KR940010322B1 - 상반전을 이용한 다결정 산화막 제거방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

상반전을 이용한 다결정 산화막 제거방법

제 1 도-제 4 도는 종래의 다결정 산화막 제거공정도.

제 5 도는 종래의 문제점을 설명하기 위한 설명도.

제 6 도-제 10 도는 본 발명에 따른 상반전을 이용한 다결정 산화막 제거 공정도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 완충산화막 2 : 제 1 다결정 실리콘

3 : 질화막 4 : 제 2 다결정 실리콘

5,5' : 포토레지스터층 6 : 제 2 다결정 실리콘 산화막

7 : 다결정 실리콘 8 : 다결정 산화막

본 발명은 1㎛이하(Submicron)의 소자 분리에 관한 것으로, 특히 상반전(Image Reversal) 기술을 이용하여 다결정 산화막을 제거시키도록 한 다결정 산화막 제거방법에 관한 것이다.

종래의 다결정 산화막을 제거방법은 제 1 도에서 보는 바와 같이 완충산화막(1)의 상측에 제 1 다결정 실리콘(2)과 질화막(3)을 순착 적층하고, 질화막(3)의 상측에는 제 2 다결정 실리콘(4)과 포토레지스터층(5)을 순차적으로 적층하고 노광하여 활성영역(Active Reion)을 정의하고, 상기 포토레지스터층(5)을 순차적으로 적층하고 노광하여 활성영역(Active Reion)을 정의하고, 상기 포토레지스터층(5)을 마스크로 하여 필드영역의 제 2 다결정 실리콘(4)을 에칭한 후, 제 2 도에서 보는 바와 같이 포토레지스터층(5)를 제거하고 질화막(3) 상측의 제 2 다결정 실리콘(4)을 산화시켜 제 2 다결정 실리콘 산화막 (6)을 형성시키고 제 2 다결정 실리콘 산화막 (6)을 마스크로 하여 질화막(3)과 제 1 다결정 실리콘(2)의 소정의 깊이까지 에치한다.

그리고 제 3 도와 같이 다결정 실리콘 산화막(6)을 제거하여 제 1 다결정 실리콘(2)으로 완충산화막(1)을 막아줌으로서 완충산화막(1)이 에칭되는 것을 방지하고, 이를 포토레지스터층(5')으로 필드(field) 산화하면 제 4 도에서와 같이 된다.

이와같은 기존의 다결정 산화막 제거방법은 구조상, 제 1 다결정 실리콘 질화막-제 2 다결정 실리콘의 구조로서 연속 3층의 LPCVD막을 사용하기 때문에 입자(Particle) 문제가 생기게 되었으며, 또한 제 1 다결정 실리콘의 두께에 따라 필드산화막 모양이 달라지게 된다.

즉, 제 1 다결정 실리콘이 500[Å] 미만이면 제 5a 도와 같이 정상이나, 그 이상이면 제 5b 도와 같이 되어 제 1 다결정 실리콘 (2)과 질화막(3)의 경계에 단차(A)가 생겨 구조적 측면에 악영향이 있었고 단차(A)를 제거시키기 위한 기존의 해결책으로는 제 1 다결정 실리콘(2)을 500[Å] 이하로 해야되나 질화막(3)의 식각시 제 5c 도와 같이 제 1 다결정 실리콘(2)의 중앙부분이 식각되어 구멍(B)이 발생됨으로서이 구멍(B)에 의해 하부의 완충산화막(1)이 식각되어 원하는 영역(필드폭 1.0㎛이하)이 형성되지 않게 되는 문제점이 있다.

이에 본 발명은 상기한 문제점을 개선시키기 위해 안출된 것으로서, 정상공정과 패턴을 형성할 때 반대로 형성되는 상반전 기술을 이용하여 다결정 산화막을 식각하는 방폐역할을 하도록 함으로서 필드부분을 막아 완충산화막을 1.0㎛이하의 폭을 갖도록 한 것으로, 이하 그의 방법을 첨부된 도면에 따라 설명하면 다음과 같다.

제 6 도-제 10 도는 본 발명에 따른 다결정 산화막 제거공정을 나타낸 것으로, 제 6 도와 같이 완충산화막 (1)의 상측에 질화막(3)과 다결정 실리콘(7)의 상측에 포토레지스터층(5)을 형성시켜 노광하여 액티브영역을 한정하고, 제 7 도와 같이 포토레지스터층(5)을 마스크로하여 다결정 실리콘(7)을 에칭하고 남아있는 다결정 실리콘(7)을 산화하여 다결정 실리콘 산화막(8)을 형성한 후 제 8 도와 같이 단결정 실리콘 산화막(8)의 사이에 포토레지스터층(5')을 입혀 상반전시키고, 제 9 도와 같이 다결정 실리콘 산화막(8)을 에칭하여 포토레지스터층(5')을 제거시킨 후 분리영역을 산화하면 제 10 도와 같은 형태로 공정이 완료된다.

따라서, 본 발명에 따른 다결정 산화막 제거방법은 이상의 설명에서와 같이, 현재 사진장비로서 최소의 형상화할 수 있는 선간격이 0.8-0.9㎛로 되어 있어 현재로서는 필드영역폭이 1.4㎛ 정도이나, 상반전기술을 이용하여 쉽게 필드영역을 1.0㎛이하로 할 수 있게 되며, 이로 인해 실제 소자동작 영역이 기존의 기술보다 0.3-0.4㎛정도 이득을 보게 되고 VLSI에서 문제가 되는 협대역(Narrow Width) 효과를 크게 감소시키는 효과를 갖는다.

Claims (1)

1. 완충산화막(1)을 포함하는 다결정 산화막 제거공정에 있어서, 완충산화막(1)의 상측에 질화막(3)과 다결정 실리콘(7)을 순차적층하고, 다결정 실리콘(7)의 상측에는 포토레지스터층(5)을 형성시켜 이에 다결정 산화막(6)을 입힌후, 포토레지스터층(5')을 입혀 상반전시키고, 상기 다결정 산화막(6)을 에칭시켜 포토레지스터층(5')을 제거시킨 후 분리영역을 산화하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 상반전을 이용한 다결정 산화막 제거방법.

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