JPS63202963A - ヘテロ接合バイポーラトランジスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は超高速・超高周波トランジスタとして有望なヘ
テロ接合バイポーラトランジスタ（以下ＨＢＴと称す）
およびその製造方法に関するものである。

従来の技術 近年、バイポーラトランジスタ（以下ＢＴと称す）のエ
ミッタとしてベースよりもバンドギャップの大きい半導
体材料を用いたＨＢＴは超高速・超高周波トランジスタ
の有力候補の一つとして研究がさかんに行われるにいた
っている。

第６図は従来のＨＢＴの構造と製造方法を示す。

１は基板、２はコレクタのオーミックコンタクトの形成
を容易にするためのコレクタと同型の高ドープの半導体
材料層、２−ａはコレクタ電極取り出し領域、３はコレ
クタ領域を形成するための半導体材料層、３−ａはコレ
クタ領域、４はベース領域を形成するための半纏体材料
層、４−ａはベース領域２，４−ｂはベース電極を取り
出すための外部ベース領域、５はエミッタ領域を形成す
るための半導体材料層、５−ａはエミッタ領域、６はエ
ミッタのオーミックコンタクトの形成を容易にするため
の、エミッタと同型の高ドープの半導体材料層、６−ａ
はエミッタ領域上部のエミッタキャップ層、７は１ない
し６の半導体材料層から形成される多層構造材料、８ａ
はエミッタ電極、８ｂはエミッタ引き出し電極、９ａは
ベース電極、９ｂはベース引き出し電極、１　’Ｏａは
コレクタ電極、１０ｂはコレクタ引き出し電極である。

基板１の上にエピタキシー形成した多層構造材料７（第
６図（ａ））を用いて、フォトリソグラフィーとエツチ
ングにより、第６図（１））に示すように、６−ａと５
−ｂからなるエミッタ領域、４−ａと４−すからなるベ
ース領域、コレクタ領域、３−ｂ、コレクタ電極取り出
し領域２−ａを有する構造とする。ついで、第６図（Ｃ
）のように、エミッタ電極８ａ、ベース電極９ａ、コレ
クタ電極１０ａを形成する。さらに全体をＳｉＯ□膜で
覆い、引き出し電極取り出し穴を設け、エミッタ引き出
し電極８ｂ、ベース引き出し電極９ｂ、コレクタ引き出
し電極１０ｂを形成する（第６図（ｄ））。

以上のように構成されたＨＢＴについて、その動作につ
いて説明する。

ＨＢＴの高速動作の指標であるｆｔおよび）ｍは次のよ
うに表わされる。

ｆｔ＝１／２π（τ８＋τ８＋τ。十τ。。）ここに、
τＢ　（エミッタ空乏層走向時間）＝Ｔ８　（ＣＢｏ十
０８Ｂ＋ＣＰＢ）、τＢ　（ベース走向時間）＝Ｗ８２
　／ηＤＢ、τ。（コレクタ空乏層走向時間）＝Ｗ。／
　２　Ｖ　ｓ、τ。。（コレクタ空乏層充電時間）−（
ＲＥＥ＋Ｒｏ）（ＣＢ。

＋ＣＰＣ”ＲＢはベース抵抗、ＣＢｏはベース・コレク
タ間容量、ＣＥＢはベース・エミッタ間容量、ＣＰＢは
ベース層浮遊容量、ＣＰｏはコレクタ層浮遊容量、Ｗ８
はベース層の厚さ、Ｄ８はベース層拡散係数、Ｗｏはコ
レクタ空乏層の厚さ、Ｖｓはコレクタ走向速度、ＲＢＥ
はエミッタコンタクト抵抗、Ｒｏはコレクタ抵抗である
。

ＨＢＴはエミッタとしてベースよりもバンドギャップの
大きい半導体材料を用いることによりベースからエミッ
タへの正孔のリーク（ｎｐｎ型の場合）がおさえられる
ので、通常のＢＴと反対にベースを高ドープ、エミッタ
とコレクタを低ドープにすることができる。このことに
よりトランジスタの高速・高周波化にとって重要なベー
ス抵抗Ｒ８の低減をはかることができるのでｆｍが太き
（なる。さらに、一般にＢＴにおいてはＣＩＥＢ’ＣＢ
Ｃは接合容量のドーピングによる因子ＣＩＥＢ（ｎ、ｈ
）　、Ｃ８ｏ　（ｎ、ｈ）と接合面積Ａ８８、ＡＢＣと
の積で表わされる。ＨＢＴでは、エミッタとコレクタが
低ドープ、ベースが高ドープとなっているため、ＣＥＢ
　　（ｎ、ｈ）　、ＣＢ　Ｃ（”。

ｈ）は、エミッタ・コレクタのドーピングにのみ依存し
Ｃ６８、ＣＢｏは次のようになる。

ＣＥＢ”！・ＡＥＢ ＣＢｃｏ＝Ｊ７°ＡＢＣ したがって、ＨＢＴでは通常のＢＴに比べてＣＥＢ、Ｃ
Ｂｏが小さくなるのでτ８、τ。。が小さくなりｆｌの
増大が可能となる。また、ＣＢＢが小さくなるので前記
したＲＢが小さいことと合わせてｆｍを大きくすること
が可能となる。

このように、ＨＢＴはヘテロ構造に基づく理由により本
質的に高速化にとって有利となる。しかしながら、高速
化を一層はかるためには、これに加えて、デバイス構造
の微細化をはかり、たとえば、エミッタのサイズを小さ
くして、エミッタ・ベース間接合面積Ａｌ２Ｂを小さく
　Ｌ、Ｃ８Ｂを小さくすること、ベース・コレクタ間接
合面積ＡＢ。

を小さくしＣＢｏを小さくすること、などが重要となる
。また、外部ベース領域の抵抗（外部ベース抵抗）を小
さくすることなどがｆｔ、ｆｍを大きくするのに非常に
重要となる。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、第６図のような構造と製造方法では、Ｃ
ＥＢを小さくするためにエミッタのサイズ５ａ、６ａを
小さくし、ＣＢｏを小さくするためにベース電極取り出
し領域４−ｂの面積を小さくすると、エミッタ電極８ａ
やベース電極９ａを形成するのが極めて難しく、さらに
、エミッタ引き出し電極８ｂやベース引き出し電極９ｂ
を形成するのが極めて難しかった。また、引き出し電極
は段差のあるところに設けるため段切れを生じやすいと
いう問題点があった。また、外部ベース抵抗を小さくす
るためには、ベース電極をエミッタ・ベース接合部分に
対してできるだけ近距離に形成することが有効となるが
、これは通常のマスク合わせでは不可能に近かった。

本発明は、上記問題点に鑑み、エミッタおよびベースの
サイズが小さくても、エミッタ電極、エミッタ引き出し
電極、ベース電極、ベース引き出し電極が容易にかつ段
切れを生じずに形成でき、それに加えて、ベース電極９
がエミッタ・ベース接合部と極めて近距離に形成できる
、新しいＨＢＴの構造および製造方法を提供しようとす
るものである。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明のＨＢＴでは、Ｈ
ＢＴ形成のちとになるエピタキシー形成した多層構造材
料を用いて、ＨＢＴのベース領域に対応する部分の周辺
部を、多層構造材料の表面から少くともベースを形成す
る層まで、多くともコレクタのコンタクトを形成する層
を残すところまで不純物を導入して半絶縁性化し、エミ
ッタ部分から半絶縁性領域に伸長して存在するストライ
プ状のマスク層をもうけ、前記マスク層をマスクとして
湿式エツチングにより前記ストライプの伸長方向に沿っ
た側面の両側が実質的に垂直か、片方が実質的に垂直で
他方が逆メサ状、もしくは両方が逆メサ状となった、エ
ミッタ部分を含む、ストライプ状の突起と、その両側に
外部ベース領域を形成する工程と、前記ストライプ状突
起の全面を覆い、かつ、前記ストライプ状突起の少くと
も伸長方向の両側にカサ状に突き出したエミッタ電極金
属層を形成する工程もしくは前記工程のあと前記材料の
上面をエミッタ電極、ベース電極およびヘテロ接合バイ
ポーラトランジスタ形成材料に対して選択的に除去でき
る材料からなる保護膜で覆い、かつ異方性ドライエツチ
ング法を用いて、エミッタ電極金属の上面とベース電極
取り出し領域の上面を除去して、エミッタ電極の側壁と
前記のストライプ状に突出したエミッタ側壁部分に前記
材料からなる保護膜からなる側壁を形成する工程と、上
方向からベース電極金属を蒸着し、前記エミッタ電極金
属層のカサ、もしくは前記側壁を有するエミッタ電極金
属のカサの直下の周辺部の外部ベース領域から、ＨＢＴ
形成部の周辺部の半絶縁性領域に伸長して存在するベー
ス電極金属層を形成する工程と、を少くとも用いて、エ
ミッタ電極金属層がエミッタ引き出し電極を兼ねて、エ
ミッタ部分からＨＢＴ形成部分の周辺部の半絶縁領域に
伸長して存在し、かつ、ベース電極金属層がベース引き
出し電極を兼ねて、エミッタに極めて近接して存在し、
ＨＢＴ形成部分の周辺部の半絶縁性領域に伸長して存在
した構造を有するＨＢＴを形成する。

作用 本発明のＨＢＴの構造と製造方法では、エミッタ電極が
エミッタ引き出し電極を兼ねてセルファラインで形成さ
れ、かつ、ベース電極がベース引き出し電極を兼ねてセ
ルファラインでエミッタ・ベース接合部に対して極めて
近距離に容易に形成できる。また、極めて微小なサイズ
のＨＢＴでも形成が容易であり、このため、エミッタ・
ベース間容量ＣＩＥＢ、ベース・コレクタ間容量Ｃ８ｏ
を小さくできる。また、外部ベース抵抗が著しく小さく
なり、ベース抵抗ＲＢの低減に極めて効果がある。これ
により、ｆｔ、ｆｍの増大に著しい効果を発揮する。

実施例 以下本発明の一実施例のヘテロ接合バイポーラトランジ
スタ（ＨＢ　Ｔ）の製造方法について図面を参照しなが
ら説明する。

実施例１ 第１図は、本発明のＨＢＴの製造方法を断面図を用いて
示したものであり、第２図は、ＨＢＴの各部分の配置を
平面図に示したものである。第１図（ａ）に示すように
、（００１）ＧａＡｓ基板１の上に、コレクタのオーミ
ックコンタクトの形成を容易にするためのコレクタと同
型の高ドープのＧａＡｓ　　（ｎ”　−ＧａＡＳ）層２
、コレクタ領域を形成するためのｎ型のＧａＡｓ（ｎ−
ＧａＡＳ）層３、ベース領域を形成するためのＰ型のＧ
ａＡｓ　　（ｐ−ＧａＡｓ）層４、エミッタ領域を形成
するためのｎ型のＡ７！Ｘｃａ、−ＸＡｓ　　（Ｉｌ−
Ａ　ｎＸＧａ　＋−ｘ　Ａ　Ｓ）層５、エミッタのオー
ミックコンタク１への形成を容易にするための高ドープ
のｎ型のＧａＡｓ　（ｎ”−ＧａＡｓ）層６をこの順序
にエピタキシー形成し、多層構造材料７を形成し、つい
で、第１図（ｂｌと、第２図に示すように、ベース領域
４ｂに対応したベース島１７を、多層構造材料の表面か
ら不純物を少くともコレクタ層３に到達し、多くともコ
レクタコンタクト層２が残るように導入してベース島１
７の周辺部に半絶縁性領域１８を形成し、ついでその上
に、湿式エツチングにより下地のｎ＋−ＧａＡＳに対し
選択的に除去でき、かつ、湿式エツチングによって実質
的に侵されない材料からなる５ｔｙｘ保護膜１１をもう
け、その上に第２図に示すようにエミッタ領域から周辺
の半絶縁性領域に伸長して存在する金属Ａｆｆの仮のエ
ミッタ１２をストライプの伸長方向が＜１１０＞方向と
なるように設定してもうけ、ついで前記板の金属Ａ７！
のエミッタ１２をマスクとして異方性のドライエツチン
グを行って、第１図（Ｃ）に示すように、ＳｉＯｘ保護
膜１１と金属Ａρ１２からなる仮のエミッタ１３を形成
する。ついで、第１図（ｄｌのように、仮のエミッタ１
３をマスクとして湿式エツチングによりべ・−スを形成
するための層４までエツチングし、ストライプの伸長方
向に沿った両側が逆メサ状になった、エミッタ５−ａと
キャップ層６−ａとからなるエミッタ領域から半絶縁性
領域１８に伸長したストライプ状の突起１９を形成する
。ついで、第１図（ｅｌのように、全面をフォトレジス
ト１４でコートし、ドライエツチングにより、仮のエミ
ッタ１３の頭出しを行い、仮のエミッタをエツチング除
去し、第１図（ｆ）のように凹み１５を形成し、ついで
、エミッタ電極金属を蒸着リフト・オフし、第１図（ｇ
ｌのように、エミッタ電極金属層８がストライプ状突起
１９の上部の全面を覆い、かつ、ストライプ状突起１９
の周辺部にカサ状に突き出したエミッタ電極金属層８を
形成する。ついで、第１図（ｈ）のように、フォトリソ
グラフィー、エツチングと蒸着リフトオフの方法により
コレクタ電極１０を形成する。ついで、第１図［＋１と
第２図のように水素イオンを注入してＨＢＴの周辺部を
絶縁化し、素子間分離を行う。ついで、第２図の９の形
状のマスクを用いて、ストライプ状突起起１９のレジス
トに覆された部分の方からベース電極金属を斜め蒸着し
、リフトオフし、第１図（Ｊｌおよび第２図のように、
ベース電極金属層９を形成する。何故ならば、ストライ
プの端では、正常型のメサが形成されており、上方から
蒸着すると、エミッタ電極とベース電極が短絡するため
である。これによりベース電極金属層９が、エミッタ電
極金属のカサの直下の外部ベース領域に隣接した外部ベ
ース領域に、エミッタ・ベース接合部分に対し極めて近
距離に形成される。それと同時に、エミッタ電極金属層
９は、第２図に示すように、ＨＢＴの周辺部の半絶縁性
領域１８に伸長して存在し、ベース引き出し電極を兼ね
ている。

実施例２ 第３図は、実施例１に示した第１図（１）の構造を形成
後、ストライプ状の突出部１９に３ｉｏＸｉ膜の側壁１
６−ａをもうけ、ベース電極形成時の蒸着により蒸着金
属がエミッタの側壁部分にまわり込むことがあった場合
にそれを防ぎ、短絡を防止して信頼性を増す方法である
。まず、全面をうすい５ｔｙｘ薄膜１６で第３図（ａ）
のように覆い、ついで、異方性のドライエツチングによ
りエミッタの上部とベース電極取り出し部分の５ｔｙｘ
を除去し、第３図（ｂｌのような５ＳＯｘからなる側壁
１６−ａを形成する。ついで、実施例１に示した方法に
よりベース電極金属層を形成し、ついで、側壁の５ｉＯ
ｘ１６−ａをエツチングにより除去して、エミッタ側壁
部に回り込んで付着してベース電極金属を除去し、エミ
ッタとベース電極との短絡を防ぐ。この方法により、ベ
ース電極金属がエミッタ側壁部分に回り込んだ場合でも
、ベース電極が問題なく形成される。

実施例３ 第４図は、第１図（ａｌに示した多層構造材料７におい
て、ストライプ状の仮のエミッタ１３の伸長方向をＮ　
ＯＯ＞方向となるように設定した場合を示す。この場合
には、ストライプの伸長方向に沿った両側の壁およびス
トライプの両端の壁が、仮のエミッタ１３をマスクとし
て湿式エツチングすることにより第４図（ａｌに示すよ
うにほぼ垂直となったストライプ状突起が形成される。

ついで、実施例１と同様の方法を用いて仮のエミッタを
エミッタ電極に変換することにより、ストライプ状突起
１９の全面を覆い、かつ、ストライプ状突起１９の周辺
部分に突き出したカサ状のエミッタ電極金属層８が第４
図（ｂｌのように形成される。これを用いて、実施例１
と同様の方法により第４図（Ｃ）のように、エミッタ・
ベース接合部分に近接して存在し、かつ半絶縁性領域１
８に伸長して存在するベース電極金属層９を形成する。

ただし、この場合には、ストライプの周辺部の全域にエ
ミッタ電極のカサが形成されているので、上部からベー
ス電極金属を蒸着することができる。

実施例４ 第５図は、実施例３に示した第４図ｆｃｌにおいてベー
ス電極金属層９を形成する前に、第３図の場合と同様に
して、まず、第５図（ａｌのように、ＳｉＯｘ薄膜１６
で材料の表面を覆い、ついで異方性のドラ・イエソチン
グにより５ｉｏｘｆｆｌｌｌＫからなる側壁１６−ａを
第５図（ｂｌのように形成する。

ついで、実施例１と同様の方法を用いてベース電極金属
を蒸着・リフトオフにより形成し、ついで、５ｉＯｘｉ
膜の側壁１６−ａをエツチングにより除去し、エミッタ
側壁部についた金属を除去し、ベース電極がエミッタを
短絡するのを防止する。

実施例４の場合でも直線性の良い蒸着ビームを用いる場
合には、ベース電極がエミッタと短絡することはないが
、本実施例の場合には、蒸着ビームの直線性の良くない
場合でも極めて有効となる。

実施例１ないし４に示した仮のエミッタをマスクとする
方式では、下地の半導体材料に接触したマスクとしてＳ
ｉＯｘを用いているが、下地の半導体材料に対して選択
的に除去できる材料として、ＳｉＯｘやＳｉＮｘは一般
性のある材料として用いることができる。また、下地が
化合物半導体材料の場合には、ＧｅやＳ　１％下地の半
導体材料がＧｅやＳｉの場合には化合物半導体材料を仮
のエミッタとして用いることができる。この方式では、
仮のエミッタとして、熱処理時に下地材料と反応しない
ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘやその他の材料を選ぶことにより、
イオン注入などの熱処理を必要とするプロセスと結合で
きるメリットがある。

実施例５に示したエミッタ電極をマスクとする方式では
、下地の半導体材料の湿式エツチング時にエツチング液
に侵されない金属材料を選ぶ必要がある。また、これに
加えて熱処理時に下地の半導体材料と反応しない金属材
料を選ぶことにより熱処理を必要とするイオン注入など
のプロセスと結合できる。

実施例工ないし４では、仮のエミッタ１３をマスクとし
てベースを形成する層４までエツチングしているが、エ
ミッタを形成する層の途中までエツチングし、イオン注
入などの熱処理をともなうプロセスを実施後、エミッタ
電極金属層８を形成し、ついで、エツチングにより外部
ベース層を露出せしめた後、実施例の方法を適用するこ
ともできる。また、仮のエミッタ１３をマスクとして、
エミッタを形成する層までエツチングして、主に高ドー
プのキャップ層からなるストライプ状突起を形成し、つ
いで、イオン注入によりエミッタを形成する層の外部ベ
ース領域に対応する部分をイオン注入により外部ベース
領域に変えた後、エミッタ電極金属層を形成し、実施例
の方法を適用することもできる。

実施例１ないし４では、仮のエミッタをエミッタ電極に
かえた後、ベース電極金属層９を形成しているが、仮の
エミッタのついた状態で、仮のエミッタのカサもしくは
、仮のエミッタとストライプ状エミッタの側壁にＳｉＯ
ｘ薄膜膜をそなえた仮のエミッタのカサを利用して、ベ
ース電極金属層９を形成することもできる。

実施例２と４においては、ストライプ状突起およびエミ
ッタ電極金属層８の側壁形成材料としてＳｉＯｘ薄膜を
用いているが、エミッタ電極金属、ベース電極金属やＨ
ＢＴ形成材料に対して選択的に除去できる、Ｓ　ｉＮｘ
やその他の材料を用いることができる。

実施例１ないし４においては、ＨＢＴ形成材料としての
ＧａＡｓ−Ａｊ！ＸＧａ１−ＸＡｓ系のジンクブレンド
型材料を用いているが、これら以外のジンクブレンド型
材料にも実施例は適用できる。

また、ジンクブレンド型材料とＧｅやＳｉなどのダイヤ
モンド型材料からなる多層構造材料を用いたＨＢＴの製
造にも本実施例の方法は適用できる。

実施例１ないし４ではエピタキシー形成した（１００）
面上に、ストライプ状に突起したエミッタ領域を形成し
ているが、これ以外のエピタキシー形成した面でも用い
ることができる。たとえば、ジンクブレンドまたはダイ
ヤモンド構造型結晶の（２１１）面にエピタキシー形成
して作成した多層構造材料の面内の＜１１０＞方向に、
その伸長方向が一致するように、エミッタのストライプ
状突起を設けることができる。この場合には、一つの（
１１１）面がストライプに平行で面に垂直、一つの（１
１１）面がストライプに平行で逆メサ状に位置するので
、伸長方向に沿った両側の片側が垂直、他の側が逆メサ
状になったストライプ状エミッタを形成できる。このた
め、実施例１ないし４に示した場合と同様に、カサ状の
エミッタ電極金属層を形成することができる。このよう
に、本発明の製造方法では、実施例に示したような（１
００）成長した多層構造材料を用いて伸長方向に沿った
両側が実質的に垂直または逆メサとなったエミッタのス
トライプ状突起を形成するだけでなく、種々の結晶方位
に成長した多層構造材料を用いて、ストライプの伸長方
向の両側が垂直、逆メサ、もしくは片側が垂直、他方が
逆メサとなったストライプ状突起のエミッタ領域を形成
して、カサ状のエミッタ電極を形成する場合にも適用で
きる。

発明の効果 以上のように、本発明のＨＢＴの構造と製造方法により
、エミッタ電極がエミッタ引き出し電極を兼ねてセルフ
ァラインで形成され、かつ、ベース電極がベース引き出
し電極を兼ね、かつ、エミッタ・ベース接合部に近接し
てセルファラインで形成できる。これにより、極めて微
小なサイズのＨＢＴでも形成が容易であり、エミッタ・
ベース間接合容量ＣＥＢ、ベース・コレクタ間容量ＣＢ
ｏを著しく小さくでき、また、外部ベース抵抗を著しく
小さくできる。これらのことにより、ｆｔ、ｆｍの増大
に著しい効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第５図は本発明のＨＢＴの製造方法を示す
工程図、第６図は従来のＨＢＴの製造方法を示す工程図
である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・コレクタのオーミ
ックコンタクトの形成を容易にするための高ドープ層、
２−ａ・・・・・・コレクタ電極取り出し領域、３・・
・・・・コレクタ領域を形成するための半導体材料層、
３−ａ・・・・・・コレクタ領域、４・・・・・・ベー
ス領域を形成するための半導体材料層、４−ａ・・・・
・・ベース領域、４−ｂ・・・・・・ベース電極を取り
出すための外部ベース領域、５・・・・・・エミッタ領
域を形成するための半導体材料層、５−ａ・・・・・・
エミッタ領域、６・旧・・エミッタのオーミックコンタ
クトの形成を容易にするための高ドープ層、６−ａ・旧
・・エミッタ上部のエミッタキャップ層、７・・・・・
・エピタキシー形成した多層構造材料、８・・・・・・
エミッタ電極とエミッタ引き出し電極、９・・・・・・
ベース電極とベース引き出し電極、１０・・・・・・コ
レクタ電極、１１・・・・・・仮のエミッタを形成する
ための保護膜層、１２・・・・・・仮のエミッタの部分
の金属層、１３・・・・・・仮のエミッタ、１４・・・
・・・フォトレジスト、１５・・・・・・フォトレジス
ト１４中にエミッタ部分に形成された凹み、１６・・・
・・・エミッタ電極およびエミッタ領域の側壁を形成す
るための保護膜、１６−ａ・・・・・・保護膜１６より
形成されたエミッタ電極およびエミッタ領域の側壁、１
７・・・・・・ベース島、１８・・・・・・ＨＢＴ内部
の半絶縁性領域、１９・・・・・・ＨＢＴ外部の絶縁性
領域、２０・・・・・・ＨＢＴ外部の絶縁性領域。 代理人の氏名　弁理士　中尾敏男　はか１名ＯｏＯ寸つ 煉　　　０　　　　　　　　　か １′１ ＼Ｎ　　　　　　　　づ　　　　寸　　　　つさ 飴　　　　　　（と Ｉ Ｑ淘 り ９　　　　　　　　　ｌ乙ｄ−９浬 第３図 第４図 第５図 第６図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）バイポーラトランジスタのエミッタとコレクタの
   うち、少くともエミッタとしてベースよりもバンドギャ
   ップの大きい半導体材料を用い、前記エミッタを上側に
   設けたヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、エ
   ミッタ部分から前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
   の周辺部に隣接して設けた半絶縁性領域に伸長したスト
   ライプ状の突起であって、前記ストライプ状突起の上部
   の全面を覆い、かつ、前記ストライプ状突起の周辺部に
   カサ状に突出したエミッタ電極金属層と、前記エミッタ
   電極金属のカサの下部の外部ベース領域に隣接した外部
   ベース部分から前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
   の周辺部の半絶縁性領域に伸長して存在するベース電極
   金属層とを有することを特徴とするヘテロ接合バイポー
   ラトランジスタ。
2. （２）バイポーラトランジスタのエミッタとコレクタの
   うち少くともエミッタとしてベースよりもバンドギャッ
   プの大きい半導体材料を用い、前記エミッタを上側に設
   けた前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタを、前記エ
   ミッタ形成のためのバンドギャップの大きい半導体材料
   層、前記ベース形成のための半導体材料層および前記コ
   レクタ形成のための半導体材料層を少くとも含むエピタ
   キシー形成した多層構造材料から形成する製造プロセス
   において、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタのベ
   ース領域に対応する部分の周辺部を、前記多層構造材料
   の上部から少くともベース層まで、多くともコレクタ・
   コンタクト層を残すところまで不純物を導入して半絶縁
   性化する工程と、前記多層構造材料の表面に保護層を設
   け、前記保護層の上に前記エミッタから前記ヘテロ接合
   バイポーラトランジスタに隣接する前記半絶縁性領域に
   伸長したストライプ状のマスク材料層を形成する工程と
   、前記マスク材料層の周辺部の前記保護層を除去し、か
   つ、前記マスク材料層の周辺部の前記多層構造材料を、
   エッチングしてストライプ状の突起を形成し、かつ、前
   記ストライプ状突起の周辺部に外部ベース領域を形成す
   る工程と、前記多層構造材料の上部をフォトレジストで
   コートし、ドライエッチングにより前記フォトレジスト
   をエッチングして前記エミッタの上部に形成された前記
   マスク材料層もしくは前記保護層の頭出しを行ったのち
   、前記マスク材料層および前記保護層をエッチング除去
   し、前記エミッタ周辺部に残されたフォトレジストを用
   いてエミッタ電極金属を蒸着しリフトオフし、前記スト
   ライプ状突起の上面の全面を覆い、かつ、前記ストライ
   プ状突起の周辺部にカサ状に突き出したエミッタ電極金
   属層を設ける工程もしくは前記工程のあと、前記材料の
   上面をエミッタ電極、ベース電極およびヘテロ接合バイ
   ポーラトランジスタ形成材料に対して選択的に除去でき
   る材料からなる保護層で覆い、かつ、異方性のドライエ
   ッチング法を用いて、エミッタ電極金属の上面とベース
   電極金属の側壁と前記上面に突出したエミッタ部分の側
   壁に前記材料からなる保護膜を形成する工程と、上方向
   からベース電極金属を蒸着し、前記エミッタ電極金属の
   カサもしくはエミッタ電極金属と前記側壁からなるカサ
   の直下の外部ベース領域に隣接した外部ベース領域から
   前記の周辺部の半絶縁性領域に伸長して存在するベース
   電極金属層を設ける工程、とを少くとも有すること ■■■■■驛wテロ接合バイポーラトランジスタの製造
   方法。