JPS63170988A - 混成集積回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 本発明は電子機器の回路構成に係り、回路基板の表面と
裏面にアナログ回路とディジタル回路とを別けて実装、
回路構成させ、アナログ回路の高周波の接地側回路とデ
ィジタル回路の接地側回路とを絶縁させ、更に遮蔽接地
用に中間導体層を設けて回路間の影響を遮断するように
した、両面実装の混成集積回路であり、回路基板の小形
化、高密度実装化が図れ、部品の絶縁取り付けも不要と
したものである。

〔産業上の利用分野〕

本発明は電子機器の回路構成に係り、多層回路基板の表
裏面に回路を夫々側にし、間に遮蔽導体層を設けて、ア
ナログ回路とディジタル回路を混在実装させた混成集積
回路に関す。

近年、ディジタル回路の開発が進み、従来アナログ回路
で構成された回路が、小形、経済的な論理集積回路の出
現によりディジタル化されて、部分的に置換されるケー
スが多くなって来た。

例えば、アナログの変調回路は搬送波を伴うが、この発
生をディジタルのタイミング回路と分周。

倍周回路を組合せた簡単な論理集積回路で行う等である
。

従って、アナログ伝送装置であっても回路構成は相当デ
ィジタル化されたものとなって来ており、同一回路基板
にアナログ回路とディジタル回路を混在実装するケース
が、小形高密度実装化のために強く要求されている。

〔従来の技術〕

第４図に従来の一例の実装斜視断面図を示す。

回路実装は、プリント配線板を回路基板とじて片面或い
は両面に部品を取り付は接続を行う、プリント板実装方
式が一般的であり、基板材の開発、高密度配線化および
多層回路構造の開発が強力に推進されている。

周波数分割のアナログ回路信号は、多周波数で構成され
、夫々の周波数成分が時々刻々元信号に応じて連続的に
変化しており、これを忠実に伝送する必要がある。

一方時分割のディジタル回路の信号は、時間的等間隔な
位置にパルス信号の有無のみを判別し、所定間隔内の配
列を解読するもので、アナログ伝送のように周波数成分
は殆ど問題とならない。

従って、アナログ回路には他の信号の周波数成分の混入
を極めて低（抑える必要があり、また、取扱周波数が高
（なるに従い、その影響は受は易くなり、接地や遮蔽は
益々厳重となる。

アナログ回路とディジタル回路を同一回路基板に混在実
装した、従来の一例の回路実装は第４図に示す如く、表
裏二面の導体層８１．８２を有する回路基板８の両面に
、夫々表面接続型の部品４を実装し、両面回路間をスル
ーホール７２により貫通接続して回路構成させたもので
、アナログ回路１とディジタル回路２とは、配線結合に
よる悪影響を防止するために回路基板８上の区域を区分
して実装し、接地側回路８８を除き、回路配線も互いの
区域に入り込まないように行っている。

接地側回路８８は、抵抗を少なくするため特に高周波回
路では、出来るだけ回路配線以外の空き面積を接地側回
路８８としている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、ディジタル回路２はアナログ回路１に比
べ信号レベルが高く、且つパルスのため高調波成分が多
く、 （１）接地側回路８８が共通なため、ディジタル回路２
の帰路による影響が、アナログ回路ｌへの特性不良や特
性劣化等の発生を来す。

（２）　　この影響除去には、アナログ回路１の一部分
の高周波接地側回路を、回路基板８の共通接地側回路８
８から直流的に絶縁する必要がある。

（３）　　このため、遮蔽ケースに格納されたアナログ
回路部品はケースごと絶縁するために、回路基板８の共
通接地側回路８８に対し絶縁シートや絶縁ブツシュ等に
よる絶縁取り付けが行われ、工数増や、絶縁不良による
再特性劣化を発生する。

等の問題点がある。

本発明は、上記の問題の解決を目的とし、表裏面でアナ
ログ回路とディジタル回路を分離実装し、間に遮蔽接地
導体層を設けた多層構造の回路基板を用いる新しい混成
集積回路を提案するものである。

〔問題点を解決するための手段〕

第１図の本発明の原理図に示す如く、 回路基板の表面と裏面にアナログ回路１とディジタル回
路２とを別けて実装、回路構成させ、回路間の影響を除
去する遮蔽接地用に中間導体層を設ける手段として、 （１１中間導体層を絶縁された二３層に設け、アナログ
回路１に近い第一層をアナログ回路１の高周波の接地側
回路１１に接続し、電源接地とは絶縁させ、第二層をデ
ジタル回路２の接地側回路２１と接続し、電源接地し、
中間導体層間の絶縁層の厚みを選択して設ける。

（３）中間導体層を絶縁された一層に設け、その中間導
体層をアナログ回路１の高周波の接地側回路１１と接続
し、電源接地とは絶縁させ、回路基板のディジタル回路
２の面との絶縁層の厚みを選択して設ける。

ことを備えた、本発明の混成集積回路により解決される
。

〔作　用〕

即ち、ディジタル回路の帰路がアナログ回路の高周波帰
路の接地側回路を通らず、且つ両配線回路間に同面積の
遮蔽層を設けるので、両回路間の影響の発生を防止する
ことになり、″目的が達成される。

これを図示すれば、第１図の原理図のように、アナログ
回路１は遮蔽体３で回路全体を遮蔽して、高周波帰路も
この遮蔽体３に接続して高周波接地側回路１１の抵抗を
下げるようにし、更にこの遮蔽体３は、一端が接地され
た供給電源Ｂ１から直流的に浮かしである。

ディジタル回路２は一端が接地された供給電源Ｂ２に直
結し、帰路の接地側回路２１は接地しである。

これにより、ディジタル回路２の帰路の接地側回路２１
は、アナログ回路１の接地側回路１１には流入せず、電
磁誘導は遮蔽体３により防がれ、アナログ回路１はディ
ジタル回路２の影響を遮断することが出来る。

また、アナログ回路１の接地は、絶縁体により直流的に
浮かせた遮蔽体３が、高周波的には抵抗が無視される容
量Ｃによってなされている。

更に、この容量Ｃを適切に設定することにより、ディジ
タル回路２からの低周波の誘導を抑圧することが出来る
。

このことを回路基板について行えば、表面導体層と裏面
導体層とに別けて、アナログ回路１とディジタル回路２
との実装を行い、中間導体層を二層設け、第一層はアナ
ログ回路１の遮蔽体３として用い、第二層をディジタル
回路２の接地として用い、第一層と第二層との絶縁層で
主の容量Ｃを構成させた両面実装の混成集積回路となる
。

また、中間導体層を一層とし、アナログ回路１の遮蔽体
３として用い、ディジタル回路２の面との絶縁層が主の
容ｉｔＣとさせたものでも同様の効果を得ることが出来
る。

これにより、アナログ回路とディジタル回路を特性的に
影響無く混在実装させ、回路基板の小形化、高密度実装
化が図れ、部品の絶縁取り付けも不要とすることが出来
る。

〔実施例〕

以下図面に示す実施例によって本発明を具体的に説明す
る。

全図を通し同一符合は同一対称物を示す。

第２図に本発明の第一実施例の断面図、第３図に本発明
の第二実施例の断面図を示す。

第一実施例は、セラミック板の片面を遮蔽導体層とし、
他面に回路パターンを設けた印刷配線板の２個を、回路
パターン面を外側にして間隔を設定して接着した四層構
造の回路基板５を用いて、アナログ回路１とディジタル
回路２を混在実装させたものである。

第２図に示す如く、回路基板５の表面導体層５１に表面
接続型の部品４を実装してアナログ回路１のみを構成さ
せる。この時、高周波の接地側回路１１は接地抵抗を逓
減させるために、回路パターンを除き特性の劣化を来さ
ない範囲の導体を凡て接地側回路１１とし、電源供給回
路は接地偏極もこの接地側回路１１から絶縁して設けで
ある。

回路基板５の裏面導体層５２には、同様に表面実装して
ディジタル回路２を構成している。しかし、ディジタル
回路２では接地側回路２１と電源供給回路の接地偏極と
は絶縁することは不可能であり、同一となっている。

二層の中間導体層５３．５４は、何れも周辺部を除き全
面を感体とした遮蔽体で、表面に近い第一中間導体層５
３はアナログ回路１の接地側回路１１と中間接続のスル
ーホール７１により接続してあり、第二中間導体［５４
は同様にディジタル回路２の接地側回路２１と接続しで
ある。

勿論、アナログ回路１とディジタル回路２とを回路接続
する配線は、全層を貫通させたスルーホール７２により
行うが、第一中間導体層５３ではこれら配線とは接続せ
ず絶縁しておく。

また、電源供給回路が共通の場合も、前記と同様にスル
ーホール７２により接続し、ディジタル回路２側からア
ナログ回路１に供給する。

第二実施例は、セラミック板の片面を遮蔽導体層とし、
他面に回路パターンを設けた印刷配線板と、同遮蔽導体
層の無いものとを、回路パターン面を外側にして間隔を
設定して接着した三層構造の回路基板６を用いて、アナ
ログ回路１とディジタル回路２を混在実装させたもので
ある。

第３図に示す如く、第一実施例と同様に、回路基板６の
表面導体層６１と裏面導体層６２とに別けて、アナログ
回路１とディジタル回路２を構成させ、中間導体Ｎ６３
を全面遮蔽体とし、アナログ回路１の高周波の接地側回
路１１と中間接続のスルーホール７１により接続しであ
る。

更に、アナログ回路１とディジタル回路２との回路接続
や電源供給接続も前記と同じに行う。

かくして、アナログ回路１とディジタル回路２とは中間
導体層５３．５４．６３により全面が遮蔽され、アナロ
グ回路１の高周波の接地側回路１１は直流的に接地され
ず、ディジタル回路２の接地側回路２１とは切り離され
、ディジタル回路２からアナログ回路１への電流による
影響を遮断し、更に、第一実施例では雨中間導体層５３
．５４間の絶縁層５５、第二実施例では中間導体Ｎ６３
と裏面導体層６２間の絶縁層６４の容量により高周波的
には接地され、この絶縁層５５．６４の厚みを選択設定
することにより、ディジタル回路２からの低周波の影響
も選択的に抑圧することが出来、高周波の電磁誘導は中
間導体ｉ５３．５４．６３の遮蔽効果により防止出来る
。

以上により、回路基板の両面にアナログ回路とディジタ
ル回路を混在実装した混成集積回路が完成されるが、回
路基板の材料、寸法、製造方法は問わない。

〔発明の効果〕

以上の如く、アナログ回路とディジタル回路を特性的に
影響熱（混在させた混成集積回路が得られ、回路基板の
小形化、高密度実装化が図れ、部品の絶縁取り付けも不
要とした効果は大なるものがある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の原理図、 第２図は本発明の第一実施例の断面図、第３図は本発明
の第二実施例の断面図、第４図は従来の一例の斜視断面
図である。 図において、 １はアナログ回路、　　２はディジタル回路、３は遮蔽
体、　　　　　４は部品、 ５．６．８は回路基板、　１１．２１．８８は接地側回
路、５Ｌ６１．８１は表面導体層、 ５２．６２．８２は裏面導体層、 ５３は第一中間導体層、５４は第二中間導体層、６３は
中間導体層、　　５５．６４は絶縁層、７１．７２はス
ルーホールである。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）回路基板の表面と裏面にアナログ回路（１）とデ
   ィジタル回路（２）とを別けて実装、回路構成させ、回
   路間の影響を除去する遮蔽接地用に中間導体層を設ける
   手段を備えたことを特徴とする混成集積回路。
2. （２）中間導体層を設ける手段として、絶縁された二層
   の該中間導体層を設け、第一層を該アナログ回路（１）
   の高周波の接地側回路（１１）に接続し、電源接地とは
   絶縁させ、第二層を該デジタル回路（２）の接地側回路
   （２１）と接続し、電源接地し、該中間導体層間の絶縁
   層の厚みを選択して設けることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の混成集積回路。
3. （３）中間導体層を設ける手段として、絶縁された一層
   の該中間導体層を、該アナログ回路（１）の高周波の接
   地側回路（１１）と接続し、電源接地とは絶縁させ、該
   回路基板の該ディジタル回路（２）の面との絶縁層の厚
   みを選択して設けることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載の混成集積回路。