JPS63239836A - ウエハ検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ウェハ検査、たとえばウェハのプローブ検査
に利用して有効な技術に関するものである。

〔従来の技術〕

ウェハのプローブ検査については、たとえば、株式会社
工業調査会、昭和６０年１１月２０日発行、「電子材料
別冊、超ＬＳＩ製造・試験装置ガイドブックＪＰ２１５
〜Ｆ２２１に記載されている。

本発明者は、ウェハのプローブ検査について検討した。

以下は、公知とされた技術ではないが、本発明者によっ
て検討された技術であり、その概要は次の通りである。

すなわち、ウェハの前処理と呼ばれる処理工程において
は、ウェハ上に形成された各素子のパッド部分にプロー
ブ検査針を接触させて、所定の電圧、信号等を印加して
、該素子の良否状態を検査するプローブ検査が行われて
いる。

ところで、前記プローブ検査では、同一内容の検査が同
一のウェハに対して複数回行われる場合がある。たとえ
ば、ＥＰ−ＲＯＭ素子等の製造におけるマスク処理の前
後で行われるプローブ検査がこの一例といえる。これは
、たとえば第１回目の検査では、ウニへ全体における素
子領域の不良率を検出して、一定基準に達しないウェハ
は、ウニハネ良としてラインから排除し、第２回目の検
査では、ペレットを構成する各素子領域の個々について
良否を検出するためである。

前記のように、同一のウェハに対して合計２回のプロー
ブ検査を行う場合には、第１回および第２回の双方のプ
ローブ検査共に、全素子領域に対してプローブ部分をス
キャンさせて同一手順で検査を行うことが一般的である
。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、前記のようなプローブ検査では、第１回目の
検査において既に不良の検出された素子領域は、第２回
目の検査を行っても不良が検出されることは明らかであ
る。すなわち、第２回目の検査の本来的な目的は、第１
回目の検査で良品とされた素子領域のうち、その後のマ
スク工程等で不良が発生したものを検出することである
。にもかかわらず、第２回目の検査においても、ウェハ
上の全て゛の素子領域を再度検査しているため、検査効
率が向上せず、ウェハ処理遅延を生じる一因ともなって
いた。さらに前記検査方法においては、第２回目の検査
で不良が検出された場合に、この不良がウェハプロセス
のどの段階で生じた不良であるのか解析することは困難
であった。

本発明は、上記問題点に着目してなされたものであり、
その目的は効率的なウェハ検査を行うことのできる技術
を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔問題点を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。

すなわち、同一ウェハ上の素子領域に対して複数回の検
査を行う際に、各回の検査結果に基づく素子領域の良否
情、報を記憶手段に記憶させておき、後続の検査時に前
記記憶手段からの前記良否情報の出力に基づいてウェハ
上の不良素子領域部分を回避して検査を行うものである
。

〔作用〕

上記した手段によれば、後続の検査にふいては、記憶手
段からの記憶情報に基づいて良品とされた素子領域のみ
を再度検査すれば足りるため、ウェハの検査効率を著し
く向上させることができる。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例であるウェハのプローブ検査
工程を示す概念図、第２図、第３図ふよび第４図はそれ
ぞれ各工程におけるウェハの検査状態を示す説明図、第
５図は記憶手段に記憶されるウェハに関する良否データ
を示す説明図である。

本実施例は、本発明をいわゆるウェハ１のプローブ検査
に適用した例であり、検査Ａと検査Ｂとからなる２回の
プローブ検査を行う場合である。

本実施例に用いられるシステムは、ウェハ１の各素子領
域に対して電源電圧の供給および信号の印可をふこなう
ブローμ２と、該ブローμ２への書き込みデータの送信
および読み込みデータの受信を行うテスタ３と、さらに
、ウェハ２からのマツプデータとテスタ３からのデータ
読み書き情報とをフロッピーディスク等の記憶媒体４に
記録するディスクドライブ等の人出力装冒５を備えてい
る。ここで、該人出力装Ｗ５は、検査Ａにおいては、主
として記憶媒体４へのデータの書き込み用いられ、検査
Ｂにおいては、主としてこの記憶媒体４からのデータの
読み出し用として用いられるものである。

なお、前記ブローμ２とテスタ３とは検査Ａと検査Ｂと
で同一のものを用いてもよいし、別装置を用いてもよい
。

次に、本実施例のプローブ検査工程を第２図〜第５図に
よって説明する。

ウェハｌは、たとえばカートリッジ６の単位によって、
検査情報が単一の記憶媒体４に記録され、この記憶媒体
４がカートリッジ６とともに工程間を移送されるように
なっている。ここで、本実施例では記憶媒体４には、検
査工程への検査結果を記憶させた場合について説明する
が、これらの情報のほかに、前工程に右けるウェハ履歴
等を入力したものであってもよい。

第２図にふいて、Ｘ軸およびＹ軸は、ウェハ１上に形成
された各素子領域のマツプアドレスを指示するものであ
り、またウェハ１上に実線で示される矢印は、ブローμ
２による各素子領域間のスキャン順序を示している。

本実施例によれば、まず図示されないＸＹ制御手段等に
よってウェハ１の全体の位置合わせを行った後、ウェハ
１上の各素子領域に対応させたマツピングを行う。

次に、前記マツピングによって付与されたＸＹアドレス
に基づいて、原点位置に最も近い素子領域（Ｘ７．Ｙ５
）に対して、ブローμ２のプローブ検査針２ａを接触さ
せて１個目の素子領域を検査可能な状態とする。次に、
テスタ３より出力された書き込みデータがブローμ２を
経て該素子領域（Ｘ７．Ｙ５）に書き込まれる。該素子
領域（Ｘ７．Ｙ５）の内部に全てのデータが書き込まれ
ると、次にこのデータの読み出しが行われ、該読み出し
データはテスタ３に再度入力される。テスタ３の内部で
は、前記書き込みデータとこの読み出しデータとを比較
して、素子の良否、すなわち良品（ＰＡＳＳ）であるか
不良（ＦＡ　Ｉ　Ｌ）であるかを判定し、このＸ７．Ｙ
５でアドレス指定された素子領域に関する良否情報とし
て入出力装置５を経て記憶媒体４に記憶させる。

次に、前記ウェハアドレスのＹパラメータを固定して、
Ｘパラメータに１を加えた分だけブローμ２を相対的に
移動させ、前記素子領域（Ｘ７゜Ｙ５）に隣接した次の
素子領域（Ｘ８．Ｙ５）にブローμ２を相対的に移動さ
せて、この素子領域（Ｘ８．Ｙ５）の検査を行う。この
ようにして順次７５行の各素子領域（Ｘ７〜１２．Ｙ５
）の検査を完了した後、Ｙパラメータに１が加算されて
、Ｙ６行の検査が行われる。このとき、本装置ではブロ
ーμ２の相対移動を合理的に行うために、前７５行での
最終検査列Ｘ１２に最も近い位置にある素子領域（ｘ１
３、Ｙ６）をまず選択して、前７５行とは逆方向にブロ
ーμ２を順次スキャンさせながら検査Ａを継続するとと
もに、その結果を記憶媒体４に記録する。このようにし
て、該記憶媒体４には検査結果から得られた素子領域の
良否情報が順次記録されていく。

このようにして、ウェハ１上の全ての素子領域の検査へ
が完了した後、この第１回目の検査段階において一定数
量以上の不良素子領域Ｆが検出されたウェハは、ウニハ
ネ良として工程から排除される。

前記の検査へにおいて、一定数量以上の良品領域Ｐが検
出されて全体として良品と判定されたウェハ１は、カー
トリッジ６の単位で次のマスク工程が施された後に、再
度本実施例の検査工程に戻され、第２回目の検査Ｂが行
われる。

ここで、検査Ｂは、前記第１回目の検査Ａの検査内容と
ほぼ同様のものであるが、ウェハ１上でのブローμ２の
スキャン順序が異なる。

すなわち、検査Ｂでは第３図の斜線部で示されるように
、第１回目の検査Ａの検査結果より、ウェハ１上での不
良素子領域Ｆが既に明らかとなっており、このような不
良素子領域Ｆに関する情報は、第５図に示されるデータ
として記憶媒体４に既に記憶されている。したがって、
検査Ｂではウェハ１に対するブローμ２の相対的移動、
すなわちスキャン順序は、第４図に示されるように、不
良素子領域Ｆを通過あるいは回避しながら良品素子領域
Ｐのみで検査が行われるようになっている。

これを第４図および第５図によって具体的に説明すると
以下の通りである。

まず、検査Ａと同様に、ブローμ２はウェハ１上での検
査開始素子領域（Ｘ７．Ｙ５）に位置される。このとき
、入出力装置５を通じて記憶媒体４より素子領域（Ｘ７
．Ｙ５）に関する情報がブローμ２に送られる。ここで
、第４図および第５図に示されるように、該素子領域（
Ｘ７．Ｙ５）は、検査へにおいて不良（Ｆ／ＭＬ）と判
定された領域である。このため、ブローμ２は該素子領
域（Ｘ７．Ｙ５）に対して検査を行わずに次の素子領域
（Ｘ８．Ｙ５）に関する情報を入出力装置５より受は取
る。ここで、該素子領域（Ｘ８．Ｙ５）についても不良
（ＦＡ■Ｌ）と判定されているため、さらに次の素子領
域（Ｘ９．Ｙ５）の情報を受は取る。ここで、素子領域
（Ｘ９．Ｙ５）は良品（ＰＡＳＳ）と判定されているた
め、プローバ２は前記不良素子領域（Ｘ８．Ｙ５）およ
び（Ｘ９．Ｙ５）を通過して良品素子領域（Ｘ９゜Ｙ５
）の位置まで相対移動して第２回目の検査Ｂを開始する
。

前記の良品素子領域（Ｘ９．Ｙ５）での検査が完了した
後、プローバ２はさらに次の良品素子領域（Ｘ１１．Ｙ
５）の情報を受は取り、その間にある不良素子領域（Ｘ
ＩＯ，Ｙ５）を通過してプローバ２が移動される。この
ようにして、検査へのスキャン順序に対応して、良品素
子領域Ｐを次々に選択的に検査対象とする。

以上のようにして、第２回目の検査已においては、不良
素子領域Ｆを通過あるいは回避してプローバ２が移動さ
れるため、第１回目の検査へで不良と判定された領域Ｆ
を再度検査することによる検査処理効率の低下を有効に
防止できる。

また、前記検査Ｂの検査結果については、テスタ３およ
び外部入出力装置５を通じて、検査Ａの検査結果ととも
に記憶媒体４に記録しておいてもよい。この結果、第１
回目の検査Ａで良品と判定された後、第２回目の検査Ｂ
では不良とされた素子領域があった場合には、両検査Ａ
、Ｂ間で行われたマスク工程における処理不良として判
断でき、ウェハ１の不良発生原因の解析が容易となる。

このように、本実施例によれば以下の効果を得ることが
できる。

（１）、第１回目の検査への検査結果で不良と判定され
た素子領域Ｆをプローバ２が通過あるいは回避して第２
回目の検査Ｂが行われるため、既知の不良領域Ｆの再検
査を防止でき、複数回の同一検査を行う検査工程におい
て検査効率を向上させることが可能となる。

（２）、第１回目の検査結果と、第２回目の検査結果と
を比較することにより、ウェハ２の不良発生原因の解析
が容易となる。

（３）、上記（１）〜（２）により、さらに効率的かつ
信頼性の高いウェハ処理が可能となる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に。

基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々
変更可能であることはいうまでもない。たとえば、記憶
媒体および入出力装置としては、フロッピィディスクお
よびフロビイディスクドライブを図示して説明したが、
これに限らず磁気テープあるいは光ディスク等の他の記
憶媒体およびそれに対応した入出力装置であってもよい
。

また、実施例では同一内容の検査を２回行う場合につい
て説明したが、３回以上の重複検査を行う製品であって
もよい。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその利用分野である、いわゆるウェハのプローブ検査
に適用した場合について説明したが、これに限定される
ものではなく、多数の検査領域を有する被検査物におい
て複数回の検査を行うものであれば如何なるものにも適
用できる。

〔発明の効果〕

本願にふいて開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。

すなわち、各回の検査結果に基づく素子領域の良否情報
を記憶手段に記憶させておき、後続の検査時に前記記憶
手段からの前記良否情報の出力に基づいてウェハ上の良
品とされた素子領域部分のみに対して検査を行うことに
よって、後続の検査においては、記憶手段からの記憶情
報に基づいて前回の検査で良品とされた素子領域のみを
再度検査すれば足りるため、ウェハの検査効率を著しく
向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例であるウェハのプローブ検査
工程を示す概念図、 第２図、第３図、第４図はそれぞれ実施例の各工程にお
けるウェハの検査状態を示す説明図、第５図は同じ〈実
施例の記憶手段に記憶されるウェハに関する良否データ
を示す説明図である。 １・・・ウェハ（被検査物）、２・・・プローバ、２ａ
・・・プローブ検査針、３・・・テスタ、４・・・記憶
媒体、５・・・入出力装置、６・・・カートリッジ、Ａ
・・・第１回検査、Ｂ・・・第２回検査、Ｆ・・・不良
素子領域、Ｐ・・・良品素子領域。 Ｂ−＄２’ｑＪ’ＰＪ！ｘ 第　　２　　図 第　　４　　図 第　　３　　図 第　　５　　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、同一ウェハ上の素子領域に対して複数回の検査を行
   うウェハ検査方法であって、各回の検査結果に基づく素
   子領域の良否情報を記憶手段に記憶させておき、後続の
   検査時に前記記憶手段からの前記良否情報の出力に基づ
   いてウェハ上の良品とされた素子領域部分のみに対して
   検査を行うことを特徴とするウェハ検査方法。 ２、前記複数回の検査が同一種類の検査であることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載のウェハ検査方法。