JPH0312751Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔考案の属する技術分野〕 本考案は半導体基板（以下ウエハという）を、
これを支持する支持体に対し搬出入するためのウ
エハの保持装置に関する。

〔従来技術〕

近時半導体の製造に際し半導体製造装置の処理
能力増大、ならびにクリーンルーム内のクリーン
度アツプのために自動化が急務になつている。し
かして自動化で最も重要なことはウエハのハンド
リングであり、従来におけるハンドリングは、ウ
エハを真空吸着して保持したり或いはウエハ外周
をチヤツキングするものであるが、平板状のサセ
プタ等の支持体への脱着を例にすると、ウエハ表
面に接触して吸着保持するか或いは支持体に溝を
設けてチヤツクのツメが入るようにしてウエハ外
周部をチヤツクするしか方法がなかつた。

このため例えば気相エピタキシヤル装置の場合
では、ウエハを支持体上に載置した後にエピタキ
シヤル成長が始まることにより、ウエハ保持の際
ウエハ表面の真空吸着部に応力や傷等による結晶
欠陥が発生する。この欠陥はその上に成長するエ
ピタキシヤル層に対して増巾されて現われる等の
悪影響をおよぼし歩留り低下の原因になつてい
た。他方支持体に溝を設けることは昇温により溝
形状部が部分的に赤熱され支持体の寿命低下の原
因になつていた。またウエハ周辺の温度が部分的
に乱れを生じウエハ表面に結晶欠陥であるスリツ
プが発生する等品質低下の原因にもなつていた。

またベルヌーイを応用したハンドリングもある
が周辺に空気を排出する結果ゴミの拡散等の悪影
響を考慮して使用不可能な分野が多かつた。

〔考案の目的〕

本考案はこのような欠点を除去したものでその
目的は、ウエハを支持体に対し搬出入するための
装置であつて、ウエハ表面を真空吸引すると共に
真空吸引部に吸引されて接触する前に複数の保持
片によりウエハ外周部を受け止めて保持すること
により、ウエハ表面に接触することのないウエハ
の保持装置を提供することにある。

〔考案の要点〕

本考案におけるウエハの保持装置は、保持手段
によりウエハを保持し、これを支持体に対して搬
出入するためのウエハ保持装置において、ウエハ
の表面に近接して吸引する真空吸引部と、ウエハ
の外周部に対向し真空吸引部にて吸引されている
ウエハを真空吸引部に接触する前の位置で受止め
るように配置された複数の保持片とを並設したこ
とを特徴にしている。

〔考案の実施例〕

以下本考案の一実施例を示した第１図について
説明する。支持体１１にはウエハ１２を収納する
ための座ぐり１３が複数形成されており、支持体
１１の上方には昇降・旋回そして伸縮が自在なア
ーム（図示せず）に取付けられた支持プレート１
４が設けられている。支持プレート１４の両端に
は下端の弧状に削除した部分によりウエハ１２を
保持する一対の保持片１５が回動自在に支持さ
れ、かつ支持プレート１４と保持片１５との間に
はスプリング１６が張り渡されているため保持片
１５は常時α１方向の力を受けている。

一対の保持片１５のそれぞれの上端にはワイヤ
ー１７の一端が固着されワイヤー１７は図示省略
した軸受により支持プレート１４へ回転自在に支
持されたプーリ１８に案内されその他端は駆動部
（図示せず）に連結されている。従つて駆動部を
介してワイヤー１７を引くことにより保持片１５
はα２方向に開いてウエハ１２を受け入れ、その
開き量は支持プレート１４に固着されたストツパ
１９により規制されている。

支持プレート１４の中央には一端を下向きに開
口した真空吸引部２１が取付けられておりその他
端は不図示の吸引ポンプに接続されている。また
支持プレート１４の中間には保持片１５を支持体
１１上方の所定高さ位置に停止させたとき、その
先端から反射面までの距離ｌ１がウエハ１２の有
無によつて変化することによりウエハ１２の有無
を検知するセンサ２２ならびに、上記センサ２２
と同様にその先端から反射面までの距離がｌ２に
なつたことにより保持片１５がウエハ１２を保持
したことを検知するセンサ２３が設けてある。

次に前述した実施例の動作を説明する。先づウ
エハステーシヨン（図示せず）内の所定位置に置
かれたウエハ直上の一定高さ位置に一対の保持片
１５等をアームの昇降旋回伸縮機構により運ぶ。
ここでウエハステーシヨンにウエハが載置されて
いるか否かをセンサ２２により調査し、載置され
ていれば次工程（後述する）になり、載置されて
いなければウエハを移送するようにする。このと
き保持片１５は第２図に示すようにワイヤー１７
により引かれて開いているため吸引ポンプを作動
させると真空吸引部２１にウエハは吸引されて上
昇し第３図に示した保持片１５の受止め部ａにウ
エハ１２の外周部上面が接する。このときウエハ
１２は真空吸引部２１に対し接することなく第２
図に示すように隙間ｅを有している。

ここでワイヤー１７の駆動部をオフにすると保
持片１５はスプリング１６によりα１方向に閉じ
て、第３図に示した保持片１５のｂ部がウエハ１
２の外周部に接してこれを保持する。このとき保
持片１５には第３図のＣ部がアンダカツトになつ
ているためウエハ１２は確実に保持される。この
時点でウエハ１２が保持されているか否かを調査
し保持されていれば次工程（後述する）になり、
保持されていないときは吸引ポンプの調査および
ウエハ１２が正確な場所に保持されているか否か
を調査する。

ウエハ１２を保持していたときはアームにより
保持片１５等を支持体１１の座ぐり１３直上の所
定高さに移送した後、ワイヤー１７の駆動部をオ
ンすれば保持片１５はα２方向に開くためウエハ
１２は座ぐり１３内に落下する。次いで保持片１
５等をアームにより支持体１１上から他の場所に
移送しウエハ１２を処理する。ウエハ１２の処理
終了後保持片１５等を再びウエハ１２直上の一定
高さ位置に運び真空吸引部２１によりウエハ１２
を上昇させた後、ワイヤー１７の駆動部をオフに
して保持片１５によりウエハ１２を保持してウエ
ハステーシヨンの所定場所にウエハ１２を落下さ
せる。これをもつてウエハの一連の工程は終了す
る。

前述した実施例では保持片１５を開閉させて真
空吸引部２１により吸引されたウエハ１２を確実
に挟持するようにした例を示したが、第２図に示
す状態で保持片１５を固定しこのままの状態でウ
エハ１２を保持してもよい等、要旨の範囲内で
種々の変形実施が可能なことはいうまでもない。

〔考案の効果〕

本考案におけるウエハの保持装置は以上説明し
たように、ウエハの搬入および搬出はウエハ外周
部を保持片により保持するようにしたためウエハ
表面に機器の接することはなくなつた。このため
本考案装置を気相エピタキシヤル装置に使用した
ときは、空気中のゴミ量を少くすると共にウエハ
表面に応力が傷の発生はなく、スリツプ発生のな
いエピタキシヤル層が得られることにより歩留り
は高くなつた。また支持体に不必要な溝がないた
め局部的に赤熱されることもなく寿命も伸びる等
多くの利点を有する。

【図面の簡単な説明】

図はいづれも本考案の一実施例を示し第１図は
一部を断面した側面図、第２図は保持片を開いた
ときにウエハの上面が接したときの説明図、第３
図は保持片下方の拡大説明図である。 １１……支持体、１２……ウエハ、１５……保
持片、２１……真空吸引部。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ 保持手段により半導体基板を保持し、これを
   支持体に対して搬出入するための前記半導体基
   板の保持装置において、前記半導体基板の表面
   に近接して吸引する真空吸引部と、前記半導体
   基板の外周部に対向し前記真空吸引部にて吸引
   されている前記半導体基板を真空吸引部に接触
   する前の位置で受止めるように配置された複数
   の保持片とを並設したことを特徴とする半導体
   基板の保持装置。 ２ 保持片が開閉可能に設けられ受止めた半導体
   基板の外周部を把持し得るように形成されてい
   ることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第
   １項記載の半導体基板の保持装置。