１のＡｕめっき被膜２２は、ボード２４との接合面である下面のみに設けるようにしてよい。

ここで、第１のＡｕめっき被膜２２、及び第２のＡｕめっき被膜２３の形成方法の一例を説明する。先ず、高放熱型電子部品収納用パッケージ１０の全ての外表面に露出する金属面には、Ａｕめっき浴中で短時間の電流をかけて形成する電解Ａｕフラッシュめっきを施して薄いめっき厚さのＡｕめっき被膜を形成している。次に、この薄いめっき厚さのＡｕめっき被膜の内の第１のＡｕめっき被膜２２となる部分である外部接続端子１８の端子部２６、及びヒートシンク板１２の下面のそれぞれには、めっきレジスト膜となるレジストテープを貼り付けている。次に、レジストテープを貼り付けたところ以外の第２のＡｕめっき被膜２３となる部分には、所望の厚いめっき厚さのＡｕめっき被膜となるように、Ａｕめっき浴中で適切な時間の電流をかけて形成する通常の電解Ａｕめっきを施している。次に、レジストテープを剥離した後には、レジストテープを剥離した部分がめっき厚さの薄い第１のＡｕめっき被膜２２、レジストテープを貼り付けなかった部分がめっき厚さの厚い第２のＡｕめっき被膜２３の部分として形成されるようにしている。そして、Ａｕめっき被膜の厚さは、第１のＡｕめっき被膜２２の厚さが第２のＡｕめっき被膜２３の厚さより薄くなるようにしている。

高放熱型電子部品収納用パッケージ１０には、キャビティ部１４に電子部品１１が搭載され、この電子部品１１と外部接続端子１８のワイヤボンドパッド部２０との間をボンディングワイヤ１９で直接接続して電気的導通を形成している。そして、電子部品１１が実装された高放熱型電子部品収納用パッケージ１０は、キャビティ部１４が蓋体２８で気密に封止された後、外部接続端子１８の端子部２６をボード２４等に半田２５で接合している。更に、高放熱型電子部品収納用パッケージ１０は、ヒートシンク板１２の下面を金属ブロック２７に半田２５で接合すると共に、場合によって、ねじ等で金属ブロック２７にねじ止め（図示せず）している。

この高放熱型電子部品収納用パッケージ１０は、Ａｕ線からなるボンディングワイヤ１９を接合させる部位であるワイヤボンドパッド部２０の第２のＡｕめっき被膜２３の厚さを厚くしているので、ボンディングワイヤ１９を強固に接続させることができ、接続信頼性を向上させることができる。また、この高放熱型電子部品収納用パッケージ１０は、半田２５で接合される部位の第１のＡｕめっき被膜２２の厚さを薄くしているので、半田２５中のＳｎのＡｕめっき被膜層への固溶しすぎを防止して、所謂、半田２５のＡｕ食われを防止することができ、接合強度の低下や、接合部のクラック等の発生を防止して接合信頼性を向上させることができる。

次に、図２（Ａ）、（Ｂ）を参照しながら、本発明の一実施の形態に係る高放熱型電子部品収納用パッケージ１０の変形例の高放熱型電子部品収納用パッケージ１０ａを説明する。なお、高放熱型電子部品収納用パッケージ１０ａは、基本的には、高放熱型電子部品収納用パッケージ１０と同様であるので、異なる部分のみを説明する。
図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、高放熱型電子部品収納用パッケージ１０ａは、例えば、ＢＴ樹脂（ビスマレイミドトリアジンを主成分とする樹脂）や、ポリイミド等の樹脂からなる窓枠形状の絶縁枠体１３ａが用いられている。この場合のヒートシンク板１２には、Ｃｕ−Ｗ複合金属板や、Ｃｕ−Ｍｏ複合金属板や、Ｃｕ／Ｃｕ−Ｍｏ／Ｃｕ接合金属板等に加えて、絶縁枠体１３ａがセラミックからなる場合にように熱膨張係数を近似させる必要性が低いので、Ｃｕや、Ｃｕ合金等からなる極めて熱伝導性のよい金属板を用いることもできる。

そして、ヒートシンク板１２の上面には、樹脂からなる絶縁枠体１３ａの下面となる窓枠形状の一方の主面が間に、例えば、シリコーン系接着樹脂や、オレフィン系接着樹脂や、ポリイミド系接着樹脂等の耐熱性のある接着樹脂２９を介して接合されている。また、高放熱型電子部品収納用パッケージ１０ａの樹脂からなる絶縁枠体１３ａの上面となる窓枠形状の他方の主面には、外部接続端子１８が間に、例えば、シリコーン系接着樹脂や、オレフィン系接着樹脂や、ポリイミド系接着樹脂等の耐熱性のある接着樹脂２９を介して接合されている。そして、この外部接続端子１８を含む高放熱型電子部品収納用パッケージ１０の表面に露出する全ての金属部分には、Ｎｉや、Ｎｉ−Ｃｏ等からなるＮｉめっき被膜３０、更に、この上に第１のＡｕめっき被膜２２、又は第２のＡｕめっき被膜２３が形成されている。

高放熱型電子部品収納用パッケージ１０の場合と同様に、高放熱型電子部品収納用パッケージ１０ａは、外部接続端子１８に、ボード２４等に半田２５で接合するための端子部２６を、ワイヤボンドパッド部２０以外の部位に有している。また、この高放熱型電子部品収納用パッケージ１０ａは、高放熱型電子部品収納用パッケージ１０ａを強固に固定させると共に、電子部品１１からの発熱をヒートシンク板１２の下面を介して更に放熱を促進させるために金属ブロック２７等にヒートシンク板１２の下面が半田２５で接合されるようになっている。

この高放熱型電子部品収納用パッケージ１０ａには、半田２５で接合する部位である外部接続端子１８の端子部２６、及びヒートシンク板１２の下面のそれぞれに第１のＡｕめっき被膜２２が被覆されている。また、この高放熱型電子部品収納用パッケージ１０には、キャビティ部１４の底面と、ワイヤボンドパッド部２０を含む外表面に露出する金属面に第２のＡｕめっき被膜２３が被覆されている。そして、それぞれのＡｕめっき被膜の厚さは、第１のＡｕめっき被膜２２の厚さが第２のＡｕめっき被膜２３の厚さより薄く形成されている。この高放熱型電子部品収納用パッケージ１０ａには、高放熱型電子部品収納用パッケージ１０の場合と同様に、キャビティ部１４に電子部品１１が実装され、蓋体２８で気密に封止された後、外部接続端子１８の端子部２６をボード２４等に半田２５で接合し、更に、ヒートシンク板１２の下面を金属ブロック２７に半田２５で接合している。

上記の高放熱型電子部品収納用パッケージ１０、１０ａは、第１のＡｕめっき被膜２２の厚さが０を超え、０．１μｍ以下の薄い厚みであると共に、上記の高放熱型電子部品収納用パッケージ１０、１０ａは、第２のＡｕめっき被膜２３の厚さが０．１μｍを超える厚い厚みであるのがよい。第１のＡｕめっき被膜２２は、厚さが０．１μｍを超える場合には、半田２５中のＳｎのＡｕめっき被膜層への固溶が多くなってＡｕが消失する、所謂、半田２５のＡｕ食われによる接合強度の低下や、接合部のクラック等が発生しやすくなり、接合信頼性の低下が発生しやすくなる。これと共に、第２のＡｕめっき被膜２３は、厚さが０．１μｍ以下の場合には、Ａｕ線からなるボンディングワイヤ１９を超音波等でＡｕ線を押圧しながら接続させるときのＡｕめっき被膜層の柔軟性が小さくなり、強固な接合を行うことができなくなり、接続信頼性の低下が発生しやすくなる。

本発明の高放熱型電子部品収納用パッケージは、シリコンや、ガリウム砒素電界効果トランジスタ等の高周波、高出力の半導体素子等の電子部品を実装させて、例えば、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）基地局用等の電子装置とするのに用いることができる。

（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る高放熱型電子部品収納用パッケージの平面図、Ａ−Ａ’線拡大縦断面図である。 （Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同高放熱型電子部品収納用パッケージの変形例の平面図、Ｂ−Ｂ’線拡大縦断面図である。 （Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ従来の高放熱型電子部品収納用パッケージの斜視説明図、Ｃ−Ｃ’線拡大縦断面図である。

符号の説明

１０、１０ａ：高放熱型電子部品収納用パッケージ、１１：電子部品、１２：ヒートシンク板、１３、１３ａ：絶縁枠体、１４：キャビティ部、１５、１５ａ：メタライズ膜、１６：第１のＮｉめっき被膜、１７：ろう材、１８：外部接続端子、１９：ボンディングワイヤ、２０：ワイヤボンドパッド部、２１：第２のＮｉめっき被膜、２２：第１のＡｕめっき被膜、２３：第２のＡｕめっき被膜、２４：ボード、２５：半田、２６：端子部、２７：金属ブロック、２８：蓋体、２９：接着樹脂、３０：Ｎｉめっき被膜

Claims (2)

1. ヒートシンク板の上面に窓枠形状からなる絶縁枠体を接合して有し、前記ヒートシンク板の上面と前記絶縁枠体の内周側壁面で電子部品を実装するためのキャビティ部が形成され、前記絶縁枠体の上面に前記電子部品とボンディングワイヤを介して電気的に導通状態とするためのワイヤボンドパッド部を設ける外部接続端子を接合して有する高放熱型電子部品収納用パッケージにおいて、
   前記外部接続端子に外部と半田で接合するための端子部を前記ワイヤボンドパッド部以外の部位に有し、前記端子部と前記ヒートシンク板の下面のそれぞれに被覆される第１のＡｕめっき被膜の厚さが、前記キャビティ部の底面と前記ワイヤボンドパッド部を含む外表面に露出する金属面に被覆される第２のＡｕめっき被膜の厚さより薄いことを特徴とする高放熱型電子部品収納用パッケージ。
2. 請求項１記載の高放熱型電子部品収納用パッケージにおいて、前記第１のＡｕめっき被膜の厚さが０を超え、０．１μｍ以下であると共に、前記第２のＡｕめっき被膜の厚さが０．１μｍを超えることを特徴とする高放熱型電子部品収納用パッケージ。

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