JP2007033214A - 加速度センサの検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体チップ上の陽極接合パターンにガラスを陽極接合して形成される加速度センサの検査方法において、陽極接合の接合評価を精度良く効率的に検査する。
【解決手段】センサ１０のシリコン基板１上のアルミ電極６に上部ガラス３を接触させて陽極接合することにより形成される加速度センサの検査方法において、アルミ電極６の両端に測定端子６ａ、６ｂを設け、これにプローブ９を当て、その間の陽極接合前後の抵抗値を抵抗計１１で測定する。この測定された抵抗値の比較からアルミ電極６と上部ガラス３の接合度の検査を定量的に、高精度で効率的に行うことができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、シリコン基板にガラスを陽極接合した構造体を有するＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｓｙｓｔｅｍｓ）デバイスの一つである加速度センサの検査方法に関する。

従来から、半導体基板とガラス基板とを陽極接合により接着して成る半導体圧力センサや加速度センサ、それを応用した構造体等のＭＥＭＳデバイスが知られている。これらのＭＥＭＳデバイスのセンサにおいては、１枚の基板だけでは実現できない複雑な構造を、微細加工した複数の基板を接合することによって形成している。この接合には、接合度の良い陽極接合が一般に用いられる。しかし、上記センサは、微小な物理的変化を検知するために、その製造においては、高精度の加工技術とともに、加工後の検査が重要となっている。従って、陽極接合を用いるデバイスの信頼性を確保するために、陽極接合後の接合界面の状態や接合度が良好であるか否かの評価を含む各種検査が行われる。

ここで検査される陽極接合を用いた構造体の例として、図６に、ＭＥＭＳデバイスの加速度センサ（以下、センサと略す）１００を示す。センサ１００は、シリコン基板１０１と、シリコン基板１０１の上下に陽極接合されるガラス１０３、１０２と、シリコン基板１０１内に形成された片持梁構造の重り部１０１ａと、シリコン基板１０１の表面に形成されたピエゾ抵抗１０４とを備える。シリコン基板１０１の表面には、保護膜及び内部応力コントロールのためにシリコン酸化膜１０７及びシリコン窒化膜１０８が形成されている。

そして、ピエゾ抵抗１０４は、重り部１０１ａに４つ形成され、これらを用いてホイートストンブリッジ回路が構成され、加速度検出が行われる。このピエゾ抵抗１０４上には、このピエゾ抵抗１０４と配線抵抗１０５aを通して電気的に接続されるアルミ電極１０５が形成され、シリコン基板１０１上には、上部ガラス１０３との接合のためにアルミ電極１０６が設けられ、上部ガラス１０３は、アルミ電極１０６を介してシリコン基板１０１に陽極接合される。また、シリコン基板１０１と下部ガラス１０２との接合は、アルミ電極１０６を介することなく直接陽極接合される。

このセンサ１００において、図６（ａ）に示すように、シリコンチップと、陽極接合の接合状態の検査としては、接合不良として発生するボイド（未接合部）Ｐや、アルミ変色部Ｑ等の検査には、主として目視による外観検査で行われ、また、接合強度については、チップ抜き取りによる強度測定が行われている。

しかし、これらの外観検査や抜取り検査では、検査に時間が掛かり、チップコスト増の要因の一つとなっていた。そして、ボイドやアルミ変色の外観検査などは、定性的な評価手段であって、定量的な評価でないので、検査者によるばらつきが大きく、精度の良い検査ができていなかった。

なお、陽極接合を評価する方法として、例えば、特許文献１に示されるように、レーザ光を陽極接合された半導体基板とガラス基台に照射して、接合界面に間隙が存在する場合に発生する干渉縞となったスペクトルを分光光度計でもって測定し、干渉縞情報を定量的な数値として算出する方法で評価する方法が知られている。また、特許文献２に示されているように、ガラス基板と陽極接合される半導体基板の接合界面に、予めＰＮ接合を用いたフォトダイオードを形成しておいて、光を照射して未接合部がある場合と無い場合との発生する光起電流の度合いによって検出する方法が知られている。

しかしながら、これらの方法は、光学系や電流測定回路を備えた測定装置が高額であり、検査工程コストが高く掛かり、安価に製造することができず、また鏡面加工やフォトダイオードの形成等といった手間のかかる前処理、加工を必要としていた。
特開平９−２８９２３８号公報 特開平１０−２２３５４号公報

本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、半導体チップ上の陽極接合パターンにガラスを陽極接合することにより形成される加速度センサの検査方法において、陽極接合パターン上の所定の少なくとも二端の間の電気抵抗を陽極接合後に測定し、この測定された電気抵抗により、陽極接合パターンの接合度を簡単に、精度良く、効率的に評価することができる加速度センサの検査方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために請求項１の発明は、半導体チップ上の陽極接合パターンにガラスを陽極接合することにより形成される加速度センサの検査方法において、前記陽極接合の工程後に、陽極接合パターン上の所定の少なくとも二端の間の電気抵抗を測定し、この測定された電気抵抗に基いて陽極接合パターンの接合度を検査するものである。

請求項２の発明は、請求項１に記載の加速度センサの検査方法において、前記測定された電気抵抗により、前記陽極接合パターンの酸化膜の形成の良否を検査するものである。

請求項３の発明は、請求項１又は請求項２に記載の加速度センサの検査方法において、前記二端は、陽極接合パターンの両端であるものである。

請求項４の発明は、請求項１又は請求項２に記載の加速度センサの検査方法において、前記陽極接合を検査するための陽極接合パターンを有するＴＥＧ（テストエレメントグループ）パターンを前記半導体チップを形成する半導体ウェハ内に備え、前記二端は、ＴＥＧパターンの両端であるものである。

請求項５の発明は、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の加速度センサの検査方法において、前記陽極接合パターンは、該パターンの厚さ方向にすべて酸化できる薄さであるものである。

請求項６の発明は、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の加速度センサの検査方法において、陽極接合後に前記半導体ウェハの半導体チップ間をハーフダイシングするものである。

請求項７の発明は、請求項３又は請求項４に記載の加速度センサの検査方法において、前記二端は、チップの片面に設けるように配置したものである。

請求項１の発明によれば、陽極接合パターン上の所定の少なくとも二端の間で測定された電気抵抗に基いて陽極接合パターンの接合度を定量的に、且つ、短時間で評価することができ、検査の精度と効率を向上することができる。

請求項２の発明によれば、測定された電気抵抗により、陽極接合による陽極接合パターンの良否判定の重要なポイントである酸化膜形成の良否を検査することができるので、陽極接合の評価の精度を高めることができる。

請求項３の発明によれば、測定する二端をできるだけ離して測定間隔を長くできるので、測定される電気抵抗の変化を大きくでき、測定感度を向上することができる。

請求項４の発明によれば、半導体チップの他の特性評価項目と合せてＴＥＧパターン上で陽極接合パターンの二端間のプロービング検査が可能となるので、効率的なＴＥＧ評価ができる。また、各チップ毎に評価用パターンを形成する必要がないので、評価用パターン形成によるデバイス特性への影響を無くすことができると共に、チップの小型化が可能となる。これにより、半導体ウェハからのチップの収量を増大することができ、チップのコスト削減が可能となる。

請求項５の発明によれば、陽極接合後の陽極接合パターン全体が酸化されて導電性が減り、陽極接合パターン部分が極めて大きい高抵抗を示す。これにより、陽極接合パターンの二端間の抵抗値を大きくでき、測定感度を向上することができるので、陽極接合の検査精度を高めることができる。

請求項６の発明によれば、ハーフダイシングにより各チップ間を連結するアルミ電極パターンの電気的接続を分離することができ、プロービング検査で各チップの抵抗値を個別に測定することができる。これにより、陽極接合の生産性を損なうことなく、各チップの陽極接合の接合性の評価が可能となり、検査の精度を上げることができる。

請求項７の発明によれば、抵抗の測定をチップの片面のみで行うことができるので、測定を容易に行うことができる。

以下、本発明の一実施形態に係る陽極接合の検査方法について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、被測定デバイスとしての加速度センサ（以降、センサと略す）１０と、その陽極接合の検査方法を実施する構成を示す。図２（ａ）、（ｂ）は、センサ１０のＡ―Ａ線断面、Ｂ―Ｂ線断面をそれぞれ示す。この検査方法は、抵抗計１１により、センサ１０を形成するシリコン基板１上に備えられた陽極接合パターンのアルミ電極６の所定の二端となる測定端子６ａ、６ｂ間の電気抵抗を計測することにより実施される。

センサ１０は、シリコン基板１と、シリコン基板１の下部及び上部に陽極接合されるガラス２、３と、シリコン基板１内に形成された片持梁構造の重り部１ａと、シリコン基板１の表面に形成されたピエゾ抵抗４とを備え、シリコン基板１の表面には、保護膜及び内部応力コントロールのためにシリコン酸化膜７及びシリコン窒化膜８が形成されている。これらは、シリコンプレーナープロセス技術や異方性エッチング技術を適用することにより形成されている。

そして、ピエゾ抵抗４は、重り部１aに４つ形成され、これらでもって、加速度の検出のためのホイートストンブリッジ回路（図示なし）が構成される。このピエゾ抵抗４上には、ピエゾ抵抗４と配線抵抗５aを通して電気的に接続されるアルミ電極５が形成され、シリコン基板１上には、上部ガラス３との陽極接合のためにアルミ電極６が重り部１ａを挟んでシリコン基板１の両側に設けられる。上部ガラス３は、アルミ電極６を介してシリコン基板１に陽極接合される。このアルミ電極６は、検査用電極も兼ねており、上部ガラス３と接合する接合面より外側に伸延されてチップ表面に引き出しされ、この伸延されたアルミ電極６の両端にプロービング検査用の測定端子６ａ、６ｂを有している。この測定端子６ａ、６ｂの両端はプローブ９を介して抵抗計１１に接続される。一方、シリコン基板１と下部ガラス２との接合は、アルミ電極を介することなく直接陽極接合される。

このようなセンサ１０に加速度が印加されると、重り部１ａが撓み、表面に応力が発生し、表面に形成されたピエゾ抵抗４のピエゾ効果により応力に伴った抵抗値の変化が生じる。その結果、ホイートストンブリッジ回路には加速度に比例した電位差が出力され、この電位差出力を検出することにより加速度を検出する。また、シリコン基板１の上下に陽極接合されたガラス３、２は、重り部１ａが動作の際に限界以上に撓むことのないように、ストッパとしての役割を担っている。また、これらのガラス２、３には、ホウ珪酸ガラスやアルミノ珪酸ガラスなど、アルミやシリコンと陽極接合可能なものが使用される。

上記構成の加速度センサ１０における陽極接合の検査方法を以下に説明する。上記の検査用電極として設けたアルミ電極６の測定端子６ａ、６ｂにプローブ９を接続し、同プローブ９の先に抵抗計１１を接続することにより、アルミ電極６の両端の測定端子６ａ、６ｂ間の電気抵抗が計測される。測定端子６ａ、６ｂは、ともにアルミ電極６上にあるので、それらの間の抵抗値Ｒは、アルミの抵抗率αとし、アルミ電極６の厚さ（膜厚）ｄ、幅ｗ、長さｔとすると、
Ｒ＝αｔ／Ｓ
（Ｓは、アルミ電極６の断面積でＳ＝ｄｗとなる）
によりほぼ決定される。アルミの抵抗率αは、極めて小さい（２．７５×１０^−８オーム・ｍ）が、ここでのアルミ電極６は、その膜厚ｄと幅ｗが小さいので断面積Ｓも小さくなり、全体としてある程度の抵抗値を示す。この関係により、陽極接合の前後において、アルミ電極６の厚さｄ（膜厚）、幅ｗ、長さｔのいずれかが変化をすれば、測定端子６ａ、６ｂ間の電気抵抗値が変化し、これを抵抗計１１で検出することができる。また、通常、陽極接合前は、アルミ電極６の膜厚が正常に形成されていれば、測定端子６ａ、６ｂ間の電気抵抗は極めて小さい。

ここで、アルミとガラスの陽極接合の接合プロセスについて、図３を参照して簡単に説明する。先ず、図３（ａ）において、鏡面研磨したガラス４２とアルミ４１とを重ね合わせ、例えば４００℃真空雰囲気に放置する。その後、図３（ｂ）に示すように、ガラス４２中に添加されたアルカリ金属（例えばナトリウム）の酸化物がアルカリ金属イオンと酸素イオンとに分解を始める。その状態で、例えば、アルミ４１に対してガラス４２に６００Ｖの直流電圧を与えると、分解したアルカリ金属イオンが負極側に移動する。この時、図３（ｃ）に示すように、アルミ４１とガラス４２の界面ではアルカリ金属イオンの欠乏層４３が形成され、静電引力が発生する。この静電引力により、アルミ４１とガラス４２間で共有結合が形成され、陽極接合が完了する。

この陽極接合において、アルミ電極６と上部ガラス３との共有結合が形成されると、陽極接合後のアルミ電極６の共有結合部分の厚さが、陽極接合前の共有結合部分の厚さと比較して減少する。この結果、陽極接合前後において、アルミ電極６の膜厚ｄが変化することにより、アルミ電極６の断面積が低下し、その抵抗が増加するようになる。従って、測定端子６ａ、６ｂ間の抵抗値Ｒを陽極接合後に測定することにより、抵抗値の変化を検出することができる。すなわち、陽極接合が十分なされていると、アルミ電極６の厚みｄが薄くなり、測定された抵抗値Ｒが、あるレベルまで増加することになる。もし、抵抗値Ｒが低く、あまり変化しない場合は、陽極接合が未完成で不十分な状態と判断できる。例えば、陽極接合時に、接合不良が発生し、不規則な未接合部（ボイド）やアルミ変色部などにより、陽極接合が部分的に不完全であると、その部分ではアルミの膜厚が低減しないので、抵抗値が増大しない。従って、抵抗の変化が少なくなり、接合が不十分であったと判断できる。

従って、アルミ電極６の測定端子６ａ、６ｂ間の陽極接合後の電気抵抗の測定により、上部ガラス３とアルミ電極６の接合状態を評価することができる。すなわち、陽極接合後のアルミ電極６と上部ガラス３の共有接合が十分行われていると、測定端子６ａ、６ｂ間の抵抗値Ｒが大きくなるので、接合度が良いと判断できる。一方、測定端子６ａ、６ｂ間の抵抗値Ｒの変化が少ないと、アルミ電極６の厚みが薄くなっていないと判断でき、接合度が不十分と判断できる。このように、上記測定端子６ａ、６ｂ間の電気抵抗を測定することにより、陽極接合後のアルミ電極６と上部ガラス３の接合面の接合度の良否を検査することができ、陽極接合が十分行われたかどうかを判定できる。

特に、アルミ電極６の厚みを陽極接合工程で全て酸化される程度の厚みにすることにより、陽極接合後の陽極接合パターンが酸化されて、アルミ部分の殆どが陽極接合に費やされるので、酸化により元のアルミ部分が殆ど無くなる。このため、アルミ電極６の陽極接合パターン部分の導電性が低減され、極めて大きい高抵抗を示す。これにより、陽極接合後において、陽極接合パターンの二端間の抵抗値を極めて大きくでき、測定感度を向上することができるので、陽極接合の検査精度を高めることができる。

このように、本実施形態によれば、陽極接合するアルミ部分の共有結合における抵抗値が変化することを利用し、陽極接合後におけるアルミ電極６の両端の測定端子６ａ、６ｂ間の抵抗値をプロービング検査で測定することにより、陽極接合の接合性品質評価を定量的に行うことができ、検査精度が良くなるとともに、検査の工程削減と時間短縮することができる。

次に、本発明の第２の実施形態に係る陽極接合の検査方法について、図４を参照して説明する。図４は、本実施形態の陽極接合の検査方法の構成を示し、本実施形態の構成は、センサ１０の形成されるシリコンウェハ３０に陽極接合の検査のための陽極接合パターンを持つＴＥＧ（テストエレメントグループ；Ｔｅｓｔ Ｅｌｅｍｅｎｔ Ｇｒｏｕｐ）パターンを設けた点で前記実施形態と異なる。図４において、ＴＥＧパターン２０は、シリコンウェハ３０上の一部に、短冊状に形成されたアルミ電極パターン２２と、そのアルミ電極パターン２２上に、このパターン２２に直交する形で形成されたガラス２１とを備え、アルミ電極パターン２２とガラス２１は互いに陽極接合されて接合されている。ガラス２１は、ホウ珪酸ガラスやアルミノ珪酸ガラスなど、アルミやシリコンと陽極接合可能なガラス材で構成される。そして、アルミ電極パターン２２の両端に測定端子２２ａと２２ｂが設けられ、それら測定端子２２ａと２２ｂは、それらに接触するプローブ９を介して、抵抗計１１に接続される。

上記構成において、ＴＥＧパターン２０における測定端子２２ａと２２ｂ間の抵抗値の陽極接合後の変化を抵抗計１１で測定する。アルミ電極パターン２２は、その陽極接合する部分において、ガラス２１と共有結合を形成することから、陽極接合前と比較して、その共有結合部の電極の厚さが減少するので、抵抗値が高い方に変化する。また、アルミ電極パターン２２の膜厚を、予め陽極接合時に形成される酸化膜の厚みと同程度としておくことにより、陽極接合において、陽極接合パターンが酸化され、そのアルミ部分の殆どが陽極接合に費やされるので、陽極接合後には、元のアルミ部分が殆ど無くなる。このため、アルミ電極６の陽極接合パターン部分の導電性が低減され、極めて大きい高抵抗を示す。これにより、陽極接合後において、陽極接合パターンの二端間の抵抗値を極めて大きくでき、測定感度を向上することができるので、陽極接合の検査精度を高めることができる。従って、前記同様に、抵抗計１１で測定された抵抗値が、陽極接合後に、陽極接合前に比べ、所定の大きい抵抗値に増加していれば、接合は良好に行われたと判断できる。

このように、ＴＥＧパターンに配置することにより、他の特性評価項目と合せてプロービング検査が可能となる。また、各チップ毎に評価用パターンを形成する必要がないので、従来の各チップ毎の評価用パターン形成によるデバイス特性への影響がなくなるとともに、チップの小型化により、同一ウェハからの収量増大によるコストの削減が可能となる。さらに、アルミ電極パターン２２の厚みを陽極接合時に費やされるアルミ電極の厚みと同程度にすることにより、陽極接合後のアルミ電極パターン２２の厚みが、殆ど無くなり高抵抗（極端な場合は、絶縁体）とすることができ、抵抗検査を極めて高感度に評価できる。また、ＴＥＧパターン上では、チップ上に比べ、検査専用にアルミ電極の厚みや形状の制約が少ないので、プローブ検査の容易なアルミ電極の形状、又は評価サンプル数を適切に設定できるので、検査作業性が良くなり、接合品質の評価を短時間で行うことができる。

次に、本発明の第３の実施形態に係る陽極接合の検査方法について、図５を参照して説明する。図５は、本実施形態の陽極接合の検査方法の構成を示し、本実施形態は、複数のの同じセンサチップが形成されているシリコンウェハ３０において、複数のチップ間に薄い切り溝（チップ表面より深さ１００μｍ以下）を入れるハーフダシングによって電気的に分離し、ウェハレベルで抵抗値を測定する点で前記実施形態と異なる。図５において、本実施形態の構成は、複数のセンサ１０を有するシリコンウェハ３０と、シリコンウェハ３０内のハーフダイシング部１２でハーフダイシングされて電気的に分離されたセンサ１０と、測定されるセンサ１０に接触されたプローブ９を介して接続される抵抗計１１とを備える。各センサ１０は、前記実施形態におけるセンサと同じ構成を持つセンサである。

従来では、シリコンウェハ３０は、陽極接合の生産性を確保するため、各チップに形成されたガラスと陽極接合するアルミ電極パターン部分は全て電気的に接続されており、１箇所からの電圧印加により、全ての部分に同じ電位を与えるようパターニングされている。従って、従来のパターニングでは、各チップが連続して接続されているため、各チップを個別に測定することができなかった。

そこで、上記構成において、各チップにおける陽極接合の接合性を評価するために、これらチップ間で連結されているアルミ電極６をハーフダイシング（チップ表面より深さ１００μｍ以下）されるハーフダイシング部１２により、電気的に分離する。これにより、各センサ１０は、独立され、各センサ１０において、アルミ電極６の両端の測定端子６ａ、６ｂ間の抵抗を測定することができる。

このように、アルミ電極６の部分をハーフダイシングすることにより、チップ間を連結するアルミ電極６を電気的に分離し、プロービング検査にて各チップの抵抗値を測定することができることから、陽極接合の生産性を損なうことなく、各チップの陽極接合の接合性の評価を行うことができる。また、ハーフダイシングには、既存のプロセスや工法を適用できるので、新たな製造コストを伴わず、チップレベルでの陽極接合の接合品質評価を行うことができ、陽極接合の接合性評価の精度を向上することができる。また、陽極接合の接合品質は、接合時に発生する電流値を（又は移動した電荷の総量を）モニタリングすることでも定量的に評価できるが、上記構成によれば、この測定を従来のウェハレベル毎から、チップレベル毎で検査できるので、この電流値評価の方法においても、検査精度を向上することができる。

以上述べたように、本実施形態に係る加速度センサの検査方法によれば、センサ１０のシリコン基板１上において、上部ガラス３と陽極接合するアルミ電極６を上部ガラス３の外側に伸延し、その両端に測定端子６ａ、６ｂを設け、これにプローブ９を当て、その間の陽極接合前後の抵抗値を抵抗計１１で測定することにより、この測定された陽極接合前後の電気抵抗値の比較から、陽極接合の接合度を簡単に評価することができる。これにより、接合度検査を定量的に評価することができ、従来の外観検査に比べ、検査者によるばらつきが無くなり、接合度検査を高精度で効率的に短時間で行うことができる。

また、ＴＥＧパターンをシリコンウェハに配置することにより、他のデバイス特性評価項目と合せてプロービング検査を効率的に行うことができる。そして、各チップ毎に評価用パターンを形成する必要がないので、評価用パターン形成によるデバイス特性への影響がなく、かつチップの小型化による収量増大によるコストの削減が可能となる。さらに、アルミ電極の厚みを陽極接合時に形成されるアルミ電極と同程度にすることにより、陽極接合の接合品質の評価が短時間で行うことが可能となる。

さらに、シリコンウェハにおいて、アルミ電極６の部分をハーフダイシングすることにより、プロービング検査にて各チップの抵抗値を測定できることから、陽極接合の生産性を損なうことなく、チップレベルでの陽極接合の接合品質評価を行うことができ、陽極接合の接合性評価の精度を向上することができる。

本発明の第１の実施形態に係る半導体加速度センサにおける陽極接合の検査方法を示す図。 （ａ）は上記センサのＡ−Ａ線断面図、（ｂ）は同センサのＢ−Ｂ線断面図。 上記センサの陽極接合を説明する図。 本発明の第２の実施形態に係る半導体加速度センサにおける陽極接合の検査方法を示す図。 本発明の第３の実施形態に係る半導体加速度センサにおける陽極接合の検査方法を示す図。 （ａ）は従来の半導体型加速度センサの構成図、（ｂ）は同センサのＡ−Ａ線断面図、（ｃ）は同センサのＢ−Ｂ線断面図。

符号の説明

１ シリコン基板（半導体チップ）
３ 上部ガラス（ガラス）
６ アルミ電極（陽極接合パターン）
６ａ、６ｂ 測定端子（二端）
１０ 半導体加速度センサ（加速度センサ）
１２ ハーフダイシング部
２０ ＴＥＧ
２２ａ、２２ｂ 測定端子（二端）
３０ シリコンウェハ（半導体ウェハ）

Claims (7)

1. 半導体チップ上の陽極接合パターンにガラスを陽極接合することにより形成される加速度センサの検査方法において、
   前記陽極接合の工程後に、陽極接合パターン上の所定の少なくとも二端の間の電気抵抗を測定し、この測定された電気抵抗に基いて陽極接合パターンの接合度を検査することを特徴とする加速度センサの検査方法。
2. 前記測定された電気抵抗により、前記陽極接合パターンの酸化膜の形成の良否を検査することを特徴とする請求項１に記載の加速度センサの検査方法。
3. 前記二端は、陽極接合パターンの両端であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の加速度センサの検査方法。
4. 前記陽極接合を検査するための陽極接合パターンを有するＴＥＧ（テストエレメントグループ）パターンを前記半導体チップを形成する半導体ウェハ内に備え、前記二端は、ＴＥＧパターンの両端であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の加速度センサの検査方法。
5. 前記陽極接合パターンは、該パターンの厚さ方向にすべて酸化できる薄さであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の加速度センサの検査方法。
6. 陽極接合後に前記半導体ウェハの半導体チップ間をハーフダイシングすることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の加速度センサの検査方法。
7. 前記二端は、チップの片面に設けるように配置したことを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の加速度センサの検査方法。

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