JPS63200866A - 光デイスク保護膜のコ−テイング方法 - Google Patents
光デイスク保護膜のコ−テイング方法Info
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- JPS63200866A JPS63200866A JP3253687A JP3253687A JPS63200866A JP S63200866 A JPS63200866 A JP S63200866A JP 3253687 A JP3253687 A JP 3253687A JP 3253687 A JP3253687 A JP 3253687A JP S63200866 A JPS63200866 A JP S63200866A
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Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光ディスクに係り、特に光ディスク保護膜の
コーティング方法に関する。
コーティング方法に関する。
光ディスク基体表面に樹脂を均一に被覆して保護膜を形
成する光ディスク保護膜のコーティング方法として、例
えば特公昭６１−５７９４号公報に記載のようなスピン
コード法が知られている。
成する光ディスク保護膜のコーティング方法として、例
えば特公昭６１−５７９４号公報に記載のようなスピン
コード法が知られている。
特に光ディスク基体（以下、単にディスクと称す）の保
護膜形成領域の最内周部にスタンバ−のクランピング用
の溝やスペーサ等の突起がある型式の光ディスクでは、
線溝あるいは突起を最内周エツジとして樹脂をドーナツ
状に塗布する所謂中心部滴下法を用いた低速回転塗布あ
るいは停止塗布から高速回転による樹脂ののばしと余剰
樹脂の振り切りによる均一塗布法が有効である。しかし
ながら、上記の塗布方法では、ディスクの回転が低速回
転状態あるいは停止状態から高速回転状態に変化する際
に、その急激な遠心力の変化によって滴下した樹脂が中
周部から外周部へ急速に流れる際に、気泡をまき込んだ
り、あるいは大量の樹脂が急激に振り切られるために生
ずるミストがディスク表面、特にディスククランプエリ
アへはね返える現象が起る。
護膜形成領域の最内周部にスタンバ−のクランピング用
の溝やスペーサ等の突起がある型式の光ディスクでは、
線溝あるいは突起を最内周エツジとして樹脂をドーナツ
状に塗布する所謂中心部滴下法を用いた低速回転塗布あ
るいは停止塗布から高速回転による樹脂ののばしと余剰
樹脂の振り切りによる均一塗布法が有効である。しかし
ながら、上記の塗布方法では、ディスクの回転が低速回
転状態あるいは停止状態から高速回転状態に変化する際
に、その急激な遠心力の変化によって滴下した樹脂が中
周部から外周部へ急速に流れる際に、気泡をまき込んだ
り、あるいは大量の樹脂が急激に振り切られるために生
ずるミストがディスク表面、特にディスククランプエリ
アへはね返える現象が起る。
第７図は従来技術による塗布方法における気泡のまき込
みとミストの発生を説明する概念図であって、１はディ
スク、２はセンタホール、３はディスククランプエリア
、４はスタンバ−のクランピング溝、５はディスク外周
側面部、６は樹脂、７は気泡、８はミストである。同図
に示すように、ディスク１を低速回転域又は停止状態か
ら急速に回転させると、樹脂６はその下層がディスク面
に対する粘着により流れが遅く、上層は遠心力によって
外周方向に上記下層より速く移動するため、上層と下層
の間に気泡７を巻き込んでしまう。それにより、樹脂の
塗膜にムラが生じる。また、ミスト８が樹脂の塗膜やデ
ィスククランプエリア３にはね返って付着し、該樹脂塗
膜のムラを生し、ディスククランプエリア３に付着して
該クランプエリアの平坦性を阻害してしまい、また外観
上きわめて不都合なものとなる、等の欠点をまねく。
みとミストの発生を説明する概念図であって、１はディ
スク、２はセンタホール、３はディスククランプエリア
、４はスタンバ−のクランピング溝、５はディスク外周
側面部、６は樹脂、７は気泡、８はミストである。同図
に示すように、ディスク１を低速回転域又は停止状態か
ら急速に回転させると、樹脂６はその下層がディスク面
に対する粘着により流れが遅く、上層は遠心力によって
外周方向に上記下層より速く移動するため、上層と下層
の間に気泡７を巻き込んでしまう。それにより、樹脂の
塗膜にムラが生じる。また、ミスト８が樹脂の塗膜やデ
ィスククランプエリア３にはね返って付着し、該樹脂塗
膜のムラを生し、ディスククランプエリア３に付着して
該クランプエリアの平坦性を阻害してしまい、また外観
上きわめて不都合なものとなる、等の欠点をまねく。
上記したように、従来技術による保護膜は種々の欠点を
有しており、性能、外観ともに十分満足のいく保護膜を
得ることが困難であった。
有しており、性能、外観ともに十分満足のいく保護膜を
得ることが困難であった。
本発明は、上記従来技術の欠点をなくし、必要な領域に
のみ均一な保護膜を形成することを可能にした光ディス
ク保護膜のコーティング方法を提供することを目的とす
る。
のみ均一な保護膜を形成することを可能にした光ディス
ク保護膜のコーティング方法を提供することを目的とす
る。
上記目的は、ディスクを低速回転域で回転させた状態又
は停止状態で、該ディスクの前記溝あるいは突起を内周
側エツジとする内周部にドーナツ状の同心円となるよう
に滴下し、次に中速回転域で該ディスクを回転させて樹
脂を保護膜形成領域全面にのばして塗布し、その後高速
回転域で余剰の樹脂を振り切り、最後に高速回転域から
急激にブレーキングをかけてディスクを停止させること
によって、達成される。
は停止状態で、該ディスクの前記溝あるいは突起を内周
側エツジとする内周部にドーナツ状の同心円となるよう
に滴下し、次に中速回転域で該ディスクを回転させて樹
脂を保護膜形成領域全面にのばして塗布し、その後高速
回転域で余剰の樹脂を振り切り、最後に高速回転域から
急激にブレーキングをかけてディスクを停止させること
によって、達成される。
上記ディスクの停止状態で樹ｍを滴下する際は、滴下し
た樹脂がその表面張力によって上記溝に入り込まず、ま
た突起がある形式のディスクの場合は、該突起を越えて
樹脂がディスク内周（ディスククランプエリア）に入り
込まない様な位置で該樹脂を滴下する。また、上記ディ
スクの低速回転域の回転数は、用いる樹脂の粘度および
ディスクに対する濡れ性に依存し、滴下された樹脂が上
記溝あるいは突起を越えて上記内周に流れて入り込まな
い程度の遠心力が該樹脂にかかる回転数である。
た樹脂がその表面張力によって上記溝に入り込まず、ま
た突起がある形式のディスクの場合は、該突起を越えて
樹脂がディスク内周（ディスククランプエリア）に入り
込まない様な位置で該樹脂を滴下する。また、上記ディ
スクの低速回転域の回転数は、用いる樹脂の粘度および
ディスクに対する濡れ性に依存し、滴下された樹脂が上
記溝あるいは突起を越えて上記内周に流れて入り込まな
い程度の遠心力が該樹脂にかかる回転数である。
内周部に樹脂をドーナツ状に滴下したのち、ディスクを
中速回転域で回転させて滴下した樹脂をディスクの保護
膜形成領域全面にのばして塗布する。この中速回転域の
回転数も樹脂の滴下時と同様に、該樹脂の粘度、濡れ性
等の諸性質に依存するが、樹脂がディスク外周エツジ部
に達した際に振り切られて、ディスクの側面部にダした
り、ディスクの裏面部へのまわり込みが発生しない程度
の遠心力が作用する回転数に選択される。中速回転域の
回転数がこれより高いと、滴下した樹脂がディスク面上
を急速に流れるため、途中で気泡を巻き込んだり、振り
切られた樹脂が大量のミストとなってディスク上にはね
返ってしまう。
中速回転域で回転させて滴下した樹脂をディスクの保護
膜形成領域全面にのばして塗布する。この中速回転域の
回転数も樹脂の滴下時と同様に、該樹脂の粘度、濡れ性
等の諸性質に依存するが、樹脂がディスク外周エツジ部
に達した際に振り切られて、ディスクの側面部にダした
り、ディスクの裏面部へのまわり込みが発生しない程度
の遠心力が作用する回転数に選択される。中速回転域の
回転数がこれより高いと、滴下した樹脂がディスク面上
を急速に流れるため、途中で気泡を巻き込んだり、振り
切られた樹脂が大量のミストとなってディスク上にはね
返ってしまう。
なお、滴下した樹脂をディスク面上にのばす方法として
、上記のように中速回転域の回転数を−定値に設定する
以外に、前記低速回転域の回転数から高速回転域の回転
数に立上るスロープ時間を緩やかにする、すなわち低速
回転域から高速回転域への移行時間を大きくして、その
間の回転数の増加期間を中速回転域としても同様の効果
が得られる。ただし、滴下した樹脂がディスクの外周部
エツジに達する時点での回転数が前記した一定回転数に
設定する中速回転域の回転数になっているようにする。
、上記のように中速回転域の回転数を−定値に設定する
以外に、前記低速回転域の回転数から高速回転域の回転
数に立上るスロープ時間を緩やかにする、すなわち低速
回転域から高速回転域への移行時間を大きくして、その
間の回転数の増加期間を中速回転域としても同様の効果
が得られる。ただし、滴下した樹脂がディスクの外周部
エツジに達する時点での回転数が前記した一定回転数に
設定する中速回転域の回転数になっているようにする。
中速回転域での回転で、滴下した樹脂がディスクの所要
領域全面に塗布された後、該ディスクを高速回転域で回
転させることにより、余剰の樹脂を振り切って所定の膜
厚の均一な樹脂塗膜を得る。
領域全面に塗布された後、該ディスクを高速回転域で回
転させることにより、余剰の樹脂を振り切って所定の膜
厚の均一な樹脂塗膜を得る。
この高速回転域での回転により振り切られる樹脂は極小
量であるので、この回転域では気泡やミストが発生する
ことはほとんどない。
量であるので、この回転域では気泡やミストが発生する
ことはほとんどない。
上記高速回転域での回転によって、塗布された樹脂が均
一化されても、ディスクの外周部エツジでは、樹脂の表
面張力と遠心力とが釣り合った状態で、わずかながら樹
脂が溜って該エツジの塗膜が不均一な厚さとなる。そこ
で、上記高速回転域での回転の最終段階でディスクに急
激なブレーキングをかける。これにより、上記エツジに
おける樹脂の溜りの振り切りを行ってディスク外周側面
のダレを防止すると共に、ディスク周方向の樹脂塗膜の
膜厚の均一化をさらに図ることができる。
一化されても、ディスクの外周部エツジでは、樹脂の表
面張力と遠心力とが釣り合った状態で、わずかながら樹
脂が溜って該エツジの塗膜が不均一な厚さとなる。そこ
で、上記高速回転域での回転の最終段階でディスクに急
激なブレーキングをかける。これにより、上記エツジに
おける樹脂の溜りの振り切りを行ってディスク外周側面
のダレを防止すると共に、ディスク周方向の樹脂塗膜の
膜厚の均一化をさらに図ることができる。
低速回転域又は静止状態で樹脂をその中周部に滴下した
ディスクを、中速回転域で回転させて所要領域全面にの
ばすと共に余剰の樹脂のほとんどを振り切り、高速回転
域での回転で所要の膜厚を有する均一な樹脂塗膜を得、
かつ残存の余剰樹脂を振り切り、最後に高速回転域から
の急激なブレーキングにより外周部エツジの樹脂溜りの
除去とディスク周方向の膜厚のさらに均一化を図り、保
護膜形成領域の全域に均一な膜厚でかつ表面性の極めて
良好な保護膜を形成する。
ディスクを、中速回転域で回転させて所要領域全面にの
ばすと共に余剰の樹脂のほとんどを振り切り、高速回転
域での回転で所要の膜厚を有する均一な樹脂塗膜を得、
かつ残存の余剰樹脂を振り切り、最後に高速回転域から
の急激なブレーキングにより外周部エツジの樹脂溜りの
除去とディスク周方向の膜厚のさらに均一化を図り、保
護膜形成領域の全域に均一な膜厚でかつ表面性の極めて
良好な保護膜を形成する。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明による光ディスク保護膜のコーティング
方法の一実施例を説明するためのディスク上面図、第２
図は第１図のＡ−Ａ ’断面図であって、１はディスク
、２はセンタホール、３はディスククランプエリア、４
はスタンバのクランピング溝、５はディスク外周側面部
、６は樹脂、９はノズルである。
方法の一実施例を説明するためのディスク上面図、第２
図は第１図のＡ−Ａ ’断面図であって、１はディスク
、２はセンタホール、３はディスククランプエリア、４
はスタンバのクランピング溝、５はディスク外周側面部
、６は樹脂、９はノズルである。
同図において、ディスク１はその保護膜形成領域の最内
周部にスタンバのクランピング溝４を有した型式のもの
であり、中央にセンタホール、該センタホールの外周に
ディスククランプエリアを有している。なお、この実施
例ではスタンバのクランピング溝４を有する型式の光デ
ィスクに適用した例であるが、保護膜形成領域の最内周
部とスペーサ用としての突起を有する型式の光ディスク
に対しても同様に本発明を適用できるものである。
周部にスタンバのクランピング溝４を有した型式のもの
であり、中央にセンタホール、該センタホールの外周に
ディスククランプエリアを有している。なお、この実施
例ではスタンバのクランピング溝４を有する型式の光デ
ィスクに適用した例であるが、保護膜形成領域の最内周
部とスペーサ用としての突起を有する型式の光ディスク
に対しても同様に本発明を適用できるものである。
さて、第１図、第２図に示したように、ディスク１に保
護膜をコーティングする第１段階として、ディスク１を
低速回転域で回転させつつ保護膜となる樹脂６をノズル
９等により、該ディスクｌの溝４の外縁をその最内周エ
ツジとしてドーナツ状に滴下する。このときの回転数は
、ディスク径を１３０ｎφとし、滴下する樹脂の粘度を
３０ＣｐＳの無溶剤型紫外線硬化樹脂とし、滴下量を約
３ｇとしたとき、３０〜６０ ｒ ｐｍ （好ましくは
４０ｒｐｍ）に選定する。なお、ディスク１を回転させ
ずに樹脂をドーナツ状に滴してもよいが、ここでは低速
回転域の回転数４０ｒｐｍでディスク１を回転させつつ
樹脂を滴下する方法により説明する。
護膜をコーティングする第１段階として、ディスク１を
低速回転域で回転させつつ保護膜となる樹脂６をノズル
９等により、該ディスクｌの溝４の外縁をその最内周エ
ツジとしてドーナツ状に滴下する。このときの回転数は
、ディスク径を１３０ｎφとし、滴下する樹脂の粘度を
３０ＣｐＳの無溶剤型紫外線硬化樹脂とし、滴下量を約
３ｇとしたとき、３０〜６０ ｒ ｐｍ （好ましくは
４０ｒｐｍ）に選定する。なお、ディスク１を回転させ
ずに樹脂をドーナツ状に滴してもよいが、ここでは低速
回転域の回転数４０ｒｐｍでディスク１を回転させつつ
樹脂を滴下する方法により説明する。
滴下した樹脂６は第１図に示したように溝４の外周にド
ーナツ状に塗布される。この状態でのディスク上の樹脂
は、第２図に示したように、その表面張力で保持される
最内周エツジが溝４の外周に対して接するように位置さ
せる。もし、滴下した樹脂が上記のようなドーナツ状、
すなわちセンタホール２）溝４と同心円状となっていな
いと、ディスクの中速、高速回転に伴ってディスク面上
での樹脂の濡れにムラが生じ、ディスク外周部エツジか
ら樹脂が流れ出、側面部５にムラのある樹脂ダレをもた
らす。
ーナツ状に塗布される。この状態でのディスク上の樹脂
は、第２図に示したように、その表面張力で保持される
最内周エツジが溝４の外周に対して接するように位置さ
せる。もし、滴下した樹脂が上記のようなドーナツ状、
すなわちセンタホール２）溝４と同心円状となっていな
いと、ディスクの中速、高速回転に伴ってディスク面上
での樹脂の濡れにムラが生じ、ディスク外周部エツジか
ら樹脂が流れ出、側面部５にムラのある樹脂ダレをもた
らす。
上記ディスクの低速回転域の回転数を３０〜６Ｑｒｐｍ
より大きくすると、滴下した樹脂が外周に流れてドーナ
ツ状に保持することができない。
より大きくすると、滴下した樹脂が外周に流れてドーナ
ツ状に保持することができない。
低速回転域でディスク１を回転させつつ樹脂をドーナツ
状に滴下した後、該ディスク１を中速回転域で回転させ
る。この中速回転域の回転数は５００〜２００Ｏｒｐｍ
の範囲に設定する。
状に滴下した後、該ディスク１を中速回転域で回転させ
る。この中速回転域の回転数は５００〜２００Ｏｒｐｍ
の範囲に設定する。
第３図は中速回転域でディスクを回転させて余剰樹脂を
振り切る説明図であって、滴下された樹脂６がディスク
１の中速回転により外周方向に流れて該ディスクの最外
周部エツジから該余剰樹脂６′がぞの遠心力が樹脂の表
面張力に勝ってディスクから離脱することのできる回転
数で回転させるものである。このような中速回転域を設
けることにより、滴下しｊこ樹脂６はディスク面上を徐
々に濡らしながら外周部に到達し、その途中で樹脂中に
気泡を巻き込んだり、大量のミストが発生してディスク
面に不所望なはね返りをするという問題がなくなる。逆
に上記中速回転域の回転数を５００ｒｐｍ以下にすると
、ディスク外周部に達した余剰の樹脂が振り切られずに
、該ディスク外側面にブレをつくったり、裏面まで廻り
込んだりする不所望の事態が起り易い。
振り切る説明図であって、滴下された樹脂６がディスク
１の中速回転により外周方向に流れて該ディスクの最外
周部エツジから該余剰樹脂６′がぞの遠心力が樹脂の表
面張力に勝ってディスクから離脱することのできる回転
数で回転させるものである。このような中速回転域を設
けることにより、滴下しｊこ樹脂６はディスク面上を徐
々に濡らしながら外周部に到達し、その途中で樹脂中に
気泡を巻き込んだり、大量のミストが発生してディスク
面に不所望なはね返りをするという問題がなくなる。逆
に上記中速回転域の回転数を５００ｒｐｍ以下にすると
、ディスク外周部に達した余剰の樹脂が振り切られずに
、該ディスク外側面にブレをつくったり、裏面まで廻り
込んだりする不所望の事態が起り易い。
中速回転域での回転後、ディスク１を高速回転域で回転
させ、塗布した樹脂の膜厚を所望の厚さく例えば、数μ
ｍ〜数十μｍ）にすると共に、残存していた余剰樹脂を
振り切る。この高速回転域の回転数は、例えば３０００
ｒ ｐｍである。
させ、塗布した樹脂の膜厚を所望の厚さく例えば、数μ
ｍ〜数十μｍ）にすると共に、残存していた余剰樹脂を
振り切る。この高速回転域の回転数は、例えば３０００
ｒ ｐｍである。
そして、高速回転域での回転の最終段階で、ディスクに
ブレーキングをかけて急激に停止させる。
ブレーキングをかけて急激に停止させる。
これにより、ディスク１の最外周部エツジに、表面張力
によて滞留している若干の余剰樹脂を振り切る。
によて滞留している若干の余剰樹脂を振り切る。
第４図はディスクの高速回転域での回転により所要の膜
厚の樹脂塗膜を形成すると共に残存樹脂の振り切りを行
う段階を説明するための断面図であって、ディスク１の
高速回転でディスクの保護膜形成領域全面に所要の厚さ
の樹脂膜６を形成するとともに残存樹脂６＃を振り切っ
て、ディスク外周部エツジに表面張力によって不要の樹
脂が残ることを防止し、その後の急速なブレーキングで
ディスク周方向の膜厚の不均一性をなくしている。
厚の樹脂塗膜を形成すると共に残存樹脂の振り切りを行
う段階を説明するための断面図であって、ディスク１の
高速回転でディスクの保護膜形成領域全面に所要の厚さ
の樹脂膜６を形成するとともに残存樹脂６＃を振り切っ
て、ディスク外周部エツジに表面張力によって不要の樹
脂が残ることを防止し、その後の急速なブレーキングで
ディスク周方向の膜厚の不均一性をなくしている。
第５図は本発明の一実施例の樹脂塗布過程を説明する時
間・回転数関係図であって、ディスクの低速回転域（回
転数４Ｏｒｐｍ）又は停止状態において樹脂の滴下を行
ない、中速回転域（回転数５００〜２０００ｒｐｍの一
定回転数）で該樹脂がディスクの保護膜形成領域全面に
塗布されるよう２〜３秒間の時間に濡らしを行うと共に
、余剰樹脂を振り切り、高速回転域（回転数３００゜ｒ
ｐｍ）で樹脂の膜厚を設定すると共に残存樹脂を振り切
り、最後に急速ブレーキングでディスク外周部エツジの
滞留樹脂を除去することを示している。
間・回転数関係図であって、ディスクの低速回転域（回
転数４Ｏｒｐｍ）又は停止状態において樹脂の滴下を行
ない、中速回転域（回転数５００〜２０００ｒｐｍの一
定回転数）で該樹脂がディスクの保護膜形成領域全面に
塗布されるよう２〜３秒間の時間に濡らしを行うと共に
、余剰樹脂を振り切り、高速回転域（回転数３００゜ｒ
ｐｍ）で樹脂の膜厚を設定すると共に残存樹脂を振り切
り、最後に急速ブレーキングでディスク外周部エツジの
滞留樹脂を除去することを示している。
第５図は本発明の他の実施例の樹脂塗布過程を説明する
時間・回転数関係図であって、この実施例の場合はディ
スクの中速回転域での回転数は低速回転域（回転数４Ｏ
ｒｐｍ）から高速回転域（回転数３０００ｒｐｍ）に亘
って連続的に増加する回転数としている。そして、この
連続的に回転数を増加させる中速回転域の時間は０．１
〜２．０秒程度である。このように、低速回転域から高
速回転域に至る回転数の立上りスロープを緩やかにする
（時間をかける）ことによって、樹脂が気泡を巻き込ん
だり、振り切られた余剰樹脂がミストとなってディスク
クランプエリアを含むディスク面にはね返って表面性を
阻害することはない。
時間・回転数関係図であって、この実施例の場合はディ
スクの中速回転域での回転数は低速回転域（回転数４Ｏ
ｒｐｍ）から高速回転域（回転数３０００ｒｐｍ）に亘
って連続的に増加する回転数としている。そして、この
連続的に回転数を増加させる中速回転域の時間は０．１
〜２．０秒程度である。このように、低速回転域から高
速回転域に至る回転数の立上りスロープを緩やかにする
（時間をかける）ことによって、樹脂が気泡を巻き込ん
だり、振り切られた余剰樹脂がミストとなってディスク
クランプエリアを含むディスク面にはね返って表面性を
阻害することはない。
なお、この実施例における立上りスロープの時間を０．
１秒以下にすると、前記従来技術と同様に気泡の巻き込
みやミストが発生してしまうことが実験により確認され
た。
１秒以下にすると、前記従来技術と同様に気泡の巻き込
みやミストが発生してしまうことが実験により確認され
た。
以上の各実施例は、ディスク径を！３０ｍｍ、使用樹脂
の粘度を３０ＣｐＳ、樹脂使用量を３ｇとしたものであ
るが、本発明はこれに限るものではなく、対象とするデ
ィスクの大きさ、樹脂の粘度あるいは環境条件に応じて
中速回転域の回転数、その持続時間、立上りスロープの
時間を設定することにより、所要膜厚の保護膜を均一に
形成すると共に外観をも良好な光ディスクを製作できる
ものである。
の粘度を３０ＣｐＳ、樹脂使用量を３ｇとしたものであ
るが、本発明はこれに限るものではなく、対象とするデ
ィスクの大きさ、樹脂の粘度あるいは環境条件に応じて
中速回転域の回転数、その持続時間、立上りスロープの
時間を設定することにより、所要膜厚の保護膜を均一に
形成すると共に外観をも良好な光ディスクを製作できる
ものである。
〔発明の効果ゴ
以上説明したように、本発明によれば、光ディスク基体
の保護膜形成領域最内周部に溝あるいは突起を有する型
式の光ディスクに前記保護膜形成のための樹脂を塗布す
るコーティング方法として、低速回転又は停止状態のデ
ィスク基体の中周部にドーナツ状に樹脂を滴下した後、
一定回転数を含む中速回転又は低速回転から高速回転に
至る緩やかな立上りスロープで回転数が変化する中速回
転域を設けて、この中速回転域において、ディスクの保
護膜形成領域全面に樹脂を塗布し、かつ余剰樹脂をほぼ
振り切ってから高速回転によって所要膜厚の樹脂塗膜を
得ると共に残存する不要樹脂を除去し、最後に急速なブ
レーキングによってディスクを急激に停止させる過程を
採用することによって、樹脂塗膜への気泡の巻き込みや
、振り切った樹脂のミストによる該塗膜へのはね返りを
防止して、均一な膜厚を有し、かつ外観上もきれいな保
護膜を有した光ディスクを提供することができる。
の保護膜形成領域最内周部に溝あるいは突起を有する型
式の光ディスクに前記保護膜形成のための樹脂を塗布す
るコーティング方法として、低速回転又は停止状態のデ
ィスク基体の中周部にドーナツ状に樹脂を滴下した後、
一定回転数を含む中速回転又は低速回転から高速回転に
至る緩やかな立上りスロープで回転数が変化する中速回
転域を設けて、この中速回転域において、ディスクの保
護膜形成領域全面に樹脂を塗布し、かつ余剰樹脂をほぼ
振り切ってから高速回転によって所要膜厚の樹脂塗膜を
得ると共に残存する不要樹脂を除去し、最後に急速なブ
レーキングによってディスクを急激に停止させる過程を
採用することによって、樹脂塗膜への気泡の巻き込みや
、振り切った樹脂のミストによる該塗膜へのはね返りを
防止して、均一な膜厚を有し、かつ外観上もきれいな保
護膜を有した光ディスクを提供することができる。
第１図は本発明の一実施例を説明するためのディスク上
面図、第２図は第１図のＡ−Ａ ′断面図、第３図は中
速回転域での余剰樹脂の振り切りを説明するディスク断
面図、第４図は高速回転域での所要膜厚設定及び残存樹
脂の振り切りを説明するディスク断面図、第５図は本発
明の一実施例の樹脂塗布過程を説明する時間・回転数関
係図、第６図は本発明の他の実施例の樹脂塗布過程を説
明する時間・回転数関係図、第７図は従来技術の塗布方
法における気泡の巻き込みとミストの発生を説明するデ
ィスク断面図である。 ｌ・・・・・・光ディスク基体、２・・・・・・センタ
ホール、３・・・・・・ディスククランプエリア、４・
・・・・・クランピング溝、５・・・・・・ディスク外
周側面部、６・・・・・・樹脂、７・・・・・・気泡、
８・・・・・・ミスト、９・・・・・・ノズル。 ！ｌＥ ２・ センタホール ６ ・桐月１３
・ディスククランプエリア ＷＥ２図 第 ３図 第４図 第７図
面図、第２図は第１図のＡ−Ａ ′断面図、第３図は中
速回転域での余剰樹脂の振り切りを説明するディスク断
面図、第４図は高速回転域での所要膜厚設定及び残存樹
脂の振り切りを説明するディスク断面図、第５図は本発
明の一実施例の樹脂塗布過程を説明する時間・回転数関
係図、第６図は本発明の他の実施例の樹脂塗布過程を説
明する時間・回転数関係図、第７図は従来技術の塗布方
法における気泡の巻き込みとミストの発生を説明するデ
ィスク断面図である。 ｌ・・・・・・光ディスク基体、２・・・・・・センタ
ホール、３・・・・・・ディスククランプエリア、４・
・・・・・クランピング溝、５・・・・・・ディスク外
周側面部、６・・・・・・樹脂、７・・・・・・気泡、
８・・・・・・ミスト、９・・・・・・ノズル。 ！ｌＥ ２・ センタホール ６ ・桐月１３
・ディスククランプエリア ＷＥ２図 第 ３図 第４図 第７図
Claims (3)
- （１）クランプエリア外周部に溝又は突起を有する光デ
ィスクの表面に樹脂を被覆して保護膜を形成する光ディ
スク保護膜のコーティング方法において、前記保護膜を
施すべき光ディスク基体を低速回転域で回転させた状態
で、又は静止させた状態で上記光ディスク基体の前記溝
又は突起の外縁部を含む中周部に樹脂をドーナツ状に塗
布し、次に上記光ディスク基体を中速回転域で回転させ
て上記光ディスク基体の前記保護膜を形成すべき全面領
域に上記樹脂を均一にのばして塗布したのち、上記光デ
ィスク基体を高速回転域で回転させて余剰の樹脂を振り
切つて上記全面領域に所定の膜厚の樹脂塗膜を形成し、
最後に上記光ディスク基体を上記高速回転域から急激に
停止させて上記光ディスク基体の外周部における樹脂だ
まり分を振り切ることにより、表面性の良好な保護膜を
形成する様にしたことを特徴とする光ディスク保護膜の
コーティング方法。 - （２）特許請求の範囲第（１）項記載の光ディスク保護
膜のコーティング方法において、前記中速回転域の回転
数は前記低速回転域の回転数より高く前記高速回転域の
回転数より低い一定回転数の回転を含むことを特徴とす
る光ディスク保護膜のコーティング方法。 - （３）特許請求の範囲第（１）項記載の光ディスク保護
膜のコーティング方法において、前記中速回転域の回転
は前記低速回転域の回転数から前記高速回転域の回転数
に至る回転数が緩やかに増加する回転であることを特徴
とする光ディスク保護膜のコーティング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62032536A JP2502562B2 (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 光デイスク保護膜のコ−テイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62032536A JP2502562B2 (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 光デイスク保護膜のコ−テイング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63200866A true JPS63200866A (ja) | 1988-08-19 |
| JP2502562B2 JP2502562B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=12361661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62032536A Expired - Fee Related JP2502562B2 (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 光デイスク保護膜のコ−テイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2502562B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH064910A (ja) * | 1992-06-19 | 1994-01-14 | Sharp Corp | 光ディスクの製造方法 |
| JPH0840724A (ja) * | 1994-08-02 | 1996-02-13 | Toda Kogyo Corp | 球状複合体粒子粉末及びその製造方法 |
| WO1999024239A1 (en) * | 1997-11-12 | 1999-05-20 | First Light Technology, Inc. | System and method for distributing a resin disposed between a top substrate and a bottom substrate |
| US6214412B1 (en) | 1998-05-19 | 2001-04-10 | First Light Technologies, Inc. | System and method for distributing a resin disposed between a top substrate and a bottom substrate |
| WO2004010428A1 (ja) * | 2002-07-18 | 2004-01-29 | Fujitsu Limited | 記録媒体、樹脂のスピンコート方法及び光磁気ディスク装置 |
| JP2004095108A (ja) * | 2002-09-03 | 2004-03-25 | Global Mach Kk | 光学記録媒体の製造方法 |
| EP1669990A2 (en) * | 2004-12-09 | 2006-06-14 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Apparatus and method of initializing phase-change optical disk |
| JP2015008182A (ja) * | 2013-06-25 | 2015-01-15 | 株式会社リコー | 強誘電体膜の成膜方法並びに成膜装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS615794A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-11 | Sumitomo Chem Co Ltd | 光学活性ベンジルアルコ−ル化合物の製造法 |
| JPS6164364A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-04-02 | Sharp Corp | 塗布膜形成法 |
-
1987
- 1987-02-17 JP JP62032536A patent/JP2502562B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS615794A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-11 | Sumitomo Chem Co Ltd | 光学活性ベンジルアルコ−ル化合物の製造法 |
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Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2004010428A1 (ja) * | 2002-07-18 | 2004-01-29 | Fujitsu Limited | 記録媒体、樹脂のスピンコート方法及び光磁気ディスク装置 |
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| EP1669990A2 (en) * | 2004-12-09 | 2006-06-14 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Apparatus and method of initializing phase-change optical disk |
| EP1669990A3 (en) * | 2004-12-09 | 2007-08-08 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Apparatus and method of initializing phase-change optical disk |
| US7558187B2 (en) | 2004-12-09 | 2009-07-07 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Apparatus and method of initializing phase-change optical disk |
| JP2015008182A (ja) * | 2013-06-25 | 2015-01-15 | 株式会社リコー | 強誘電体膜の成膜方法並びに成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2502562B2 (ja) | 1996-05-29 |
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