JPS63160351A - Ｉｃチップの実装方法 - Google Patents
Ｉｃチップの実装方法Info
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- JPS63160351A JPS63160351A JP61309537A JP30953786A JPS63160351A JP S63160351 A JPS63160351 A JP S63160351A JP 61309537 A JP61309537 A JP 61309537A JP 30953786 A JP30953786 A JP 30953786A JP S63160351 A JPS63160351 A JP S63160351A
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- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title abstract 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明はＩＣチップの実装方法に関するものである。
［従来の技術］
従来ＩＣチップの実装方法としては、ワイヤーボンディ
ング法が一般的であり、ＩＣのボンディングパッド部に
ワイヤーボンディングをして、その上を樹脂でポツティ
ングする手段が一般的に行なわれている。また一部ＴＡ
Ｂ （Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉ
ｎｇ）も利用されている。そのほか導電ゴムコネクタを
用いる実装法も提案されている。これはポリイミド系な
どの樹脂にＩＣ基板に設けたバンブに対向する部分に穴
を開けて、そこにカーボンを入れたシリコンゴムを充填
してなる導電ゴムコネクタを用いるものである（ＮＩＫ
ＫＥＩ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＭＩＣＲＯＤＥＶＩ
ＣＥＳ １９８４．６゜１１）。
ング法が一般的であり、ＩＣのボンディングパッド部に
ワイヤーボンディングをして、その上を樹脂でポツティ
ングする手段が一般的に行なわれている。また一部ＴＡ
Ｂ （Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉ
ｎｇ）も利用されている。そのほか導電ゴムコネクタを
用いる実装法も提案されている。これはポリイミド系な
どの樹脂にＩＣ基板に設けたバンブに対向する部分に穴
を開けて、そこにカーボンを入れたシリコンゴムを充填
してなる導電ゴムコネクタを用いるものである（ＮＩＫ
ＫＥＩ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＭＩＣＲＯＤＥＶＩ
ＣＥＳ １９８４．６゜１１）。
［発明が解決しようとする間顕点］
上記従来例において、ワイヤーボンディング法は高価な
ボンディング装置が必要になる上に、多端子になるとコ
ストアップになる。ＴＡＢ法はボンディング装置を必要
とするほか、ＩＣのボンディングパッドにバンブ電極を
形成する工程が複雑でＩＣチップのコストが高くなると
いう欠点がある。さらに導電ゴムを用いた実装法では、
導電ゴムコネクタ、電極基板の３部品を含むので、ＩＣ
チップと導電ゴムの位置合せをしても、電極基板まで合
せようとすると、コネクタがずれたりして位置合せが面
倒であった。さらに上記従来例ではいずれも、耐湿性確
保のため、接合部をボッティング剤でモールドする必要
がありコストアップとなっていた。
ボンディング装置が必要になる上に、多端子になるとコ
ストアップになる。ＴＡＢ法はボンディング装置を必要
とするほか、ＩＣのボンディングパッドにバンブ電極を
形成する工程が複雑でＩＣチップのコストが高くなると
いう欠点がある。さらに導電ゴムを用いた実装法では、
導電ゴムコネクタ、電極基板の３部品を含むので、ＩＣ
チップと導電ゴムの位置合せをしても、電極基板まで合
せようとすると、コネクタがずれたりして位置合せが面
倒であった。さらに上記従来例ではいずれも、耐湿性確
保のため、接合部をボッティング剤でモールドする必要
がありコストアップとなっていた。
［問題点を解決するための手段］
この発明は上記従来例における欠点を解決するもので、
ＩＣチップのボンディングパッド上に導電性エラストマ
層をＩＣチップの表面より高く接着形成したＩＣチップ
と電極基板とを対向させ、これを押圧保持するものであ
り、電極基板への実装がきわめて容易にできるものであ
る。
ＩＣチップのボンディングパッド上に導電性エラストマ
層をＩＣチップの表面より高く接着形成したＩＣチップ
と電極基板とを対向させ、これを押圧保持するものであ
り、電極基板への実装がきわめて容易にできるものであ
る。
［実施例］
第１図示のようにＩＣチップ１のボンディングパッド２
上に導電性エラストマ層３を形成する。
上に導電性エラストマ層３を形成する。
この導電性エラストマ層３の材料としては、２μｍ以下
の表面を金メツキコートしたニッケル粉を混入した未硬
化シリコンゴムを用い、メタルマスクを用いてＩＣチッ
プのボンディングパッドの上にしごき印刷した後、シリ
コンゴムを硬化して形成する。実際には、この工程はウ
ェハの状態で多数のＩＣを同時に処理した後スクライブ
して１個ずつめＩＣチップとすればよい。この導電性エ
ラストマ層はＩＣチップ１の表面、すなわち、パシベー
ション膜４の面より高く形成しておく。
の表面を金メツキコートしたニッケル粉を混入した未硬
化シリコンゴムを用い、メタルマスクを用いてＩＣチッ
プのボンディングパッドの上にしごき印刷した後、シリ
コンゴムを硬化して形成する。実際には、この工程はウ
ェハの状態で多数のＩＣを同時に処理した後スクライブ
して１個ずつめＩＣチップとすればよい。この導電性エ
ラストマ層はＩＣチップ１の表面、すなわち、パシベー
ション膜４の面より高く形成しておく。
このＩＣチップ１を用いた実装について説明すると、第
３図のように、ＩＣチップ１を、そのボンディングパッ
ド２に対向する引出電極５を有する電極基板６と位置合
せをして、バネ性を有する押圧保持手段７の押え金具で
固定した。
３図のように、ＩＣチップ１を、そのボンディングパッ
ド２に対向する引出電極５を有する電極基板６と位置合
せをして、バネ性を有する押圧保持手段７の押え金具で
固定した。
この実装により、ＩＣチップ１のボンディングパッド２
と電極基板６の引出電極５とは導通がとれて、民生機器
としてはボッティングなしで十分実用に耐えるものであ
った。
と電極基板６の引出電極５とは導通がとれて、民生機器
としてはボッティングなしで十分実用に耐えるものであ
った。
上記導電性エラストマ層として、粘着性を有するエラス
トマ層を用いることにより、ＩＣチップと電極基板が仮
固定され１、押え金具で挟む時位置がずれず、保持が容
易となる。また室温では非粘着性で、高温になると粘着
性を有するシリコンゴムも市販されており、このタイプ
のエラストマを使用するとスクライブ時等の工程でべた
つかず、作業がしやすい。しかもホットプレート上で位
置合せをすることにより仮固定もできるので保持工程も
容易にできる。
トマ層を用いることにより、ＩＣチップと電極基板が仮
固定され１、押え金具で挟む時位置がずれず、保持が容
易となる。また室温では非粘着性で、高温になると粘着
性を有するシリコンゴムも市販されており、このタイプ
のエラストマを使用するとスクライブ時等の工程でべた
つかず、作業がしやすい。しかもホットプレート上で位
置合せをすることにより仮固定もできるので保持工程も
容易にできる。
導電性エラストマ層として粘着性を有するものを用いな
い場合には、第４図のように、別に粘着剤層８を設けて
も同様の効果が得られる。実装方法としては、この粘着
層８は電極基板側に設けてもよい。
い場合には、第４図のように、別に粘着剤層８を設けて
も同様の効果が得られる。実装方法としては、この粘着
層８は電極基板側に設けてもよい。
導電性エラストマ層３の形成方法はメタルマスクによる
印刷法に限定されるものではない。
印刷法に限定されるものではない。
なお電極基板は位置合せのしやすさを考慮して透明な材
料を用いてもよい。
料を用いてもよい。
また押圧保持手段は押え金具に限定するものではなく、
ボンディングパッド部と引き出し電極間の導通がとれる
ように抑圧できて、しかもその状態を固定保持できるも
のであれば他の手段であってもよい。
ボンディングパッド部と引き出し電極間の導通がとれる
ように抑圧できて、しかもその状態を固定保持できるも
のであれば他の手段であってもよい。
［発明の効果］
この発明によるＩＣチップの実装方法によれば、ＩＣチ
ップに導電性エラストマ層が一体に形成されるので、電
極基板との位置合せが容易であり、電極基板に対して位
置合せをして押圧保持するだけでよいので高価な機械設
備を・要せず、端子数が多くなっても、簡単にしかも一
度に全端子の実装ができる。またボンディングパッド部
をエラストマ層でモールドした状態になっているので、
耐湿性が高く、後でポツティングをしなくても十分実用
に耐えられる。さらに不良チップの取り替えが自由にで
きる。
ップに導電性エラストマ層が一体に形成されるので、電
極基板との位置合せが容易であり、電極基板に対して位
置合せをして押圧保持するだけでよいので高価な機械設
備を・要せず、端子数が多くなっても、簡単にしかも一
度に全端子の実装ができる。またボンディングパッド部
をエラストマ層でモールドした状態になっているので、
耐湿性が高く、後でポツティングをしなくても十分実用
に耐えられる。さらに不良チップの取り替えが自由にで
きる。
図面はこの発明の実施例を示し、第１図はＩＣチップの
断面図、第２図は第１図示のＩＣチップの平面図、第３
図はＩＣチップを電極基板に実装した状態の断面図、第
４図は他の実施例のＩＣチップの断面図である。 １１・ＩＣチップ ２・・・ボンディングパッド ３・・・導電性エラストマ層 ５・・・引出電極 ６・・・電極基板 ７φ・・押え金具
断面図、第２図は第１図示のＩＣチップの平面図、第３
図はＩＣチップを電極基板に実装した状態の断面図、第
４図は他の実施例のＩＣチップの断面図である。 １１・ＩＣチップ ２・・・ボンディングパッド ３・・・導電性エラストマ層 ５・・・引出電極 ６・・・電極基板 ７φ・・押え金具
Claims (1)
- ＩＣチップのボンディングパッド上に導電性エラストマ
層をＩＣチップの表面より突出させて形成したＩＣチッ
プと、上記ＩＣチップのボンディングパッドーに対応し
た電極を有する電極基板とを対向させ、これを押圧保持
するＩＣチップの実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61309537A JPS63160351A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Ｉｃチップの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61309537A JPS63160351A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Ｉｃチップの実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63160351A true JPS63160351A (ja) | 1988-07-04 |
| JPH0455530B2 JPH0455530B2 (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=17994206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61309537A Granted JPS63160351A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Ｉｃチップの実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63160351A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6468891B2 (en) | 2000-02-24 | 2002-10-22 | Micron Technology, Inc. | Stereolithographically fabricated conductive elements, semiconductor device components and assemblies including such conductive elements, and methods |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5277587A (en) * | 1975-12-23 | 1977-06-30 | Seiko Epson Corp | Wiring of integrated circuit outside chip |
| JPS55112860U (ja) * | 1979-02-02 | 1980-08-08 | ||
| JPS56110659U (ja) * | 1980-12-22 | 1981-08-27 | ||
| JPS61242041A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-12-24 JP JP61309537A patent/JPS63160351A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5277587A (en) * | 1975-12-23 | 1977-06-30 | Seiko Epson Corp | Wiring of integrated circuit outside chip |
| JPS55112860U (ja) * | 1979-02-02 | 1980-08-08 | ||
| JPS56110659U (ja) * | 1980-12-22 | 1981-08-27 | ||
| JPS61242041A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体装置 |
Cited By (11)
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| US6500746B2 (en) | 2000-02-24 | 2002-12-31 | Micron Technology, Inc. | Stereolithographically fabricated conductive elements, semiconductor device components and assemblies including such conductive elements, and methods |
| US6632732B2 (en) | 2000-02-24 | 2003-10-14 | Micron Technology, Inc. | Stereolithographically fabricated conductive elements, semiconductor device components and assemblies including such conductive elements, and methods |
| US6764935B2 (en) | 2000-02-24 | 2004-07-20 | Micron Technology, Inc. | Stereolithographic methods for fabricating conductive elements |
| US6764933B2 (en) | 2000-02-24 | 2004-07-20 | Micron Technology, Inc. | Stereolithographically fabricated conductive elements, semiconductor device components and assemblies including such conductive elements, and methods |
| US6767815B2 (en) | 2000-02-24 | 2004-07-27 | Micron Technology, Inc. | Stereolithographically fabricated conductive elements, semiconductor device components and assemblies including such conductive elements, and methods |
| US6780744B2 (en) | 2000-02-24 | 2004-08-24 | Micron Technology, Inc. | Stereolithographic methods for securing conductive elements to contacts of semiconductor device components |
| US6815253B2 (en) | 2000-02-24 | 2004-11-09 | Micron Technology, Inc. | Stereolithographically fabricated conductive elements, semiconductor device components and assemblies including such conductive elements, and methods |
| US6977211B2 (en) | 2000-02-24 | 2005-12-20 | Micron Technology, Inc. | Selective consolidation processes for electrically connecting contacts of semiconductor device components |
| US7137193B2 (en) | 2000-02-24 | 2006-11-21 | Micron Technology, Inc. | Programmed material consolidation methods for fabricating printed circuit board |
| US7273802B2 (en) | 2000-02-24 | 2007-09-25 | Micron Technology, Inc. | Methods for consolidating previously unconsolidated conductive material to form conductive structures or contact pads or secure conductive structures to contact pads |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0455530B2 (ja) | 1992-09-03 |
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