JP4606827B2 - 半導体チップ測定方法 - Google Patents
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Description
前記同時測定対象半導体チップの内の個々の半導体チップに、第1ないし第m測定項目用の電圧あるいは電流の入出力用の第1ないし第mモジュールを割り当て、
まず、前記同時測定対象半導体チップの内の個々の半導体チップに対し第1測定項目について前記第1モジュールに対応したプローブを使用して順次測定を行い、不良と判定された不良半導体チップの前記同時測定対象半導体チップの内での並びの番号を測定順序から取得し、
次に、前記同時測定対象半導体チップの内の個々の半導体チップに対し第2測定項目について前記第2モジュールに対応したプローブを使用して順次測定を行い、不良と判定された不良半導体チップの前記番号を測定順序から取得し、
以下同様に、前記同時測定対象半導体チップの内の個々の半導体チップに対し第3ないし第m測定項目について前記第3ないし第mモジュールに対応したプローブを使用して順次測定を行い、不良と判定された不良半導体チップの前記番号を測定順序から取得し、
前記不良半導体チップの前記番号と前記同時測定対象半導体チップの内の特定の半導体チップのアドレスから決めたグループアドレスとから前記不良半導体チップにアドレスを割り当て、該割り当てたアドレスをウエハ判定マップの作成に供することを特徴とする。
ICC(K)<LL、又はHL<ICC(K)
となったとき、当該半導体チップを不良と判定する。
Claims (1)
- 複数の半導体チップが縦横に配列されたウエハ上の並んで隣接する所定数の半導体チップを同時測定対象半導体チップとし、該同時測定対象半導体チップを1単位としてプローブにより同時測定し良否判定を行う半導体チップ測定方法において、
前記同時測定対象半導体チップの内の個々の半導体チップに、第1ないし第m測定項目用の電圧あるいは電流の入出力用の第1ないし第mモジュールを割り当て、
まず、前記同時測定対象半導体チップの内の個々の半導体チップに対し第1測定項目について前記第1モジュールに対応したプローブを使用して順次測定を行い、不良と判定された不良半導体チップの前記同時測定対象半導体チップの内での並びの番号を測定順序から取得し、
次に、前記同時測定対象半導体チップの内の個々の半導体チップに対し第2測定項目について前記第2モジュールに対応したプローブを使用して順次測定を行い、不良と判定された不良半導体チップの前記番号を測定順序から取得し、
以下同様に、前記同時測定対象半導体チップの内の個々の半導体チップに対し第3ないし第m測定項目について前記第3ないし第mモジュールに対応したプローブを使用して順次測定を行い、不良と判定された不良半導体チップの前記番号を測定順序から取得し、
前記不良半導体チップの前記番号と前記同時測定対象半導体チップの内の特定の半導体チップのアドレスから決めたグループアドレスとから前記不良半導体チップにアドレスを割り当て、該割り当てたアドレスをウエハ判定マップの作成に供することを特徴とする半導体チップ測定方法。
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---|---|---|---|---|
JPS63239836A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Hitachi Ltd | ウエハ検査方法 |
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JPH08122364A (ja) * | 1994-10-25 | 1996-05-17 | Nippon Denshi Zairyo Kk | 複数個同時測定用プローブカード |
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