JPH0712903A - 半導体集積回路装置及びその検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体集積回路の品質を判定する検査工程の
判定結果を確実に残すことができる検査方法を提供す
る。 【構成】 半導体集積回路に試験工程１２が実施された
後に、半導体集積回路が正常に動作するかを判定する検
査工程１３を実施し、検査工程１３の判定結果が良品と
判定されたときには、検査工程１３を実施した検査装置
から半導体集積回路を取り外すことなく、同一の装置を
用いて半導体集積回路内の不揮発性記憶素子領域に判定
結果の履歴を残す書き込みをしている。したがって、良
品と不良品とが混入することなく判定結果を確実に残す
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は検査工程を必要とするＥ
ＰＲＯＭ等の不揮発性記憶素子を有する半導体集積回路
装置及びその検査方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路装置の製造工程において
は、一般に、初期故障を防止するために、出荷前の半導
体集積回路装置の完成品に実際の使用に先立ち、厳しい
条件下において一定の時間回路を動作させるバーンイン
試験や、製品を高温と低温の環境下に交互に入れかえて
熱的ストレスを与える温度サイクル試験などを行い、初
期故障を誘発させている。しかしながら、試験条件（温
度、電圧、時間等）や実施される試験項目は、使用目的
によって様々である。たとえば、高品質のものが必要と
される場合には、バーンイン試験などの検査工程の条件
が厳しくなり、同じ品種であっても試験項目や条件は同
じとは限らない。

【０００３】そして、これらのバーンイン試験や温度サ
イクル試験などを実施した後に、回路が正常に動作する
かどうかの一般的検査が行われ、良品と不良品とが選別
されていた。これらの試験及び検査は必ずしも１種類と
は限らず、必要な試験が複数工程ある場合には、一つの
試験が終わるたびに良品／不良品を判定する検査を行
い、そのたびに不良品を取り除いていた。そして、最終
の検査で良品と判断された半導体集積回路装置だけに、
必要な試験及び検査を全て実施したという印として、半
導体集積回路装置のチップ表面に記号を印刷し（以下、
このような記号の印刷をマーキングという）、マーキン
グ済みの良品だけを出荷していた。たとえば、図７に示
すように半導体チップ６０のパッケージ表面上の領域６
１に「●」をマーキングすることによって、試験工程が
実施され、検査工程で良品と判定されたものであるかど
うかを外見から判断していた。

【０００４】次に、従来の半導体集積回路装置の検査方
法を、図６に示したブロック図を参照しながら説明す
る。

【０００５】１１は半導体集積回路装置の組立工程で、
この工程で半導体集積回路装置が完成品となる。１２，
１４は初期故障を誘発させる試験工程で、これらにはバ
ーンイン試験や温度サイクル試験等がある。１３，１５
は良品か不良品かを判断する検査工程である。また、試
験工程１２，１４等及び検査工程１３，１５等を含めて
初期故障検出工程１００と表す。１６はマーキング工程
である。

【０００６】まず、組立工程１１で完成品となった半導
体集積回路装置に試験工程１２を実施する。そして、試
験工程１２が実施された半導体集積回路装置が試験実施
後良品であるか不良品であるかを検査工程１３で検査す
る。この検査工程１３で不良品と判断された半導体集積
回路装置は取り除かれる。同様に、試験及び検査をそれ
ぞれ複数回繰り返し行い、そのたびに不良品は取り除か
れていく。そして、最終の試験工程１４及び検査工程１
５で良品と判断された半導体集積回路装置には、検査工
程１５の実施後初期故障検出工程がすべて完了したとい
う履歴を残すために、決められた記号がチップ表面にマ
ーキングされる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体集積回路装置の検査方法においては、チップ表面
に塗料等で印刷をするマーキング工程と、端子間の電圧
や電流を測定する等の電気的検査をする検査工程とで
は、全く別の機能を必要とするため、同一の装置で二つ
の工程を実施することができなかった。また、装置を改
良してマーキング工程と検査工程の二つの工程を実施す
ることができる装置を開発したとしても、費用が非常に
かかってしまうため、一般には検査工程とマーキング工
程とは別の装置で実施していた。たとえば、最終の検査
工程１５を実施した後に、検査工程用の装置から半導体
集積回路装置のチップを外し、次にマーキング工程用の
設備のある場所に移動させていた。したがって、従来の
半導体集積回路装置の検査方法では、初期故障検出工程
１００からマーキング工程１６に移動する際に、良品と
不良品が混入するというおそれがあり、マーキング前に
製品の混入が起きてしまった場合には、区分をする手段
がないという問題があった。

【０００８】また、検査工程からマーキング工程への移
動は人手を要するためコストアップにつながり、一般に
は初期故障検出工程１００の実施済みの履歴を残すため
のマーキング工程は最終の検査工程１５が終了してから
一度だけ行なわれていた。したがって、複数の試験工程
及び検査工程が実施される場合、マーキング前の途中の
試験工程及び検査工程の段階では、外見からどこまでの
試験及び検査が実施されたかを判断することができなか
った。

【０００９】また、従来では同じ品種の中に初期故障検
出工程１００の内容が違うものがある場合には、図７に
示した半導体チップ６０の領域６１にマーキングする記
号の種類を変える等の方法をとって区別していた。しか
しながら、初期故障検出工程を実施した履歴を残すため
にマーキングできる領域には限界があり、そのため、マ
ーキングによってチップ表面に残せる情報量はかなり少
ないという問題があった。

【００１０】本発明は上記課題を解決するもので、簡単
な方法で確実に良品／不良品の履歴を残すことができ、
さらに初期故障検出工程の履歴に関する多くの情報を残
すことができる半導体集積回路装置及びその検査方法を
提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、少なくとも１ビット以上の不揮発性記憶素
子領域を有し、外部端子から検査工程の判定結果を不揮
発性記憶素子に書き込むことを特徴とするものである。

【００１２】また、半導体集積回路装置の品質を判定す
る検査工程を実施した装置と同一の装置を用いて、検査
工程の判定結果の履歴が残る書き込みを行うことを特徴
とするものである。

【００１３】

【作用】本発明は、１ビット以上の不揮発性記憶素子領
域をを有し、外部端子から検査工程の判定結果を不揮発
性記憶素子に書き込むことができるので、検査工程の判
定結果に関する情報を半導体集積回路装置内の不揮発性
記憶素子領域に残すことができる。

【００１４】また、本発明は、半導体集積回路装置の品
質を判定する検査工程を実施した装置と同一の装置で検
査工程の判定結果の履歴が残る書き込みを行っているの
で、検査工程の判定結果の履歴を半導体集積回路装置に
確実に残すことができる。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の半導体集積回路装置の第１の
実施例について、図２及び図５に示した半導体集積回路
装置の構成図を参照しながら説明する。

【００１６】図２において、２０は検査装置で、半導体
集積回路装置４０の外部端子２８等から半導体集積回路
装置４０に電圧をかける等して、半導体集積回路装置４
０が正常に動作するかどうかの一般的な検査ができるも
のである。また、この検査装置２０は、外部端子２１〜
２３から、半導体集積回路装置４０内の不揮発性記憶素
子２７に書き込み命令をすることもできる。なお、外部
端子２１〜２３は半導体集積回路装置４０内の不揮発性
記憶素子２７に書き込みを行うときに使用される。２４
は不揮発性記憶素子２７の記憶内容を読み出すときに使
用する外部端子である。また、２８はその他の外部端子
である。２７は不揮発性記憶素子で、半導体集積回路装
置４０の中に構成されており、１ビット分の記憶素子で
ある。２５は論理回路、２６は不揮発性記憶素子２７へ
の書き込み回路である。なお、図２は半導体集積回路装
置４０の一部を示している。

【００１７】図５は一般的な半導体集積回路装置４０の
全体の構成を表わしており、図に示すように不揮発性記
憶素子２７はＲＡＭ５１や、ＲＯＭ５２等の記憶装置の
中に必ずしも組み込まれているとは限らない。また、Ｒ
ＡＭ５１やＲＯＭ５２等のメモリの一部に不揮発性記憶
素子２７を配置しても問題はない。

【００１８】図２に示すように検査装置２０は外部端子
２１〜２３を通して半導体集積回路装置４０内の論理回
路２５に接続されている。そして、論理回路２５が書き
込み回路２６を介して不揮発性記憶素子２７に接続され
ている。さらに、不揮発性記憶素子２７は外部端子２４
に接続されている。また、検査装置２０はその他の外部
端子２８にも接続可能である。

【００１９】以上のように構成された半導体集積回路装
置の動作について、図２を参照にしながら説明する。

【００２０】検査装置２０によって半導体集積回路装置
４０が正常に動作するかどうかの一般的な検査をした結
果、正常に動作すると判定された場合、同一の検査装置
２０を用いて半導体集積回路装置４０内に構成されてい
る不揮発性記憶素子２７に判定結果の履歴を残すための
書き込みを行う。なお、不揮発性記憶素子２７の初期状
態はＨレベルであり、良品のときの書き込み回路２６か
らの書き込み命令が入力され、不揮発性記憶素子２７は
Ｌレベルになる。また、書き込み回路２６は、Ｈレベル
の入力があったときだけ、書き込み命令を出力するもの
である。

【００２１】まず、検査装置２０により半導体集積回路
装置４０が良品であると判定された場合、検査装置２０
から外部端子２１〜２３を介してＨレベル、Ｈレベル、
Ｈレベルの三つの信号が論理回路２５に入力される。そ
して、論理回路２５は入力された三つの信号の論理積を
とり、その結果を書き込み回路２６に供給する。本実施
例では、論理回路２５から書き込み回路２６にＨレベル
の信号が入力される。そして、Ｈレベル入力があった書
き込み回路２６は不揮発性記憶素子２７に書き込み命令
を出力する。不揮発性記憶素子２７の記憶内容がＨレベ
ルからＬレベルにかわる。

【００２２】また、不揮発性記憶素子２７の記憶内容を
確認するときは、外部端子２４から読み出す。ただし、
読み出すときの動作については、説明を省略する。

【００２３】上記したように、本発明の半導体集積回路
装置では、検査装置２０を用いて半導体集積回路装置４
０内の不揮発性記憶素子に簡単に書き込みを行ない、判
定結果の履歴を簡単に残すことができる。

【００２４】なお、本実施例では外部端子２１〜２３よ
り論理回路２５にＨレベル、Ｈレベル、Ｈレベルの組合
せの入力があったときだけ、論理回路２５の出力がＨレ
ベルになるような論理回路２５が構成されているが、必
ずしもこの構成に限定されるものではない。その他の例
として、論理回路２５が二つの外部端子からの入力の論
理和をとり、さらにオア（ＯＲ）回路の出力をインバー
タ回路を介して反転させるという構成（図示せず）の場
合には、論理回路２５にＬレベル、Ｌレベルの組合せの
入力があったときだけ論理回路２５の出力がＨレベルに
なる。このような論理回路を構成して不揮発性記憶素子
２７に書き込み命令を入力してもよい。つまり、論理回
路２５の入力に用いる外部端子２１〜２３は不揮発性記
憶素子２７に書き込みを行うためだけに設けられたもの
ではないため、不揮発性記憶素子２７に書き込みを行う
ときの外部端子２１〜２３から論理回路２５への入力信
号の組合せは、書き込み工程１以外の工程で入力される
ことのない信号の組合せであれば問題はない。また、書
き込み工程１で使用する外部端子の数も三つに限定され
る訳ではない。

【００２５】次に、本発明の半導体集積回路装置の検査
方法の第１の実施例について、図１のブロック図を参照
しながら説明する。図１において、図６に示した従来の
半導体集積回路装置の検査方法と同じ工程については、
同一の符号を付している。なお、第１の実施例で用いる
半導体集積回路装置は、１種類だけの初期故障検出工程
を行う必要があるものである。

【００２６】１は書き込み工程で、半導体集積回路装置
の不揮発性記憶素子部に書き込みを行う工程である。組
立工程１１、試験工程１２、及び検査工程１３は図６に
示した半導体集積回路装置の検査方法と同様の工程であ
る。また、試験工程１２と検査工程１３とを含めて、初
期故障検出工程１０１と表す。

【００２７】まず、従来の半導体集積回路装置の検査方
法と同様に組立工程１１で完成品となった半導体集積回
路装置に対して、バーンイン試験や温度サイクル試験等
の所定の試験工程１２を実施する。そして、試験工程１
２が実施された半導体集積回路装置について、端子間の
電圧を測定したり、電流を測定したりする一般的な検査
をし、半導体集積回路装置が正常に動作するかどうかを
検査工程１３で判断する。この検査工程１３が実施さ
れ、良品と判定された場合、検査工程１３を実施した装
置から半導体集積回路装置のチップを取り外さずに同一
の装置から図２に示すような半導体集積回路装置４０の
決められた不揮発性記憶素子２７に、初期故障検出工程
１０１の実施済みの履歴が書き込まれる。つまり、図１
に示したＡ期間は半導体集積回路装置のチップは同一装
置に設置されたままの状態である。

【００２８】なお、Ａ期間においては同一のチップ固定
部に設置されていれば問題はなく、チップ固定部に接続
されている駆動部は必ずしも同一とは限らない。たとえ
ば、検査工程１３で使用した検査装置がチップ固定部と
駆動部が接続されて構成されている場合、履歴が書き込
まれるまでチップが固定部から外れさえしなければ、他
のチップとの混入を防ぐことができる。

【００２９】上記したように、本発明の半導体集積回路
装置の検査方法では、検査装置２０を用いて検査工程１
３を実施した後、検査工程１３で使用した検査装置２０
に半導体集積回路装置４０を設置したままの状態で書き
込み工程１を実施することができ、良品／不良品が混入
することなく、初期故障検出工程実施済みの履歴を半導
体集積回路装置４０に確実に残すことができる。

【００３０】次に、本発明の半導体集積回路装置の第２
の実施例について、図４に示した半導体集積回路装置の
構成図を参照にしながら説明する。

【００３１】図４において、検査装置２０は半導体集積
回路装置５０の外部端子３１等から半導体集積回路装置
５０に電圧をかける等して、半導体集積回路装置５０が
正常に動作するかどうかの一般的な検査をすることがで
きるものである。また、この検査装置２０は、外部端子
３１〜３３から、半導体集積回路装置５０内の不揮発性
記憶素子３７〜３９に書き込み命令をすることもでき
る。外部端子３１〜３３は半導体集積回路装置５０の不
揮発性記憶素子３７〜３９に書き込みを行なうときに使
用される。３４〜３６は半導体集積回路装置５０の中に
構成された不揮発性記憶素子３７〜３９の記憶内容を読
み出すのに用いる端子である。３０はその他の外部端子
である。なお、図４では図２と同様に不揮発性記憶素子
の一部を示しており、不揮発性記憶素子３７〜３９はそ
れぞれ１ビット分の記憶素子である。４５は論理回路、
４７〜４９は不揮発性記憶素子３７〜３９のそれぞれへ
の書き込み回路である。

【００３２】検査装置２０は外部端子３１〜３３のそれ
ぞれを介して論理回路４５に接続されている。そして、
論理回路４５が書き込み回路４７，４８、または４９を
介して対応する不揮発性記憶素子３７，３８、または３
９に接続されている。さらに、不揮発性記憶素子３７〜
３９は外部端子３４〜３６に接続されている。また、検
査装置２０はその他の外部端子３０にも接続可能であ
る。

【００３３】以上のように構成された半導体集積回路装
置の動作について、図４を参照にしながら説明する。

【００３４】図４に示した半導体集積回路装置は３ビッ
ト分の不揮発性記憶素子３７〜３９を有しているので、
３種類の検査工程の判定結果の履歴を残すことができ
る。

【００３５】検査装置２０によって半導体集積回路装置
４０が正常に動作するかどうかの一般的な検査をした結
果、正常に動作すると判定された場合、同一の検査装置
２０を用いて半導体集積回路装置５０内に構成されてい
る不揮発性記憶素子３７〜３９のうち対応する不揮発性
記憶素子に、判定結果の履歴を残す書き込みを行う動作
を行う。次にその動作について説明する。なお、不揮発
性記憶素子３７〜３９の初期状態はすべてＨレベルであ
り、対応する書き込み回路４７〜４９からの書き込み命
令が入力されるとＬレベルになる。また、書き込み回路
４７〜４９は、Ｈレベル入力があったときだけ、書き込
み命令を出力するものである。

【００３６】まず、検査装置２０での判定結果が良品で
あり、対応する不揮発性記憶素子３７に良品であるとい
う履歴を残すための書き込みをする場合、検査装置２０
から外部端子３１〜３３を介してＨレベル、Ｈレベル、
Ｈレベルの三つの信号が論理回路４５に入力される。そ
して、論理回路４５では三つのアンド（ＡＮＤ）回路５
７〜５９のうちＡＮＤ回路５７の出力だけがＨレベルと
なり、論理回路４５から書き込み回路４７へＨレベルの
信号が入力される。さらに、書き込み回路４７だけが不
揮発性記憶素子３７に書き込み命令を行い、不揮発性記
憶素子３７の記憶内容がＨレベルからＬレベルにかわ
る。

【００３７】また、別の試験が半導体集積回路装置５０
に実施された後、検査装置２０での判定結果が良品であ
る場合、別の不揮発性記憶素子３９に検査装置２０から
良品であるという履歴を残す書き込みをする。このと
き、検査装置２０から外部端子３１〜３３を介してＬレ
ベル、Ｌレベル、Ｈレベルの三つの信号が論理回路４５
に入力される。そして、論理回路４５では三つのＡＮＤ
回路のうちＡＮＤ回路５９の出力だけがＨレベルとな
り、論理回路４５から書き込み回路４９にＨレベルの信
号が入力される。さらに書き込み回路４９は不揮発性記
憶素子３９に書き込みを行い、不揮発性記憶素子３９の
記憶内容がＨレベルからＬレベルにかわる。

【００３８】上記したように、複数の試験を実施する場
合でも、そのたびに複数の不揮発性記憶素子のうち、決
められたアドレスの不揮発性記憶素子３７〜３９等に判
定結果の履歴を残すことができる。

【００３９】また、どの試験が実施済みかどうかを確認
するときは、不揮発性記憶素子３７〜３９の記憶内容を
外部端子３４〜３６から読み出して確認できる。

【００４０】次に、本発明の半導体集積回路装置の検査
方法の第２の実施例について、図３に示したブロック図
を参照しながら説明する。図６に示した従来の半導体集
積回路装置の検査方法と同様の工程は、同一の符号を付
けて説明を省略する。ただし、第２の実施例で用いる半
導体集積回路装置は２種類の初期故障検出工程１０１，
１０２を行う必要のあるものである。

【００４１】２，７は書き込み工程で、半導体集積回路
装置の不揮発性記憶素子に書き込みを行う工程である。
組立工程１１、試験工程１２，１４、検査工程１３，１
５は図６に示した半導体集積回路装置の検査方法と同様
の工程である。また、試験工程１２、検査工程１３を含
めて、初期故障検出工程１０１と表す。試験工程１４、
検査工程１５を含めて、初期故障検出工程１０２と表
す。

【００４２】まず、従来の半導体集積回路装置の検査方
法と同様に組立工程１１で完成品となった半導体集積回
路装置にバーンイン試験や温度サイクル試験等の試験工
程１２を実施する。そして試験工程１２が実施された半
導体集積回路装置に、端子間の電圧を測定したり、電流
を測定したりする一般的な検査をし、半導体集積回路装
置が正常に動作するかどうかを検査工程１３で判断す
る。この検査工程１３が実施された後、良品と判定され
た場合、検査工程１３を実施した装置から半導体集積回
路装置５０の決められた不揮発性記憶素子３７に、初期
故障検出工程１０１の実施済みの履歴が書き込まれる。
つまり、図１に示したＢ期間は半導体集積回路装置のチ
ップは同一装置に設置されたままの状態である。そし
て、不良品と判断された半導体集積回路装置は取り除か
れ、良品と判定された半導体集積回路装置だけが次の初
期故障検出工程１０２に進む。続いて、試験工程１４及
び検査工程１５も初期故障検出工程１０１と同様に実施
され、良品と判定された半導体集積回路装置には、初期
故障検出工程１０１で書き込みを行ったものとは別の不
揮発性記憶素子３９に初期故障検出工程１０２の実施済
みの履歴が書き込まれる。Ｃ期間についてもＢ期間と同
様に半導体集積回路装置のチップは同一の装置に設置さ
れたままの状態である。また、同時に不良品と判断され
た半導体集積回路装置の不揮発性記憶素子３９にはなに
も書き込まれず取り除かれる。

【００４３】なお、第２の実施例では、図４に示した半
導体集積回路装置５０の不揮発性記憶素子３８が空き容
量となっているが、不揮発性記憶素子３８を用いて、さ
らに別の初期故障検出工程の履歴を残すことも可能であ
る。つまり、書き込み工程で使用する不揮発性記憶素子
の容量が多ければ多いほど、多くの工程の履歴を残すこ
とが可能になるのは言うまでもない。

【００４４】また、本実施例では１種類の初期故障検出
工程につき、１ビット分のの不揮発性記憶素子を対応さ
せているが、１種類の初期故障検出工程ごとに、複数ビ
ットの不揮発性記憶素子を対応させることによって、さ
らに多くの情報を記憶させることも可能である。

【００４５】たとえば、図３に示した初期故障検出工程
１０１の履歴を残すのに、図４に示したような半導体集
積回路装置５０の不揮発性記憶素子３７，３８、及び同
３９を全て用いるとする。この場合、検査工程１３で良
品／不良品の判定だけでなく、良品を高品質から順にＡ
／Ｂ／Ｃの３ランクに評価したときには、良品の履歴を
残すだけでなく、良品の評価ランクを半導体集積回路装
置５０に残すことも可能となる。たとえば、検査工程１
３の評価がＡランクのときには不揮発性記憶素子３７に
書き込みを行い、評価がＢランクのときには不揮発性記
憶素子３８に書き込みを行い、評価がＣランクのときに
は不揮発性記憶素子３９に書き込みを行うという方法を
とれば、検査工程でのランク結果の履歴まで残すことが
できる。

【００４６】上記したように、本発明の半導体集積回路
装置の検査方法では、図１，２を用いて説明した第１の
実施例と同様に、検査装置２０を用いて検査工程１３，
１５等を実施するたびに、検査装置２０から半導体集積
回路装置５０を取り外さずに初期故障検出工程実施済み
の履歴を確実に書き込みむことができるので、良品／不
良品が混入することを防ぐことができる。

【００４７】また、本発明の実施例の半導体集積回路装
置の検査方法では、１種類の初期故障検出工程のたび
に、決められた不揮発性記憶素子に初期故障検出工程実
施済みの履歴を残すことができるので、どの初期故障検
出工程が既に実施済みかを外部端子からいつでも読み取
ることができる。したがって、初期故障検出工程１０
１，１０２等の内容がすべて同じでなくても、共通の試
験工程及び検査工程があれば混入をおそれることなく同
時に実施することも可能になる。

【００４８】さらに、１種類の初期故障検出工程につ
き、複数ビットの不揮発性記憶素子を用いることによっ
て、初期故障検出工程実施済みかどうかの履歴だけでな
く、評価結果を残すことも可能となる。

【００４９】なお、本発明の実施例では、半導体集積回
路装置４０等の不揮発性記憶素子２７等に検査工程１３
等の評価結果が良品のときだけ外部端子２１等から信号
を入力し、書き込みを行っていたが、評価結果が不良品
である場合でも外部端子２１等に信号を入力しても問題
はなく、不揮発性記憶素子の書き込み内容によって、良
品が区別することさえできればなんら問題はない。

【００５０】また、本発明の実施例では論理回路２５等
で不揮発性記憶素子２７等への書き込みを制御し、通常
の検査時と区別していたが、書き込み回路２６等に出力
条件を設定するなどの方法をとってもよい。たとえば、
書き込み回路２６に新たに入力端子を設け、その入力端
子から１２Ｖ以上の信号が入力されなければ書き込み回
路２６が出力しないように回路を構成する等の方法をと
ってもよい。

【００５１】また、本発明の第２の実施例では、図３に
示した初期故障検出工程１０１，１０２の履歴を残すと
きに、どちらも図４に示した半導体集積回路装置５０の
外部端子３１〜３３を用いたが、初期故障検出工程の種
類によって別の外部端子から入力するように、論理回路
４５を構成してもよい。

【００５２】また、本発明の第２の実施例では、一つの
初期故障検出工程を実施するたびに、不良品を取り除い
ていたが、複数の初期故障検出工程を実施してからまと
めて不良品を取り除いてもよい。

【００５３】

【発明の効果】本発明の半導体集積回路装置によれば、
１ビット以上の不揮発性記憶素子領域を備えたので、検
査工程の判定結果を検査工程を実施した装置と同一の装
置で半導体集積回路装置に履歴を残すことができる。ま
た、履歴を残すための不揮発性記憶素子のビット数を増
やせば増やすだけ多くの情報を半導体集積回路装置に残
すことができる。

【００５４】また、本発明の方法によれば、検査工程が
実施されるたびに 検査工程を実施した装置と同一の装
置で半導体集積回路装置のチップを取り外すことなく不
揮発性記憶素子に書き込みを行っているので、確実に検
査工程の判定結果の情報を残すことができる。したがっ
て、良品と不良品の混入を確実に防止することができ、
製造工程中や市場に出荷されてからでも、半導体集積回
路装置にどのような試験工程及び検査工程が実施された
かを簡単に知ることができる。そして、実施された試験
工程及び検査工程の履歴を確実に知ることができるの
で、同一品種で最終的に実施される検査工程が違うもの
であっても、共通の試験工程及び検査工程があれば、混
入をおそれることなく同時に実施することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の半導体集積回路装置の
検査方法を示すブロック図

【図２】本発明の第１の実施例で用いた半導体集積回路
装置の構成図

【図３】本発明の第２の実施例の半導体集積回路装置の
検査方法を示すブロック図

【図４】本発明の第２の実施例で用いた半導体集積回路
装置の構成図

【図５】本発明の第２の実施例で用いた半導体集積回路
装置の構成図

【図６】従来の半導体集積回路装置の検査方法を示すブ
ロック図

【図７】従来の半導体集積回路装置のチップを示す図

【符号の説明】

１ 書き込み工程 ２ 書き込み工程 ７ 書き込み工程 １１ 組立工程 １２ 試験工程 １３ 検査工程 １４ 試験工程 １５ 検査工程 １６ マーキング工程 ２０ 検査装置 ２１〜２４ 外部端子 ２５ 論理回路 ２６ 書き込み回路 ２７ 不揮発性記憶素子 ２８〜３６ 外部端子 ３７〜３９ 不揮発性記憶素子 ４０ 半導体集積回路装置 ４５ 論理回路 ４７〜４９ 書き込み回路 ５０ 半導体集積回路装置 ５１ ＲＡＭ ５２ ＲＯＭ ５７〜５９ アンド（ＡＮＤ）回路 ６０ 半導体チップ ６１ 領域 １００〜１０２ 初期故障検出工程

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】検査工程の判定結果を書き込むための１ビ
   ット以上の不揮発性記憶素子領域を有し、外部端子から
   前記判定結果を前記不揮発性記憶素子に書き込むことを
   可能とした半導体集積回路装置。
2. 【請求項２】半導体集積回路装置の品質を判定する検査
   工程と、前記半導体集積回路装置の不揮発性記憶素子に
   前記判定結果の履歴が残る書き込みを行う書き込み工程
   とを有し、前記書き込み工程は前記検査工程を実施した
   装置と同一の装置を用いて行なうことを特徴とする半導
   体集積回路装置の検査方法。