JPS63204806A

JPS63204806A - 電圧制御発振器

Info

Publication number: JPS63204806A
Application number: JP3577087A
Authority: JP
Inventors: Katsuki Obayashi; 勝喜大林
Original assignee: Hitachi Denshi KK
Current assignee: Hitachi Denshi KK
Priority date: 1987-02-20
Filing date: 1987-02-20
Publication date: 1988-08-24
Anticipated expiration: 2012-12-10
Also published as: JP2689328B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、周波数変調を施すことのできる電圧制御発振
器に関するものである。

〔従来の技術〕

電圧制御発振器（以下、ｖＣＯ）は、各種電子回路の原
周波発振に用いられているが、無線送信機の原周波発振
に用いる場合等においては、発振中心周波数を制御電圧
によシ制御すると共に、変調信号により発振周波数を変
移させ、周波数変調（以下、ＦＭ）を施して用いる必要
を生じておムこの場合には、第９図に示す構成が一般に
用いられている。

すなわち、能動素子による負性抵抗発生回路１により、
インダクタンス線輪およびコンデンサによる共振回路２
を励振し、主として同回路２の共振周波数により定まる
周波数の発振を行なうと共に、第１のコンデンサＣｃお
よび第１の可変容量ダイオード（以下、ＶＣＤ）Ｄｖか
らなる第１の直列回路と、第２のコンデンサＣＩ！Ｉお
よび第２のＶＣＤ・Ｄｆからなる第２の直列回路とを設
け、これらを共振回路２に対し並列に接続のうえ、ｖＣ
Ｄ−Ｄｖへ端子３から制御電圧Ｖｅを印加し、これによ
って共振回路２の共振周波数を変化させる一方、ｖＣＤ
＠Ｄｆには端子４から変調信号Ｖｍを印加し、これによ
って同様に共振回路２の共振周波数を変化させておシ、
制御電圧Ｖｃにより発振周波数の制御を行なうと同時に
、変調信号ｖｎ１によりＦＭを施すものとなっている。

第１０図は、第９図の等価回路であり、（Ａ）は発振周
波数の決定に関与する各素子を示し、（Ｂ）はこれらの
合成状況を示しており、ｖＣＤ−Ｄｆ　の容量をＣｆ　
とし、変調信号Ｖｍの直流分による不変分をＣｏ１同信
号Ｖｍの交流分に応する可変分をΔＣとすれば、Ｃｆ＝
ｃ０＋ΔＣにより示されるものとなり、ｖＣＤ−Ｄｖの
容量をＣ，共振回路２を構成するインダクタンスをＬ１
同様の容量をＣとし、インダクタンスＬの両端へ接続さ
れる合成容量を（４としたとき、Ｃ１は次式によシ与え
られる。

Ｃ，＋（’、　　　　　１＋ｂ・ΔＣ・・・・・・・・・・・・・・・・・・　　（１）また
、これらによシ定まる発振周波数ｆは、ΔＣ＝Ｏの同周
波数をｆｏとしたとき、次式により示される。

一五たソし、　　　　　　　　　　　　　　　　　　−１こ
＼において、（２）式はΔＣの関数であるため、これを
テーラ−展開すると次式が得られる。

ｆ＝ｆ６−　ｚ（’−ｂ）’ｏ”ΔＣ＋・・・・・・・
・・また、ｆ＝ｆｏ十Δｆとすれば、周波数変移Δｆ一
方、ｖＣＤ−Ｄｆの特性は、周知のとおυＣｆ＝に−Ｖ
　　であり、変調信号ｖｍの不変分をｖｏ、変化分をΔ
Ｖとし、’／ｍ＝ｖ０＋ΔＶにより示されるものとした
とき、Ｃｆ＝Ｃｏ＋ΔＣによシ示されるため、Ｃ，＋ΔＣ＝Ｋ（Ｖ、＋ΔＶ）″１となり、ｃｏはΔＶ＝Ｏのときの容量であるから、Ｃ，
＝Ｋ　＠　ｖｏ　　の関係となることにより、Δｃ　＝
　Ｃｏ　（−１ＪＶ＋　・・曲）　　　・曲間・・・・
・・０）Ｖｏ。

が得られる。

また、（４）式へ（５）式を代入し、Ｖｏ近傍のみの周
波数変移Δｆを求めれば、 Δｆ＝ｆＱ　−（ａ−ｂ）Ｃｏ−ΔＶ２　　　　　　Ｖ。

となるため、これにより変調感度Ｓは次式によって示さ
れる。

（６）式へ、（１）式の＆、ｂを代入すると、・・・・
・・・・・・・・・・・・・・　（７）（３）式からＯ
ｐとｆｏとの関係を求め、（力弐へ代入すると、次式が
得られる。

したがって、変調感度Ｓは、中心となる発振周波数ｆｏ
の３乗に比例して増加するものとなる。

〔発明が解決しようとする間厘点〕

しかＬ、発振周波数ｆ、を搬送周波数の基準として用い
る場合等においては、これに応じて変調感度Ｓが変化す
るため、従来のｖｃ６を用いれば、周波数の異なる各チ
ャネル毎の変調感度が均一とならない問題を生ずる。

〔問題点を解決するための手段〕

前述の問題を解決するため、本発明はつぎの手段により
構成するものとなっている。

すなわち、負性抵抗発生回路と、この回路により励振さ
れかつインダクタンスを含む共振回路と、第１のコンデ
ンサおよび制御電圧の印加される第１の可変容量ダイオ
ードからなり共振回路の共振周波数を変化させる発振周
波数制御用の第１の直列回路と、第２のコンデンサおよ
び変調信号の印加される第２の可変容量ダイオードから
なり共振回路の共振周波数を変化させる周波数変調用の
第２の直列回路と、第３のコンデンサおよび変調信号の
印加される第３の可変容量ダイオードからなプ第２の直
列回路による変調感度の変化を相殺する方向へ共振回路
の共振周波数を変化させる第３の直列回路とを備えたこ
とを第１発明とするものである。

また、第１発明に加え、第２および第３の可変容量ダイ
オードに対し直流バイアス電圧を印加するバイアス回路
と、第２および第３の可変容量ダイオードに対し変調信
号を印加する経路中へ各個に挿入された可変分圧回路と
を備えたことを第２発明とするものである。

更に、第１発明に加え、？Ｊ２および第３の可変容量ダ
イオードに対し変調信号と重畳して制御電圧を印加する
重畳回路を備えたことを第３発明とするものである。

〔作用〕

したがって、第１発明においては、第１および第２の直
列回路により、上述と同様に発振周波数の制御およびＦ
Ｍが行なわれると共に、第３の直列回路によシ変調感度
の変化が相殺される。

また、第２発明においては、直流バイアス電圧の印加が
バイアス回路によシ行なわれると共に、可変分圧回路に
より変調信号の印加状況が加減され、第２および第３の
各可変容量ダイオードの特性偏差補正が行々われる。

一方、第３発明においては、制御信号の重畳印加により
、第２および第３の可変容量ダイオードが有する印加電
圧と容量変化との非直線特性を補正することができる。

〔実施例〕

以下、実施例を示す図によって本発明の詳細な説明する
。

第１図は具体的回路図であシ、能動素子による負性抵抗
発生回路１により励振される共振回路２に対し、第１の
コンデンサＣｃおよび第１のＶＣＤＩＩＤマによる第１
の直列回路と、第２のコンデンサＣｓおよび第２のＶＣ
Ｄ−Ｄｆによる第２の直列回路とが接続され、ｖＣＤ−
Ｄｆに対し端子３から制御電圧Ｖｃが印加されるものに
なっていると共に、端子４からの変調信号ｖｍがｖＣＤ
−Ｄｆへ印加されるものとなっており、これらによシ第
９図と同様に発振周波数の制御およびＦＭを行なうもの
となっているが、第３のコンデンサＣｓ’および第３の
ＶＣＤ’Ｄｆ’による第３の直列回路を設けてあり、こ
れが直流阻止用のコンデンサｃ１を介しコンテンサＣｃ
に対して並列に接続されていると共に、ＶＣＤ−Ｄｆ’
のアノード側が高周波塞流線輪ＣＨを介して共通回路へ
接続されており、ｖＣＤ−Ｄｆｌのカソードにも端子４
からの変調信号Ｖｒｎが印加されるものとなっている。

第２図は、第１図の等何回路であＣ１（Ａ）は発振周波
数に関与する全素子を示し、（Ｂ）はコンデンサ０８′
およびＶＣＤ−Ｄｆ’によシ変調感度の変化を相殺する
関係を示し、（Ｃ）は合成状況を示している。

こ＼において、第２図（Ｂ）のとおりコンデンサＣｓ’
、ｖＣＤ−Ｄｆ′へ注目り、　ＶＣＤ−Ｄｆ’にのみ変
調信号Ｖｍを印加するものとすれば、Ｃ８ΦＣｆＣｐ＝Ｃ＋Ｃ，＋Ｃｆが成立する。

このため、第９図と同様に変調感度ダを求めれば、上述
の（６）式と同じく次式により示される。

たソし、ａ’＝＝　Ｃｖ　（Ｃｐ＋Ｃｃ　＋Ｃｓ’　）Ｃｐ　（
Ｃｅ”Ｃｓ’ＶＣｃ（Ｃｏ＋Ｃ＠’）＋Ｃｏ・Ｃｓ’ また、つぎのとおりにαおよびβをおけば、α＝ｃｃ　
（ＣＯ＋　ＣＢ’　）　＋　Ｃ６”　（：＠’β＝Ｃ（
１＋ｃ易次式が得られる。

・・・・・・・・・・・・・・・　ａり（２４式におい
て、発振周波数を変化させるとき、Ｃ１を一定とし、Ｃ
ｖのみが変化すると考えれば、となるため、・・・・・・・・・・・・・・・　ａ東が得られ、αり
式へαり式を代入すると次式が求められる。

（１−４ｘ’　ｆ６’　Ｌ　＠Ｃｐ）２・−＝・（１４
）こ＼において、発振周波数を変化させるとき、Ｃ９を
一定とし、Ｃｖのみが変化するものと考えれば、発振周
波数ｆｏの変化に対する変調感度Ｓ′の変化は、発振周
波数ｆ、と逆比例して減少し、かつ、ｆｏの４乗に比例
して減少することが明らかとなる。

なお、Ｃ９が犬きくなっても、１−４π・ｆｏ２・Ｌ＠Ｃｐ〉０となるため、前述の関係は同様である。

したがって、第１図のとおり、ｖＣＤ−ＤｆとＤｆｌと
べ同時に変調信号Ｖｍを印加すると、ｖＣＤ−Ｄｆによ
る変調感度Ｓの変化は、（８）式のとおり発振周波数ｆ
ｏの３乗に比例するのに対し、ｖＣＤ−Ｄｆ′による変
調感度Ｓ′の変化は、Ｉ式のとおｐ　ＶＣＤ・Ｄｆによ
る変調感度Ｓの変化をはソ相殺する方向となるため、全
体として発振周波数ｆ０の変化に対する変調感度の変化
をはソ抑圧することができる。

第３図は、この状況を示す発振周波数ｆｏ　と変調感度
ｓ、Ｓ’との関係図であり、ｖＣＤ−Ｄｆ　のみへ変調
信号Ｖｍを印加したときの状況を点線により示し、ｖＣ
Ｄ−Ｄｆ′へのみ変調信号Ｖｎｌ　　を印加したときの
状況を鎖線により示し、これらを合成した状況を実線に
より示しており、ｖＣＤ争ＤｆとＤｆ′とへ同時に変調
信号Ｖｍを印加し、両者によシ発振周波数ｆｏを変化さ
せることにより、合成変調感度ｓ＋ｓ’の変化状況がは
ソ零として抑圧される。

たソし、第１乃至第３の各直列回路および共振回路２の
相互接続状況は、種々の組み合せが自在であり、第４図
乃至第６図に等何回路を示すものが挙げられる。

第４図は、第２図と同様に並列共振回路を用いると共に
、これに対し並列に接続された第１の直列回路を用いた
場合であり、これのコンデンサＣｃに対し並列として接
続された第２の直列回路、および、ＶＣＤ−Ｄｖに対し
並列に接続された第３の直列回路を用いている。

第５図は、直列共振回路を用いると共に、これのインダ
クタンスＬと直列に接続されｆｃ第１の直列回路を用い
た場合であシ、囚においては、コンデンサＣＣと並列に
第２の直列回路を接続し、かつ、ｖＣＤ−Ｄｖと並列に
第３の直列回路を接続しているＴ方、０）では、コンデ
ンサＣｃに対し第２の直列回路を並列に接続し、かつ、
第３の直列回路を第１の直列回路に対し並列に接続して
いる。

また、（Ｃ）　、　（Ｄ）においては、いずれも、イン
ダクタンスしおよび第１の直列回路に対し第３の直列回
路を並列に接続していると共に、（Ｃ）では、第２の直
列回路をＶＣＤ”Ｄｖに対し並列に接続し、■）の場合
は、第２の直列回路を第１の直列回路と並列に接続して
いる。

第６図は、第５図と同じく直列共振回路を用いているが
、これのインダクタンスＬと直列に第２の直列回路を接
続すると共に、インダクタンスＬおよび第２の直列回路
に対し第１の直列回路を並列に接続した場合であり、に
）においては、ｖＣＤ・Ｄｖに対し第３の直列回路を並
列に接続し、（Ｂ）では、インダクタンスしおよび第１
の直列回路に対し、第３の直列回路を並列に接続してい
る。

なお、いずれにおいても、ｖＣＤ−Ｄｖへ制御電圧Ｖｃ
を印加すると共に、ｖＣＤ・Ｄ　（％　Ｄ　ｆ’変調信
号Ｖｍを同時に印加することを要し、接続状況にしたが
い、直流阻止用のコンデンサおよび高周波塞流線輪のい
ずれか一方、または、双方を所望の部位へ挿入すること
により、第１図と同等の構成とすることができる。

第７図は、第２発明と対応する回路図であり、第１図に
加え、高周波側路用コンデンサＣ２の接続された端子５
から、抵抗器Ｒ１ｚＲ２によるバイアス回路を介し、ｖ
ＣＤ・Ｄｒ、　Ｄｒ’に対し直流バイアス電圧ｖｂを印
加する一方、端子４からＶＣＤ・Ｄｆ′、Ｄｆ′へ変調
信号Ｖｍを印加する経路中へ、可変抵抗器ＲＶＩ、ＲＶ
−および抵抗器Ｒ３、Ｒ４からなるＬ形の可変分圧回路
を各個に挿入のうえ、これらの分圧出力を直流阻止用の
コンデンサＣ３゜Ｃ４を介し、ＶＣＤ書Ｄｆ、　Ｄｆ’
へ各個に印加するものとなっている。

このため、各ＶＣＤ・ＤｆＸＤｆ′には、直流バイアス
電圧Ｖｂと共に、変調信号Ｖｍの交流分が印加され、第
１図と同様の結果を得ることができると同時に、可変抵
抗器ＲＶ１　、ＲＶ、の調整によりＶＣＤ・ＤｔｚＤｆ
′毎に変調信号Ｖｍの印加電圧が加減され、ＶＣＤ−Ｄ
ｆＸＤｆ’の印加電圧対容量変化特性偏差を補正するこ
とが自在となり、第３図に示す相殺関係を最適に設定す
ることができる。

第８図は、第３発明と対応する回路図であり、端子３へ
高周波側路用コンデンサＣＢを接続し、抵抗器Ｒｓ　ｋ
介して’／ＣＤ−Ｄマへ制御電圧ｖｃを印加すると共に
、抵抗器Ｒ＠、Ｒ１による重畳回路を介しＶＣＤ−Ｄｆ
−Ｄｆ’にも制御電圧ｖｅを印加する一方、直流阻止用
のコンデンサｃｍを経て端子４からの変調信号ＶｍをＶ
ＣＤ・ＤｆｓＤｆぺ印加しており、変調信号Ｖｍの交流
分と制御電圧ｖｅとを重畳してＶＣＤ−Ｏｆ、　Ｄｆ’
へ同時に印加するものとなつ一αへる。

したがって、ＶＣＤ−Ｏｆ、Ｄｆ’の印加電圧対容量変
化特性が異なり、変調信号Ｖｍによる変調感度変化の比
率に差異を生ずる場合、これを制御電圧Ｖｅに応じて補
正するものとなシ、第７図と同様に第３図の相殺関係を
最適に維持することができる。

なお、第７図および第８図においても、第４図乃至第６
図と同様の構成とすることが任意である。

また、第１図および、第７図、第８図においては、高周
波塞流線輪ＣＨを抵抗器へ置換し、または、抵抗器を高
周波塞流線輪へ置換することもできると共に、分圧回路
としてポテンショメータ等を用いても同様である等、種
々の変形が自在である。

〔発明の効果〕

以上の説明により明らかなとお９本発明によれば、発振
周波数の変化に対する変調感度の変化状況が抑圧され、
発振周波数に基づく搬送波を各チャネルの送信波として
用いる場合等において、各チャネル毎の変調感度が均一
となり、ＦＭを施す各種用途のｖＣＯにおいて顕著な効
果が得られる。

【図面の簡単な説明】

と変調感度との関係を示す図、第４図乃至第６図は他の
実施例を示す等何回路、第７図は第２発明と対応する回
路図、第８図は第３発明と対応する１拳・・・負性抵抗
発生回路、２・・・―共振回路、ｃ、、ＣＢ、（、／、
Ｃ！〜Ｃ６ψ・・拳コンアンサ、Ｄｖ、ｏｒ、　Ｄｆ’
　　−−＠−ＶＣ［）（可変容量ダイオード）、Ｌ−・
＠争インダクタンス、Ｒ１−Ｒ７・・―・抵抗器、ＲＶ
ｌ、ｎｖｚ　＠・・・可変抵抗器、ｖｃ・・・・制御電
圧、ｖｍ・・・・変調信号、Ｖｂｅ−・φ直流バイアス
電圧。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）負性抵抗発生回路と、該回路により励振されかつ
インダクタンスを含む共振回路と、第１のコンデンサお
よび制御電圧の印加される第１の可変容量ダイオードか
らなり前記共振回路の共振周波数を変化させる発振周波
数制御用の第１の直列回路と、第２のコンデンサおよび
変調信号の印加される第２の可変容量ダイオードからな
り前記共振回路の共振周波数を変化させる周波数変調用
の第２の直列回路と、第３のコンデンサおよび前記変調
信号の印加される第３の可変容量ダイオードからなり前
記第２の直列回路による変調感度の変化を相殺する方向
へ前記共振回路の共振周波数を変化させる第３の直列回
路とを備えたことを特徴とする電圧制御発振器。
（２）並列共振回路と、該並列共振回路に対し並列に接
続された第１の直列回路とを用いたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の電圧制御発振器。
（３）直列共振回路と、該回路のインダクタンスと直列
に接続された第１の直列回路とを用いたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の電圧制御発振器。
（４）直列共振回路と、該回路のインダクタンスに対し
直列に接続された第２の直列回路と、前記インダクタン
スおよび第２の直列回路に対し並列に接続された第１の
直列回路とを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の電圧制御発振器。
（５）並列共振回路に対し並列に接続された第２の直列
回路と、第１の直列回路の第１のコンデンサに対し並列
に接続された第３の直列回路とを用いたことを特徴とす
る特許請求の範囲第２項記載の電圧制御発振器。
（６）第１の直列回路の第１のコンデンサに対し並列に
接続された第２の直列回路と、前記第１の直列回路の第
１の可変容量ダイオードに対し並列に接続された第３の
直列回路とを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第
２項または第３項記載の電圧制御発振器。
（７）第１の直列回路の第１のコンデンサに対し並列に
接続された第２の直列回路と、前記第１の直列回路に対
し並列に接続された第３の直列回路とを用いたことを特
徴とする特許請求の範囲第３項記載の電圧制御発振器。
（８）第１の直列回路の第１の可変容量ダイオードに対
し並列に接続された第２の直列回路と、直列共振回路の
インダクタンスおよび前記第１の直列回路に対し並列に
接続された第３の直列回路とを用いたことを特徴とする
特許請求の範囲第３項記載の電圧制御発振器。
（９）第１の直列回路に対し並列に接続された第２の直
列回路と、直列共振回路のインダクタンスおよび前記第
１の直列回路に対し並列に接続された第３の直列回路と
を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の
電圧制御発振器。
（１０）第１の直列回路の第１の可変容量ダイオードに
対し並列に接続された第３の直列回路を用いたことを特
徴とする特許請求の範囲第４項記載の電圧制御発振器。
（１１）直列共振回路のインダクタンスおよび第２の直
列回路に対し並列に接続された第３の直列回路を用いた
ことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の電圧制御
発振器。
（１２）負性抵抗発生回路と、該回路により励振されか
つインダクタンスを含む共振回路と、第１のコンデンサ
および制御電圧の印加される第１の可変容量ダイオード
からなり前記共振回路の共振周波数を変化させる発振周
波数制御用の第１の直列回路と、第２のコンデンサおよ
び変調信号の印加される第２の可変容量ダイオードから
なり前記共振回路の共振周波数を変化させる周波数変調
用の第２の直列回路と、第３のコンデンサおよび前記変
調信号の印加される第３の可変容量ダイオードからなり
前記第２の直列回路による変調感度の変化を相殺する方
向へ前記共振回路の共振周波数を変化させる第３の直列
回路と、前記第２および第３の可変容量ダイオードに対
し直流バイアス電圧を印加するバイアス回路と、前記第
２および第３の可変容量ダイオードに対し前記変調信号
を印加する経路中へ各個に挿入された可変分圧回路とを
備えたことを特徴とする電圧制御発振器。
（１３）並列共振回路と、該並列共振回路に対し並列に
接続された第１の直列回路とを用いたことを特徴とする
特許請求の範囲第１２項記載の電圧制御発振器。
（１４）直列共振回路と、該回路のインダクタンスと直
列に接続された第１の直列回路とを用いたことを特徴と
する特許請求の範囲第１２項記載の電圧制御発振器。
（１５）直列共振回路と、該回路のインダクタンスに対
し直列に接続された第２の直列回路と、前記インダクタ
ンスおよび第２の直列回路に対し並列に接続された第１
の直列回路とを用いたことを特徴とする特許請求の範囲
第１２項記載の電圧制御発振器。
（１６）並列共振回路に対し並列に接続された第２の直
列回路と、第１の直列回路の第１のコンデンサに対し並
列に接続された第３の直列回路とを用いたことを特徴と
する特許請求の範囲第１３項記載の電圧制御発振器。
（１７）第１の直列回路の第１のコンデンサに対し並列
に接続された第２の直列回路と、前記第１の直列回路の
第１の可変容量ダイオードに対し並列に接続された第３
の直列回路とを用いたことを特徴とする特許請求の範囲
第１３項または第１４項記載の電圧制御発振器。
（１８）第１の直列回路の第１のコンデンサに対し並列
に接続された第２の直列回路と、前記第１の直列回路に
対し並列に接続された第３の直列回路とを用いたことを
特徴とする特許請求の範囲第１４項記載の電圧制御発振
器。
（１９）第１の直列回路の第１の可変容量ダイオードに
対し並列に接続された第２の直列回路と、直列共振回路
のインダクタンスおよび前記第１の直列回路に対し並列
に接続された第３の直列回路とを用いたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１４項記載の電圧制御発振器。
（２０）第１の直列回路に対し並列に接続された第２の
直列回路と、直列共振回路のインダクタンスおよび前記
第１の直列回路に対し並列に接続された第３の直列回路
とを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１４項記
載の電圧制御発振器。
（２１）第１の直列回路の第１の可変容量ダイオードに
対し並列に接続された第３の直列回路を用いたことを特
徴とする特許請求の範囲第１５項記載の電圧制御発振器
。
（２２）直列共振回路のインダクタンスおよび第２の直
列回路に対し並列に接続された第３の直列回路を用いた
ことを特徴とする特許請求の範囲第１５項記載の電圧制
御発振器。
（２３）負性抵抗発生回路と、該回路により励振されか
つインダクタンスを含む共振回路と、第１のコンデンサ
および制御電圧の印加される第１の可変容量ダイオード
からなり前記共振回路の共振周波数を変化させる発振周
波数制御用の第１の直列回路と、第２のコンデンサおよ
び変調信号の印加される第２の可変容量ダイオードから
なり前記共振回路の共振周波数を変化させる周波数変調
用の第２の直列回路と、第３のコンデンサおよび前記変
調信号の印加される第３の可変容量ダイオードからなり
前記第２の直列回路による変調感度の変化を相殺する方
向へ前記共振回路の共振周波数を変化させる第３の直列
回路と、前記第２および第３の可変容量ダイオードに対
し前記変調信号と重畳して前記制御電圧を印加する重畳
回路とを備えたことを特徴とする電圧制御発振器。
（２４）並列共振回路と、該並列共振回路に対し並列に
接続された第１の直列回路とを用いたことを特徴とする
特許請求の範囲第２３項記載の電圧制御発振器。
（２５）直列共振回路と、該回路のインダクタンスと直
列に接続された第１の直列回路とを用いたことを特徴と
する特許請求の範囲第２３項記載の電圧制御発振器。
（２６）直列共振回路と、該回路のインダクタンスに対
し直列に接続された第２の直列回路と、前記インダクタ
ンスおよび第２の直列回路に対し並列に接続された第１
の直列回路とを用いたことを特徴とする特許請求の範囲
第２３項記載の電圧制御発振器。
（２７）並列共振回路に対し並列に接続された第２の直
列回路と、第１の直列回路の第１のコンデンサに対し並
列に接続された第３の直列回路とを用いたことを特徴と
する特許請求の範囲第２４項記載の電圧制御発振器。
（２８）第１の直列回路の第１のコンデンサに対し並列
に接続された第２の直列回路と、前記第１の直列回路の
第１の可変容量ダイオードに対し並列に接続された第３
の直列回路とを用いたことを特徴とする特許請求の範囲
第２４項または第２５項記載の電圧制御発振器。
（２９）第１の直列回路の第１のコンデンサに対し並列
に接続された第２の直列回路と、前記第１の直列回路に
対し並列に接続された第３の直列回路とを用いたことを
特徴とする特許請求の範囲第２５項記載の電圧制御発振
器。
（３０）第１の直列回路の第１の可変容量ダイオードに
対し並列に接続された第２の直列回路と、直列共振回路
のインダクタンスおよび前記第１の直列回路に対し並列
に接続された第３の直列回路とを用いたことを特徴とす
る特許請求の範囲第２５項記載の電圧制御発振器。
（３１）第１の直列回路に対し並列に接続された第２の
直列回路と、直列共振回路のインダクタンスおよび前記
第１の直列回路に対し並列に接続された第３の直列回路
とを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第２５項記
載の電圧制御発振器。
（３２）第１の直列回路の第１の可変容量ダイオードに
対し並列に接続された第３の直列回路を用いたことを特
徴とする特許請求の範囲第２６項記載の電圧制御発振器
。
（３３）直列共振回路のインダクタンスおよび第２の直
列回路に対し並列に接続された第３の直列回路を用いた
ことを特徴とする特許請求の範囲第２６項記載の電圧制
御発振器。