JPS63193971A - 透明導電性被膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は表面硬度に優れた導電性、帯電防止性を有する
透明被膜に関するものである。とくに被膜の厚みを厚く
することが可能なことから耐久性に優れた透明導電性被
膜に関するものである。

［従来の技術］ 透明導電性被膜としては、金、銀、アルミニウムなどの
金属薄膜、さらには酸化スズ、アンチモンドープの酸化
スズ、あるいは酸化インジウムと酸化スズの複合酸化物
（ＩＴＯと略す）がもっともよく知られている。一方、
帯電防止性被膜としては前記導電性被膜以外にカチオン
性あるいはアニオン性などの各桂イオン性化合物を使用
したものが知られている。

［発明が解決しようとする間一点］ 金、銀、アルミニウムなどの金属薄膜からなる透明導電
性被膜は硬度が低い、可視光を吸収するなどの欠点があ
る。また、酸化スズ、ＩＴＯなどからなる被膜は通常ス
パッタリング、熱ＣＶＤ、真空蒸着などの方法によって
形成されるため、厚膜化に際しては非常に生産性が悪く
、コスト的に非現実的なものである。すなわち、金属薄
膜および金属酸化物薄膜からなる透明導電膜はいずれも
非常に薄い膜であるなめ、少し硬い材質のものと衝突し
たり、摩耗されたりすると傷が入り、導電膜を断線させ
るという大きな欠点がある。

一方、イオン性化合物を用いた帯電防止性被膜は湿度な
どの環境変化によってその帯電防止性能が大きく左右さ
れ、とくに低湿度時にはその機能を発揮しないなどの欠
点がある。

本発明は、表面高度が高く耐久性に優れ、低湿度時にも
性能低下のみられない透明導電性被膜を提供することを
目的とする。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は、前記目的を達成するために下記の構成を有す
る。

すなわち本発明は、導電性微粒子とビヒクルとを主成分
としてなる被膜において、該被膜表面硬度が鉛筆硬度で
４Ｈ以上であることを特徴とする透明導電性被膜に関す
るものである。

本発明において透明導電性被膜が設けられる基材は本発
明を必要とするものであれば何ら限定されるものではな
いが、本発明によって得られる被膜が透明性を有する点
から基材としても透明性を有する基材への適用が好まし
い。また、基材の材質としては無機ガラスであっても、
有機プラスチックであっても何ら間通はない。さらには
基材の形状としては平板状、わん曲状、円形状などとく
に限定されない。また、基材の表面の全面あるいはその
一部にあらかじめ金属薄膜やＩＴｏ、酸化スズなどの金
属酸化物薄膜などからなる透明導電膜からなる薄膜を設
けてなるものも手書き入力装置などの用途を目的とした
ものには好ましい。

つぎに本発明における導電性微粒子とは被膜にしな時に
十分な透明性を与え、かつ導電性を付与するものであれ
ば、とくに限定されるものではないが、高い導電性と透
明性の両者を満足させやずいという点から酸化スズ（ア
ンチモンドーピング物を含む）、酸化インジウム／酸化
スズ混合物などがその例として挙げられる。さらにかか
る導電性微粒子の平均粒子径としては上述のｌ」的が達
せられるものであればよいが、とくに分散状態を安定化
し、均一被膜を得ることが容易であるという点から１０
オングストロームから５μｍの一次粒子径を有するもの
が好ましい。ここで、−次粒子径とは、何らかの分散方
法によって実質的に分散可能な粒子径を意味するもので
ある。また、かかる導電性微粒子は、目的とする被膜の
導電性と透明性によっても異なるが、通常は３０−９０
重量％が被膜中に含まれていることが好ましい。すなわ
ち、これより少ないと十分な導電性が得られず、またこ
れより多くなると透明性などの外観、さらには基材との
接着性などが著るしく低下する傾向にある。

本発明は前述の導電性微粒子を各種ビヒクル中に含有さ
せて被膜化されるものであるが、ここでビヒクルとは導
電性微粒子を分散可能ならしめ、得られた塗膜の鉛筆硬
度が４Ｈ以上になるものであれば何でもよいが、一般に
導電性微粒子が無機物であり、とくに無機酸化物である
ことから、これらと親和性が良く、また高硬度を与え得
るものとして下記一般式（Ａ＞で表わされる有機ケイ素
化合物および／またはその加水分解物が好ましく用いら
れる。

Ｒｌａ　Ｒ２ｂＳ１　（ＯＲ３）４−ａ−ｂ（Ａ〉　（
式中Ｒ１、Ｒ２は各々アルキル基、アルケニル基、アリ
ール基、またはハロゲン、エポキシ基、グリシドキシ基
、アミノ基、メルカプト基、メタクリルオキシ基あるい
はシアノ基を有する炭化水素基、Ｒ３は炭素数が１〜８
のアルキル基、アルコキシアルキル基、アシル基、フェ
ニル基であり、ａおよびｂは０または１である）かかる
一般式＜Ａ＞で示される有機ケイ素化合物および／また
はその加水分解物の具体的な代表例としては、メチルシ
リケート、エチルシリケート、ｎ−プロピルシリケート
、ｉ−プロピルシリケート、ｎ−ブチルシリケート、５
ＱＣ−ブチルシリケートおよびｔ−ブチルシリケートな
どのテトラアルコキシシラン類、およびその加水分解物
さらにはメチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキ
シシラン、メチルトリメトキシエトキシシラン、メチル
トリアセトキシシラン、メチルトリブトキシシラン、エ
チルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、
ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン
、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシエ
トキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニル
トリエトキシシラン、フェニルトリアセトキシシラン、
γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプ
ロピルトリエトキシシラン、γ−クロロプロピルトリア
セトキシシラン、３．３．３−　）リフロロプロピルト
リメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルトリ
メトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−メル
カプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプ
ロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）
−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、β−シアノ
エチルトリエトキシシラン、メチルトリフエノキシシラ
ン、クロロメチルトリメトキシシラン、クロロメチルト
リエトキシシラン、グリシドキシメチルトリメトキシシ
ラン、グリシドキシメチルトリエトキシシラン、α−グ
リシドキシエチルトリメトキシシラン、α−グリシドキ
シエチルトリエトキシシラン、β−グリシドキシエチル
トリメトキシシラン、β−グリシドキシエチルトリエト
キシシラン、α−グリシドキシプロビルトリメトキシシ
ラン、α−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、
β−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−グ
リシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシド
キシプロビルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプ
ロビルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピル
トリプロボキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリ
ブトキシシラン、γ−グリシドキシプロピル゛トリメト
キシエトキシシラン、γ−グリシドキシプロビルトリフ
エノキシシラン、α−グリシドキシブチルトリメトキシ
シラン、α−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、
β−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、β−グリ
シドキシブチルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシ
ブチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシブチルト
リエトキシシラン、δ−グリシドキシブチルトリメトキ
シシラン、δ−グリシドキシブチルトリエトキシシラン
、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルトリメト
キシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチ
ルトリエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロ
ヘキシル）エチルトリメトキシシラン、β−（３，４−
エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、
β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリプ
ロポキシシラン、β−り３，４−エポキシシクロヘキシ
ル）エチルトリブトキシシラン、β−（３，４−エポキ
シシクロヘキシル〉エチルトリメトキシエトキシシラン
、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリ
フエノキシシラン、γ−＜３．４−エポキシシクロヘキ
シル）プロピルトリメトキシシラン、γ−（３，４−エ
ポキシシクロヘキシル）プロピルトリエトキシシラン、
δ−（３，４−エポキシシクロヘキシル〉ブチルトリメ
トキシシラン、δ−（３，４−エポキシシクロヘキシル
）ブチルトリエトキシシランなどのトリアルコキシシラ
ン、トリアジルオキシシラン、またはトリフエノキシシ
ラン類またはその加水分解物およびジメチルジメトキシ
シラン、フェニルメチルジメトキシシラン、ジメチルジ
ェトキシシラン、フェニルメチルジェトキシシラン、γ
−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロ
プロピルメチルジェトキシシラン、ジメチルジアセトキ
シシラン、γ−メタクリルオキシプロピルメチルジメト
キシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルメチルジェ
トキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキ
シシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジェトキシシ
ラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ
−アミノプロピルメチルジェトキシシラン、メチルビニ
ルジメトキシシラン、メチルビニルジェトキシシラン、
グリシドキシメチルメチルジメトキシシラン、グリシド
キシメチルメチルジェトキシシラン、α−グリシドキシ
エチルメチルジメトキシシラン、α−グリシドキシエチ
ルメチルジェトキシシラン、β−グリシドキシエチルメ
チルジメトキシシラン、β−グリシドキシエチルメチル
ジェトキシシラン、α−グリシドキシプロピルメチルジ
メトキシシラン、α−グリシドキシプロピルメチルジェ
トキシシラン、β−グリシドキシプロピルメチルジメト
キシシラン、β−グリシドキシプロピルメチルジェトキ
シシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシ
シラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジェトキシシ
ラン、γ−グリシドキシブロビルメチルジブロボキシシ
ラン、γ−グリシドキシプロビルメチルジブトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシエトキ
シシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジフェノキ
シシラン、γ−グリシドキシプロピルエチルジメトキシ
シラン、γ−グリシドキシプロピルエチルジェトキシシ
ラン、γ−グリシドキシプロビルエチルジブロポキシシ
ラン、γ−グリシドキシプロビルビニルジメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルビニルジェトキシシラン
、γ−グリシドキシプロビルフェニルジメトキシシラン
、γ−グリシドキシプロピルフェニルジエトキシシラン
、などジアルコキシシランまたはジアシルオキシシラン
類またはその加水分解物がその例である。

これらの有機ケイ素化金物は１社又は２種以上併用する
ことも可能である。

これらの有機ケイ素化合物はキュア温度を下げ、硬化を
より進行させるためには加水分解して使用することが好
ましい。

加水分解は純水または塩酸、酢酸あるいは硫酸などの酸
性水溶液を添加、撹拌することによって製造される。さ
らに純水、あるいは酸性水溶液の添加量を調節すること
によって加水分解の度合をコントロールすることも容易
に可能である。加水分解に際しては、−ｉ式（Ａ＞の加
水分解性基と等モル以上、３倍モル以下の純水または酸
性水溶液の添加が硬化促進の点で特に好ましい。

加水分解に際しては、アルコール等が生成してくるので
、無溶媒で加水分解することが可能であるが、加水分解
をさらに均一に行なう目的で有機ケイ素化合物と溶媒を
混合した後、加水分解を行なうことも可能である。また
目的に応じて加水分解後のアルコール等を加熱および／
または減圧下に適当量除去して使用することも可能であ
るし、その後に適当な溶媒を添加することも可能である
。

これらの溶媒としては、アルコール、エステル、エーテ
ル、ケトン、ハロゲン化炭化水素あるいはトルエン、キ
シレンなどの芳香族炭化水素などの溶媒が挙げられる。

またこれらの溶媒は必要に応じて２種以上の混合溶媒と
して使用することも可能である。また、目的に応じて加
水分解反応を促進し、さらに予備縮合等の反応を進める
ために室温以上に加熱することも可能であるし、予備縮
合を抑えるために加水分解温度を室温以下に下げて行な
うことも可能であることは言うまでもない。

かかる有機ケイ素化合物および／またはその加水分解物
の硬化が通常、加熱によって行なわれるものであるが、
加熱時間の短縮、低温硬化を目的に各種の硬化触媒が添
加される。硬化触媒としてはカルボン酸のアルカリ金属
塩やアルミニウム、チタン、ジルコニウムなどのアルコ
、キシドあるいはキレート化合物が挙げられる。

とくにアセチルアセトンアルミニウム塩に代表されるア
ルミニウムキレート化合物は組成物の安定性、透明性さ
らには着色がないなどの点から好ましく用いられる。

また前記一般式（Ａ）で示される有機ケイ素化合物の中
でもとくに基材との接着性、表面硬度向上、耐熱性、耐
候性などの点からＲ１、Ｒ２としては炭素数１〜４のア
ルキル基、アルケニル基、あるいはフェニル基、さらに
はエポキシ基、グリシドキシ基を有する有機基が好まし
い。

かかる前記ビヒクル中にはさらに硬度向上、無機系基材
、とくに無機ガラス、ＩＴＯ膜または酸化スズ膜を有す
る無機ガラスなどへの接着性向上などの点から誘電体コ
ロイド状無機酸化物の添加が好ましく適用される。ここ
で誘電体コロイド状態ｉ酸化物の具体例としてはＳ　ｉ
　、　Ｔ　ｉ　、　Ａ　Ｉ、Ｚｒ、Ｓｂ、Ｗ、Ｔａなど
の金属酸化物が挙げられ、とくに透明性付与の点から平
均粒子径が１ｎｍ〜２００ｎｍを有するものが好ましく
使用される。中でも導電性を向上させる目的にはｓｂな
どのＶａ族金属酸化物が好ましい。

本発明の透明幕村上に塗布される被膜の塗布手段として
は、刷毛塗り、浸漬塗り、ロール塗り、スクリーン印刷
法、スプレー塗装、スピン塗装、流し塗りなどの通常行
なわれる塗布方法が容易に使用可能である。

本発明における被膜の膜厚はとくに限定されるものでは
ない。しかし、接着強度の保持、硬度などの点から０．
１μｍ〜５０μｍの間で好ましく用いられる。特に好ま
しくは０．５μｍ〜２０μｍである。また、被膜の塗布
にあたって、作業性、被膜厚さ調節などから各種溶剤に
より、稀釈して用いられるが稀釈溶剤としては例えば水
、アルコール、エステル、エーテル、ハロゲン化炭化水
素、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなど
が目的に応じて種々使用が可能であり、必要に応じて混
合溶媒を使用することもできる。また、酸化アンチモン
などのコロイド状無機酸化物を使用する場合にはその分
散性などの点から、水、アルコール、ジメチルホルムア
ミド、エチレングリコール、ジエチレングリコール、ト
リエチレングリコール、ベンジルアルコール、フェネチ
ルアルコール、フェニルセロソルブなどがとくに好まし
く用いられる。

本発明被膜中にはビヒクル成分として前述のケイ素化合
物以外に使用可能なものとして、各稚エポキシ樹脂、メ
ラミン樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリ酢酸ビ
ニルおよびそのケン化物、ナイロン樹脂、ポリエステル
樹脂など透明性を大きく損なうことなく、また、硬度を
４０より低くすることのない範囲で使用可能である。ま
た、被膜中に含まれるビヒクルの含有量としては、全被
膜中に１０〜７０重量％含まれていることが好ましい。

すなわち、これより少ないと外観、基材との接着性など
に問題が生じ、またこれより多くなると導電性が不良と
なるなどの問題がある。

一方、本発明における表面硬度の評価方法である鉛筆硬
度とはＪＩＳ　　Ｋ５４００に定められた方法であり、
手書き入力装置やペン入力式などの用途に関してはとく
に大きな意味を持つ表面硬度を評価する方法である。

本発明における被膜は通常、前述の各稚成分からなる組
成物を基材上に塗布して形成されるものである。

これらの組成物から被膜を形成するには一最的にはこれ
らの組成物を含有するコーティング組成物を塗布した後
、加熱により乾燥硬化させる。

硬化温度は選択される組成物、作業条件、基材などによ
っても異なるが６０℃〜３００℃、好ましくは８０℃〜
２００°Ｃが用いられる。これより低温度では硬化が不
十分であり、高温度ではクラック、被膜の分解などの不
都合が生ずる。

本発明によって得られる被膜はその使用目的に応じて被
膜の導電性、透明性は最適化されるべきものであるが、
通常の透明基材への適用、液晶入力装置への応用などを
考慮すると５Ｘ１０５Ω・国以下の比抗値で、曇価が３
０％以下が好ましく用いられる。一方、帯電防止を目的
とする場合には５Ｘ１０６Ω・■以下の比抵抗値で、曇
価が８０％以下、さらに好ましくはｌＸ１０６Ω・個以
下、４０％以下が適用される。また、入力装置への適用
で鉛筆などの導電性ペンを使用する場合にはその描画跡
を残さない、あるいは除去しやすくする意味からその被
膜における表面■さは２μｍ未満であることが好ましい
。ここで表面粗さとはＪＩＳ　　ＢＯ６５１に定められ
た方法によって測定されるものである。

本発明における各成分の分散方法としては、単純な撹拌
羽根使用による撹拌でも充分であるが、さらに分散状態
を良好にする意味からはペイントコンディショナー、サ
ンドミル、三本ロール、ボールミル、ホモミキサー、ホ
モジナイザーなどが好ましく使用される。

一方、分散状態を安定に保つ目的から各種界面活性剤の
添加も好ましく適用され、特にシリコーン系界面活性剤
、フッ素系界面活性剤、さらにはフェニルエーテル系界
面活性剤などの非イオン系界面活性剤が好ましく使用さ
れる。

以下に本発明の運旨を明瞭にするなめに実施例を挙げる
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない
。

実施例１ （１）シラン加水分解物の調製 γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン２３．６
ｇを１０’Ｃに冷却し、撹拌しながら０゜０１規定塩酸
水溶液５．４ｇを徐々に滴下し、滴下終了後、室温にて
さらに１時間撹拌をつづけてシラン加水分解物を得た。

（２）コーティング剤の調製 前記シラン加水分解物に、エチルアルコール１８．７ｇ
、フェネチルアルコール１００．３ｇ、シリコーン系界
面活性剤０．０８ｇを添加混合し、アルミニウムアセチ
ルアセトネート０，５ｇを添加し、充分に撹拌した後、
さらに導電性微粒子として平均粒子径が０．１μｍの酸
化インジウム／酸化スズ系混合無機酸化物を３９．５ｇ
を添加し、ペイントコンディショナーで十分に分散させ
てコーティング剤とした。

（３）コーティング剤の塗布、キュア 前項のコーティング剤を厚み３．０ｍｍの平板状無機ガ
ラス基板に＃１６のバーコーターを使用して塗布した。

塗布後、５分間室内にてセツティングを行ない、その後
、８０℃、１２分間、さらに１３０℃で２時間、加熱キ
ュアさせた。

（４）評価方法 （イ）塗膜厚み ＪＩＳ　　ＢＯ６５１に従って行なった。

〈口）比抵抗値 ４探針法による表面抵抗値（シート抵抗値〉を求め、塗
膜厚みを乗することによって比抵抗値とした。

（ハ）ヘイズ Ｍ読ヘーズコンピューター（スガ試＠機■製）を使用し
て測定した。

（ニ）表面硬度 ＪＩＳ　　Ｋ５４００にて鉛筆硬度を測定して表面硬度
とした。

（ホ）表面粗さ 表面の凸凹はＪＩＳ　　ＢＯ６５１に従って測定し、実
用性評価として硬度Ｂの鉛筆（三菱ユニ磁製）を使用し
て描画した時の描画跡の残存状悪および消去の容易さを
肉眼観察して、以下の判定方法によって評価しな。

判定方法二〇・・・描画跡がほとんど認められない。

△・・・描画跡が容易に除去できる。

Ｘ・・・消しゴムなどを使用し、強くこすらなければ描
画跡が除去できない。

（５）　　評価結果 前記方法に従って評価し、結果は表１に示す。

実施例２〜３ （１）透明導電性被膜の調製および評価実施例１におけ
るコーティング組成物中に平均粒子径が５５ｎｍのコロ
イド状五酸化アンチモンの５０重量％水分散液３３．４
ｇをさらに添加し、再度ペイントコンディショナーで分
散混合した。

基板を実施例１と同じ無機ガラス（実施例２）以外に、
無機ガラス板に熱ＣＶＤで表面抵抗値が１１０Ω／口の
酸化スズ薄膜を設けた透明導電板を基板とした（実施例
３）。

なお、評価はすべて実施例１と同様に行ない、結果は表
１に示す。

実施例４ アクリルキャスト板（厚み２ｍｍ）の表面にオルガノポ
リシロキサン系ハードコート膜を設け、さらに酸素ガス
のプラズマによる表面処理を施したものを基板とし、キ
ュア条件を１００’Ｃ５４時間に代える以外はすべて実
施例２と同様に行なった。結果を表１に示す。

［発明の効果］ 本発明によって得られる透明導電性被膜には次のような
効果がある。

１、厚膜が可能となるため、傷発生による断線などのト
ラブルが発生しにくい。

２、表面硬度の高い被膜となる。

３、低湿度においても帯電防止性に優れる。

４、透明性が高く、表面凸凹が小さいため、入力装置に
有用である。

特許出願人　　東　し　株　式　会　社手続補正書 昭和　　年　６弔６・２４日 １、事件の表示 昭和６２年特許願第２５２９９号 事件との関係　　特許出願人 住所　東京都中央区日本橋至町２丁目２番１号名称　（
３’１５）　　東し株式会社 ５、補正により増加する発明の数　　なし６、補正の対
象 明細書の「特許請求の範囲」の欄 ７、補正の内容 明細書中 （１）第１肩「特許請求１囲」を別紙のとおり補正しま
す。

別紙 特許請求の範囲 （１）導電性微粒子とビヒクルとを主成分としてなる被
膜において、該被膜表面硬度が釣竿高度で４１１以上で
おることを特徴とする透明導電性被膜。

（２）導電性微粒子が、酸化スズ、酸化インジウムから
選ばれる１種以上であることを特徴とする特許請求の範
囲第（１）項記載の透明導電性被膜。

（３）ビヒクルが、下記一般式（Ａ＞で表わされる有機
ケイ素化合物を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項記載の透明導電性被膜。

Ｒ’ａ　Ｒ２ｂＳ！　（ＯＲ３）４−ａ−ｂ　　（Ａ＞
（式中Ｒ１、Ｒ２は各々アルキル基、アルケニル基、ア
リール基、またはハロゲン、エポキシ基、グリシドキシ
基、アミノ阜、メルカプ１〜基、メタクリルオキシ基必
るいはシアノ基を有する炭化水索阜、Ｒ３は炭素数が１
〜８のアルキル基、アルコキシアルキル基、アシル基、
フェニル基で必り、ａおよびｂはＯまたは１である） （４）ビヒクルが、一般式（Ａ＞で表わされる有機ケイ
素化合物の加水分解物を含むことを特徴とする特許請求
の範囲第り１）項記載の透明導電性被膜。

（５）導電性微粒子が、１０オングストローム以上、５
μｍ以下の平均粒子径を有することを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項または第り２）項記載の透明導電性
被膜。

（６）被膜が、０．１μｍ以上、５０μｍ以下の膜厚を
有することを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載
の透明導電性被膜。

（７）ヒヒクルカ、３ｉ１Ｔｉ、Ａ１１Ｚｒ。

Ｓｂ、Ｗ、Ｔａから選ばれる少なくとも一種のコロイド
状金属酸化物を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項記載の透明導電性被膜。

（Ｂ＞　　コロイド状金属酸化物が、１ｎｍ以上、２０
Ｑｎｍ以下の平均粒子径を有することを特徴とする特許
請求の範囲第（７）項記載の透明導電性被膜。

〈９）被膜が５Ｘ１０６以下の比抵抗値（Ω・ｃｍ）と
、８０％以下の曇価とを有することを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項記載の透明導電性被膜。

り１０）被膜が、２μｍ未満の表面粗さを有することを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の透明導電性
被膜。

手続補正書 １．事件の表示 事件との関係　　特許出願人 住所　東京都中央区日本橋室町２丁目２番１号５、補正
により増加する発明の数　　なし６、補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」の欄 ７、補正の内容 明細書中 （１）　　第１頁「特許請求の範囲」を別紙のとおり補
正します。

別紙 特許請求の範囲 （１〉　　導電性微粒子とビヒクルとを主成分としてな
る被膜において、該被膜表面硬度がｍで４Ｈ以上である
ことを特徴とする透明導電性被膜。

（２〉　　導電性微粒子が、酸化スズ、酸化インジウム
から選ばれる１種以上であることを特徴とする特許請求
の範囲第（１）項記載の透明導電性被膜。

（３）　　ビヒクルが、下記一般式（Ａ＞で表わされる
右はケイ素化合物を含むことを特徴とする特許請求の範
囲第（１）項記載の透明導電性被膜。

Ｒ１ａＲ２ｂＳｉ（ＯＲ３）４−ａ−ｂ　（Ａ）（式中
Ｒ１、Ｒ２は各々アルキル基、アルケニル基、アリール
基、またはハロゲン、エポキシ基、グリシドキシ基、ア
ミノ基、メルカプト基、メタクリルオキシ基あるいはシ
アノ基を有する炭化水素基、Ｒ３は炭素数が１〜８のア
ルキル基、アルコキシアルキル基、アシル基、フェニル
基であり、ａおよびｂはＯまたは１である） （４〉　　ビヒクルが、一般式（Ａ＞で表わされる有機
ケイ素化合物の加水分解物を含むことを特徴とする特許
請求の範囲第（１）項記載の透明導電性被膜。

Ｒ’　ａ　Ｒ２ｂＳ　ｉ　（ＯＲ３）　４−ａ−ｂ　　
（Ａ＞（式中Ｒ１、Ｒ２は各々アルキル基、アルケニル
基、アリール基、またはハロゲン、エポキシ基、グリシ
ドキシ基あるいはシアノ基を有する炭化水素基、Ｒ３は
炭素数が１〜８のアルキル基、アルコキシアルキル基、
アシル基、フェニル基であり、ａおよびｂはＯまたは１
である） （５）導電性微粒子が、１０オングストローム以上、５
μｍ以下の平均粒子径を有することを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項または第（２）項記載の透明導電性
被膜。

（６）　　被膜が、Ｏ，’１ｍ以上、５０μｍ以下の膜
厚を有することを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
記載の透明導電性被膜。

（７）　　ビヒクルが、３ｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ｚｒ、Ｓｂ
、Ｗ、Ｔａから選ばれる少なくとも一種のコロイド状金
属酸化物を含むことを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項記載の透明導電性被膜。

（８）　　コロイド状金属酸化物が、１ｎｍ以上、２０
Ｑｎｍ以下の平均粒子径を有することを特徴とする特許
請求の範囲第（７）項記載の透明導電性被膜。

（９〉　　被膜が５Ｘ１０６以下の比抵抗値（Ω・ｃｍ
）と、８０％以下の曇価とを有することを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項記載の透明導電性被膜。

θ０）被膜が、２μｍ未満の表面粗さを有することを特
徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の透明導電性被
膜。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）導電性微粒子とビヒクルとを主成分としてなる被
   膜において、該被膜表面硬度が鉛筆硬度で４Ｈ以上であ
   ることを特徴とする透明導電性被膜。 （２）導電性微粒子が、酸化スズ、酸化インジウムから
   選ばれる１種以上であることを特徴とする特許請求の範
   囲第（１）項記載の透明導電性被膜。 （３）ビヒクルが、下記一般式（Ａ）で表わされる有機
   ケイ素化合物を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
   （１）項記載の透明導電性被膜。 Ｒ＾１＿ａＲ＾２＿ｂＳｉ（ＯＲ＾３）＿４＿−＿ａ＿
   −＿ｂ（Ａ）（式中Ｒ＾１、Ｒ＾２は各々アルキル基、
   アルケニル基、アリール基、またはハロゲン、エポキシ
   基、グリシドキシ基、アミノ基、メルカプト基、メタク
   リルオキシ基あるいはシアノ基を有する炭化水素基、Ｒ
   ＾３は炭素数が１〜８のアルキル基、アルコキシアルキ
   ル基、アシル基、フェニル基であり、ａおよびｂは０ま
   たは１である） （４）ビヒクルが、前記一般式（Ａ）で表わされる有機
   ケイ素化合物の加水分解物を含むことを特徴とする特許
   請求の範囲第（１）項記載の透明導電性被膜。 （５）導電性微粒子が、１０オングストローム以上、５
   μｍ以下の平均粒子径を有することを特徴とする特許請
   求の範囲第（１）項または第（２）項記載の透明導電性
   被膜。 （６）被膜が、０．１μｍ以上、５０μｍ以下の膜厚を
   有することを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載
   の透明導電性被膜。 （７）ビヒクルが、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｓｂ、Ｗ
   、Ｔａから選ばれる少なくとも一種のコロイド状金属酸
   化物を含むことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
   記載の透明導電性被膜。 （８）コロイド状金属酸化物が、１ｎｍ以上、２００ｎ
   ｍ以下の平均粒子径を有することを特徴とする特許請求
   の範囲第（７）項記載の透明導電性被膜。 （９）被膜が５×１０＾６以下の比抵抗値（Ω・ｃｍ）
   と、８０％以下の曇価とを有することを特徴とする特許
   請求の範囲第（１）項記載の透明導電性被膜。 （２）被膜が、２μｍ未満の表面粗さを有することを特
   徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の透明導電性被
   膜。