JPS6321847A - 半導体集積回路の素子分離領域形成方法 - Google Patents
半導体集積回路の素子分離領域形成方法Info
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- JPS6321847A JPS6321847A JP16645286A JP16645286A JPS6321847A JP S6321847 A JPS6321847 A JP S6321847A JP 16645286 A JP16645286 A JP 16645286A JP 16645286 A JP16645286 A JP 16645286A JP S6321847 A JPS6321847 A JP S6321847A
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Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路の素子分離領域形成方法に関し
、特に、素子分離酸化膜形成時に遷移領域へ集中する応
力を少なくして結晶欠陥の発生を抑えた半導体集積回路
の素子分離領域形成方法に関する。
、特に、素子分離酸化膜形成時に遷移領域へ集中する応
力を少なくして結晶欠陥の発生を抑えた半導体集積回路
の素子分離領域形成方法に関する。
従来の半導体集積回路の素子分離領域形成方法として、
例えば、第３図（ａｌ、（ｂ）に示すものがある。この
半導体集積回路の素子分離領域形成方法は、第１窒化ケ
イ素膜３３の側壁に第２窒化ケイ素膜３７を形成しく第
３図（ａ））、その後選択酸化を行って素子分離領域３
８を形成している（第３図（ｂ））。ここで、３１はケ
イ素単結晶基板、３２は酸化ケイ素膜、３！Ｓはチャネ
ルストップ領域である。
例えば、第３図（ａｌ、（ｂ）に示すものがある。この
半導体集積回路の素子分離領域形成方法は、第１窒化ケ
イ素膜３３の側壁に第２窒化ケイ素膜３７を形成しく第
３図（ａ））、その後選択酸化を行って素子分離領域３
８を形成している（第３図（ｂ））。ここで、３１はケ
イ素単結晶基板、３２は酸化ケイ素膜、３！Ｓはチャネ
ルストップ領域である。
この半導体集積回路の素子分離領域形成方法は、例えば
、「ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フ
ィズクス、１９８１年」に記載されており、耐酸化性の
第１窒化ケイ素膜３３の側壁を耐酸化性の第２の窒化ケ
イ素膜３７で完全に覆うため、第３図（ｂｌに示すよう
に、バーズビーク角度θ３ （パターン変換差３９に相
当する）が小さくなる。
、「ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フ
ィズクス、１９８１年」に記載されており、耐酸化性の
第１窒化ケイ素膜３３の側壁を耐酸化性の第２の窒化ケ
イ素膜３７で完全に覆うため、第３図（ｂｌに示すよう
に、バーズビーク角度θ３ （パターン変換差３９に相
当する）が小さくなる。
しかし、従来の半導体集積回路の素子分離も頁域形成方
法によれば、酸化領域と非酸化領域との遷移領域が短い
ため、遷移領域への応力集中が著しくなり、厚い酸化膜
を形成すると転位等の結晶欠陥の発生によりリーク電流
が増大するという不都合がある。
法によれば、酸化領域と非酸化領域との遷移領域が短い
ため、遷移領域への応力集中が著しくなり、厚い酸化膜
を形成すると転位等の結晶欠陥の発生によりリーク電流
が増大するという不都合がある。
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、素子分離領
域用の酸化膜を形成するときに遷、移領域へ集中する応
力を少なくして結晶欠陥の発生を抑えるため、選択酸化
マスク用窒化膜の下層に形成された第１の酸化膜より厚
い第２の酸化膜を選択酸化マスク用窒化膜の無い領域に
形成した後、選択酸化を行うようにした半導体集積回路
の素子分離領域形成方法を提供するものである。
域用の酸化膜を形成するときに遷、移領域へ集中する応
力を少なくして結晶欠陥の発生を抑えるため、選択酸化
マスク用窒化膜の下層に形成された第１の酸化膜より厚
い第２の酸化膜を選択酸化マスク用窒化膜の無い領域に
形成した後、選択酸化を行うようにした半導体集積回路
の素子分離領域形成方法を提供するものである。
以下、本発明の半導体集積回路の素子分離領域形成方法
を詳細に説明する。
を詳細に説明する。
第１図（ａｌ〜ｔｄｌは本発明の一実施例を示す。
まず、第１図（ａｊにおいて、シリコン単結晶基板１の
表面に１００〜５００人の厚さで第１の窒化ケイ素膜３
を形成する。この窒化ケイ素膜３は既知の方法でレジス
トパターン４をマスクとして蝕刻される。引き続いてチ
ャンネルストップ領域５が形成され、第１の窒化ケイ素
膜３の下の酸化ケイ素膜２を除いて表面に露出している
酸化ケイ素膜は既知の方法でプラズマエツチングされて
シリコンチャンネルストップ領域５の表面が露出される
。
表面に１００〜５００人の厚さで第１の窒化ケイ素膜３
を形成する。この窒化ケイ素膜３は既知の方法でレジス
トパターン４をマスクとして蝕刻される。引き続いてチ
ャンネルストップ領域５が形成され、第１の窒化ケイ素
膜３の下の酸化ケイ素膜２を除いて表面に露出している
酸化ケイ素膜は既知の方法でプラズマエツチングされて
シリコンチャンネルストップ領域５の表面が露出される
。
次に、第１図（ｂｌにおいて、チャンネルストップ領域
５の表面を酸化し、第１の酸化膜２よりも厚くなるよう
に５００〜２０００ 人の厚さで第２の酸化ケイ素膜６
を形成する。
５の表面を酸化し、第１の酸化膜２よりも厚くなるよう
に５００〜２０００ 人の厚さで第２の酸化ケイ素膜６
を形成する。
続いて、第１図（Ｃ）において、第１の窒化ケイ素膜膜
３と第２の酸化ケイ素膜６の表面に第１の窒化ケイ素膜
７を形成する。この第２の窒化ケイ素膜７はリアクティ
ブイオンエツチング（ＲＩＥ）法等によって第１の窒化
ケイ素膜３の側壁にのみ残るようにして除去される。
３と第２の酸化ケイ素膜６の表面に第１の窒化ケイ素膜
７を形成する。この第２の窒化ケイ素膜７はリアクティ
ブイオンエツチング（ＲＩＥ）法等によって第１の窒化
ケイ素膜３の側壁にのみ残るようにして除去される。
最後に、第１図（ｄ）において、第１および第２の窒化
ケイ素膜３．７をマスクとして選択酸化を行って素子分
離領域８を形成する。その結果、パターン変換差９が小
さく、バーズビーク角度θ１が比較的小さい素子分離領
域８が得られる。
ケイ素膜３．７をマスクとして選択酸化を行って素子分
離領域８を形成する。その結果、パターン変換差９が小
さく、バーズビーク角度θ１が比較的小さい素子分離領
域８が得られる。
第２図（ａｌ〜（Ｃ１は本発明の第２の実施例を示す。
まず、第２図（ａｌにおいて、第１の実施例と同しよう
にしてチャンネルストップ領域２５を形成する。この後
、第１の酸化ケイ素膜２２をＨＦ系液を用いて湿式除去
して第１の窒化ケイ素膜２３の下部に１００〜５００人
のサイドエッチ領域２４が形成される。ここで、２１は
ケイ素単結晶基板である。
にしてチャンネルストップ領域２５を形成する。この後
、第１の酸化ケイ素膜２２をＨＦ系液を用いて湿式除去
して第１の窒化ケイ素膜２３の下部に１００〜５００人
のサイドエッチ領域２４が形成される。ここで、２１は
ケイ素単結晶基板である。
次に、第２図（ｂ）において、第１の酸化ケイ素膜２２
より厚い第２の酸化ケイ素膜２６を形成する。更に、第
２の窒化ケイ素膜２７を形成し、第１の窒化ケイ素膜２
３の側壁にのみ残して他の部分を除去する。
より厚い第２の酸化ケイ素膜２６を形成する。更に、第
２の窒化ケイ素膜２７を形成し、第１の窒化ケイ素膜２
３の側壁にのみ残して他の部分を除去する。
最後に、第２図（Ｃ１において、第１および第２の窒化
ケイ素膜２３及び２７をマクスとして選択酸化を行って
素子分離領域２８を形成する。
ケイ素膜２３及び２７をマクスとして選択酸化を行って
素子分離領域２８を形成する。
第２の実施例では、第１の酸化ケイ素膜２２を湿式除去
したので基板２１は損傷を受けることがなく、サイドエ
ッチ領域２４を有するので、第２の酸化ケイ素膜２６の
端部が第１の窒化ケイ素膜２３の下までもぐり込むため
素子分Ｊｉｌｔ 領域２８は円滑に第１および第２の窒
化ケイ素膜２３および２７の下までもぐり込む。その結
果、遷移領域への応力集中の緩和効果が第１の実施例よ
り良い。
したので基板２１は損傷を受けることがなく、サイドエ
ッチ領域２４を有するので、第２の酸化ケイ素膜２６の
端部が第１の窒化ケイ素膜２３の下までもぐり込むため
素子分Ｊｉｌｔ 領域２８は円滑に第１および第２の窒
化ケイ素膜２３および２７の下までもぐり込む。その結
果、遷移領域への応力集中の緩和効果が第１の実施例よ
り良い。
また、第２図（Ｃ１に示したように、パターン変換差２
９は第１の実施例より大になるが、通常のＬＯＣＯ５法
より小さくなり、バーズビーク角度θ２は第１の実施例
より小さくなるが、ＬＯＧＯ３？去より大になる。
９は第１の実施例より大になるが、通常のＬＯＣＯ５法
より小さくなり、バーズビーク角度θ２は第１の実施例
より小さくなるが、ＬＯＧＯ３？去より大になる。
〔発明の効果〕
以上説明した通り、本発明の半導体集積回路の素子分離
領域形成方法によれば、選択酸化マスク用窒化膜の下層
に形成され７こ第１の酸化膜より厚い第２の酸化膜を選
択酸化マスク用窒化膜の無い領域に形成した後、選択酸
化を行うようにしたため、素子分離領域用の酸化膜を形
成するときに′５移頌域へ集中する応力を少なくして拮
晶欠陥の発生を聞えることができる。
領域形成方法によれば、選択酸化マスク用窒化膜の下層
に形成され７こ第１の酸化膜より厚い第２の酸化膜を選
択酸化マスク用窒化膜の無い領域に形成した後、選択酸
化を行うようにしたため、素子分離領域用の酸化膜を形
成するときに′５移頌域へ集中する応力を少なくして拮
晶欠陥の発生を聞えることができる。
第１図（ａｌ ＝ （ｄｌは本発明の一実施例を示す工
程図。第２図ｆａ）〜ＦＣ＋は本発明の第２の実施例を
示す工程図。第３図（ａ）、（ｂｌは従来の半導体集積
回路の素子分離領域形成方法を示す工程図。 符号の説明
程図。第２図ｆａ）〜ＦＣ＋は本発明の第２の実施例を
示す工程図。第３図（ａ）、（ｂｌは従来の半導体集積
回路の素子分離領域形成方法を示す工程図。 符号の説明
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板上に酸化膜を介して形成された 窒化膜をマスクとして選択酸化を行って素子分離領域を
形成する半導体集積回路の素子分離領域形成方法におい
て、 前記半導体基板上の選択酸化領域に前記酸 化膜より厚さの大なる他の酸化膜を形成する工程と、 前記窒化膜の側壁に他の窒化膜を形成する 工程を有することを特徴とする半導体集積回路の素子分
離領域形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16645286A JPS6321847A (ja) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | 半導体集積回路の素子分離領域形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16645286A JPS6321847A (ja) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | 半導体集積回路の素子分離領域形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6321847A true JPS6321847A (ja) | 1988-01-29 |
Family
ID=15831666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16645286A Pending JPS6321847A (ja) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | 半導体集積回路の素子分離領域形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6321847A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100274350B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2000-12-15 | 김영환 | 반도체소자의필드산화막형성방법 |
-
1986
- 1986-07-15 JP JP16645286A patent/JPS6321847A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100274350B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2000-12-15 | 김영환 | 반도체소자의필드산화막형성방법 |
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