JPS632342B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS632342B2 JPS632342B2 JP15125580A JP15125580A JPS632342B2 JP S632342 B2 JPS632342 B2 JP S632342B2 JP 15125580 A JP15125580 A JP 15125580A JP 15125580 A JP15125580 A JP 15125580A JP S632342 B2 JPS632342 B2 JP S632342B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- electrode
- pinholes
- cracks
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はとくに半導体装置に用いる絶縁層の検
査法に関するものである。
査法に関するものである。
一般に半導体装置は半導体基板の主面にダイオ
ードやトランジスタなどの素子を形成した後、基
板表面をSiO2などの絶縁膜で被い、次いで電極
形成の為のコンタクトホールを開け、さらに金属
電極を形成して製造される。ところで半導体装置
の品質や歩留に決定的影響を与える要因の一つに
前述したSiO2などの絶縁層の質がある。つまり
絶縁層にピンホールやクラツク等が存在すればそ
の半導体装置は正常動作はせず不良となつてしま
う。
ードやトランジスタなどの素子を形成した後、基
板表面をSiO2などの絶縁膜で被い、次いで電極
形成の為のコンタクトホールを開け、さらに金属
電極を形成して製造される。ところで半導体装置
の品質や歩留に決定的影響を与える要因の一つに
前述したSiO2などの絶縁層の質がある。つまり
絶縁層にピンホールやクラツク等が存在すればそ
の半導体装置は正常動作はせず不良となつてしま
う。
従来絶縁層のピンホールやクラツクの密度を評
価する方法としては、第１図ａ，ｂに示す様に、
半導体基板上の絶縁層２の表面に金属電極となる
アルミを全面蒸着した後ホトエツチングしてある
一定の大きさの金属電極４を形成し、このあと電
極と基板の間に電圧を加え、もしその電極の下の
絶縁層にピンホール３やクラツクが存在すれば電
流が流れることから、全電極面積と電流の流れた
電極の面積の比を出すことで検定していた。
価する方法としては、第１図ａ，ｂに示す様に、
半導体基板上の絶縁層２の表面に金属電極となる
アルミを全面蒸着した後ホトエツチングしてある
一定の大きさの金属電極４を形成し、このあと電
極と基板の間に電圧を加え、もしその電極の下の
絶縁層にピンホール３やクラツクが存在すれば電
流が流れることから、全電極面積と電流の流れた
電極の面積の比を出すことで検定していた。
しかし、この方法では電極の数を増加させるほ
どピンホールおよびクラツクの密度の精度が出る
が、電極の数を増加させることは電極と基板の間
の電流を測定する回数が増加することになる。さ
らに電流を測定する場合金属の探針５を当てるこ
とになるが、この探針を当てる際の圧力によつて
は正常な絶縁層にクラツクを生じさせ誤つた判断
をあたえることが多々発生した。
どピンホールおよびクラツクの密度の精度が出る
が、電極の数を増加させることは電極と基板の間
の電流を測定する回数が増加することになる。さ
らに電流を測定する場合金属の探針５を当てるこ
とになるが、この探針を当てる際の圧力によつて
は正常な絶縁層にクラツクを生じさせ誤つた判断
をあたえることが多々発生した。
本発明はこれらの欠点を解決しさらに容易に検
査できる方法を提供するものである。
査できる方法を提供するものである。
本発明の特徴はピンホールやクラツクのある絶
縁層上の金属電極を陽極酸化することでピンホー
ルやクラツクを検査しようとすることに特徴があ
る。
縁層上の金属電極を陽極酸化することでピンホー
ルやクラツクを検査しようとすることに特徴があ
る。
以下実施例に基づき、図面を参照し本発明を詳
細に説明する。
細に説明する。
第２図ａおよびｂはそれぞれ本発明の１実施例
を説明する半導体装置の断面図および平面図であ
る。まず従来の方法と同じに一定の大きさのアル
ミ電極４を形成する。次いで陽極酸化法にてアル
ミ電極を酸化してやるとピンホール３やクラツク
が存在する絶縁層２の上のアルミ電極４は酸化さ
れた電極６となる。この電極６は透明になり絶縁
層の色が見えてくる。ピンホールやクラツクの存
在しない部分の上のアルミ電極４は酸化されない
為アルミ色をしたままとなる。この様にしてアル
ミ色をしているアルミ電極と酸化されて絶縁層の
色が見える電極の数を目で数えることでピンホー
ルの密度を検査することができる。さらに探針に
よる絶縁層のクラツク等の発生が皆無の為誤差も
少なくてすむ。また、精度を上げる為に金属電極
の大きさを小さくし数を増やしても目で数えるこ
とでピンホールの密度が判断できる為容易に精度
を上げることができる。さらにピンホールの大き
さにより陽極酸化の際の流れる電流が異なる為、
酸化の度合が異なるから逆に酸化の度合つまりア
ルミ電極の透明度を判断することによりその下に
存在するピンホールの大きさを推定することがで
きる。
を説明する半導体装置の断面図および平面図であ
る。まず従来の方法と同じに一定の大きさのアル
ミ電極４を形成する。次いで陽極酸化法にてアル
ミ電極を酸化してやるとピンホール３やクラツク
が存在する絶縁層２の上のアルミ電極４は酸化さ
れた電極６となる。この電極６は透明になり絶縁
層の色が見えてくる。ピンホールやクラツクの存
在しない部分の上のアルミ電極４は酸化されない
為アルミ色をしたままとなる。この様にしてアル
ミ色をしているアルミ電極と酸化されて絶縁層の
色が見える電極の数を目で数えることでピンホー
ルの密度を検査することができる。さらに探針に
よる絶縁層のクラツク等の発生が皆無の為誤差も
少なくてすむ。また、精度を上げる為に金属電極
の大きさを小さくし数を増やしても目で数えるこ
とでピンホールの密度が判断できる為容易に精度
を上げることができる。さらにピンホールの大き
さにより陽極酸化の際の流れる電流が異なる為、
酸化の度合が異なるから逆に酸化の度合つまりア
ルミ電極の透明度を判断することによりその下に
存在するピンホールの大きさを推定することがで
きる。
尚、本実施例では金属電極をアルミとした場合
について説明したがタンタル（Ta）などの陽極
酸化可能な金属についても本発明が適用できるこ
とは明らかである。
について説明したがタンタル（Ta）などの陽極
酸化可能な金属についても本発明が適用できるこ
とは明らかである。
第１図ａおよびｂはそれぞれ従来のピンホール
密度検査方法を示す断面図および平面図であり、
第２図ａおよびｂはそれぞれ本発明の１実施例の
断面図および平面図である。 尚、図において、１……半導体基板、２……絶
縁層、３……ピンホール、４……金属電極、５…
…測定用探針、６……陽極酸化法により酸化され
た金属電極である。
密度検査方法を示す断面図および平面図であり、
第２図ａおよびｂはそれぞれ本発明の１実施例の
断面図および平面図である。 尚、図において、１……半導体基板、２……絶
縁層、３……ピンホール、４……金属電極、５…
…測定用探針、６……陽極酸化法により酸化され
た金属電極である。
Claims (1)
- １ 半導体基板等の導電基板上に絶縁層を設け、
該絶縁層上に複数の金属電極を設け、該金属電極
を陽極酸化することにより、該絶縁層の性質を検
出することを特徴とする絶縁層の検査法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15125580A JPS5774649A (en) | 1980-10-28 | 1980-10-28 | Inspecting method for insulating layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15125580A JPS5774649A (en) | 1980-10-28 | 1980-10-28 | Inspecting method for insulating layer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5774649A JPS5774649A (en) | 1982-05-10 |
| JPS632342B2 true JPS632342B2 (ja) | 1988-01-18 |
Family
ID=15514659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15125580A Granted JPS5774649A (en) | 1980-10-28 | 1980-10-28 | Inspecting method for insulating layer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5774649A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0232614U (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103822948B (zh) * | 2014-03-06 | 2016-06-08 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 半导体器件的测试方法 |
-
1980
- 1980-10-28 JP JP15125580A patent/JPS5774649A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0232614U (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5774649A (en) | 1982-05-10 |
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