JPH0654780B2 - ヘテロ接合バイポーラトランジスタ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、超高速・超高周波トランジスタとして有望な
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（以下ＨＢＴと称
す）およびその製造方法に関するものである。

従来の技術 近年、バイポーラトランジスタ（以下ＢＴと称す）のエ
ミッタとしてベースよりもバンドギャップの大きい半導
体材料を用いたＨＢＴは超高速・超高周波トランジスタ
の有力候補の一つとして研究がさかんに行われるにいた
っている。

第６図は従来のＨＢＴの構造と製造方法を示す。１は基
板、２はエミッタのオーミックコンタクトの形成を容易
にするためのエミッタと同型の高ドープの半導体材料
層、２−ａはエミッタ電極取り出し領域、３はエミッタ
領域を形成するための半導体材料層、３−ａはエミッタ
領域、４はベース領域を形成するための半導体材料層、
４−ａはベース領域、４−ｂはベース電極を取り出すた
めの外部ベース領域、５はコレクタ領域を形成するため
の半導体材料層、５−ａはコレクタ領域、６はコレクタ
のオーミックコンタクトの形成を容易にするための、コ
レクタと同型の高ドープの半導体材料層、６−ａはコレ
クタ領域上部のコレクタキャップ層、７は１ないし６の
半導体材料から形成される多層構造材料、８−ａはコレ
クタ電極、８−ｂはコレクタ引き出し電極、９−ａはベ
ース電極、９−ｂはベース引き出し電極、１０−ａはエ
ミッタ電極、１０−ｂはコレクタ引き出し電極である。
基板１の上にエピタキシー形成した多層構造材料７（第
６図(a)）を用いて、フォトリソグラフィーとエッチン
グにより、第６図(b)に示すように、６−ａと５−ｂか
らなるコレクタ領域、４−ａと４−ｂからなるベース領
域、エミッタ領域３−ｂ、エミッタ電極取り出し領域２
−ａを有する構造とする。ついで、第６図(c)のよう
に、コレクタ電極８ａ、ベース電極９ａ、エミッタ電極
１０ａを形成する。さらに、全体をＳｉＯ_２膜で覆い、
引き出し電極の取り出し穴を設け、コレクタ引き出し電
極８ｂ、ベース引き出し電極９ｂ、コレクタ引き出し電
極１０ｂを形成する（第６図(d)）。

以上のように構成されたＨＢＴについて、その動作につ
いて説明する。

ＨＢＴの高速動作の指標であるｔおよびｍは次のよ
うに表わさされる。

ここに、τ_Ｂ（エミッタ空乏層走向時間）＝ｙ_Ｅ（Ｃ
_ＢＣ＋Ｃ_ＥＢ＋Ｃ_ＰＢ）、τ_Ｂ（ベース走向時間）＝Ｗ
_Ｂ ^２／ηＤ_Ｂ、τ_Ｃ（コレクタ空乏層走向時間）＝Ｗ_Ｃ
／２Ｖ_Ｓ、τ_ＣＣ（コレクタ空乏層充電時間）＝（Ｒ
_ＥＥ＋Ｒ_Ｃ）（Ｃ_ＢＣ＋Ｃ_ＰＣ）、Ｒ_Ｂはベース抵抗、
Ｃ_ＢＣはベース・コレクタ間容量、Ｃ_ＥＢはベース・エ
ミッタ間容量、Ｃ_ＰＢはベース層浮遊容量、Ｃ_ＰＣはコ
レクタ間浮遊容量、Ｗ_Ｂはベース層の厚さ、Ｄ_Ｂはベー
ス層拡散係数、Ｗ_Ｃはコレクタ空乏層の厚さ、Ｖ_Ｓはコ
レクタ走向速度、Ｒ_ＥＥはエミッタコンタクト抵抗、Ｒ
_Ｃはコレクタ抵抗である。

ＨＢＴはエミッタとしてベースよりもバンドギャップの
大きい半導体材料を用いることによりベースからエミッ
タへの正孔のリーク（ｎｐｎ型の場合）がおさえられる
ので、通常のＢＴと反対にベースを高ドープ、エミッタ
とコレクタを低ドープにすることができる。このことに
よりトランジスタの高速・高周波化にとって重要なベー
ス抵抗Ｒ_Ｂの低減をはかることができるのでｍが大き
くなる。さらに、一般にＢＴにおいてはＣ_ＥＢ、Ｃ_ＢＣ
は接合容量のドーピングによる因子Ｃ_ＥＣ（ｎ，ｈ），
Ｃ_ＢＣ（ｎ，ｈ）と接合面積Ａ_ＥＢ、Ａ_ＢＣとの積で表
わされる。ＨＢＴでは、エミッタとコレクタが低ドー
プ、ベースが高ドープとなっているため、Ｃ_ＥＢ（ｎ，
ｈ）、Ｃ_ＢＣ（ｎ，ｈ）は、エミッタ・コレクタのドー
ピングにのみ依存しＣ_ＥＢ，Ｃ_ＢＣは次のようになる。

従って、ＨＢＴでは通常のＢＴに比べてＣ_ＥＢ，Ｃ_ＢＣ
が小さくなるのでτ_Ｅ，τ_ＣＣが小さくなりｔの増大
が可能となる。また、Ｃ_ＥＢが小さくなるので前記した
Ｒ_Ｂが小さいことと合わせてｍを大きくすることが可
能となる。

このように、ＨＢＴはヘテロ構造に基づく理由により本
質的に高速化にとって有利となる。しかしながら、高速
化を一層はかるためには、これに加えて、デバイス構造
の微細化をはかり、たとえば、コレクタのサイズを小さ
くしてベース・コレクタ間接合面積Ａ_ＢＣを小さくしＣ
_ＢＣを小さくすること、エミッタ・ベース間接合面積Ａ
_ＥＢを小さくすることによりＣ_ＥＢを小さくすることな
どが重要となる。また、外部ベース領域の抵抗（外部ベ
ース抵抗）を小さくすることなどがｔ、ｍを大きく
するのに非常に重要となる。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、第６図のような構造と製造方法では、Ｃ
_ＢＣを小さくするために、コレクタのサイズ５ａ，６ａ
を小さくし、Ｃ_ＥＢを小さくするためにベース電極取り
出し領域４−ｂの面積を小さくすると、コレクタ電極８
ａやベース電極９ａを形成するのが極めて難しく、さら
に、コレクタ引き出し電極８ｂやベース引き出し電極９
ｂを形成するのが極めて難しかった。また、引き出し電
極は、段差のあるところに設けるため段切れが生じやす
いという問題点があった。また、外部ベース抵抗を小さ
くするためには、ベース電極をコレクタ・ベース接合部
分に対してできるだけ近距離に形成することが有効とな
るが、これは通常のマスク合わせでは不可能に近かっ
た。

本発明は、上記問題点に鑑み、コレクタおよびベースの
サイズが小さくても、コレクタ電極、コレクタの引き出
し電極、ベース電極、ベース引き出し電極が容易にかつ
段切れを生じずに形成でき、それに加えてベース電極９
がコレクタ・ベース接合部と極めて近距離に形成でき
る、新しいＨＢＴの構造および製造方法を提供しようと
するものである。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明のＨＢＴでは、Ｈ
ＢＴ形成のもとになるエピタキシー形成した多層構造材
料を用いて、ＨＢＴのベース領域に対応する部分の周辺
部を、多層構造材料の表面から、少くともベースを形成
する層まで、多くともエミッタのコンタクトを形成する
層を残すところまで、不純物を導入して半絶縁性化し、
コレクタ部分から半絶縁性領域に伸長して存在するスト
ライプ状のマスク層を設け、前記マスク層をマスクとし
て湿式エッチングにより前記ストライプの伸長方向に沿
った側面の両側が実質的に垂直か、片方が実質的に垂直
で他方が逆メサ状、もしくは両方が逆メサ状となった、
コレクタ部分を含む、ストライプ状突起と、その両側に
外部ベース領域を形成する工程と、前記ストライプ状突
起の全面を覆い、かつ、前記ストライプ状突起の少くと
も伸長方向の両側にカサ状に突き出したコレクタ電極金
属層を形成する工程もしくは前記工程のあと前記材料の
上面をコレクタ電極、ベース電極およびヘテロ接合バイ
ポーラトランジスタ形成材料に対して選択的に除去でき
る材料からなる保護膜で覆い、かつ異方性ドライエッチ
ング法を用いて、コレクタ電極金属の上面とベース電極
取り出し領域の上面を除去して、コレクタ電極の側壁と
前記のストライプ状に突出したコレクタ側壁部分に前記
材料からなる保護膜からなる側壁を形成する工程と、上
方向からベース電極金属を蒸着し、前記コレクタ電極金
属層のカサ、もしくは前記側壁を有するコネクタ電極金
属のカサの直下の周辺部の外部ベース領域から、ＨＢＴ
形成部の周辺部の半絶縁性領域に伸長して存在するベー
ス電極金属層を形成する工程と、を少くとも用いて、コ
レクタ電極金属層がコレクタ引き出し電極を兼ねて、コ
レクタ部分からＨＢＴ形成部分の周辺部の半絶縁性領域
に伸長して存在し、かつ、ベース電極金属層がベース引
き出し電極を兼ねて、コレクタに極めて近接して存在
し、ＨＢＴ形成部分の周辺部の半絶縁性領域に伸長して
存在した構造を有するＨＢＴを形成する。

作用 本発明のＨＢＴの構造と製造方法では、コレクタ電極が
コレクタ引き出し電極を兼ねてセルフアラインで形成さ
れ、かつ、ベース電極がベース引き出し電極を兼ねてセ
ルフアラインでコレクタ・ベース接合部に対して極めて
近距離に容易に形成できる。また、極めて微小なサイズ
のＨＢＴでも形成が容易であり、このため、コレクタ・
ベース間容量Ｃ_ＢＣ、ベース・エミッタ間容量Ｃ_ＥＢを
小さくできる。また、外部ベース抵抗が著しく小さくな
り、ベース抵抗Ｒ_Ｂの低減に極めて効果がある。これに
より、ｔ、ｍの増大に著しい効果を発揮する。

実施例 以下本発明の一実施例のヘテロ接合バイポーラトランジ
スタ（ＨＢＴ）およびその製造方法について図面を参照
しながら説明する。

実施例１ 第１図は、本発明のＨＢＴの製造方法を断面図を用いて
示したものであり、第２図は、ＨＢＴの各部分の配置を
平面図に示したものである。第１図(a)に示すように、
（００１）ＧａＡｓ基板１の上に、エミッタのオーミッ
クコンタクトの形成を容易にするためのエミッタと同型
の高ドープのＧａＡｓ（ｎ^＋−ＧａＡｓ）層２、エミッ
タ領域を形成するためのｎ型のＡｌ_ＸＧａ_1-XＡｓ（Ｎ
−Ａｌ_ＸＧａ_1-XＡｓ）層３、ベース領域を形成するた
めのＰ型のＧａＡｓ（ｐ−ＧａＡｓ）層４、コレクタ領
域を形成するためのｎ型のＧａＡｓ（ｎ−ＧａＡｓ）層
５、コレクタのオーミックコンタクトの形成を容易にす
るための高ドープのｎ型のＧａＡｓ（ｎ^＋−ＧａＡｓ）
層６をこの順序にエピタキシー形成し、多層構造材料７
を形成し、ついで第１図(b)と、第２図に示すように、
ベース領域４ｂに対応したベース島１７を、多層構造材
料の表面から不純物を少くともエミッタ層３に到達し、
多くともエミッタ・コンタクト層２が残るように導入し
てベース島１７の周辺部に半絶縁性領域１８を形成し、
ついでその上に、湿式エッチングにより下地のｎ^＋−Ｇ
ａＡｓに対し選択的に除去でき、かつ、湿式エッチング
によって実質的に侵されない材料からなるＳｉＯ_Ｘ保護
膜１１を設け、その上に第２図に示すようにコレクタ領
域から周辺部の半絶縁性領域に伸長して存在する金属Ａ
ｌの仮のコレクタ１２をストライプの伸長方向が＜１１
０＞方向となるように設定して設け、ついで前記仮の金
属Ａｌのコレクタ１２をマスクとして異方性のドライエ
ッチングを行って、第１図(c)に示すように、ＳｉＯ_Ｘ
保護膜１１と金属Ａｌ１２からなる仮のコレクタ１３を
形成する。ついで、第１図(d)のように、仮のコレクタ
１３をマスクとして湿式エッチングによりベースを形成
するための層４までエッチングし、ストライプの伸長方
向に沿った両側が逆メサ状になった、コレクタ５−ａと
キャップ層６−ａとからなるコレクタ領域から半絶縁性
領域１７に伸長したストライプ状の突起１９を形成す
る。ついで、第１図(e)のように、全面をフォトレジス
ト１４でコートし、ドライエッチングにより、仮のコレ
クタ１３の頭出しを行い、仮のコレクタをエッチング除
去し、第１図(f)のように凹み１５を形成し、ついで、
コレクタ電極金属を蒸着リフト・オフし、第１図(g)の
ように、コレクタ電極金属層８がストライプ状突起１９
の上部の全面を覆い、かつ、ストライプ状突起１９の周
辺部にカサ状に突き出したコレクタ電極金属層８を形成
する。ついで、第１図(h)のように、フォトリソグラフ
ィー、エッチングと蒸着・リフトオフの方法にエミッタ
電極１０を形成する。ついで、第１図(i)と第２図のよ
うに、水素イオンを注入してＨＢＴの周辺部を絶縁化
し、素子間分離を行う。ついで、第２図の９の形状のマ
スクを用いて、ストライプ状突起１９のレジストに覆さ
れた部分の方からベース電極金属を斜め蒸着し、リフト
オフし、第１図(j)および第２図のようにベース電極金
属層９を形成する。何故ならば、ストライプの端では、
正常型のメサが形成されており、上方から蒸着すると、
コレクタ電極とベース電極が短絡するためである。これ
により、ベース電極金属層９が、コレクタ電極金属のカ
サの直下の外部ベース領域に隣接した外部ベース領域
に、コレクタ・ベース接合部分に対し極めて近距離に形
成される。それと同時にコレクタ電極金属層９は、第２
図に示すように、ＨＢＴの周辺部の半絶縁性領域１８に
伸長して存在し、ベース引き出し電極を兼ねている。

実施例２ 第３図は、実施例１に示した第１図(i)の構造を形成
後、ストライプ状の突出部１９にＳｉＯ_Ｘ薄膜の側壁１
６−ａを設け、ベース電極形成時の蒸着により蒸着金属
がコレクタの側壁部分に回り込むことがあった場合にそ
れを防ぎ、短絡を防止して信頼性を増す方法である。ま
ず、全面をうすいＳｉＯ_Ｘ薄膜１６で第３図(a)のよう
に覆い、ついで、異方性のドライエッチングによりコレ
クタの上部とベース電極取り出し部分のＳｉＯ_Ｘを除去
し、第３図(b)のようなＳｉＯ_Ｘからなる側壁１６−ａ
を形成する。ついで、実施例１に示した方法によりベー
ス電極金属層を形成し、ついで、側壁のＳｉＯ_Ｘ１６−
ａをエッチングにより除去して、コレクタ側壁部を回り
込で付着してベース電極金属を除去し、コレクタとベー
ス電極との短絡を防ぐ。この方法により、ベース電極金
属がコレクタ側壁部分に回り込んだ場合でも、ベース電
極が問題なく形成される。

実施例３ 第４図は、第１図(a)に示した多層構造材料７におい
て、ストライプ状の仮のコレクタ１３の伸長方向を＜１
００＞方向となるように設定した場合を示す。この場合
には、ストライプの伸長方向に沿った両側の壁およびス
トライプの両端の壁が、仮のコレクタ１３をマスクとし
て湿式エッチングすることにより第４図(a)に示すよう
にほぼ垂直となったストライプ状突起が形成される。つ
いで、実施例１と同様の方法を用いて仮のコレクタをコ
レクタ電極に変換することにより、ストライプ状突起１
９の全面を覆い、かつ、ストライプ状突起１９の周辺部
分に突き出したカサ状のコレクタ電極金属層８が第４図
(b)のように形成される。これを用いて、実施例１と同
様の方法により第４図(c)のように、コレクタ・ベース
接合部分に近接して存在し、かつ、半絶縁性領域１８に
伸長して存在するベース電極金属層９を形成する。ただ
し、この場合には、ストライプの周辺部の全域にコレク
タ電極のカサが形成されているので、上部からベース電
極金属を蒸着することができる。

実施例４ 第５図は、実施例３に示した第４図(c)において、ベー
ス電極金属層９を形成する前に、第３図の場合と同様に
して、まず、第４図(a)のように、ＳｉＯ_Ｘ薄膜１６で
材料の表面を覆い、ついで異方性のドライエッチングに
よりＳｉＯ_Ｘ薄膜からなる側壁１６−ａを第５図(b)の
ように形成する。ついで、実施例１と同様の方法を用い
て、ベース電極金属を蒸着・リフトオフにより形成し、
ついで、ＳｉＯ_Ｘ薄膜の側壁１６−ａをエッチングによ
り除去しコレクタ側壁部についた金属を除去し、ベース
電極がコレクタと短絡するのを防止する。実施例４の場
合でも直線性の良い蒸着ビームを用いる場合には、ベー
ス電極がコレクタと短絡することはないが、本実施例の
場合には、蒸着ビームの直線性の良くない場合でも極め
て有効となる。

実施例１ないし４に示した仮のコレクタをマスクとする
方式では、下地の半導体材料に接触したマスクとしてＳ
ｉＯ_Ｘを用いているが、下地の半導体材料に対して選択
的に除去できる材料として、ＳｉＯ_ＸやＳｉＮ_Ｘは一般
性のある材料として用いることができる。また、下地が
化合物半導体材料の場合には、ＧｅやＳｉ、下地の半導
体材料がＧｅやＳｉの場合には化合物半導体材料を仮の
コレクタとして用いることができる。この方式では、仮
のコレクタとして、熱処理時に下地材料と反応しないＳ
ｉＯ_ＸやＳｉＮ_Ｘやその他の材料を選ぶことにより、イ
オン注入などの熱処理を必要とするプロセスと結合でき
るメリットがある。

実施例５に示したコレクタ電極をマスクとする方式で
は、下地の半導体材料の湿式エッチング時にエッチング
液に侵されない金属材料を選ぶ必要がある。また、これ
に加えて熱処理時に下地の半導体材料と反応しない金属
材料を選ぶことにより熱処理を必要とするイオン注入な
どのプロセスと結合できる。

実施例１ないし４では、仮のコレクタ１３をマスクとし
てベースを形成する層４までエッチングしているが、コ
レクタを形成する層の途中までエッチングし、イオン注
入などの熱処理をともなうプロセスを実施後、コレクタ
電極金属層８を形成し、ついで、エッチングにより外部
ベース層を露出せしめた後、実施例の方法を適用するこ
ともできる。また、仮のコレクタ１３をマスクとして、
コレクタを形成する層までエッチングして、主に高ドー
プのキャップ層からなるストライプ状突起を形成し、つ
いで、イオン注入によりコレクタを形成する層の外部ベ
ース領域に対応する部分をイオン注入により外部ベース
領域に変えた後、コレクタ電極金属層を形成し、実施例
の方法を適用することもできる。

実施例１ないし４では、仮のコレクタをコレクタ電極に
変えた後、ベース電極金属層９を形成しているが、仮の
コレクタのついた状態で、仮のコレクタのカサもしく
は、仮のコレクタとストライプ状コレクタの側壁にＳｉ
Ｏ_Ｘ薄膜をそなえた仮のコレクタのカサを利用して、ベ
ース電極金属層９を形成することもできる。

実施例２と４においては、ストライプ状突起およびコレ
クタ電極金属層８の側壁形成材料としてＳｉＯ_Ｘ薄膜を
用いているが、コレクタ電極金属、ベース電極金属やＨ
ＢＴ形成材料に対して選択的に除去できる、ＳｉＮ_Ｘや
その他の材料を用いることができる。

実施例１ないし４においては、ＨＢＴ形成材料としての
ＧａＡｓ−Ａｌ_ＸＧａ_1-XＡｓ系のジンクプレンド型材
料を用いているが、これら以外のジンクブレンド型材料
にも実施例は適用できる。また、ジンクブレンド型材料
とＧｅやＳｉのどのダイヤモンド型材料からなる多層構
造材料を用いたＨＢＴの製造にも本実施例の方法は適用
できる。

実施例１ないし４ではエピタキシー形成した（１００）
面上に、ストライプ状に突起したコレクタ領域を形成し
ているが、これ以外のエピタキシー形成した面でも用い
ることができる。たとえば、ジンクブレンドまたはダイ
ヤモンド構造型結晶の〔２１１〕面にエピタキシー形成
して作成した多層構造材料の面内の＜１１０＞方向に、
その伸長方向が一致するように、コレクタのストライプ
状突起を設けることができる。この場合には、一つの
〔１１１〕面がストライプに平行で面に垂直、一つの
〔１１１〕面がストライプに平行で逆メサ状に位置する
ので、伸長方向に沿った両側の片側が垂直、他の側が逆
メサ状になったストライプ状コレクタ形成できる。この
ため実施例１ないし４に示した場合と同様に、カサ状の
コレクタ電極金属層を形成することができる。このよう
に、本発明の製造方法では、実施例に示したような、
（１００）成長した多層構造材料を用いて伸長方向に沿
った両側が実質的に垂直または逆メサとなったコレクタ
のストライプ状突起を形成するだけでなく、種々の結晶
方位に成長した多層構造材料を用いて、ストライプの伸
長方向の両側が垂直、逆メサ、もしくは片側が垂直、他
方が逆メサとなったストライプ状突起のコレクタ領域を
形成して、カサ状のコレクタ電極を形成する場合にも適
用できる。

発明の効果 以上のように、本発明のＨＢＴの構造と製造方法によ
り、コレクタ電極がコレクタ引き出し電極を兼ねてセル
フアラインで形成され、ベース電極がベース引き出し電
極を兼ね、かつ、コレクタ・ベース接合部に近接してセ
ルフアラインで形成できる。これにより、極めて微小な
サイズのＨＢＴでも形成が容易であり、コレクタ・ベー
ス間接合容量Ｃ_ＢＣ、ベース・エミッタ間容量Ｃ_ＥＢを
著しく小さくでき、また、外部ベース抵抗を著しく小さ
くできる。これらのことにより、ｔ、ｍの増大に著
しい効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第５図は本発明のＨＢＴの製造方法を示す
工程図、第６図は従来のＨＢＴの製造方法を示す工程図
である。 １……基板、２……エミッタのオーミックコンタクトの
形成を容易にするための高ドープ層、２−ａ……エミッ
タ電極取り出し領域、３……エミッタ領域を形成するた
めの半導体材料層、３−ａ……エミッタ領域、４……ベ
ース領域を形成するための半導体材料層、４−ａ……ベ
ース領域、４−ｂ……ベース電極を取り出すための外部
ベース領域、５……コレクタ領域を形成するための半導
体材料層、５−ａ……コレクタ領域、６……コレクタの
オーミックコンタクトの形成を容易にするための高ドー
プ層、６−ａ……コレクタ上部のコレクタキャップ層、
７……エピタキシー形成した多層構造材料、８……コレ
クタ電極とコレクタ引き出し電極、９……ベース電極と
ベース引き出し電極、１０……エミッタ電極、１１……
仮のコレクタを形成するための保護膜層、１２……仮の
コレクタの部分の金属層、１３……仮のコレクタ、１４
……フォトレジスト、１５……フォトレジスト１４中に
コレクタ部分に形成された凹み、１６……コレクタ電極
およびコレクタ領域の側壁を形成するための保護、１６
−ａ……保護膜１６より形成されたコレクタ電極および
コレクタ領域の側壁、１７……ベース島、１８……ＨＢ
Ｔ内部の半絶縁性領域、１９……ＨＢＴ外部の絶縁性領
域、２０……ＨＢＴ外部の絶縁性領域。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中川 敦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭50−39076（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−210669（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−114573（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−39665（ＪＰ，Ａ)

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体基板と、前記半導体基板上に形成さ
   れておりエミッタ領域と前記エミッタ領域の外側の第１
   の絶縁領域とを有する第１の半導体層と、前記第１の半
   導体層上に形成されており前記エミッタ領域上のベース
   領域と前記ベース領域の外側の第２の絶縁領域とを有す
   る第２の半導体層と、前記第２の半導体層上の前記ベー
   ス領域から前記第２の絶縁領域にかけてストライプ状に
   形成されており前記ベース領域上のコレクタ領域と第３
   の絶縁領域とを有する第３の半導体層とを備えたヘテロ
   接合バイポーラトランジスタであって、コレクタ電極は
   前記第３の半導体層上全面に形成され前記コレクタ領域
   から前記第２の半導体層上の第２の絶縁領域上まで段差
   なく引き出され、ベース電極は前記ベース領域上の前記
   コレクタ電極に近接して前記ベース領域に直接形成さ
   れ、エミッタ電極はエミッタ領域に接続され、前記第２
   の絶縁領域は前記第１の絶縁領域上に形成され、前記第
   ３の絶縁領域は前記第２の絶縁領域上に形成されている
   ことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
2. 【請求項２】ベース電極がコの字状の形状をしており、
   ベース引き出しを兼ねていることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載のヘテロ接合バイポーラトランジス
   タ。