JPS63179538A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS63179538A
JPS63179538A JP62012662A JP1266287A JPS63179538A JP S63179538 A JPS63179538 A JP S63179538A JP 62012662 A JP62012662 A JP 62012662A JP 1266287 A JP1266287 A JP 1266287A JP S63179538 A JPS63179538 A JP S63179538A
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JP
Japan
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bonding pad
oxalic acid
integrated circuit
acid solution
semiconductor integrated
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JP62012662A
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English (en)
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Shigeru Yokosuka
横須加　茂
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はモールド樹脂で封止された半導体集積回路に関
し、特に、耐湿性の向上を図った半導体集積回路装置の
方法に関するものである。
〔従来の技術〕
半導体集積回路装置では、近年低価格で量産性に優れて
いることから、モールド樹脂で封止される半導体集積回
路がさかんに使用されている。この種の半導体集積回路
装置の半導体チップには、外部回路との接続のためにポ
ンディングパッドが設けられているが、これは半導体チ
ップ内部の配線層と同じ配線材、一般には安価で特性の
良いことからＡ１で構成されている。このＡＩのポンデ
ィングパッドは配線層上の保護膜の一部をエツチングし
て形成されるために１保護膜で被覆されていない。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の半導体集積回路装置においては、モール
ド樹脂内部に外部よシ侵入した水分に対しては半導体チ
ップ内部の配線層は表面保護膜、最近は耐湿性は良い窒
化シリコン膜等で構成されているが、この保護膜によシ
内部配線層は保護される、しかしモールド樹脂とリード
フレームとの界面よシ侵入した水分はボンディングワイ
ヤをつたわりてボンディングパラ）ｔで達する。ポンデ
ィングパッドは表面保護膜で被覆されていないため、こ
の水分は樹脂中や半導体チップ上の不純物によシ酸やア
ルカリになってポンディングパッドのＡＩを腐食し、し
だいに内部の配線層をも腐食させ半導体集積回路装置の
特性の劣化や配線の断線を起こし、信頼性を著しく劣化
させてしまうという欠点があった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は上述欠点を解決するために、半導体チップのポ
ンディングパッドとリードフレームのリード間をボンデ
ィングワイヤで接続した後、モールド樹脂で封止する前
に半導体チップの上下を反転して、ボンディングパット
とボンディングワイヤ部をシュウ酸溶液中に浸漬し、直
流電源の正極側←）、負極側の各々にリードフレームの
アイランドとリード部、シュウ酸電極を接続し電流を流
すことによシ、ワイヤボンディング後のボンディングパ
ット及びポンディングワイヤの表面にアルミナ膜を形成
するものである。アルミナ膜は耐湿性に優れているため
外部よシ侵入した水分によシアルミのポンディングパッ
ドが腐食することがなくなシ信頼性が向上する。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図はモールド樹脂封止する前の従来の半導体集積回
路装置の部分断面図で、集積回路チップ１をリードフレ
ームのアイランド５にグイボンディングしワイヤボンダ
に°Ｃリードフレームのビン６からワイヤ（Ａｕ線）４
で集積回路チップ１上のボンディングパット２がＴ２続
された状態である。
３は保護膜である。ポンディングパッド２のワイヤ４で
覆われた部分以外の表面が外部に対して露出されている
。第２図は本発明の集積回路チップのボンディングバッ
ト表面に耐湿性保ｉ９ｉ！膜であるアルミナ膜を形成す
る工程を示す部分断面図である。同図で７は電源、８は
シュウ酸溶液、９はシュウ酸溶液を収納するケースであ
る。シュウ酸溶液８の中に８ｇ１図に示した従来の半導
体集積装置の上、下を反転して集積回路チック１上のポ
ンディングパッド２の表面を侵し、リードフレームのア
イランド５及びビン６に電源７の陽極側を接続し、他方
電源の陰極側をシュウ酸溶液の電衡、ここではケース９
に接続し、規定の電流を流す。そうすることＫよってポ
ンディングパッド２のワイヤ４で覆われていないシュウ
酸溶液に接する部分は陽極酸化によシ、アルミナ膜が形
成される。第３図は第２図の工程後の集積回路チップ化
のボンディングパット２部分の拡大図である。１０はポ
ンディングパッド２の表面に形成されたアルミナ膜であ
る。このようにして形成されたアルミナ膜１０はポンデ
ィングパッド２表面の良好な耐湿性保護膜となシ、ワイ
ヤ４をつたわって侵入してくる水分等による腐食を防止
することができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明はワイヤボンディングされた
半導体集積回路チップ上のポンディングパッドの表面の
ワイヤで覆われていない部分に陽極酸化によシ耐湿性に
すぐれたアルミナ膜を形成することによって、ポンディ
ングワイヤをつたわって侵入してくる水分忙よるパッド
ＡＩの腐食を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のモールド封止される前のワイヤボンディ
ングされた半導体集積装置の部分断面図である。 第２図は本発明による半導体集積装置のパッド表面にア
ルミナ膜を形成する工程を示す部分断面図である。 第３図は本発明実施後のパッド表面にアルミナ膜が形成
された半導体集積装置の部分断面図である。 １・・・・・・集積回路チップ、２・・・・・・ポンデ
ィングパッド、３・・・・・・チップ保護膜、４・・・
・・・ワイヤ、５・・・・・・リードフレームのアイラ
ンド、６・・・・・・リードフレームのビン、７・・・
・・・電源、８・・・・・・シュウ酸溶液、９・・・・
・・シュウ酸溶液を収納するケース、１０・・・・・・
アルミナ膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体チップのアルミニウムボンディングパットとリー
    ドフレームのリード間とをボンディングワイヤで接続し
    、その状態で前記ボンディングパットの表面にアルミナ
    膜を形成したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP62012662A 1987-01-21 1987-01-21 半導体装置の製造方法 Pending JPS63179538A (ja)

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