JPS63202964A - ヘテロ接合バイポーラトランジスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、超高速・超高周波トランジスタとして有望な
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（以下ＨＢＴと称す
）およびその製造方法に関するものである。

従来の技術 近年、バイポーラトランジスタ（以下ＢＴと称す）のエ
ミッタとしてベースよりもバンドギャップの大きい半導
体材料を用いたＨＢＴは超高速・超高周波トランジスタ
の有力候補の一つとして研究がさかんに行われるにいた
っている。

第６図は従来のＨＢＴの構造と製造方法を示す。

１は基板、２はエミッタのオーミンクコンタクトの形成
を容易にするためのエミッタと同型の高ドープの半導体
材料層、２−ａはエミッタ電極取り出し領域、３はエミ
ッタ領域を形成するための半導体材料層、３−ａはエミ
ッタ領域、４はベース領域を形成するための半導体材料
層、４−ａはベース領域、４−ｂはベース電極を取り出
すための外部ベース領域、５はコレクタ領域を形成する
ための半導体材料層、５−ａはコレクタ領域、６はコレ
クタのオーミックコンタクトの形成を容易にするための
、コレクタと同型の高ドープの半導体材料層、５−ａは
コレクタ領域上部のコレクタキャップ層、７は１ないし
６の半導体材料から形成される多層構造材料、Ｆ３−ａ
はコレクタ電極、８−ｂばコレクタ引き出し電極、９−
ａはベース電極、９−ｂはベース引き出し電極、１０−
ａはエミッタ電極、１０−ｂはコレクタ引き出し電極で
ある。基板１の上にエピタキシー形成した多層構造材料
７　（第６図（ａ））を用いて、フォトリソグラフィー
とエツチングにより、第６図（ｂ）に示すよウニ、６−
ａと５−ｂからなるコレクタ領域、４−ａと４−ｂから
なるベース領域、エミッタ領域３−ｂ、エミッタ電極取
り出し領域２−ａを有する構造とする。ついで、第６図
ｔｃ＋のように、コレクタ電極８ａ、ベース電極９ａ、
エミッタ電極１０ａを形成する。さらに、全体をＳｉＯ
□膜で覆い、引き出し電極の取り出し穴を設け、コレク
タ引き出し電極８ｂ、ベース引き出し電極９ｂ、コレク
タ引き出し電極１０ｂを形成する。（第６図（ｄ））。

以上のように構成されたＨＢＴについて、その動作につ
いて説明する。

ＨＢＴの高速動作の指標であるｆ、およびｆｍは次のよ
うに表わさされる。

ｆｔ＝１／２π（τや＋τ３＋τ。＋τ。。）ｆ、−Ｊ
［／、１頁１３ｃＢＱ ここに、τＢ　（エミッタ空乏層走向時間）−ｙＢ　（
ＣＢｏ十ＣＢＢ＋ＣＰＢ）、τＢ　（ベース走向時間）
−ＷＢ２／ηＤ８、τ。（コレクタ空乏層走向時間）−
Ｗ。／２■５、τ。。（コレクタ空乏層充電時間）−（
Ｒ８Ｆ３＋Ｒｏ）（Ｃ８ｏ＋ＣＰ。）、ＲＢはベース抵
抗、ＣＢｏはベース・コレクタ間容量、０８Ｂはベース
・エミッタ間容量、ＣＰＢはベース層浮遊容量、Ｃ１゜
はコレクタ間浮遊容量、ＷＢはベース層の厚さ、ＤＢは
ベース層拡散係数、Ｗｏはコレクタ空乏層の厚さ、■８
はコレクタ走向速度、ＲＢＥはエミッタコンタクト抵抗
、Ｒｏはコレクタ抵抗である。

ＨＢＴはエミッタとしてベースよりもバンドギャップの
大きい半導体材料を用いることによりベースからエミッ
タへの正孔のリーク（ｎｐｎ型の場合）がおさえられる
ので、通常のＢＴと反対にベースを高ドープ、エミッタ
とコレクタを低ドープにすることができる。このことに
よりトランジスタの高速・高周波化にとって重要なベー
ス抵抗ＲＢの低減をはかることができるのでＬが太きく
なる。さらに、一般にＢＴにおいてはｃＥＢ’ＣＢｏは
接合容量のドーピングによる因子ｃＥＣ（ｎ、ｈ）、Ｃ
Ｂ　Ｃ（ｎ、ｈ）と接合面積ＡＥＢ、Ａ８ｏとの積で表
わされる。ＨＢＴでは、エミッタとコレクタが低ドープ
、ベースが高ドープとなっているため、ＣＢＢ　　（ｎ
、ｈ）　、ＣＢ　（：　　（ｎ。

ｈ）は、エミッタ・コレクタのドーピングにのみ依存し
ＣＦ３８．ＣＢｏは次のようになる。

ＣＥＢ″Ｌ−”ＥＢ・ ＣＢｏω万７・Ａ８゜ 従って、ＨＢＴでは通常のＢＴに比べてＣや８゜ＣＢｏ
が小さくなるのでτ６．τ。。が小さくなりｆ、の増大
が可能となる。また、ＣＢＢが小さくなるので前記した
ＲＢが小さいことと合わせてＩＩ［ｌを大きくすること
が可能となる。

このように、ＨＢＴはヘテロ構造に基づく理由により本
質的に高速化にとって有利となる。しかしながら、高速
化を一層はかるためには、これに加えて、デバイス構造
の微細化をはかり、たとえば、コレクタのサイズを小さ
くしてベース・コレクタ間接合面積ＡＢＣを小さくしＣ
８ｏを小さくすること、エミッタ・ベース間接合面積Ａ
ＢＢを小さくすることによりＣＢ８を小さくすることな
どが重要となる。また、外部ベース領域の抵抗（外部ベ
ース抵抗）を小さくすることなどがｆｔ、ｆ、を大きく
するのに非常に重要となる。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、第６図のような構造と製造方法では、Ｃ
ＢＧを小さくするために、コレクタのサイズ５ａ、、６
ａを小さくし、ＣＦ３Ｂを小さくするためにベース電極
取り出し領域４−ｂの面積を小さくすると、コレクタ電
極８ａやベース電極９ａを形成するのが極めて難しく、
さらに、コレクタ引き出し電極８ｂやベース引き出し電
極９ｂを形成するのが極めて難しかった。また、引き出
し電極は、段差のあるところに設けるため段切れが生じ
やすいという問題点があった。また、外部ベース抵抗を
小さくするためには、ベース電極をコレクタ・ベース接
合部分に対してできるだけ近距離に形成することが有効
となるが、これは通常のマスク合わせでは不可能に近か
った。

本発明は、上記問題点に鑑み、コレクタおよびベースの
サイズが小さくても、コレクタ電極、コレクタの引き出
し電極、ベース電極、ベース引き出し電極が容易にかつ
段切れを生じずに形成でき、それに加えてベース電極９
がコレクタ・ベース接合部と極めて近距離に形成できる
、新しいＨＢＴの構造および製造方法を提供しようとす
るものである。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明のＨＢＴでは、Ｈ
ＢＴ形成のもとになるエピタキシー形成した多層構造材
料を用いて、ＨＢＴのベース領域に対応する部分の周辺
部を、多層構造材料の表面から、少くともベースを形成
する層まで、多くともエミッタのコンタクトを形成する
層を残すところまで、不純物を導入して半絶縁性化し、
コレクタ部分から半絶縁性領域に伸長して存在するスト
ライプ状のマスク層を設け、前記マスク層をマスクとし
て湿式エツチングにより前記ストライプの伸長方向に沿
った側面の両側が実質的に垂直か、片方が実質的に垂直
で他方が逆メサ状、もしくは両方が逆メサ状となった、
コレクタ部分を含む、。

ストライブ状突起と、その両側に外部ベース領域を形成
する工程と、前記ストライプ状突起の全面を覆い、かつ
、前記ストライプ状突起の少くとも伸長方向の両側にカ
サ状に突き出したコレクタ電極金属層を形成する工程も
しくは前記工程のあと前記材料の上面をコレクタ電極、
ベース電極およびヘテロ接合バイポーラトランジスタ形
成材料に対して選択的に除去できる材料からなる保護膜
で覆い、かつ異方性ドライエツチング法を用いて、コレ
クタ電極金属の上面とベース電極取り出し領域の上面を
除去して、コレクタ電極の側壁と前記のストライブ状に
突出したコレクタ側壁部分に前記材料からなる保護膜か
らなる側壁を形成する工程と、上方向からベース電極金
属を蒸着し、前記コレクタ電極金属層のカサ、もしくは
前記側壁を有するコレクタ電極金属のカサの直下の周辺
部の外部ベース領域から、ＨＢＴ形成部の周辺部の半絶
縁性領域に伸長して存在するベース電極金属層を形成す
る工程と、を少くとも用いて、コレクタ電極金属層がコ
レクタ引き出し電極を兼ねて、コレクタ部分からＨＢＴ
形成部分の周辺部の半絶縁性領域に伸長して存在し、か
つ、ベース電極金属層がベース引き出し電極を兼ねて、
コレクタに極めて近接して存在し、ＨＢＴ形成部分の周
辺部の半絶縁性領域に伸長して存在した構造を有するＨ
ＢＴを形成する。

作用 本発明のＨＢＴの構造と製造方法では、コレクタ電極が
コレクタ引き出し電極を兼ねてセルファラインで形成さ
れ、かつ、ベース電極がベース引き出し電極を兼ねてセ
ルファラインでコレクタ・ベース接合部に対して極めて
近距離に容易に形成できる。また、極めて微小なサイズ
のＨＢＴでも形成が容易であり、このため、コレクタ・
ベース間容量ＣＢｏ、ベース・エミッタ間容量ｃＢＢを
小さくできる。また、外部ベース抵抗が著しく小さくな
り、ベース抵抗ＲＢの低減に極めて効果がある。これに
より、ｆ、、ｆ、の増大に著しい効果を発揮する。

実施例 以下本発明の一実施例のヘテロ接合バイポーラトランジ
スタ（ＨＢＴ）およびその製造方法について図面を参照
しながら説明する。

実施例１ 第１図は、本発明のＨＢＴの製造方法を断面図を用いて
示したものであり、第２図は、ＨＢＴの各部分の配置を
平面図に示したものである。第１図（ａｌに示すように
、（００１）ＧａＡｓ基板１の上に、エミッタのオーミ
ックコンタクトの形成を容易にするためのエミッタと同
型の高ドープのＧａＡｓ　　（ｎ”−ＧａＡｓ）層２、
エミッタ領域を形成するためのｎ型のＡ＃）（Ｇａ１−
ＸＡｓ（Ｎ−Ａｊ！ＸＧａ１−ＸＡｓ）層３、ベース領
域を形成するためのＰ型のＧａＡｓ　（ｐ−ＧａＡｓ）
層４、コレクタ領域を形成するためのｎ型のＧａＡｓ　
　（ｎ−ＧａＡｓ）層５、コレクタのオーミックコンタ
クトの形成を容易にするための高ドープのｎ型のＧａＡ
ｓ　（ｎ”−ＧａＡｓ）層６をこの順序にエピタキシー
形成し、多層構造材料７を形成し、ついで第１図（ｂ）
と、第２図に示すように、ベース領域４ｂに対応したベ
ース島１７を、多層構造材料の表面から不純物を少くと
もエミツタ層３に到達し、多くともエミッタ・コンタク
ト層２が残るように導入してベース島１７の周辺部に半
絶縁性領域１８を形成し、ついでその上に、湿式エツチ
ングにより下地のｎ”　−ＧａＡｓに対し選択的に除去
でき、かつ、湿式エツチングによって実質的に侵されな
い材料からなる５ｉＯＸ保護膜１１を設け、その上に第
２図に示すようにコレクタ領域から周辺部の半絶縁性領
域に伸長して存在する金属Ａｌの仮のコレクタ１２をス
トライブの伸長方向が＜１１０＞方向となるように設定
して設け、ついで前記板の金属／ｌのコレクタ１２をマ
スクとして異方性のドライエツチングを行って、第１図
（Ｃ）に示すように、Ｓ　ｉＯＸ保護膜１１と金属／１
１２からなる仮のコレクタ１３を形成する。ついで、第
１図（ｄ）のように、仮のコレフタ１３をマスクとして
湿式エツチングによりベースを形成するための層４まで
エツチングし、ストライプの伸長方向に沿った両側が逆
メサ状になった、コレクタ５−ａとキャンプ層６−ａと
からなるコレクタ領域から半絶縁性領域１７に伸長した
ストライプ状の突起１９を形成する。ついで、第１図（
ｅｌのように、全面をフォトレジスト１４でコートし、
ドライエツチングにより、仮のコレクタ１３の頭出しを
行い、仮のコレクタをエツチング除去し、第１図（ｆｌ
のように凹み１５を形成し、ついで、コレクタ電極金属
を蒸着リフト・オフし、第１図（幻のように、コレクタ
電極金属層８がストライプ状突起１９の上部の全面を覆
い、かつ、ストライプ状突起１９の周辺部にカサ状に突
き出したコレクタ電極金属層８を形成する。ついで、第
１図（ｈｌのように、フォトリソグラフィー、エツチン
グと蒸着・リフトオフの方法にエミッタ電極１０を形成
する。ついで、第１図（１）と第２図のように、水素イ
オンを注入してＨＢＴの周辺部を絶縁化し、素子間分離
を行う。ついで、第２図の９の形状のマスクを用いて、
ストライプ状突起１９のレジストに覆された部分の方か
らベース電極金属を斜め蒸着し、リフトオフし、第１図
（Ｊ）および第２図のようにベース電極金属層９を形成
する。

何故ならば、ストライプの端では、正常型のメサが形成
されており、上方から蒸着すると、コレクタ電極とベー
ス電極が短絡するためである。これにより、ベース電極
金属層９が、コレクタ電極金属のカサの直下の外部ベー
ス領域に隣接した外部ベース領域に、コレクタ・ベース
接合部分に対し極めて近距離に形成される。それと同時
にコレクタ電極金属層９は、第２図に示すように、ＨＢ
Ｔの周辺部の半絶縁性領域１８に伸長して存在し、ベー
ス引き出し電極を兼ねている。

実施例２ 第３図は、実施例１に示した第１図（１）の構造を形成
後、ストライプ状の突出部１９にＳ　ｓ　ＯＸ　薄膜の
側壁１６−ａを設け、ベース電極形成時の蒸着により蒸
着金属がコレクタの側壁部分に回り込むことがあった場
合にそれを防ぎ、短絡を防止して信頼性を増す方法であ
る。まず、全面をうすい５ｉＯＸｉ膜１６で第３図（ａ
ｌのように覆い、ついで、異方性のドライエツチングに
よりコレクタの上部とベース電極取り出し部分の５ｉＯ
Ｘを除去し、第３図山）のような５ｉＯＸからなる側壁
１６−ａを形成する。ついで、実施例１に示した方法に
よりベース電極金属層を形成し、ついで、側壁の３１０
Ｘ１６　　ａをエツチングにより除去して、コレクタ側
壁部を回り込で付着してベース電極金属を除去し、コレ
クタとベース電極との短絡を防ぐ。この方法により、ベ
ース電極金属がコレクタ側壁部分に回り込んだ場合でも
、ベース電極が問題なく形成される。

実施例３ 第４図は、第１図Ｔｅｌに示した多層構造材料７におい
て、ストライプ状の仮のコレクタ１３の伸長方向を＜１
００＞方向となるように設定した場合を示す。この場合
には、ストライプの伸長方向に沿った両側の壁およびス
トライプの両端の壁が、仮のコレクタ１３をマスクとし
て湿式エツチングすることにより第４図（ａｌに示すよ
うにほぼ垂直となったストライプ状突起が形成される。

ついで、実施例１と同様の方法を用いて仮のコレクタを
コレクタ電極に変換することにより、ストライプ状突起
１９の全面を覆い、かつ、ストライプ状突起１９の周辺
部分に突き出したカサ状のコレクタ電極金属層８が第４
図０１１）のように形成される。これを用いて、実施例
１と同様の方法により第４図（０）のように、コレクタ
・ベース接合部分に近接して存在し、かつ、半絶縁性領
域１８に伸長して存在するべ・−スミ極金属層９を形成
する。ただし、この場合には、ストライプの周辺部の全
域にコレクタ電極のカサが形成されているので、上部か
らベース電極金属を蒸着することができる。

実施例４ 第５図は、実施例３に示した第４図（Ｃ１において、ベ
ース電極金属層９を形成する前に、第３図の場合と同様
にして、まず、第４図０１１のように、Ｓ　ｓ　Ｏｘ　
薄膜１６で材料の表面を覆い、ついで異方性のドライエ
ツチングにより５ｉＯＸ薄膜からなる側壁１６−ａを第
５図（ｂｌのように形成する。

ついで、実施例１と同様の方法を用いて、ベース電極金
属を蒸着・リフトオフにより形成し、ついで、Ｓ　ｉ　
ＯＸ　薄膜の側壁１６−ａをエツチングにより除去しコ
レクタ側壁部についた金属を除去し、ベース電極がコレ
クタと短絡するのを防止する。

実施例４の場合でも直線性の良い蒸着ビームを用いる場
合には、ベース電極がコレクタと短絡することはないが
、本実施例の場合には、蒸着ビームの直線性の良くない
場合でも極めて有効となる。

実施例１ないし４に示した仮のコレクタをマスクとする
方式では、下地の半導体材料に接触したマスクとして５
ｉＯＸを用いているが、下地の半導体材料に対して選択
的に除去できる材料として、５ｉＯＸやＳ　Ｉ　Ｎ　ｘ
は一般性のある材料として用いることができる。また、
下地が化合物半導体材料の場合には、ＧｅやＳｉ、下地
の半導体材料がＧｅやＳｔの場合には化合物半導体材料
を仮のコレクタとして用いることができる。この方式で
は、仮のコレクタとして、熱処理時に下地材料と反応し
ないＳ　ｉＯｘや５ｉＮＸやその他の材料を選ぶことに
より、イオン注入などの熱処理を必要とするプロセスと
結合できるメリットがある。

実施例５に示したコレクタ電極をマスクとする方式では
、下地の半導体材料の湿式エツチング時にエツチング液
に侵されない金属材料を選ぶ必要がある。また、これに
加えて熱処理時に下地の半導体材料と反応しない金属材
料を選ぶことにより熱処理を必要とするイオン注入など
のプロセスと結合できる。

実施例１ないし４では、仮のコレクタ１３をマスクとし
てベースを形成する層４までエツチングしているが、コ
レクタを形成する層の途中までエツチングし、イオン注
入などの熱処理をともなうプロセスを実施後、コレクタ
電極金属層８を形成し、ついで、エツチングにより外部
ベース層を露出せしめた後、実施例の方法を適用するこ
ともできる。また、仮のコレクタ１３をマスクとして、
コレクタを形成する層までエツチングして、主に高ドー
プのキャップ層からなるストライプ状突起を形成し、つ
いで、イオン注入によりコレクタを形成する層の外部ベ
ース領域に対応する部分をイオン注入により外部ベース
領域に変えた後、コレクタ電極金属層を形成し、実施例
の方法を適用することもできる。

実施例１ないし４では、仮のコレクタをコレクタ電極に
変えた後、ベース電極金属層９を形成しているが、仮の
コレクタのついた状態で、仮のコレクタのカサもしくは
、仮のコレクタとストライプ状コレクタの側壁にｓ　ｉ
ＯＸＦｔ膜をそなえた仮のコレクタのカサを利用して、
ベース電極金属層９を形成することもできる。

実施例２と４においては、ストライプ状突起およびコレ
クタ電極金属層８の側壁形成材料として５ｉＯ）（ｉ膜
を用いているが、コレクタ電極金属、ベース電極金属や
ＨＢＴ形成材料に対して選択的に除去できる、５ｉＮＸ
やその他の材料を用いることができる。

実施例１ないし４においては、ＨＢＴ形成材料としてＧ
ａＡｓ−Ａ７！ＸＧａ、−ＸＡｓ系のジンクブレンド型
材料を用いているが、これら以外のジンクブレンド型材
料にも実施例は適用できる。また、ジンクブレンド型材
料とＧｅやＳｉのどのダイヤモンド型材料からなる多層
構造材料を用いたＨＢＴの製造にも本実施例の方法は適
用できる。

実施例１ないし４ではエピタキシー形成した（１００）
面上に、ストライプ状に突起したコレクタ領域を形成し
ているが、これ以外のエピタキシー形成した面でも用い
ることができる。たとえば、ジンクブレンドまたはダイ
ヤモンド構造型結晶の（２，１１）面にエピタキシー形
成して作成した多層構造材料の面内の＜ｉｉｏ＞方向に
、その伸長方向が一致するように、コレクタのストライ
プ状突起を設けることができる。この場合には、一つの
（１１１）面がストライプに平行で面に垂直、一つの（
１１１）面がストライプに平行で逆メサ状に位置するの
で、伸長方向に沿った両側の片側が垂直、他の側が逆メ
サ状になったストライプ状コレクタ形成できる。このた
め実施例工ないし４に示した場合と同様に、カサ状のコ
レクタ電極金属層を形成することができる。このように
、本発明の製造方法では、実施例に示したような、（１
００）成長した多層構造材料を用いて伸長方向に沿った
両側が実質的に垂直または逆メサとなったコレクタのス
トライブ状突起を形成するだけでなく、種々の結晶方位
に成長した多層構造材料を用いて、ストライプの伸長方
向の両側が垂直、逆メサ、もしくは片側が垂直、他方が
逆メサとなったストライブ状突起のコレクタ領域を形成
して、カサ状のコレクタ電極を形成する場合にも適用で
きる。

発明の効果 以上のように、本発明のＨＢＴの構造と製造方法により
、コレクタ電極がコレクタ引き出し電極を兼ねてセルフ
ァラインで形成され、ベース電極がベース引き出し電極
を兼ね、かつ、コレクタ・ベース接合部に近接してセル
ファラインで形成できる。これにより、極めて微小なサ
イズのＨＢＴでも形成が容易であり、コレクタ・ベース
間接合容Ｉ　ＣＢ　Ｃ、ベース・エミッタ間容量Ｃ８８
を著しく小さくでき、また、外部ベース抵抗を著しく小
さくできる。これらのことにより、ｆ、、ｆｍの増大に
著しい効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第５図は本発明のＨＢＴの製造方法を示す
工程図、第６図は従来のＨＢＴの製造方法を示す工程図
である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・エミッタのオーミ
ックコンタクトの形成を容易にするだめの高ドープ層、
２−ａ・・・・・・エミッタ電極取り出し領域、３・・
・・・・エミッタ領域を形成するための半導体材料層、
３−ａ・・・・・・エミッタ領域、４・・・・・・ベー
ス領域を形成するための半導体材料層、４−ａ・・・・
・・ベース領域、４−ｂ・・・・・・ベース電極を取り
出すための外部ベース領域、５・・・・・・コレクタ領
域を形成するための半導体材料層、５−ａ・・・・・・
コレクタ領域、６・・・・・・コレクタのオーミックコ
ンタクトの形成を容易にするための高ドープ層、６−ａ
・・・・・・コレクタ上部のコレクタキャップ層、７・
・・・・・エピタキシー形成した多層構造材料、８・・
・・・・コレクタ電極とコレフタ引き出し電極、９・・
・・・・ベース電極とベース引き出し電極、１０・・・
・・・エミッタ電極、１１・・・・・・仮のコレクタを
形成するための保護膜層、１２・・・・・・仮のコレク
タの部分の金属層、１３・・・・・・仮のコレクタ、１
４・・・・・・フォトレジスト、１５・・・・・・フォ
トレジスト１４中にコレクタ部分に形成された凹み、１
６・・・・・・コレクタ電極およびコレクタ領域の側壁
を形成するための保護、１６−ａ・・・・・・保護膜１
６より形成されたコレクタ電極およびコレクタ領域の側
壁、１７・・・・・・ベース島、１８・・・・・・ＨＢ
Ｔ内部の半絶縁性領域、１９・・・・・・ＨＢＴ外部の
絶縁性領域、２０・・・・・・ＨＢＴ外部の絶縁性領域
。 代理人の氏名　弁理士　中尾敏男　はか１名ロｔ１傷−
Ｈト堕普Δ ｉ　１１ Ｑ）　　　　　９３℃ −〇 １１　　　　　　１　　　　・　　　　１１６゜ −へ　　　　　　内　　　喝　　　（喝さ 煉　　　　Φ　　　　　そ ｉｆ　　　　１ｉｉｌｉ　　　　ｉ ｏ　　　　　４［＞　ミさ口５ジ　ミ 第１図 ベース電極ン ベース１１き出し電極 １−ＩＥ１丁外部の絶縁性 積載 第２図 第４図 第５図 １８開昭６３−２０２９６４（１０） 第６図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）バイポーラトランジスタのエミッタとコレクタの
   うち、少くともエミッタとしてベースよりもバンドギャ
   ップの大きい半導体材料を用い、前記コレクタを上側に
   設けたヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、コ
   レクタ部分から前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
   の周辺部に隣接して設けた半絶縁性領域に伸長したスト
   ライプ状の突起であって、前記ストライプ状突起の上部
   の全面を覆い、かつ、前記ストライプ状突起の周辺部に
   カサ状に突出したコレクタ電極金属層と、前記コレクタ
   電極金属のカサの下部の外部ベース領域に隣接した外部
   ベース部分から前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
   の周辺部の半絶縁性領域に伸長して存在するベース電極
   金属層とを有することを特徴とするヘテロ接合バイポー
   ラトランジスタ。
2. （２）バイポーラトランジスタのエミッタとコレクタの
   うち少くともエミッタとしてベースよりもバンドギャッ
   プの大きい半導体材料を用い、前記コレクタを上側に設
   けた前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタを、前記エ
   ミッタ形成のためのバンドギャップの大きい半導体材料
   層、前記ベース形成のための半導体材料層および前記コ
   レクタ形成のための半導体材料層を少くとも含むエピタ
   キシー形成した多層構造材料から形成する製造プロセス
   において、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタのベ
   ース領域に対応する部分の周辺部を、前記多層構造材料
   の上部から少くともベース層まで、多くともエミッタ・
   コンタクト層を残すところまで不純物を導入して半絶縁
   性化する工程と、前記多層構造材料の表面に保護層を設
   け、前記保護層の上に前記コレクタから前記ヘテロ接合
   バイポーラトランジスタに隣接する前記半絶縁性領域に
   伸長したストライプ状のマスク材料層を形成する工程と
   、前記マスク材料層の周辺部の前記保護層を除去し、か
   つ、前記マスク材料層の周辺部の前記多層構造材料を、
   エッチングしてストライプ状の突起を形成し、かつ、前
   記ストライプ状突起の周辺部に外部ベース領域を形成す
   る工程と、前記多層構造材料の上部をフォトレジストで
   コートし、ドライエッチングにより前記フォトレジスト
   をエッチングして前記コレクタの上部に形成された前記
   マスク材料層もしくは前記保護層の頭出しを行ったのち
   、前記マスク材料層および前記保護層をエッチング除去
   し、前記エミッタ周辺部に残されたフォトレジストを用
   いてコレクタ電極金属に蒸着しリフトオフし、前記スト
   ライプ状突起の上面の全面を覆い、かつ、前記ストライ
   プ状突起の周辺部にカサ状に突き出したコレクタ電極金
   属層を設ける工程もしくは前記工程のあと、前記材料の
   上面をコレクタ電極、ベース電極およびヘテロ接合バイ
   ポーラトランジスタ形成材料に対して選択的に除去でき
   る材料からなる保護層で覆い、かつ、異方性のドライエ
   ッチング法を用いて、コレクタ電極金属の上面とベース
   電極金属の側壁と前記上面に突出したコレクタ部分の側
   壁に前記材料からなる保護膜を形成する工程と、上方向
   からベース電極金属を蒸着し、前記エミッタ電極金属の
   カサもしくはコレクタ電極金属と前記側壁からなるカサ
   の直下の外部ベース領域に隣接した外部ベース領域から
   前記の周辺部の半絶縁性領域に伸長して存在するベース
   電極金属層を設ける工程、とを少くとも有すること ■■■■■驛wテロ接合バイポーラトランジスタの製造
   方法。