JPS63193530A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法、特に半導体基板〈以下
、ウェハという）上にホトレジストでパターンを形成し
た後、全面にメタル薄膜を形成しホトレジストに熱を加
えてしわ状になって密着性が悪くなったレジスト上のメ
タル薄膜を選択的に剥離する方法に関する。

〔従来の技術〕

半導体装置の製造工程の１つであるリフＩ・オフは、従
来第４図に示すように、ウェハ１１上にホトレジスト４
２でパターンを形成した後、全面にメタル薄膜４１を形
成し、熱を加えてしわ状になったホトレジスト４２のメ
タル薄膜４１を粘着テープ４３により剥離していた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した従来のりフトオフでは、ウェハに直接粘着テー
プを接触させる為ウェハにゴミやイオン性の汚染やキズ
等の損傷を与える可能性がある。

また、一度使用した粘着テープは再使用できない。

さらに、一度粘着テープに付着した物質がはがれ落ち、
半導体装置製造上ゴミによるパターンくずれや層間絶縁
膜およびカバー膜等のピンホールなど重大な不良の原因
となる可能性があるなどの欠点があった。

本発明の目的は、かかる従来の欠点を解消し、ウェハに
無接触でリフトオフを行いうる新規な半導体装置の製造
方法を提供することである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、ウェハをのせる為のステージと、メタル薄膜
を吸着する為のポンプ系から構成される装置 のメタル薄膜を選択的に剥離することを特徴とする。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の第１の実施例の縦断面図である。１０
はウェハをのせる為のステージ、１１はリフトオフを行
おうとするウェハ、１２はウェハを固定する為の吸着口
、１３はメタル薄膜と大気とを分離するフィルタ、１４
はメタル薄膜を吸着する吸着口、１５は流量を調整する
バルブ、１６は大気が流れるパイプ、１７は大気圧を減
圧する為のポンプである。まず、ステージ１０にウェハ
１１をのせウェハ吸着口１２と密着させる。次にバルブ
１５を開き、ポンプｌ７により吸着口とウェハ間にある
大気をパイプ１６を通して１５０！！　／Ｍｉｎ　〜１
　０　０　０　ｅ　／Ｍｉｎの排気量で急速に排気し、
ホトレジスト上のメタル薄膜を吸い上げ３ｇ択的に剥離
することによりリフトオフを行うものである。

第２図にホトレジスト２２上のメタル薄膜２１を剥離し
た後のウェハ１１の断面図を示す．この時、メタル薄膜
２１を吸い上げる為には、吸着口１４をウェハ１１周辺
に吸着して吸着口１４とウェハ１１間を低圧、例えばＱ
．ｌＴｏｒｒ以下にした状態から急速に吸着口１４をウ
ェハ１１から引き離しそのさいメタル薄膜２１を引き剥
し、引き剥がしたメタル薄膜とホトレジストの一部をフ
ィルター１３内に吸い上げることにより行うのが効果的
である。

第３図は本発明の第２の実施例の縦断面図である。３４
は装置内を密閉する為のチャンバー、１１はウェハ、３
２，３８．３９はウェハを固定する為の真空吸着系であ
り、それぞれウェハ吸着口、バルブ、ポンプから構成さ
れている．また、３５。

３６、３７はメタル薄膜を吸着する為の真空系であり、
それぞれバルブ、パイプ、ポンプから構成されている。

３１は大気等を取り入れる流入口である。

第３図の流入口３１から大気等の気体を取り入れ、ポン
プ３７で１５０ｅ／ＩＩＩｉｎ〜１０００ｅ／ｍｉｎの
流量でチャンバー（容量０．１〜１２程度）３４の気体
をフィルタ３３へ引き込むことにより生じる力でウェハ
１１上のメタル薄膜を剥離するものである。第３図のよ
うにチャンバー３４を設けることにより装置全体は大型
になるが、ウェハ１１の表面に接触する部分を無くすこ
とにより、ウェハ１１の表面にゴミやイオン性の汚染や
キズ等を付ける可能性を少くし、均一で良好なリフトオ
フを行うことが可能である。

なお、第１図および第３図の実施例において。

ステージと吸着口を複数個設け、一回の吸着で複数枚リ
フトオフすることで半導体の製造効率を上げることが可
能である。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、ウェハ表面に接触する部
分を少くし、あるいは無くすことによるキズ等の損傷の
低減と、粘着テープを使用しないことによるコストの低
減と、さらに真空に引くことによるウェハ表面に付着す
るゴミ等が低減するなど種々の効果があり、より微細な
パターンを高歩留で製造することを可能としている。通
常の粘着テープによるリフトオフでは、リフトオフ直後
にはウェハ上に１，０μｍ以上のゴミが無数に存在（１
０３個′／ウエハ程度）していたものが本発明の方法を
適用することにより１．０μｍ以上のゴミはほぼ皆無と
なった（１０個／ウエハ以下）。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図はメタ
ル薄膜の剥離を行った状態を示すウェハの断面図、第３
図は、本発明の第２の実施例を示す断面図、第４図は従
来のりフトオフの方法を示す断面図である。 １０、３０・・・ステージ、１１・・・ウェハ、１２。 ３２・・・ウェハ吸着口、１３．３３・・・フィルタ、
１４・・・吸着口、１５，１８，３５．３８・・・バル
ブ、１６、３６・・・パイプ、１７，１９，３７．３９
・・・バルブ、１６．３６・・・バイブ、１７，１９，
３７゜３９・・・ポンプ、３４・・・チャンバー、３１
・・・流入口、４３・・・粘着テープ、２１．４１・・
・メタル薄膜、２２．４２・・・ホトレジスト。 グブ？′７エハ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板上にホトレジストでパターンを形成し、全面
   にメタル薄膜を形成した後、ホトレジスト上のメタル薄
   膜の選択的剥離を真空吸着により行なうことを特徴とす
   る半導体装置の製造方法。