JPS63211666A - ポリシリコン抵抗素子 - Google Patents
ポリシリコン抵抗素子Info
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- JPS63211666A JPS63211666A JP62046353A JP4635387A JPS63211666A JP S63211666 A JPS63211666 A JP S63211666A JP 62046353 A JP62046353 A JP 62046353A JP 4635387 A JP4635387 A JP 4635387A JP S63211666 A JPS63211666 A JP S63211666A
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- Japan
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- polycrystalline silicon
- electrode
- resistor
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- silicon resistor
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0688—Integrated circuits having a three-dimensional layout
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、絶縁基板上に形成されたポリシリコン被膜材
を幾何学的形状に加工し、両端に電極を設は抵抗体とし
て利用するポリシリコン抵抗素子に関する。
を幾何学的形状に加工し、両端に電極を設は抵抗体とし
て利用するポリシリコン抵抗素子に関する。
この種のポリシリコン抵抗素子の従来のものは、第３図
ａ、ｂに示すように、絶縁基板１上に帯状のポリシリコ
ン被膜２を形成し、その上を絶縁膜３で被覆し、絶縁膜
３にコンタクトホール４を設けた後、蒸着法等でコンタ
クトホール４上に金属電極５を形成することにより、ポ
リシリコン被膜２で形成される抵抗体の両端に電極を設
けたものであり、集積回路装置の受動部品として利用さ
れている。
ａ、ｂに示すように、絶縁基板１上に帯状のポリシリコ
ン被膜２を形成し、その上を絶縁膜３で被覆し、絶縁膜
３にコンタクトホール４を設けた後、蒸着法等でコンタ
クトホール４上に金属電極５を形成することにより、ポ
リシリコン被膜２で形成される抵抗体の両端に電極を設
けたものであり、集積回路装置の受動部品として利用さ
れている。
このような抵抗素子を作る場合、ポリシリコン膜の面抵
抗と不純物量との間には第４図に示すような関係がある
から、ポリシリコン被膜２の面抵抗が所定の値になるよ
うに導入不純物量を決定し、第３図に示すポリシリコン
被膜２の幅（Ｗ）および長さくｆｆ１）を選択すること
により、次式の関係で必要な抵抗値Ｒを得ることができ
る。
抗と不純物量との間には第４図に示すような関係がある
から、ポリシリコン被膜２の面抵抗が所定の値になるよ
うに導入不純物量を決定し、第３図に示すポリシリコン
被膜２の幅（Ｗ）および長さくｆｆ１）を選択すること
により、次式の関係で必要な抵抗値Ｒを得ることができ
る。
Ｒ＝Ｒ，ｘｊ！／Ｗ
ところが、このようなポリシリコン抵抗素子は、第５図
に示すような電圧−電流特性を示し、低電圧右頁域にお
ける抵抗値ＲＬｖは高電圧領域における抵抗値Ｒｓｖに
比べ大幅に小さくなることが欠点として上げられる０例
えばこのようなポリシリコン抵抗素子を内蔵した高電圧
動作の集積回路装置の機能を広い電圧範囲においてシミ
ュレーシゴンしてみると、消費電流、スイッチングスピ
ード等の機能が低電圧領域と高電圧領域とでは大きく変
化してしまう問題が発生する。
に示すような電圧−電流特性を示し、低電圧右頁域にお
ける抵抗値ＲＬｖは高電圧領域における抵抗値Ｒｓｖに
比べ大幅に小さくなることが欠点として上げられる０例
えばこのようなポリシリコン抵抗素子を内蔵した高電圧
動作の集積回路装置の機能を広い電圧範囲においてシミ
ュレーシゴンしてみると、消費電流、スイッチングスピ
ード等の機能が低電圧領域と高電圧領域とでは大きく変
化してしまう問題が発生する。
本発明は、前述したような抵抗値の電圧依存性が少ない
ポリシリコン抵抗素子を提供することを目的とする。
ポリシリコン抵抗素子を提供することを目的とする。
この目的は本発明によれば、絶縁基板上に形成されたポ
リシリコン抵抗体の一側面に、絶縁膜を介して電極を設
け、その電極とその電極下のポリシリコン抵抗体との間
に電位差を印加できるように配置することによって達成
される。
リシリコン抵抗体の一側面に、絶縁膜を介して電極を設
け、その電極とその電極下のポリシリコン抵抗体との間
に電位差を印加できるように配置することによって達成
される。
本発明においては、電極とその電極下のポリシリコン抵
抗体との間に加えられる電位差により、該電極直下の絶
縁膜−ポリシリコン抵抗体層界面近傍のポリシリコン抵
抗体層に電位極性に応じた電荷を誘起させ、ポリシリコ
ン抵抗体の電気的特性に関係する断面積を見掛は上低減
させることにより、その抵抗体の高電圧領域における抵
抗値が低減しなくなる。
抗体との間に加えられる電位差により、該電極直下の絶
縁膜−ポリシリコン抵抗体層界面近傍のポリシリコン抵
抗体層に電位極性に応じた電荷を誘起させ、ポリシリコ
ン抵抗体の電気的特性に関係する断面積を見掛は上低減
させることにより、その抵抗体の高電圧領域における抵
抗値が低減しなくなる。
次の未発明の実施例を図面について説明する。
第１図ａ、ｂは本発明の実施例のそれぞれ平面図、縦断
側面図で、第３図と同等部分には同符号を付しである。
側面図で、第３図と同等部分には同符号を付しである。
絶縁基板１上に形成されたポリシリコン被膜２は帯状に
加工され、絶縁膜３で全体を被覆される。
加工され、絶縁膜３で全体を被覆される。
ポリシリコン被膜２の両端近傍において絶縁膜３にコン
タクトホール４を加工した後、蒸着法等によりコンタク
トホール４上に抵抗端子電極５を形成すると同時に、ポ
リシリコン被膜２上に抵抗値制御電極６を形成する。
タクトホール４を加工した後、蒸着法等によりコンタク
トホール４上に抵抗端子電極５を形成すると同時に、ポ
リシリコン被膜２上に抵抗値制御電極６を形成する。
このような構成において、いま抵抗値制御電極６とその
電極直下のポリシリコン被膜２間に電圧を印加すると、
その電圧の極性に応じて、絶縁膜３およびポリシリコン
被膜２界面近傍に電荷誘起層７が生じ、正または負の電
荷が誘起されるようになる０例えば、すでに形成されて
いる一導電型のポリシリコン被膜とは逆の導電型の電荷
が誘起された場合、見掛上そのポリシリコン被膜で形成
される抵抗体の断面積を減少させるような作用が生じる
。
電極直下のポリシリコン被膜２間に電圧を印加すると、
その電圧の極性に応じて、絶縁膜３およびポリシリコン
被膜２界面近傍に電荷誘起層７が生じ、正または負の電
荷が誘起されるようになる０例えば、すでに形成されて
いる一導電型のポリシリコン被膜とは逆の導電型の電荷
が誘起された場合、見掛上そのポリシリコン被膜で形成
される抵抗体の断面積を減少させるような作用が生じる
。
第２図において実線は本発明による抵抗素子の電圧−電
流特性を示すもので、低電圧領域から高電圧領域にわた
ってほぼ直線状に変化し、破線で示す従来のものの特性
を大幅に改善していることが明らかである。
流特性を示すもので、低電圧領域から高電圧領域にわた
ってほぼ直線状に変化し、破線で示す従来のものの特性
を大幅に改善していることが明らかである。
本発明によれば、ポリシリコン抵抗体の一側面に絶縁膜
を介して抵抗値制御電極を設け、この電極とポリシリコ
ン抵抗体との間に電位差を作ることにより、高電極領域
で使用する場合、その電極下のポリシリコン層に電荷が
誘起され、抵抗体の断面積が制限されるため、低電圧領
域の抵抗値を高電圧領域でも維持することができる。
を介して抵抗値制御電極を設け、この電極とポリシリコ
ン抵抗体との間に電位差を作ることにより、高電極領域
で使用する場合、その電極下のポリシリコン層に電荷が
誘起され、抵抗体の断面積が制限されるため、低電圧領
域の抵抗値を高電圧領域でも維持することができる。
第１図ａ、ｂは本発明の実施例のそれぞれ平面図、縦断
側面図、第２図は本発明の抵抗素子の電圧−電流特性線
図、第３図ａ、ｂは従来の抵抗素子のそれぞれ平面図、
縦断側面図、第４図はポリシリコン膜の面抵抗と不純物
量との関係を示す線図、第５図は従来の抵抗素子の電圧
−電流特性線図である。 ｌ・・・絶縁基板、 ２・・・ポリシリコン被膜、 ３
・・・絶縁膜、 ４・・・コンタクトホール、 ５・
・・抵抗端子電極、 ６・・・抵抗値制御電極、 ７・
・・電荷誘起層。 第２図 電圧（Ｖ） 第５図 電圧（Ｖ） 謀 国 寸 卸
側面図、第２図は本発明の抵抗素子の電圧−電流特性線
図、第３図ａ、ｂは従来の抵抗素子のそれぞれ平面図、
縦断側面図、第４図はポリシリコン膜の面抵抗と不純物
量との関係を示す線図、第５図は従来の抵抗素子の電圧
−電流特性線図である。 ｌ・・・絶縁基板、 ２・・・ポリシリコン被膜、 ３
・・・絶縁膜、 ４・・・コンタクトホール、 ５・
・・抵抗端子電極、 ６・・・抵抗値制御電極、 ７・
・・電荷誘起層。 第２図 電圧（Ｖ） 第５図 電圧（Ｖ） 謀 国 寸 卸
Claims (1)
- １）絶縁基板上に形成されたポリシリコン抵抗体の一側
面に、絶縁膜を介して電極を設け、その電極とポリシリ
コン抵抗体との間に電位差を印加できるように構成した
ことを特徴とするポリシリコン抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62046353A JPS63211666A (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | ポリシリコン抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62046353A JPS63211666A (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | ポリシリコン抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63211666A true JPS63211666A (ja) | 1988-09-02 |
Family
ID=12744781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62046353A Pending JPS63211666A (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | ポリシリコン抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63211666A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013145412A1 (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-03 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2018121673A1 (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-05 | 无锡华润上华科技有限公司 | 半导体器件 |
-
1987
- 1987-02-26 JP JP62046353A patent/JPS63211666A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013145412A1 (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-03 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2013206940A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2018121673A1 (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-05 | 无锡华润上华科技有限公司 | 半导体器件 |
| CN108269788A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 无锡华润上华科技有限公司 | 半导体器件 |
| CN108269788B (zh) * | 2016-12-30 | 2020-08-18 | 无锡华润上华科技有限公司 | 半导体器件 |
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