JPH0654779B2 - ヘテロ接合バイポーラトランジスタ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は超高速・超高周波トランジスタとして有望なヘ
テロ接合バイポーラトランジスタ（以下ＨＢＴと称す）
およびその製造方法に関するものである。

従来の技術 近年、バイポーラトランジスタ（以下ＢＴと称す）のエ
ミッタとしてベースよりもバンドギャップの大きい半導
体材料を用いたＨＢＴは超高速・超高周波トランジスタ
の有力候補の一つとして研究がさかんに行われるにいた
っている。

第６図は従来のＨＢＴの構造と製造方法を示す。１は基
板、２はコレクタのオーミックコンタクトの形成を容易
にするためのコレクタと同型の高ドープの半導体材料
層、２−ａはコレクタ電極取り出し領域、３はコレクタ
領域を形成するための半導体材料層、３−ａはコレクタ
領域、４はベース領域を形成するための半導体材料層、
４−ａはベース領域、４−ｂはベース電極を取り出すた
めの外部ベース領域、５はエミッタ領域を形成するため
の半導体材料層、５−ａはエミッタ領域、６はエミッタ
のオーミックコンタクトの形成を容易にするための、エ
ミッタと同型の高ドープの半導体材料層、６−ａはエミ
ッタ領域上部のエミッタキャップ層、７は１ないし６の
半導体材料層から形成される多層構造材料、８ａはエミ
ッタ電極、８ｂはエミッタ引き出し電極、９ａはベース
電極、９ｂはベース引き出し電極、１０ａはコレクタ電
極、１０ｂはコレクタ引き出し電極である。基板１の上
にエピタキシー形成した多層構造材料７（第６図(a)）
を用いて、フォトリソグラフィーとエッチングにより、
第６図(b)に示すように、６−ａと５−ｂからなるエミ
ッタ領域、４−ａと４−ｂからなるベース領域、コレク
タ領域３−ｂ、コレクタ電極取り出し領域２−ａを有す
る構造とする。ついで、第６図(c)のように、エミッタ
電極８ａ、ベース電極９ａ、コレクタ電極１０ａを形成
する。さらに全体をＳｉＯ_２膜で覆い、引き出し電極取
り出し穴を設け、エミッタ引き出し電極８ｂ、ベース引
き出し電極９ｂ、コレクタ引き出し電極１０ｂを形成す
る（第６図(d)）。

以上のように構成されたＨＢＴについて、その動作につ
いて説明する。

ＨＢＴの高速動作の指標であるｔおよびｍは次のよ
うに表わされる。

ここに、τ_Ｂ（エミッタ空乏層走向時間）＝γ_Ｅ（Ｃ
_ＢＣ＋Ｃ_ＥＢ＋Ｃ_ＰＢ）、τ_Ｂ（ベース走向時間）＝Ｗ
_Ｂ ^２／ηＤ_Ｂ、τ_Ｃ（コレクタ空乏層走向時間）＝Ｗ_Ｃ
／２Ｖ_Ｓ、τ_ＣＣ（コレクタ空乏層充電時間）＝（Ｒ
_ＥＥ＋Ｒ_Ｃ）（Ｃ_ＢＣ＋Ｃ_ＰＣ）、Ｒ_Ｂはベース抵抗、
Ｃ_ＢＣはベース・コレクタ間容量、Ｃ_ＥＢはベース・エ
ミッタ間容量、Ｃ_ＰＢはベース層浮遊容量、Ｃ_ＰＣはコ
レクタ層浮遊容量、Ｗ_Ｂはベース層の厚さ、Ｄ_Ｂはベー
ス層拡散係数、Ｗ_Ｃはコレクタ空乏層の厚さ、Ｖ_Ｓはコ
レクタ走向速度、Ｒ_ＥＥはエミッタコンタクト抵抗、Ｒ
_Ｃはコレクタ抵抗である。

ＨＢＴはエミッタとしてベースよりもバンドギャップの
大きい半導体材料を用いることによりベースからエミッ
タへの正孔のリーク（ｎｐｎ型の場合）がおさえられる
ので、通常のＢＴと反対にベースを高ドープ、エミッタ
とコレクタを低ドープにすることができる。このことに
よりトランジスタの高速・高周波化にとって重要なベー
ス抵抗Ｒ_Ｂの低減をはかることができるのでｍが大き
くなる。さらに、一般にＢＴにおいてはＣ_ＥＢ、Ｃ_ＢＣ
は接合容量のドーピングによる因子Ｃ_ＥＢ（ｎ，ｈ）、
Ｃ_ＢＣ（ｎ，ｈ）と接合面積Ａ_ＥＢ、Ａ_ＢＣとの積で表
わされる。ＨＢＴでは、エミッタとコレクタが低ドー
プ、ベースが高ドープとなっているため、Ｃ_ＥＢ（ｎ，
ｈ）、Ｃ_ＢＣ（ｎ，ｈ）は、エミッタ・コレクタのドー
ピングにのみ依存しＣ_ＥＢ、Ｃ_ＢＣは次のようになる。

したがって、ＨＢＴでは通常のＢＴに比べてＣ_ＥＢ、Ｃ
_ＢＣが小さくなるのでτ_Ｅ、τ_ＣＣが小さくなりｔの
増大が可能となる。また、Ｃ_ＥＢが小さくなるので前記
したＲ_Ｂが小さいことと合わせてｍを大きくすること
が可能となる。

このように、ＨＢＴはヘテロ構造に基づく理由により本
質的に高速化にとって有利となる。しかしながら、高速
化を一層はかるためには、これに加えて、デバイス構造
の微細化をはかり、たとえば、エミッタのサイズを小さ
くして、エミッタ・ベース間接合面積Ａ_ＥＢを小さくし
Ｃ_ＥＢを小さくすること、ベース・コレクタ間接合面積
Ａ_ＢＣを小さくしＣ_ＢＣを小さくすること、などが重要
となる。また、外部ベース領域の抵抗（外部ベース抵
抗）を小さくすることなどがｔ、ｍを大きくするの
に非常に重要となる。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、第６図のような構造と製造方法では、Ｃ
_ＥＢを小さくするためにエミッタのサイズ５ａ、６ａを
小さくし、Ｃ_ＢＣを小さくするためにベース電極取り出
し領域４−ｂの面積を小さくすると、エミッタ電極８ａ
やベース電極９ａを形成するのが極めて難しく、さら
に、エミッタ引き出し電極８ｂやベース引き出し電極９
ｂを形成するのが極めて難しかった。また、引き出し電
極は段差のあるところに設けるため段切れを生じやすい
という問題点があった。また、外部ベース抵抗を小さく
するためには、ベース電極をエミッタ・ベース接合部分
に対してできるだけ近距離に形成することが有効となる
が、これは通常のマスク合わせでは不可能に近かった。

本発明は、上記問題点に鑑み、エミッタおよびベースの
サイズが小さくても、エミッタ電極、エミッタ引き出し
電極、ベース電極、ベース引き出し電極が容易にかつ段
切れを生じずに形成でき、それに加えて、ベース電極９
がエミッタ・ベース接合部と極めて近距離に形成でき
る、新しいHBTの構造および製造方法を提供しようとす
るものである。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明のＨＢＴでは、Ｈ
ＢＴ形成のもとになるエピタキシー形成した多層構造材
料を用いて、ＨＢＴのベース領域に対応する部分の周辺
部を、多層構造材料の表面から少くともベースを形成す
る層まで、多くともコレクタのコンタクトを形成する層
を残すところまで不純物を導入して半絶縁性化し、エミ
ッタ部分から半絶縁性領域に伸長して存在するストライ
プ状のマスク層をもうけ、前記マスク層をマスクとして
湿式エッチングにより前記ストライプの伸長方向に沿っ
た側面の両側が実質的に垂直か、片方が実質的に垂直で
他方が逆メサ状、もしくは両方が逆メサ状となった、エ
ミッタ部分を含む、ストライプ状の突起と、その両側に
外部ベース領域を形成する工程と、前記ストライプ状突
起の全面を覆い、かつ、前記ストライプ状突起の少くと
も伸長方向の両側にカサ状に突き出したエミッタ電極金
属層を形成する工程もしくは前記工程のあと前記材料の
上面をエミッタ電極、ベース電極およびヘテロ接合バイ
ポーラトランジスタ形成材料に対して選択的に除去でき
る材料からなる保護膜で覆い、かつ異方性ドライエッチ
ング法を用いて、エミッタ電極金属の上面とベース電極
取り出し領域の上面を除去して、エミッタ電極の側壁と
前記ストライプ状に突出したエミッタ側壁部分に前記材
料からなる保護膜からなる側壁を形成する工程と、上方
向からベース電極金属を蒸着し、前記エミッタ電極金属
層のカサ、もしくは前記側壁を有するエミッタ電極金属
のカサを直下の周辺部の外部ベース領域から、ＨＢＴ形
成部の周辺部の半絶縁性領域に伸長して存在するベース
電極金属層を形成する工程と、を少くとも用いて、エミ
ッタ電極金属層がエミッタ引き出し電極を兼ねて、エミ
ッタ部分からＨＢＴ形成部分の周辺部の半絶縁領域に伸
長して存在し、かつ、ベース電極金属層がベース引き出
し電極を兼ねて、エミッタに極めて近接して存在し、Ｈ
ＢＴ形成部分の周辺部の半絶縁性領域に伸長して存在し
た構造を有するＨＢＴを形成する。

作用 本発明のＨＢＴの構造と製造方法では、エミッタ電極が
エミッタ引き出し電極を兼ねてセルフアラインで形成さ
れ、かつ、ベース電極がベース引き出し電極を兼ねてセ
ルフアラインでエミッタ・ベース接合部に対して極めて
近距離に容易に形成できる。また、極めて微小なサイズ
のＨＢＴでも形成が容易であり、このため、エミッタ・
ベース間容量Ｃ_ＥＢ、ベース・コレクタ間容量Ｃ_ＢＣを
小さくできる。また、外部ベース抵抗が著しく小さくな
り、ベース抵抗Ｒ_Ｂの低減に極めて効果がある。これに
より、ｔ、ｍの増大に著しい効果を発揮する。

実施例 以下本発明の一実施例のヘテロ接合バイポーラトランジ
スタ（ＨＢＴ）の製造方法について図面を参照しながら
説明する。

実施例１ 第１図は、本発明のＨＢＴの製造方法を断面図を用いて
示したものであり、第２図は、ＨＢＴの各部分の配置を
平面図に示したものである。第１図(a)に示すように、
（００１）ＧａＡｓ基板１の上に、コレクタのオーミッ
クコンタクトの形成を容易にするためのコレクタと同型
の高ドープのＧａＡｓ（ｎ^＋−ＧａＡｓ）層２、コレク
タ領域を形成するためのｎ型のＧａＡｓ(n−ＧａＡｓ）
層３、ベース領域を形成するためのＰ型のＧａＡｓ（ｐ
−ＧａＡｓ）層４、エミッタ領域を形成するためのｎ型
のＡｌ_ＸＧａ_1-XＡｓ（Ｎ−Ａｌ_ＸＧａ_1-XＡｓ）層５、
エミッタのオーミックコンタクトの形成を容易にするた
めの高ドープのｎ型のＧａＡｓ（ｎ^＋−ＧａＡｓ）層６
をこの順序にエピタキシー形成し、多層構造材料７を形
成し、ついで、第１図(b)と、第２図に示すように、ベ
ース領域４ｂに対応したベース島１７を、多層構造材料
の表面から不純物を少くともコレクタ層３に到達し、多
くともコレクタコンタクト層２が残るように導入してベ
ース島１７の周辺部に半絶縁性領域１８を形成し、つい
でその上に、湿式エッチングにより下地のｎ^＋−ＧａＡ
ｓに対し選択的に除去でき、かつ、湿式エッチングによ
って実質的に侵されない材料からなるＳｉＯ_Ｘ保護膜１
１をもうけ、その上に第２図に示すようにエミッタ領域
から周辺の半絶縁性領域に伸長して存在する金属Ａｌの
仮のエミッタ１２をストライプの伸長方向が〈１１０〉
方向となるように設定してもうけ、ついで前記仮の金属
Ａｌのエミッタ１２をマスクとして異方性のドライエッ
チングを行って、第１図(c)に示すように、ＳｉＯ_Ｘ保
護膜１１と金属Ａｌ１２からなる仮のエミッタ１３を形
成する。ついで、第１図(d)のように、仮のエミッタ１
３をマスクとして湿式エッチングによりベースを形成す
るための層４までエッチングし、ストライプの伸長方向
に沿った両側が逆メサ状になった、エミッタ５−ａとキ
ャップ層６−ａとからなるエミッタ領域から半絶縁性領
域１８に伸長したストライプ状の突起１９を形成する。
ついで、第１図(e)のように、全面をフォトレジスト１
４でコートし、ドライエッチングにより、仮のエミッタ
１３の頭出しを行い、仮のエミッタをエッチング除去
し、第１図(f)のように凹み１５を形成し、ついで、エ
ミッタ電極金属を蒸着リフト・オフし、第１図(g)のよ
うに、エミッタ電極金属層８がストライプ状突起１９の
上部の全面を覆い、かつ、ストライプ状突起１９の周辺
部にカサ状に突き出したエミッタ電極金属層８を形成す
る。ついで、第１図(h)のように、フォトリソグラフィ
ー、エッチングと蒸着リフトオフの方法によりコレクタ
電極１０を形成する。ついで、第１図(i)と第２図のよ
うに水素イオンを注入してＨＢＴの周辺部を絶縁化し、
素子間分離を行う。ついで、第２図の９の形状のマスク
を用いて、ストライプ状突起１９のレジストに覆された
部分の方からベース電極金属を斜め蒸着し、リフトオフ
し、第１図(j)および第２図のように、ベース電極金属
層９を形成する。何故ならば、ストライプの端では、正
常型のメサが形成されており、上方から蒸着すると、エ
ミッタ電極とベース電極が短絡するためである。これに
よりベース電極金属層９が、エミッタ電極金属のカサの
直下の外部ベース領域に隣接した外部ベース領域に、エ
ミッタ・ベース接合部分に対し極めて近距離に形成され
る。それと同時に、エミッタ電極金属層９は、第２図に
示すように、ＨＢＴの周辺部の半絶縁性領域１８に伸長
して存在し、ベース引き出し電極を兼ねている。

実施例２ 第３図は、実施例１に示した第１図(i)の構造を形成
後、ストライプ状の突出部１９にＳｉＯ_Ｘ薄膜の側壁１
６−ａをもうけ、ベース電極形成時の蒸着により蒸着金
属がエミッタの側壁部分にまわり込むことがあった場合
にそれを防ぎ、短絡を防止して信頼性を増す方法であ
る。まず、全面をうすいＳｉＯ_Ｘ薄膜１６で第３図(a)
のように覆い、ついで、異方性のドライエッチングによ
りエミッタの上部とベース電極取り出し部分のＳｉＯ_Ｘ
を除去し、第３図(b)のようなＳｉＯ_Ｘからなる側壁１
６−ａを形成する。ついで、実施例１に示した方法によ
りベース電極金属層を形成し、ついで、側壁のＳｉＯ_Ｘ
１６−ａをエッチングにより除去して、エミッタ側壁部
に回り込んで付着してベース電極金属を除去し、エミッ
タとベース電極との短絡を防ぐ。この方法により、ベー
ス電極金属がエミッタ側壁部分に回り込んだ場合でも、
ベース電極が問題なく形成される。

実施例３ 第４図は、第１図(a)に示した多層構造材料７におい
て、ストライプ状の仮のエミッタ１３の伸長方向を〈１
００〉方向となるように設定した場合を示す。この場合
には、ストライプの伸長方向に沿った両側の壁およびス
トライプの両端の壁が、仮のエミッタ１３をマスクとし
て湿式エッチングすることにより第４図(a)に示すよう
にほぼ垂直となったストライプ状突起が形成される。つ
いで、実施例１と同様の方法を用いて仮のエミッタをエ
ミッタ電極に変換することにより、ストライプ状突起１
９の全面を覆い、かつ、ストライプ状突起１９の周辺部
分に突き出したカサ状のエミッタ電極金属層８が第４図
(b)のように形成される。これを用いて、実施例１と同
様の方法により第４図(c)のように、エミッタ・ベース
接合部分に近接して存在し、かつ半絶縁性領域１８に伸
長して存在するベース電極金属層９を形成する。ただ
し、この場合には、ストライプの周辺部の全域にエミッ
タ電極のカサが形成されているので、上部からベース電
極金属を蒸着することができる。

実施例４ 第５図は、実施例３に示した第４図(c)においてベース
電極金属層９を形成する前に、第３図の場合と同様にし
て、まず、第５図(a)のように、ＳｉＯ_Ｘ薄膜１６で材
料の表面を覆い、ついで異方性のドライエッチングによ
りＳｉＯ_Ｘ薄膜からなる側壁１６−ａを第５図(b)のよ
うに形成する。ついで、実施例１と同様の方法を用いて
ベース電極金属を蒸着・リフトオフにより形成し、つい
で、ＳｉＯ_Ｘ薄膜の側壁１６−ａをエッチングにより除
去し、エミッタ側壁部についた金属を除去し、ベース電
極がエミッタを短絡するのを防止する。実施例４の場合
でも直線性の良い蒸着ビームを用いる場合には、ベース
電極がエミッタと短絡することはないが、本実施例の場
合には、蒸着ビームの直線性の良くない場合でも極めて
有効となる。

実施例１ないし４に示した仮のエミッタをマスクとする
方式では、下地の半導体材料に接触したマスクとしてＳ
ｉＯ_Ｘを用いているが、下地の半導体材料に対して選択
的に除去できる材料として、ＳｉＯ_ＸやＳｉＮ_Ｘは一般
性のある材料として用いることができる。また、下地が
化合物半導体材料の場合には、ＧｅやＳｉ、下地の半導
体材料がＧｅやＳｉの場合には化合物半導体材料を仮の
エミッタとして用いることができる。この方式では、仮
のエミッタとして、熱処理時に下地材料と反応しないＳ
ｉＯ_Ｘ，ＳｉＮ_Ｘやその他の材料を選ぶことにより、イ
オン注入などの熱処理を必要とするプロセスと結合でき
るメリットがある。

実施例５に示したエミッタ電極をマスクとする方式で
は、下地の半導体材料の湿式エッチング時にエッチング
液に侵されない金属材料を選ぶ必要がある。また、これ
に加えて熱処理時に下地の半導体材料と反応しない金属
材料を選ぶことにより熱処理を必要とするイオン注入な
どのプロセスと結合できる。

実施例１ないし４では、仮のエミッタ１３をマスクとし
てベースを形成する層４までエッチングしているが、エ
ミッタを形成する層の途中までエッチングし、イオン注
入などの熱処理をともなうプロセスを実施後、エミッタ
電極金属層８を形成し、ついで、エッチングにより外部
ベース層を露出せしめた後、実施例の方法を適用するこ
ともできる。また、仮のエミッタ１３をマスクとして、
エミッタを形成する層までエッチングして、主に高ドー
プのキャップ層からなるストライプ状突起を形成し、つ
いで、イオン注入によりエミッタを形成する層の外部ベ
ース領域に対応する部分をイオン注入により外部ベース
領域に変えた後、エミッタ電極金属層を形成し、実施例
の方法を適用することもできる。

実施例１ないし４では、仮のエミッタをエミッタ電極に
かえた後、ベース電極金属層９を形成しているが、仮の
エミッタのついた状態で、仮のエミッタのカサもしく
は、仮のエミッタとストライプ状エミッタの側壁にＳｉ
Ｏ_Ｘ薄膜をそなえた仮のエミッタのカサを利用して、ベ
ース電極金属層９を形成することもできる。

実施例２と４においては、ストライプ状突起およびエミ
ッタ電極金属層８の側壁形成材料としてＳｉＯ_Ｘ薄膜を
用いているが、エミッタ電極金属、ベース電極金属やＨ
ＢＴ形成材料に対して選択的に除去できる、ＳｉＮ_Ｘや
その他の材料を用いることができる。

実施例１ないし４においては、ＨＢＴ形成材料としての
ＧａＡｓ−Ａｌ_ＸＧａ_1-XＡｓ系のジンクブレンド型材
料を用いているが、これら以外のジンクブレンド型材料
にも実施例は適用できる。また、ジンクブレンド型材料
とＧｅやＳｉなどのダイヤモンド型材料からなる多層構
造材料を用いたＨＢＴの製造にも本実施例の方法は適用
できる。

実施例１ないし４ではエピタキシー形成した（１００）
面上に、ストライプ状に突起したエミッタ領域を形成し
ているが、これ以外のエピタキシー形成した面でも用い
ることができる。たとえば、ジンクブレンドまたはダイ
ヤモンド構造型結晶の〔２１１〕面にエピタキシー形成
して作成した多層構造材料の面内の〈１１０〉方向に、
その伸長方向が一致するように、エミッタのストライプ
状突起を設けることができる。この場合には、一つの
〔１１１〕面がストライプに平行で面に垂直、一つの
〔１１１〕面がストライプに平行で逆メサ状に位置する
ので、伸長方向に沿った両側の片側が垂直、他の側が逆
メサ状になったストライプ状エミッタを形成できる。こ
のため、実施例１ないし４に示した場合と同様に、カサ
状のエミッタ電極金属層を形成することができる。この
ように、本発明の製造方法では、実施例に示したような
（１００）成長した多層構造材料を用いて伸長方向に沿
った両側が実質的に垂直または逆メサとなったエミッタ
のストライプ状突起を形成するだけでなく、種々の結晶
方位に成長した多層構造材料を用いて、ストライプの伸
長方向の両側が垂直、逆メサ、もしくは片側が垂直、他
方が逆メサとなったストライプ状突起のエミッタ領域を
形成して、カサ状のエミッタ電極を形成する場合にも適
用できる。

発明の効果 以上のように、本発明のＨＢＴの構造と製造方法によ
り、エミッタ電極がエミッタ引き出し電極を兼ねてセル
フアラインで形成され、かつ、ベース電極がベース引き
出し電極を兼ね、かつ、エミッタ・ベース接合部に近接
してセルフアラインで形成できる。これにより、極めて
微小なサイズのＨＢＴでも形成が容易であり、エミッタ
・ベース間接合容量Ｃ_ＥＢ、ベース・コレクタ間容量Ｃ
_ＢＣを著しく小さくでき、また、外部ベース抵抗を著し
く小さくできる。これらのことにより、ｔ，ｍの増
大に著しい効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第５図は本発明のＨＢＴの製造方法を示す
工程図、第６図は従来のＨＢＴの製造方法を示す工程図
である。 １……基板、２……コレクタのオーミックコンタクトの
形成を容易にするための高ドープ層、２−ａ……コレク
タ電極取り出し領域、３……コレクタ領域を形成するた
めの半導体材料層、３−ａ……コレクタ領域、４……ベ
ース領域を形成するための半導体材料層、４−ａ……ベ
ース領域、４−ｂ……ベース電極を取り出すための外部
ベース領域、５……エミッタ領域を形成するための半導
体材料層、５−ａ……エミッタ領域、６……エミッタの
オーミックコンタクトの形成を容易にするための高ドー
プ層、６−ａ……エミッタ上部のエミッタキャップ層、
７……エピタキシー形成した多層構造材料、８……エミ
ッタ電極とエミッタ引き出し電極、９……ベース電極と
ベース引き出し電極、１０……コレクタ電極、１１……
仮のエミッタを形成するための保護膜層、１２……仮の
エミッタの部分の金属層、１３……仮のエミッタ、１４
……フォトレジスト、１５……フォトレジスト１４中に
エミッタ部分に形成された凹み、１６……エミッタ電極
およびエミッタ領域の側壁を形成するための保護膜、１
６−ａ……保護膜１６より形成されたエミッタ電極およ
びエミッタ領域の側壁、１７……ベース島、１８……Ｈ
ＢＴ内部の半絶縁性領域、１９……ＨＢＴ外部の絶縁性
領域、２０……ＨＢＴ外部の絶縁性領域。

フロントページの続き (72)発明者 中川 敦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭50−39076（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−114573（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−89665（ＪＰ，Ａ)

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体基板と、前記半導体基板上に形成さ
   れておりコレクタ領域と前記コレクタ領域の外側の第１
   の絶縁領域とを有する第１の半導体層と、前記第１の半
   導体層上に形成されており前記コレクタ領域上のベース
   領域と前記ベース領域の外側の第２の絶縁領域とを有す
   る第２の半導体層と、前記第２の半導体層上の前記ベー
   ス領域から前記第２の絶縁領域にかけてストライプ状に
   形成されており前記ベース領域上のエミッタ領域と第３
   の絶縁領域とを有する第３の半導体層とを備えたヘテロ
   接合バイポーラトランジスタであって、エミッタ電極は
   前記第３の半導体層上全面に形成され前記エミッタ領域
   から前記第２の半導体層上の第２の絶縁領域上まで段差
   なく引き出され、ベース電極は前記ベース領域上の前記
   エミッタ電極に近接して前記ベース領域に直接形成さ
   れ、コレクタ電極はコレクタ領域に接続され、前記第２
   の絶縁領域は前記第１の絶縁領域上に形成され、前記第
   ３の絶縁領域は前記第２の絶縁領域上に形成されている
   ことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
2. 【請求項２】ベース電極がコの字状の形状をしており、
   ベース引き出しを兼ねていることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載のヘテロ接合バイポーラトランジス
   タ。