JP3295445B2 - スピンナ及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
スピンナ及びそれを用いた半導体装置の製造方法Info
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- JP3295445B2 JP3295445B2 JP32336091A JP32336091A JP3295445B2 JP 3295445 B2 JP3295445 B2 JP 3295445B2 JP 32336091 A JP32336091 A JP 32336091A JP 32336091 A JP32336091 A JP 32336091A JP 3295445 B2 JP3295445 B2 JP 3295445B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はスピンナ及びそれを用い
た半導体装置の製造方法に係り、特にダイシング後の半
導体ウェハの洗浄、乾燥等を行なうスピンナ及びそれを
用いた半導体装置の製造方法に関する。
た半導体装置の製造方法に係り、特にダイシング後の半
導体ウェハの洗浄、乾燥等を行なうスピンナ及びそれを
用いた半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】近年、ＩＣの高集積化に伴い高信頼性が要
求されている。そこで、半導体ウェハより半導体チップ
を切り出す際、半導体ウェハをハーフカットした後、ク
ラッキングし、半導体チップを得る方法よりも半導体ウ
ェハをフルカットした後、半導体チップをピックアップ
する方法が主流となってきている。
求されている。そこで、半導体ウェハより半導体チップ
を切り出す際、半導体ウェハをハーフカットした後、ク
ラッキングし、半導体チップを得る方法よりも半導体ウ
ェハをフルカットした後、半導体チップをピックアップ
する方法が主流となってきている。
【０００３】フルカット方法ではダイシング後、洗浄、
乾燥のため、半導体ウェハをスピンナにかける際、半導
体ウェハが搭載されたテープをスピンナテーブルの表面
に真空吸着させるためにスピンナテーブルの表面形状が
テープに残り、テープに凹凸ができ、ピックアップ時の
半導体チップの認識不良が生じたり、テープの伸びによ
るピックアップ時の半導体チップの認識不良が生じ、歩
留りが低下していた。従って、テープの凹凸、伸びを生
じさせないスピンナが要求されている。
乾燥のため、半導体ウェハをスピンナにかける際、半導
体ウェハが搭載されたテープをスピンナテーブルの表面
に真空吸着させるためにスピンナテーブルの表面形状が
テープに残り、テープに凹凸ができ、ピックアップ時の
半導体チップの認識不良が生じたり、テープの伸びによ
るピックアップ時の半導体チップの認識不良が生じ、歩
留りが低下していた。従って、テープの凹凸、伸びを生
じさせないスピンナが要求されている。
【０００４】
【従来の技術】図５は従来のスピンナの一例の斜視図を
示す。同図中、１はスピンナテーブルを示す。スピンナ
テーブル１はテフロンコーティングされたＳＵＳ等の金
属よりなる。スピンナテーブル１の半導体ウェハ搭載面
１ａには真空吸着用の溝１ｂが形成されている。
示す。同図中、１はスピンナテーブルを示す。スピンナ
テーブル１はテフロンコーティングされたＳＵＳ等の金
属よりなる。スピンナテーブル１の半導体ウェハ搭載面
１ａには真空吸着用の溝１ｂが形成されている。
【０００５】スピンナテーブル１は回転軸２により回転
駆動部３と結合していて高速で回転する。また、溝１ｂ
は排気装置４と結合していて搭載面１ａの真空吸着が行
なわれる。
駆動部３と結合していて高速で回転する。また、溝１ｂ
は排気装置４と結合していて搭載面１ａの真空吸着が行
なわれる。
【０００６】図６は従来のスピンナの一例の動作を説明
するための図を示す。同図中、５は半導体ウェハを示
す。半導体ウェハ５はダイシングにより複数の半導体チ
ップ５ａにフルカットされている。
するための図を示す。同図中、５は半導体ウェハを示
す。半導体ウェハ５はダイシングにより複数の半導体チ
ップ５ａにフルカットされている。
【０００７】また、半導体ウェハ５はダイシングテープ
６上に糊着されている。ダイシングテープ６の外周部に
は取扱いを容易なものとするためフレーム７が固着され
ている。
６上に糊着されている。ダイシングテープ６の外周部に
は取扱いを容易なものとするためフレーム７が固着され
ている。
【０００８】洗浄又は乾燥時にはダイシングテープ６に
糊着された半導体ウェハ５がスピンナテーブル１の搭載
面１ａ上に載置される。このとき、スピンナテーブル１
の径は半導体ウェハ５の径と略一致するよう設定されて
いて、フレーム７はスピンナテーブル１からはみ出して
いた。
糊着された半導体ウェハ５がスピンナテーブル１の搭載
面１ａ上に載置される。このとき、スピンナテーブル１
の径は半導体ウェハ５の径と略一致するよう設定されて
いて、フレーム７はスピンナテーブル１からはみ出して
いた。
【０００９】図７は従来のスピンナの他の一例の斜視図
を示す。同図中、８はスピンナテーブルを示す。スピン
ナテーブル８はＳＵＳ等の金属よりなる枠部８ａ及びセ
ラミック製の多孔質材であるポーラス部８ｂよりなる。
を示す。同図中、８はスピンナテーブルを示す。スピン
ナテーブル８はＳＵＳ等の金属よりなる枠部８ａ及びセ
ラミック製の多孔質材であるポーラス部８ｂよりなる。
【００１０】ポーラス部８ｂは枠部８ａ内に固定され、
半導体ウェハ搭載面を形成する。枠部８ａは回転軸９に
より回転駆動装置１０と結合している。スピンナテーブ
ル８は回転駆動装置１０により高速回転する。
半導体ウェハ搭載面を形成する。枠部８ａは回転軸９に
より回転駆動装置１０と結合している。スピンナテーブ
ル８は回転駆動装置１０により高速回転する。
【００１１】また、ポーラス部８ｂは排気装置１１と結
合していて、排気装置１１によりポーラス部８ｂが排気
され、搭載面の真空吸着を行なう。
合していて、排気装置１１によりポーラス部８ｂが排気
され、搭載面の真空吸着を行なう。
【００１２】図８は従来のスピンナの他の一例の動作を
説明するための図を示す。スピンナテーブル８上にはフ
レーム７を有するダイシングテープ６に複数の半導体チ
ップ５ａにフルカットされた状態で糊着された半導体ウ
ェハ５が載置される。
説明するための図を示す。スピンナテーブル８上にはフ
レーム７を有するダイシングテープ６に複数の半導体チ
ップ５ａにフルカットされた状態で糊着された半導体ウ
ェハ５が載置される。
【００１３】このとき、スピンナテーブル８の径は半導
体ウェハ５の径と略同じで、従って、フレーム７はスピ
ンナテーブル８より外方にはみ出していた。
体ウェハ５の径と略同じで、従って、フレーム７はスピ
ンナテーブル８より外方にはみ出していた。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来のスピ
ンナはそのスピンナテーブル１，８の径が半導体ウェハ
５の径と略同一であるため、ダイシングテープ６の外周
に設けられたフレーム７はスピンナテーブル１，８より
外方にはみ出してしまい、フレーム７の重さによりダイ
シングテープ６が伸び、ダイシングテープ６に凹凸が生
じ、半導体チップ５ａの位置がずれてしまう等の問題点
があった。
ンナはそのスピンナテーブル１，８の径が半導体ウェハ
５の径と略同一であるため、ダイシングテープ６の外周
に設けられたフレーム７はスピンナテーブル１，８より
外方にはみ出してしまい、フレーム７の重さによりダイ
シングテープ６が伸び、ダイシングテープ６に凹凸が生
じ、半導体チップ５ａの位置がずれてしまう等の問題点
があった。
【００１５】また、図５に示すスピンナ装置において
は、溝１ｂを形成し、溝１ｂを排気することによりダイ
シングテープ６をスピンナテーブル１に吸着させていた
ため、吸着時にダイシングテープ６が溝１ｂに落ち込み
ダイシングテープ６が凹凸状に変形してしまい、半導体
チップ５ａがばらけてしまう等の問題点があった。
は、溝１ｂを形成し、溝１ｂを排気することによりダイ
シングテープ６をスピンナテーブル１に吸着させていた
ため、吸着時にダイシングテープ６が溝１ｂに落ち込み
ダイシングテープ６が凹凸状に変形してしまい、半導体
チップ５ａがばらけてしまう等の問題点があった。
【００１６】また、図５に示すスピンナはテフロンコー
ティングされているが洗浄、乾燥等の工程で、水分がダ
イシングテープ６とスピンナテーブル１との間に入り込
むと、ダイシングテープ６がスピンナテーブル１に密着
してしまい、工程終了後ダイシングテープ６がスピンナ
テーブル１よりはがれにくくなり、次の工程への移行が
スムーズに行ないにくくなる等の問題点があった。
ティングされているが洗浄、乾燥等の工程で、水分がダ
イシングテープ６とスピンナテーブル１との間に入り込
むと、ダイシングテープ６がスピンナテーブル１に密着
してしまい、工程終了後ダイシングテープ６がスピンナ
テーブル１よりはがれにくくなり、次の工程への移行が
スムーズに行ないにくくなる等の問題点があった。
【００１７】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、後の処理を容易かつ確実に行なうことができるスピ
ンナ及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
で、後の処理を容易かつ確実に行なうことができるスピ
ンナ及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、外周部にフレ
ームを有するテープ上に固着された半導体ウェハを回転
テーブルに真空吸着させて、該回転テーブルを回転させ
ることにより該半導体ウェハを回転させるスピンナにお
いて、前記回転テーブルは、外周径が前記フレームの外
周径より小さく形成された内周部と、円環状をなし、内
周径が前記内周部の外周と嵌合し、外周が前記フレーム
の外径より大きく形成された外周部とから構成され、前
記内周部及び前記外周部は、前記半導体ウェアとの対向
面がポーラス状に形成されており、かつ、前記内周部と
前記外周部とを回転軸方向に相対的に移動可能とすると
ともに、前記内周部と前記外周部との間を通って前記半
導体ウェハとの対向面にガスを供給可能な構成とされた
ことを特徴とする。
ームを有するテープ上に固着された半導体ウェハを回転
テーブルに真空吸着させて、該回転テーブルを回転させ
ることにより該半導体ウェハを回転させるスピンナにお
いて、前記回転テーブルは、外周径が前記フレームの外
周径より小さく形成された内周部と、円環状をなし、内
周径が前記内周部の外周と嵌合し、外周が前記フレーム
の外径より大きく形成された外周部とから構成され、前
記内周部及び前記外周部は、前記半導体ウェアとの対向
面がポーラス状に形成されており、かつ、前記内周部と
前記外周部とを回転軸方向に相対的に移動可能とすると
ともに、前記内周部と前記外周部との間を通って前記半
導体ウェハとの対向面にガスを供給可能な構成とされた
ことを特徴とする。
【００１９】
【作用】回転テーブルはその搭載面に半導体ウェハを搭
載したテープの外周に設けられたフレームを搭載するこ
とができるため、テープを回転テーブル上に平面状に保
持でき、従って、不要な力がテープに付加されないた
め、テープに伸び等が生じない。
載したテープの外周に設けられたフレームを搭載するこ
とができるため、テープを回転テーブル上に平面状に保
持でき、従って、不要な力がテープに付加されないた
め、テープに伸び等が生じない。
【００２０】また、回転テーブルは全面で真空吸着可能
なポーラス状に形成されているため、テープ搭載面に凹
凸が生じず、また、テープを回転テーブルより容易には
がすことができ、次の工程に容易に移行できる。
なポーラス状に形成されているため、テープ搭載面に凹
凸が生じず、また、テープを回転テーブルより容易には
がすことができ、次の工程に容易に移行できる。
【００２１】
【実施例】図１は本発明の一実施例の断面図を示す。同
図中、１２はスピンナテーブルを示す。スピンナテーブ
ル１２は枠部１２ａ及びポーラス部１２ｂよりなる。
図中、１２はスピンナテーブルを示す。スピンナテーブ
ル１２は枠部１２ａ及びポーラス部１２ｂよりなる。
【００２２】枠部１２ａはＳＵＳ等の金属材料よりな
り、スピンナテーブル１２の底面及び側面を形成する。
り、スピンナテーブル１２の底面及び側面を形成する。
【００２３】ポーラス部１２ｂは多孔質のセラミックよ
りなり、枠部１２ａに固着される。ポーラス部１２ｂは
スピンナテーブル１２の上面に表出し、半導体ウェハ搭
載面を形成する。
りなり、枠部１２ａに固着される。ポーラス部１２ｂは
スピンナテーブル１２の上面に表出し、半導体ウェハ搭
載面を形成する。
【００２４】スピンナテーブル１２は回転軸１３により
回転駆動装置１４と結合しており、回転駆動装置１４に
より高速に回転する。
回転駆動装置１４と結合しており、回転駆動装置１４に
より高速に回転する。
【００２５】回転軸１３はパイプ状をなし、一端はポー
ラス部１２ｂと接続され、他端は排気装置１５と接続さ
れており、ポーラス部１２ｂは排気装置１５により排気
され、これにより半導体ウェハ搭載面全体で平均的に真
空吸着を行なうことができる。
ラス部１２ｂと接続され、他端は排気装置１５と接続さ
れており、ポーラス部１２ｂは排気装置１５により排気
され、これにより半導体ウェハ搭載面全体で平均的に真
空吸着を行なうことができる。
【００２６】半導体ウェハ５はダイシングテープ６上に
糊着されていて、複数の半導体チップ５ａにフルカット
されている。ダイシングテープ６は半導体ウェハ５の径
より若干大きい径で、その外周部にはフレーム７が糊着
されている。
糊着されていて、複数の半導体チップ５ａにフルカット
されている。ダイシングテープ６は半導体ウェハ５の径
より若干大きい径で、その外周部にはフレーム７が糊着
されている。
【００２７】半導体ウェハ５はダイシングテープ６上に
載置された状態でスピンナテーブル１２上に搭載され
る。
載置された状態でスピンナテーブル１２上に搭載され
る。
【００２８】このとき、スピンナテーブル１２の外径は
ダイシングテープ６の外周部に糊着されたフレーム７の
径より若干大きく形成されている。このため、フレーム
７を含め、ダイシングテープ６全体がスピンナテーブル
１２上に完全に搭載される。
ダイシングテープ６の外周部に糊着されたフレーム７の
径より若干大きく形成されている。このため、フレーム
７を含め、ダイシングテープ６全体がスピンナテーブル
１２上に完全に搭載される。
【００２９】このため、スピンナテーブル１２上に搭載
されたダイシングテープ６はスピンナテーブル１２上面
全体でスピンナテーブル１２に真空吸着される。
されたダイシングテープ６はスピンナテーブル１２上面
全体でスピンナテーブル１２に真空吸着される。
【００３０】このため、ダイシングテープ６に伸び等が
生じにくくなる。また、搭載面はポーラスにより吸着す
る構成で、略平坦に形成されているため、ダイシングテ
ープ６が変形してしまうこともない。
生じにくくなる。また、搭載面はポーラスにより吸着す
る構成で、略平坦に形成されているため、ダイシングテ
ープ６が変形してしまうこともない。
【００３１】さらに、ダイシングテープ６はポーラス部
１２ｂ上に搭載されるため、ダイシングテープ６とのな
じみが悪く、ダイシングテープ６を剥離しやすい。
１２ｂ上に搭載されるため、ダイシングテープ６とのな
じみが悪く、ダイシングテープ６を剥離しやすい。
【００３２】このため、回転処理後も半導体ウェハ５を
スピンナテーブル１２上に元の状態で保持できるため、
次の工程へ搬送装置を用いて搬送を行なう際搬送エラー
が生じることがなくなると共に、半導体チップ５ａをピ
ックアップする際にピックアップエラーが生じることが
なくなる。
スピンナテーブル１２上に元の状態で保持できるため、
次の工程へ搬送装置を用いて搬送を行なう際搬送エラー
が生じることがなくなると共に、半導体チップ５ａをピ
ックアップする際にピックアップエラーが生じることが
なくなる。
【００３３】図２は本発明の第２実施例の断面図を示
す。同図中、１６はスピンナテーブルを示す。スピンナ
テーブル１６は内周部１６ａ及び外周部１６ｂよりな
る。
す。同図中、１６はスピンナテーブルを示す。スピンナ
テーブル１６は内周部１６ａ及び外周部１６ｂよりな
る。
【００３４】内周部１６ａはＳＵＳ等の金属よりなる枠
部１６ａ-1及び多孔質状のセラミックよりなるポーラス
部１６ａ-2を円板状に形成してなり、その外径は半導体
ウェハの外径より若干小さく構成されている。
部１６ａ-1及び多孔質状のセラミックよりなるポーラス
部１６ａ-2を円板状に形成してなり、その外径は半導体
ウェハの外径より若干小さく構成されている。
【００３５】ポーラス部１６ａ-2は排気装置１７と結合
され、内周部１６ａの搭載面の略全面でダイシングテー
プ６の内周部を真空吸着する。
され、内周部１６ａの搭載面の略全面でダイシングテー
プ６の内周部を真空吸着する。
【００３６】また、外周部１６ｂはＳＵＳ等の金属材料
よりなる枠部１６ｂ-1及び多孔質状のセラミックよりな
るポーラス部１６ｂ-2を内周部１６ａの外周をとり巻く
ように円環状に形成してなり、その外径はフレーム７の
径より若干大きく構成されている。
よりなる枠部１６ｂ-1及び多孔質状のセラミックよりな
るポーラス部１６ｂ-2を内周部１６ａの外周をとり巻く
ように円環状に形成してなり、その外径はフレーム７の
径より若干大きく構成されている。
【００３７】外周部１６ｂは移動機構１９と結合してい
て、矢印Ａ方向に移動可能な構成とされている。
て、矢印Ａ方向に移動可能な構成とされている。
【００３８】スピンナテーブル１６はスピンナテーブル
１６上に半導体ウェハ５を搭載し、回転させる際には図
２（Ａ）に示すように平坦になり、ダイシングテープ６
はフレーム７を含めてスピンナテーブル１６上に搭載さ
れる。また、スピンナは回転処理終了後は移動機構１９
を駆動させ、外周部１６ｂを下方（矢印Ａ2 方向）に移
動させる。外周部１６ｂが下方に移動すると、図２
（Ｂ）に示すように内周部１６ａと外周部１６ｂとに段
差が生じ、ダイシングテープ６がスピンナテーブル１６
よりはがしやすくなる。
１６上に半導体ウェハ５を搭載し、回転させる際には図
２（Ａ）に示すように平坦になり、ダイシングテープ６
はフレーム７を含めてスピンナテーブル１６上に搭載さ
れる。また、スピンナは回転処理終了後は移動機構１９
を駆動させ、外周部１６ｂを下方（矢印Ａ2 方向）に移
動させる。外周部１６ｂが下方に移動すると、図２
（Ｂ）に示すように内周部１６ａと外周部１６ｂとに段
差が生じ、ダイシングテープ６がスピンナテーブル１６
よりはがしやすくなる。
【００３９】図３，図４は本発明の第３実施例の構成図
を示す。同図中、２０はスピンナテーブルを示す。スピ
ンナテーブル２０は内周部２０ａ及び外周部２０ｂより
なる。
を示す。同図中、２０はスピンナテーブルを示す。スピ
ンナテーブル２０は内周部２０ａ及び外周部２０ｂより
なる。
【００４０】内周部２０ａは多孔質状のセラミック、Ｓ
ＵＳ等の金属よりなり、ポーラス部２０ａの底面及び側
面をかこむように形成された枠部２０ｂ-1を円板状に形
成してなるポーラス部２０ｂ-2とよりなる。内周部２０
ａの外径は半導体ウェハ５の外径より若干小さく構成さ
れている。
ＵＳ等の金属よりなり、ポーラス部２０ａの底面及び側
面をかこむように形成された枠部２０ｂ-1を円板状に形
成してなるポーラス部２０ｂ-2とよりなる。内周部２０
ａの外径は半導体ウェハ５の外径より若干小さく構成さ
れている。
【００４１】また、ポーラス部２０ｂ-2は排気装置２１
と結合され、内周部２０ａの搭載面の略全面でダイシン
グテープ６の内周部を真空吸着する。
と結合され、内周部２０ａの搭載面の略全面でダイシン
グテープ６の内周部を真空吸着する。
【００４２】外周部２０ｂは多孔質状のセラミックを円
環状に形成してなるポーラス部２０ｂ-2とＳＵＳ等の金
属材料よりなり、ポーラス部２０ｂ-2の底面及び側面を
とりかこむように形成された枠部２０ｂ-1とより構成さ
れ、内周部２０ａの外周をとりかこむ構成とされてい
る。
環状に形成してなるポーラス部２０ｂ-2とＳＵＳ等の金
属材料よりなり、ポーラス部２０ｂ-2の底面及び側面を
とりかこむように形成された枠部２０ｂ-1とより構成さ
れ、内周部２０ａの外周をとりかこむ構成とされてい
る。
【００４３】内周部２０ａのポーラス部２０ａ-2及び外
周部２０ｂのポーラス部２０ｂ-2は排気装置２１と結合
していて、内周部２０ａ及び外周部２０ｂの半導体チッ
プ搭載面を全面的に排気され、ダイシングテープ６はフ
レーム７を含め全面的に真空吸着される。
周部２０ｂのポーラス部２０ｂ-2は排気装置２１と結合
していて、内周部２０ａ及び外周部２０ｂの半導体チッ
プ搭載面を全面的に排気され、ダイシングテープ６はフ
レーム７を含め全面的に真空吸着される。
【００４４】また、内周部２０ａ及び外周部２０ｂは回
転駆動装置２２に回転軸２５を介して接続されていて内
周部２０ａ及び外周部２０ｂを高速で回転させる。
転駆動装置２２に回転軸２５を介して接続されていて内
周部２０ａ及び外周部２０ｂを高速で回転させる。
【００４５】外周部２０ｂは移動機構２３と結合してい
て矢印Ｂ方向に移動可能な構成とされている。
て矢印Ｂ方向に移動可能な構成とされている。
【００４６】さらに、内周部２０ａと外周部２０ｂとの
間にはガス供給装置２４よりガスが供給される構成とさ
れている。
間にはガス供給装置２４よりガスが供給される構成とさ
れている。
【００４７】スピンナを回転させる際には、図３に示す
ようにスピンナテーブル２０を平坦な状態とし、半導体
ウェハ５が載置されたダイシングテープ６のフレーム７
を含めた全面をスピンナテーブル２０に真空吸着させ、
回転駆動装置２２を駆動する。
ようにスピンナテーブル２０を平坦な状態とし、半導体
ウェハ５が載置されたダイシングテープ６のフレーム７
を含めた全面をスピンナテーブル２０に真空吸着させ、
回転駆動装置２２を駆動する。
【００４８】また、スピンナによる処理が終了した後
は、図４に示すように移動機構２３を駆動することによ
り、スピンナテーブル２０の外周部２０ｂを下方（矢印
Ｂ1 方向）に移動させると共にスピンナテーブル２０に
対してガス供給装置２４よりガスを供給する。
は、図４に示すように移動機構２３を駆動することによ
り、スピンナテーブル２０の外周部２０ｂを下方（矢印
Ｂ1 方向）に移動させると共にスピンナテーブル２０に
対してガス供給装置２４よりガスを供給する。
【００４９】このため、ダイシングテープ６とスピンナ
テーブル２０の外周部２０ｂとの間にガスが流れ、ダイ
シングテープ６がスピンナテーブル２０より第２実施例
よりもさらに剥離しやすくなる。
テーブル２０の外周部２０ｂとの間にガスが流れ、ダイ
シングテープ６がスピンナテーブル２０より第２実施例
よりもさらに剥離しやすくなる。
【００５０】また、外周部２０ｂでもダイシングテープ
６を真空吸着する構成とされているため、ダイシングテ
ープ６を確実に吸着することができる。
６を真空吸着する構成とされているため、ダイシングテ
ープ６を確実に吸着することができる。
【００５１】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、半導体ウ
ェハが搭載されたテープに伸び等が生じることがなく、
かつ、回転テーブルより容易にはがすことができるた
め、スピンナを用いて各種処理を行った後も半導体ウェ
ハを元の状態に保持でき、後の工程を安定したものとす
ることができる等の特長を有する。
ェハが搭載されたテープに伸び等が生じることがなく、
かつ、回転テーブルより容易にはがすことができるた
め、スピンナを用いて各種処理を行った後も半導体ウェ
ハを元の状態に保持でき、後の工程を安定したものとす
ることができる等の特長を有する。
【図１】本発明の第１実施例の断面図である。
【図２】本発明の第２実施例の断面図である。
【図３】本発明の第３実施例の断面図である。
【図４】本発明の第３実施例の断面図である。
【図５】従来のスピンナの一例の斜視図である。
【図６】従来のスピンナの一例の動作を説明するための
図である。
図である。
【図７】従来のスピンナの他の一例の斜視図である。
【図８】従来のスピンナの他の一例の動作を説明するた
めの図である。
めの図である。
５ 半導体ウェハ ６ ダイシングテープ ７ フレーム １２，１６ スピンナテーブル １６ａ 内周部 １６ｂ 外周部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−169243（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−20048（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭60−6225（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−115214（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−177049（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭61−63835（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 H01L 21/301 H01L 21/68
Claims (2)
- 【請求項１】 外周部にフレームを有するテープ上に固
着された半導体ウェハを回転テーブルに真空吸着させ
て、該回転テーブルを回転させることにより該半導体ウ
ェハを回転させるスピンナにおいて、 前記回転テーブルは、外周径が前記フレームの外周径よ
り小さく形成された内周部と、 円環状をなし、内周径が前記内周部の外周と嵌合し、外
周が前記フレームの外径より大きく形成された外周部と
から構成され、 前記内周部及び前記外周部は、前記半導体ウェアとの対
向面がポーラス状に形成されており、かつ、前記内周部
と前記外周部とを回転軸方向に相対的に移動可能とする
とともに、前記内周部と前記外周部との間を通って前記
半導体ウェハとの対向面にガスを供給可能な構成とされ
たことを特徴とする スピンナ。 - 【請求項２】 ダイシングされ、外周部にフレームを有
するテープ上に固着された半導体ウェハを、回転テーブ
ルが外周径が前記フレームの外周径より小さく形成され
た内周部と、円環状をなし、内周径が前記第１の回転テ
ーブルの外周と嵌合し、外周が前記フレームの外径より
大きく形成された外周部とから構成され、前記内周部及
び前記外周部は、前記半導体ウェアとの対向面がポーラ
ス状に形成されており、かつ、前記内周部と前記外周部
とを回転軸方向に相対的に移動可能とするとともに、前
記内周部と前記外周部との間を通って前記半導体ウェハ
との対向面にガスを供給可能な構成とされたスピンナの
該回転テーブル上に載置する工程と、 前記回転テーブルの前記外周部及び前記内周部のポーラ
ス状部分を排気することにより前記テープを前記回転テ
ーブルに真空吸着させる工程と、 前記回転テーブルを回転させる工程と、 前記外周部と前記内周部との間にガスを供給するととも
に、前記外周部と前記内周部とを前記半導体ウェハとの
対向面が前記回転軸方向で異なる位置となるように移動
させることにより、 前記テープを前記回転テーブルより
剥離させる工程とを有することを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32336091A JP3295445B2 (ja) | 1991-12-06 | 1991-12-06 | スピンナ及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32336091A JP3295445B2 (ja) | 1991-12-06 | 1991-12-06 | スピンナ及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160102A JPH05160102A (ja) | 1993-06-25 |
| JP3295445B2 true JP3295445B2 (ja) | 2002-06-24 |
Family
ID=18153911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32336091A Expired - Fee Related JP3295445B2 (ja) | 1991-12-06 | 1991-12-06 | スピンナ及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3295445B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100575089C (zh) * | 2006-03-10 | 2009-12-30 | 精工爱普生株式会社 | 喷出检测装置及液滴喷出装置 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4577100A (en) * | 1983-12-27 | 1986-03-18 | United Technologies Corporation | Temperature compensated optical pressure sensor |
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| JP2010283286A (ja) * | 2009-06-08 | 2010-12-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | ワーク保持装置 |
| JP2014204089A (ja) * | 2013-04-09 | 2014-10-27 | 株式会社ディスコ | ウェーハ搬送機構及びウェーハの加工方法 |
| JP2015170617A (ja) * | 2014-03-04 | 2015-09-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
| JP6389755B2 (ja) * | 2014-12-22 | 2018-09-12 | 株式会社ディスコ | 切削装置及び切削方法 |
-
1991
- 1991-12-06 JP JP32336091A patent/JP3295445B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100575089C (zh) * | 2006-03-10 | 2009-12-30 | 精工爱普生株式会社 | 喷出检测装置及液滴喷出装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05160102A (ja) | 1993-06-25 |
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