JPS6323322A - 半導体ウエハ−の保護膜除去装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発す１は、各種半導体装置の基板などに用いられるシ
リコンウェハーの！ＪＪ造装置に関するもので、より詳
細には、ウェハーの外周縁部に存在する保１；Ｃ膜を除
去する装置に関する。

（従来技術） 各種半導体の基板として利用されるエピタキシＸ・ルウ
エバーは、通常不純物を高ｅｔａ’にドーブしてｐ形成
いはｎ形のいずれかの導電型を備えるように構成される
ことか多い。

しかし、ドープされたウェハー上にシリコンをエビキシ
ャル成長させようとしてウェハーを高温（１０００〜１
２００度Ｃ）に加熱した場合、ボロンＢ。

リンＰ、アンチモンＳｂ、ヒ素Ａｓなどが基板ウェハー
から飛び出し、エピタキシャル成長層に入って所謂オー
トドープ現象を発生させ、電気的特性を変化させてしま
うことか知られている。ウェハーからのＢ、Ｐ、Ｓｂ、
Ａｓなどの飛び出しは、表面側はエピタキシャル成長層
によって抑えられるのて、主として裏面と周囲部からな
されている。そこで、この部分のオートドープを防止す
る手段として、当該部分にシリコンを酸化させたオート
ドープ防止膜（以下保護膜という、）を設け、不純物の
トープを防止した上てウェハー上にシリコンをエピタキ
シャル成長させている。

その過程の簡単な説明は以下の通りである。

円板形ウェハーの外周綾部を取扱い時の欠損などを予防
するために上下から面地りを施す。しかる後、化学的エ
ツチングてダメージ層を除去し、常圧ＣＶＤ法、熱酸化
法などでウェハー全面に保護膜を形成する。膜の形成か
終了するとウェハー片面にポリッシングを施して片面上
の保Ｊ　ＩＮを研磨線上すると同時に、外面を鏡面に仕
上げてエピタキシャル層を形成する。

このようにして保３［を用いて主面上にシリコンのエピ
タキシャル成長を行わしめると、その成長過程ではウェ
ハーの裏面及側面に保護１漠があるため、ウェハーから
エピタキシャル層へのオートトープ現象は著しく抑制さ
れ、エピタキシャル層の格段の品質向上を図ることかで
きる。

しかし、このようにして形成されたウェハーは、エピタ
キシャル成長過程において１反応ガス中のシリコンがポ
リシリコンとして保護膜、特にウェハーの外周縁部に多
数塊粉状に生成され、この塊粒状シリコンか半導体デバ
イス（製品）の製造過程て保護膜上から脱落し、エピタ
キシャル表面などに付着して汚染の原因となり、歩留を
低下させるという問題かあった。これを解決するために
は、塊粉状に多数生成される箇所、すなわちウェハーの
外周縁部の保護膜を予め除去しておくことが好ましいと
いう知見に基き、フッ酸などの強酸を浸した綿棒状のも
のでウェハー外周縁部の保護膜を除去していた。

（発１１か解決しようとする問題点） この保護膜除去作業は１人手によってなされるものであ
って、作業者自らの手でフッ酸を浸した綿棒をつかみ、
これでウェハー外周縁部の保護膜を除去していたため、
フッ酸の飛沫などによって常に危険か伴い、又作業者−
人につき一枚のウェハーか宛行われるのて、多数のウェ
ハーを処理するには除去品質の安定性と濠率性に欠けて
いた。

（問題点を解決するための手段） 末完ＩＪＩは、上記欠点を解決するために案出されたち
のて、人手によらずに作業をすることのてきる自動化装
芒を得ることを目的とする。

殊に本発明は、自動化する場合、次の点を考慮してなさ
れた。

すなわち、 （１）保護膜の過剰エツチングによるにしみ回避の点。

（２）ウェハーは完全な円形ではなく、所謂オリエンテ
ーションフラットと呼ばれる切欠き部分を持つため、除
去装置はその形に完全に追従しなければならない、その
追従機構の構成。

（３）保３ｆｆｌ漠の除去幅は、ウェハーの外周から一
定の距ｒａ（例えば３　ｍ＋ｓ）を保ち、均一であるこ
とか要求される点。

（４）前述のようにフッ酸などの強酸か利用され、その
飛沫が予想されるのて、作業者及び装置環境を保護する
ため完全にシールドを施す必要かある点。

末完ＩＪＪは、上記の事情に鑑みてなされたもので、ウ
ェハー供給部から供給されるウェハーか、保護膜除去部
でその外周縁部の脱膜かなされるとともに、搬送装置に
て移送され水槽中に設けたウェハー収納部に集積される
半導体ウェハーの保護膜除去装置であって、前記保護膜
除去部には、下記（Ａ）〜（Ｄ）を備えて構成した。

（八）ウェハーをバキューム吸着により固定するととも
に２固定したウェハーを回転させる回転駆動ａ構をイＩ
すること。

（Ｂ）一端が回転軸に支持され他端を自由端部とする芯
合せ棒をウェハーの周囲に複数設け、この芯合せ棒の各
自由端部てウェハーを回転中心方向に押圧し、前記回転
部ｆｊＪ機構における回転中心にウェハーの中心を一致
させる芯合せ機構を有すること。

（Ｃ）フッ酸供給及び吸引ノズルを回転可能な保持具ア
ームに取付けるとともに、該ノズルをウェハーの外周縁
部に対向させ、前記保持具アームは弾性体に付勢されて
前記ノズルを常時ウェハーの外周縁部に１習接させるも
のてあって、さらに、前記ノズルをウェハーから遠ざか
る方向に適宜移動させる手段を設けてなるフッ酸供給及
び吸引ノズルの倣い機構を有すること。

（Ｄ）前記回転駆動機構、芯合せ機構及び倣い機構にお
いて、ウェハー及びウェハーに対峙する部位は外部から
遮断された容器内に位２２Ｌ、、これらを駆動させる部
位は容ズ（外に位置していること。

本９．明は上記のように構成されるのて、ウェハーはそ
の大小にかかわらず芯合せ機構により芯出しかなされ、
これを吸着して回転させる回転駆動機構と、ウェハーの
外周に倣って作動するフッ酸供給及び吸引ノズルの倣い
機構によって過剰エツチングによるにじみ防止かなされ
、ウェハー及びウェハーに対峙する部位が外部から遮断
された容器内に位置するので、完全にシールドかなされ
て作業者及び装置環境を保護することがてきる。

（実施例） 以下に本発明を図示の一実施例にノ＾いて説１５１する
。

第１図は装置全体の概念構成図で、ウェハーは、ウェハ
ー供給部１に装置される溝付容器内に定ピツチ間隔で納
められていて、＊送装置４て保護膜除去部２に搬入され
る。ここでウェハー面取部の保ｌｓ膜の除去を行うか、
強酸たるフッ酸等を用いた処理はこの部分だけに限定さ
れ、しかもこの部位ての作業者による作業は一切必要と
されない、保護膜除去部２でウェハー面取部の保護膜が
除去されたウェハーは、再び搬送装置４により。

ウェハーにわずかに残る可能性のあるフッ酸の影響を遮
断するため、絶えず清浄な水が供給される水槽５内のウ
ェハー収納部３に移送され、ここで保ｙｓＩＮのエツチ
ングが停止され、過剰エツチングやにじみが回避される
。尚これら一連の作動工程は制御ｌ！１６によって制御
される。上記ａ成の本発１５１において、保護膜除去部
２は、ウェハーをバキューム吸着により固定するととも
に固定したウェハーを回転させる回転駆動機構と、該回
転駆動機構における回転中心にウェハーの中心を一致さ
せる芯合わせ機構と、フッ酸供給及び吸引ノズルの倣い
機構とを備えている。

（ａ）回転駆動機構 第２図は蓋付処理槽の容器内を示す正面図。

第３ＵＡは同上の正面図て、上記回転！ｉｇ動機構は、
ウェハー７を佐乙して回転する円筒状の回転体１１と、
該回転体上のウェハーを吸引して固定するバキューム吸
着器（図示を省略）とから構成される。

回転体１１は、その中央空洞ｉ’ｉ１２がバキューム吸
着器に接続し、ウェハー７をバキューム吸着しながら回
転する１本実施例では駆動＆（にＤＣサーボモータを使
用して回転数制御を行った。最適回転数はウェハーの直
径によっても異なるが。

早すぎると、ウェハーの所謂オリエンテーションフラッ
トの形状に対し、後述するフッ酸供給ノズルと吸引ノズ
ルの追従か十分てなく、保護＋２を除去できない部分が
残る。又遅すぎると、フッ酸の供給量か多くなって過剰
エツチング、エツチングむら、にじみなどの原因になる
ものである０本実施例では１回転数を２０〜３０　ｒｐ
ｍ　、回転時間は２０〜３０秒とした。尚実施例で駆動
に用いたＤＣサーボモータはＡＣサーボモータても！Ｉ
ｆ能だか、パルスモータでは低速回転て振動か起り。

エツチングむらの原因となりやずいことかｒ４　ＩＩ　
している。

第２１Ａ及び第３図において、処理槽８は＋６１酸性の
部材で形成され、フッ酸を用いるため該処理槽には蓋９
を開閉可能に装着している。

（ｂ）芯合せ機構 芯合せ機構は、さらに第４図及び第５図に示すように、
一端が回転軸１４に支持され他端を自由端部とする芯合
せ棒１３をウェハー７の周囲に複数設け、この芯合せ棒
１３の各自由端部てウェハーを回転中心方向に押圧し、
前記回転駆動機構における回転中心にウェハーの中心を
一致させるものである。

これを詳述すると、中央か空洞でム１に歯を持ったタイ
ミングギヤ１５を保持ローラ１６によって自由に回転で
きるように保持し、タイミングギヤ１５の周辺に芯合せ
棒回転用ギヤ１７を等間隔に設置する。本実施例では６
本の芯合せ棒１３と同数の芯合せ棒回転用ギヤを用いた
。この設置数は、少ないと芯合せ精度が悪くなり、多い
と機構か複雑となって製作費の高置を招くばかりか、調
整かわずられしくなるので、４〜６本か適当である。芯
合せ棒回転用ギヤ１７の中心に芯合せ棒回転軸１４か取
付けられており、これによりタイミングギヤ１５の回転
がギヤ１７を介して回転軸１４に伝達され、該回転軸の
回転により芯合せ棒１３がウェハー７に対し接近離反す
るように設けられている。すなわち、タイミングギヤ１
５を第４図時計方向に回転させれば、ギヤ１７は反時計
方向に回転し、これに伴い芯合せ棒１３はウェハー７を
挾み込む方向に移動する。又タイミングギヤ１５を逆の
方向に回転させれば、芯合せ棒１３はウェハーから遠ざ
かる方向に動くこととなる。これによりウェハーの中心
と回転体１１の中心か一致するように調整することがで
きる。尚タイミングギヤ１５の回転は、エアシリンダ１
８を押し出すと、第４図において反時計方向に回転し、
該エアシリンダ作動杆１８ａを引込めると、スプリング
１９の引張力でタイミングギヤ１５は時計方向に回転す
る。

実施例では、エアシリンダ１８の作動杆１８ａはタイミ
ングギヤ１５に接触しない位置にあり。

スプリング１９の弾性力でタイミングギヤ１５を時計方
向に回転付勢し、これにより各芯合せ棒１３．１３がウ
ェハーを押圧付勢するようにしている。

このように構成することにより、任意の径を持つウェハ
ーの芯合せを、フッ酸なる強酸雰囲気中で行うことかで
き、その結果、フッ酸供給ノズルと吸引ノズルかウェハ
ーの外周部を追従する際の変化量を極力少なく押えるこ
とかでき、追従機箋に不必要な負担をかけずにすみ、保
護膜の除去均一性を向上させることか回走となる。本実
施例でハ、特に直Ｐ１．ｌＯＯΦから１５０φのウェハ
ーについて好ましい処理結果を得ている。

尚、第５図において、処理槽８は支持台２０上に設けら
れている。２１は支持板である。

（ｃ）ノズルの倣い機構 この倣いａ４１２は、第６図に示すように、フッ酸供給
ノズル２２及び吸引ノズル２３を回転可能な保持具アー
ム２４に取付けるとともに、該ノズルをウェハー７の外
周縁部に対向させ、前記保持具アーム２４は弾性体２５
に付勢されて前記ノズルを常ｌ１１ｊウェハーの外周縁
部に摺接させるもので。

さらに、前記ノズルをウェハーから遠ざかる方向に適宜
移動させる手段を設けて構成される。

これを詳述すると、耐酸樹脂コーティングを施した回転
軸２６を支持台２１にベアリングなどを介して回転自在
に設け、該回転軸の上端にＬ字状保持具アーム２４を介
してフッ酸供給ノズル２２と吸引ノズル２３を取付け、
回転軸２６の下端にはレバー２７を取付けるとともに、
該レバーをスプリング２５で引張するように設け、これ
により前記ノズル２２．２３は常時ウェハー７の外周縁
部に摺接すべく弾性付勢される。又、前記レバー２７に
対峙させてエアシリンダ２８を設ける。このエアシリン
ダ２８の作動杆２８ａは、常時はレバー２７に対し非当
接の状５島に位置しており、必要により突出させてレバ
ー２７の突出部２７ａを押圧することにより、回転軸２
６をスプリング２５の弾性力に抗して回転させ、フッ酸
供給ノズル２２及び吸引ノズル２３をウェハー７から遠
ざかる方向へ移動させる。

上述のように構成される倣い機構においてフッ酸供給ノ
ズル２２及び吸引ノズル２３をウェハー７に接触させる
場合はスプリング２５のみの作用て行い、離す場合には
エアシリンダ２８の作用で行う。このスプリング２５の
作用によって、納品方位を示すためのフラットな部分（
オリエンテーションフラット）があっても、ノズル２２
．２３はウェハー７の外周に倣って動くことかてきるこ
ととなる。尚、ノズル２２．２３をウェハー７から遠ざ
かる方向に移動させる手段は、上記エアシリンダによる
もののほか、任意の構成をとることができる。

ここてフッ酸供給ノズル２２と吸引ノズル２３について
説明する。第７図及び第８図はバイブ式ノズルを、第９
図及び第１０図はローラ式ノズルを示す。

パイプ式フッ酸供給ノズル２２は１ノズル本体２２ａに
フッ酸を通す穴２２ｂを設け、該穴の一方をフッ酸供給
系に接続し、他方すなわち先端部をウェハー７に接触さ
せる。ノズル本体２２ａ内の先端付近に耐酸性繊維２２
ｃを充填し、フッ酸の供給量を押えるとともに均一にフ
ッ酸を供給するように図っている。ノズル先端には面取
りを施し、これによりウェハー７のオリエンテーション
フラット部分にフッ酸を供給する場合常に中央のフッ酸
供給部がウェハー７に接するようにしである。発ＩＩ者
の実験によると、この面取りは、例えば１５０φのウェ
ハーてオリエンテーションフラット艮６０ｍｍの場合、
２３．５度以上が適当であるところ、本実施例では３０
度としている。

又、フッ酸供給穴２２ｂに充填した耐酸性繊維２２ｃを
パイプの先端部に巻きつける方式もとることができる。

ローラ式フッ酸供給ノズル２２は、帽子状の鍔部を有す
る耐酸性ローラ２２ｄに耐酸性リング２２ｅを重ね合せ
、第１１図に示すように、その間にｒＭ酸性＃ａ維２２
ｆを配設して構成される。

ローラ２２ｄとリング２２ｅとの間に設けたＶ字溝２２
ｇに滴下されたフッ酸は、前記繊維２２ｆを経由してロ
ーラ２２ｄの鍔部に導びかれる。ウェハー７の面取り部
は前記鍔部に接触し、前記回転体１１によって回転する
ウェハー７に伴ってローラ２２ｄも回転する。このロー
ラ式供給ノズルはウェハー７とフッ酸供給ノズル２２か
擦りあわずに共に回転するため、摩耗がほとんどなく寿
命が長い利点を有する。これにより、ウェハー７の面取
り部のみにフッ酸を供給して面取り部の保護膜を除去す
ることかできる。

フッ酸吸引ノズル２３は、ウェハー７の側面から吸引す
るもの（第８図）と面取り部直下から吸引するもの（第
１Ｏ図）を設けることができ、両者ともノズルは真空系
に接続される。尚、真空源には水流式のアスピレータを
使用する方が廃液処理の観点から便宜となる。

上記構成の倣い機構において、フッ酸供給ノズル２２か
らウェハー７にフッ酸か供給されると、保護膜が親木性
であるためフッ酸か急速に広がる。これにより過剰エツ
チングとなることを防ぐため、第３図に示すように、ウ
ェハー７に対峙する適位箇所にエアブロ−ノズル１０を
設けている。又、第２図において、フッ酸供給及び吸引
ノズル２２．２３の下方には、処理槽８内を負圧に保つ
ための排気口２９．２９を設けた。すなわち、フッ酸供
給ノズル２２からウェハーにフッ酸か供給されると、エ
アブロ−ノズルｌＯから即座に清浄な圧縮空気か吹き出
され、フ・ン酸を吹き飛ばして過剰エツチングを回避す
る。このエアーブローによりフッ酸かミスト状になり飛
散しやすい状態となっているので、排気口２９から吸引
することにより処理槽内を負圧に保ち、フッ酸ミストが
容器外へ飛散するのを防止している。

」二足（ａ）　、　（ｂ）　、　（Ｃ）で説明した回転
駆動機構、芯合せ機構及び倣い機構において、ウェハー
及びウェハーに対峙する部位は外部から遮断された容器
内に位ごし、これらを駆動させる部位は容ス（外に位置
している。これは、フッ酸を外部に漏らさないようにす
るためのものて、端的には第３１％に示すように、処理
槽８に７ｉ９を設けることと、芯合せ杯回転軸１４のシ
ール３０．回転体１１のシール３１．及び倣い機構の回
転軸２６の本封式シール３２により容器内外か遮断され
ている。

シール３０．３１は同様のものてあり、したかって第５
図に示す芯合せ持回転軸１４のシール３０について説明
すると、このシールは、スペーサーを挿入した耐酸性Ｏ
リング３３二木で回転軸１４を支え、該ＯリングをＯリ
ングサポートで保持するとともに、清浄な空気を送り込
み、浸透性のよいフッ酸がシール川Ｏリングとウェハー
芯合せ持回転軸１４との間に浸透してくるのに対し。

清浄な圧搾空気をフッ酸の浸透方向と逆の方向に送り込
むことによって、フッ酸の浸透を阻止する構造となって
いる。

水封式シール３２は、第１２図に示すように、回転軸２
６に下方開口の円筒状鍔３４を設ける一方、支持台２１
には、前記鍔３４の下端縁が嵌入する円環状の水槽３５
を取付けた。この水槽３５は、内周壁３５ａを外周壁３
５ｂよりも高く形成するとともに、給水口３６から水槽
内に清浄な水を補給し、絶えず外周壁３５ｂから水が溢
れ出る状態にしておくものである。これにより、常に溢
れ出る水をフッ酸が浸透していくことは不可能なため、
低床で気密性の高いシールを実現することができる。又
、低摩擦型でシール寿命も半永久的なシール構造を得る
ことができる。

上記構成の本発明において、ウェハー７がウェハー供給
ｆｉ！１１から搬送装２ｔ４で保護膜除去部２に送られ
てくると１回転体１１の上部に位置される。この場合、
搬送装置は任意のものでよい、ウェハー７は、芯合せ棒
１３によって回転体１１の回転中心に一致させられた後
、バキューム吸着により回転体１１に固定される。芯合
せ棒１３は開いてウェハーから遠ざかり、エアーブロー
ノズル１０の作動が開始してフッ酸供給ノズル２２及び
吸引ノズル２３をウェハーに接触させる。回転体１１の
回転開始に伴いウェハーも回転し始め、フッ酸が供給さ
れて保護１模除去がなされる。爾後フッ酸の供給が停止
され、ノズル２２．２３が離れてエアーブローか停止し
、バキューム吸着が解除され、ウェハーは搬送装２１４
にて水槽内のウェハー収納部３へ送られる。

（発明の効果） 本発明は以上説明したように、ウェハー供給部から供給
されるウェハーが、保護膜除去部でその外周縁部の脱膜
がなされるとともに、搬送装置にて移送され水槽中に設
けたウェハー収納部に集結される半導体ウェハーの保護
膜除去部とであって、前記保護膜除去部には。

（Ａ）ウェハーをバキューム吸着により固定するととも
に、固定したウェハーを回転させる回転駆動機構を有す
ること。

（Ｂ）一端か回転軸に支持され他端を自由端部とする芯
合せ棒をウェハーの周囲に複数設け、この芯合せ棒の各
自由端部でウェハーを回転中心方向に押圧し、前記回転
駆動機構における回転中心にウェハーの中心を一致させ
る芯合せ機構を有すること。

（Ｃ）フッ酸供給及び吸引ノズルを回転可能な保持具ア
ームに取付けるとともに、該ノズルをウェハーの外周縁
部に対向させ、前記保持具アームは弾性体に付勢されて
前記ノズルを常時ウェハーの外周縁部に摺接させるもの
であって、さらに、前記ノズルをウェハーから遠ざかる
方向に適宜移動させる手段を設けてなるフッ酸供給及び
吸引ノズルの倣い機構を有すること。

（Ｄ）前記回転駆動機構、芯合せ機構及び倣い機構にお
いて、ウェハー及びウェハーに対峙する部位は外部から
′ｇ断された容器内に位置し、これらを駆動させる部位
は容器外に位置していること。

の各構成を備えているので、ウェハーはその大小にかか
わらず芯合せ機構により芯出しがなされ、これを吸着し
て回転させる回転駆動機構と、ウェハーの外周に倣って
作動するフッ酸供給及び吸引ノズルの倣い機構によって
過剰エツチングによるにじみ防止がなされ、ウェハー及
びウェハーに対峙する部位か外部から′ｇ断された容器
内に位置するので、完全にシールドがなされて作業者及
び装置環境を保護することがてきるものである。

このように本発明によれば、従来作業者の手て行われて
いた非衡率的かつ極めて危険てあった保護膜除去工程を
自動化することかでき、しかも保護膜除去のための条件
を一定に保つことか回走であるため、製品歩留を向上さ
せることもてきるようになった。

【図面の簡単な説明】

第１図は末完ＩＪ１に係る半導体ウェハーの保３［除去
装置の概念構成図、第２図は処理槽内を示す平面図、第
３図は同上の正面図、第４図はウェハー芯合せ機構を示
す平面図、第５図は同上の正面図、第６図は倣い機構を
示す斜視図、第７図及び第８図はパイプ式ノズルを示す
図で、第８図の（１）〜（３）は順に平面図、供給ノズ
ル部分の正面図、吸引ノズル部分の正面図、第９図及び
第１Ｏ図はローラ式ノズルを示す図で、第１０図の（１
）　、　（２）は平面図と正面図、第１１図は同上の供
給ノズル部分の断面図、第１２図は水利式シール構造図
である。 ｌ・・・ウェハー供給部　２・・・保護膜除去部３・・
・ウェハー収納部　４・・・搬送装置５・・・水槽　　
　　　　７・・・ウェハー９・・・蓋　　　　　　　１
１・・・回転体１３・・・芯合せ棒　　　２２・・・フ
ッ酸供給ノズル２３・・・フッ酸吸引ノズル ３２・・・水封式シール 特許出願人　九州電子金属株式会社 代　理　人　　弁理士　森　　　　　　正　　澄第１図 １・・・ウェハー供給部　２・・・保護膜除去部３・・
・ウェハー収納部　４・・・搬送装置５・・・水４１！
ｌ！７・・・ウェハー９・・・蓋　　　　　　　１１・
・・回転体１３・・・芯合せ杯　　　２２・・・フッ酸
供給ノズル２３・・・フッ酸吸引ノズル ３２・・・水封式シール 第２図 第４図 第５図 第　６図 第゛７図 第′９図 第１０図 第１１図 第７２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ウェハー供給部から供給されるウェハーが、保護膜除去
   部でその外周縁部の脱膜がなされるとともに、搬送装置
   にて移送され水槽中に設けたウェハー収納部に集積され
   る装置であって、前記保護膜除去部は、下記の構成を備
   えたことを特徴とする半導体ウェハーの保護膜除去装置
   。 （Ａ）ウェハーをバキューム吸着により固定するととも
   に、固定したウェハーを回転させる回転駆動機構を有す
   ること。 （Ｂ）一端が回転軸に支持され他端を自由端部とする芯
   合せ棒をウェハーの周囲に複数設け、この芯合せ棒の各
   自由端部でウェハーを回転中心方向に押圧し、前記回転
   駆動機構における回転中心にウェハーの中心を一致させ
   る芯合せ機構を有すること。 （Ｃ）フッ酸供給及び吸引ノズルを回転可能な保持具ア
   ームに取付けるとともに、該ノズルをウェハーの外周縁
   部に対向させ、前記保持具アームは弾性体に付勢されて
   前記ノズルを常時ウェハーの外周縁部に摺接させるもの
   であって、さらに、前記ノズルをウェハーから遠ざかる
   方向に適宜移動させる手段を設けてなるフッ酸供給及び
   吸引ノズルの倣い機構を有すること。 （Ｄ）前記回転駆動機構、芯合せ機構及び倣い機構にお
   いて、ウェハー及びウェハーに対峙する部位は外部から
   遮断された容器内に位置し、これらを駆動させる部位は
   容器外に位置していること。