JPS63160348A - Ｉｃチツプ - Google Patents
ＩｃチツプInfo
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- JPS63160348A JPS63160348A JP61309533A JP30953386A JPS63160348A JP S63160348 A JPS63160348 A JP S63160348A JP 61309533 A JP61309533 A JP 61309533A JP 30953386 A JP30953386 A JP 30953386A JP S63160348 A JPS63160348 A JP S63160348A
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- JP
- Japan
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- chip
- electrode substrate
- bonding pad
- elastomer layer
- conductive elastomer
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- Granted
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明はボンディングパッド上に導電性エラストマ層
を形成したＩＣチップに関するものである。
を形成したＩＣチップに関するものである。
［従来の技術］
従来ＩＣチップの実装方法としては、ワイヤーボンディ
ング法が一般的であり、ＩＣのボンディングパッド部に
ワイヤーボンディングをして、その上を樹脂でポツティ
ングする手段が一般的に行なわれている。また一部ＴＡ
Ｂ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎ
ｇ）も利用されている。そのほか導電ゴムコネクタを用
いる実装法も提案されている。これはポリイミド系など
の樹脂にＩＣ基板に設けたバンブに対向する部分に穴を
開けて、そこにカーボンを入れたシリコンゴムを充填し
てなる導電ゴムコネクタを用いるものである（ＮＩＫＫ
ＥＩ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ８ＭＩＣＲＯＤＥＶＩＣ
ＥＳ １９８４．６．１１）。
ング法が一般的であり、ＩＣのボンディングパッド部に
ワイヤーボンディングをして、その上を樹脂でポツティ
ングする手段が一般的に行なわれている。また一部ＴＡ
Ｂ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎ
ｇ）も利用されている。そのほか導電ゴムコネクタを用
いる実装法も提案されている。これはポリイミド系など
の樹脂にＩＣ基板に設けたバンブに対向する部分に穴を
開けて、そこにカーボンを入れたシリコンゴムを充填し
てなる導電ゴムコネクタを用いるものである（ＮＩＫＫ
ＥＩ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ８ＭＩＣＲＯＤＥＶＩＣ
ＥＳ １９８４．６．１１）。
［発明が解決しようとする問題点］
上記従来例において、ワイヤーボンディング法は高価な
ボンディング装置が必要になる上に、多端子になるとコ
ストアップになる。ＴＡＢ法はボンディング装置を必要
とするほか、ＩＣのボンディングパッドにバンブ電極を
形成する工程が複雑でＩＣチップのコストが高くなると
いう欠点がある。さらに導電ゴムを用いた実装法では、
導電ゴムコネクタ、電極基板の３部品を含むので、ＩＣ
チップと導電ゴムの位置合せをしても、電極基板まで合
せようとすると、コネクタがずれたりして位置合せが面
倒であった。さらに上記従来例ではいずれも、耐湿性確
保のため、接合部をボッティング剤でモールドする必要
がありコストアップとなっていた。
ボンディング装置が必要になる上に、多端子になるとコ
ストアップになる。ＴＡＢ法はボンディング装置を必要
とするほか、ＩＣのボンディングパッドにバンブ電極を
形成する工程が複雑でＩＣチップのコストが高くなると
いう欠点がある。さらに導電ゴムを用いた実装法では、
導電ゴムコネクタ、電極基板の３部品を含むので、ＩＣ
チップと導電ゴムの位置合せをしても、電極基板まで合
せようとすると、コネクタがずれたりして位置合せが面
倒であった。さらに上記従来例ではいずれも、耐湿性確
保のため、接合部をボッティング剤でモールドする必要
がありコストアップとなっていた。
［聞届点を解決するための手段］
この発明は上記従来例における欠点を解決するもので、
ＩＣチップのボンディングパッド上に導電性エラストマ
層をＩＣチップの表面より高く接管形成したＩＣチップ
を提供するものであり、このＩＣチップを用いることに
より、電極基板への実装がきわめて容易にできるもので
ある。
ＩＣチップのボンディングパッド上に導電性エラストマ
層をＩＣチップの表面より高く接管形成したＩＣチップ
を提供するものであり、このＩＣチップを用いることに
より、電極基板への実装がきわめて容易にできるもので
ある。
［実施例］
第１図示のようにＩＣチップ１のボンディングパッド２
上に導電性エラストマ層３を形成する。
上に導電性エラストマ層３を形成する。
この導電性エラストマ層３の材料としては、２μｍ以下
の表面を金メツキコートしたニッケル粉を混入した未硬
化シリコンゴムを用い、メタルマスクを用いてＩＣチッ
プのボンディングパッドの上にしごき印刷した後、シリ
コンゴムを硬化して形成する。実際には、この工程はウ
ェハの状態で多数のＩＣを同時に処理した後スクライブ
して１個ずつのＩＣチップとすればよい。この導電性エ
ラストマ層はＩＣチップ１の表面、すなわち、パシベー
ション膜４の面より高く形成しておく。
の表面を金メツキコートしたニッケル粉を混入した未硬
化シリコンゴムを用い、メタルマスクを用いてＩＣチッ
プのボンディングパッドの上にしごき印刷した後、シリ
コンゴムを硬化して形成する。実際には、この工程はウ
ェハの状態で多数のＩＣを同時に処理した後スクライブ
して１個ずつのＩＣチップとすればよい。この導電性エ
ラストマ層はＩＣチップ１の表面、すなわち、パシベー
ション膜４の面より高く形成しておく。
このＩＣチップｌを用いた実装について説明すると、第
３図のように、ＩＣチップ１を、そのボンディングパッ
ド２に対向する引き出し電極５を有する電極基板６と位
置合せをして、バネ性を有する押圧保持手段７の押え金
具で固定した。
３図のように、ＩＣチップ１を、そのボンディングパッ
ド２に対向する引き出し電極５を有する電極基板６と位
置合せをして、バネ性を有する押圧保持手段７の押え金
具で固定した。
この実装により、ＩＣチップ１のボンディングパッド２
と電極基板６の引き出し電極５とは導通がとれて、民生
機器としてはボッティングなしで十分実用に耐えるもの
であつな。
と電極基板６の引き出し電極５とは導通がとれて、民生
機器としてはボッティングなしで十分実用に耐えるもの
であつな。
上記導電性エラストマ層として、粘着性を有するエラス
トマ層を用いることにより、ＩＣチップと電Ｆｉ！ｕ板
が仮固定され１、押え金具で挟む時位置がずれず、保持
が容易となる。また室温では非粘着性で、高温になると
粘着性を有するシリコンゴムも市販されており、このタ
イプのエラストマを使用するとスクライブ時等の工程で
べたつかず、作業がしやすい。しかもホットプレート上
で位置合せをすることにより仮固定もできるので保持工
程も容易にできる。
トマ層を用いることにより、ＩＣチップと電Ｆｉ！ｕ板
が仮固定され１、押え金具で挟む時位置がずれず、保持
が容易となる。また室温では非粘着性で、高温になると
粘着性を有するシリコンゴムも市販されており、このタ
イプのエラストマを使用するとスクライブ時等の工程で
べたつかず、作業がしやすい。しかもホットプレート上
で位置合せをすることにより仮固定もできるので保持工
程も容易にできる。
導電性エラストマ層として粘着性を有するものを用いな
い場合には、第４図のように、別に粘着剤層８を設けて
も同様の効果が得られる。実装方法としては、この粘着
層８は電極基板側に設けてもよい。
い場合には、第４図のように、別に粘着剤層８を設けて
も同様の効果が得られる。実装方法としては、この粘着
層８は電極基板側に設けてもよい。
導電性エラストマ層３の形成方法はメタルマスクによる
印刷法に限定されるものではない。
印刷法に限定されるものではない。
なお電極基板は位置合せのしやすさを考慮して透明な材
料を用いてもよい。
料を用いてもよい。
また抑圧保持手段は押え金具に限定するものではなく、
ボンディングパッド部と引き出し電極間の導通がとれる
ように抑圧できて、しかもその状態を固定保持できるも
のであれば他の手段であってもよい。
ボンディングパッド部と引き出し電極間の導通がとれる
ように抑圧できて、しかもその状態を固定保持できるも
のであれば他の手段であってもよい。
［発明の効果］
この発明によるＩＣチップによれば、ＩＣチップに導電
性エラストマ層が一体に形成されるので、電極基板との
位置合せが容易であり、電極基板に対して位置合せをし
て押圧保持するだけでよいので高価な機械設備を要せず
、端子数が多くなっても、簡単にしかも一度に全端子の
実装ができる。
性エラストマ層が一体に形成されるので、電極基板との
位置合せが容易であり、電極基板に対して位置合せをし
て押圧保持するだけでよいので高価な機械設備を要せず
、端子数が多くなっても、簡単にしかも一度に全端子の
実装ができる。
またボンディングパッド部をエラストマ層でモールドし
た状態になっているので、耐湿性が高く、後でポツティ
ングをしなくても十分実用に耐えられる。
た状態になっているので、耐湿性が高く、後でポツティ
ングをしなくても十分実用に耐えられる。
図面はこの発明の実施例を示し、第１図はＩＣチップの
断面図、第２図は第１図示のＩＣチップの平面図、第３
図はＩＣチップを電極基板に実装した状態の断面図、第
４図は他の実施例のＩＣチップの断面図である。 １や一φＩＣチップ ２・・・ボンディングパッド ３・・・導電性エラストマ層 ８・・・粘着剤層
断面図、第２図は第１図示のＩＣチップの平面図、第３
図はＩＣチップを電極基板に実装した状態の断面図、第
４図は他の実施例のＩＣチップの断面図である。 １や一φＩＣチップ ２・・・ボンディングパッド ３・・・導電性エラストマ層 ８・・・粘着剤層
Claims (4)
- （１）ＩＣチップのボンディングパッド上に導電性エラ
ストマ層をＩＣチップの表面より突出させて形成したＩ
Ｃチップ。 - （２）上記導電性エラストマ層は粘着性を有する特許請
求の範囲第１項のＩＣチップ。 - （３）上記導電性エラストマ層は室温では非粘着性で、
高温では粘着性を示すものである特許請求の範囲第１項
のＩＣチップ。 - （４）ＩＣチップのボンディングパッド上に導電性エラ
ストマ層をＩＣチップの表面より突出させて形成し、上
記導電性エラストマ層の形成されていないＩＣチップ表
面に粘着剤層を形成したＩＣチップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61309533A JPS63160348A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Ｉｃチツプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61309533A JPS63160348A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Ｉｃチツプ |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29843190A Division JPH03179756A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | Ｉｃチップ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63160348A true JPS63160348A (ja) | 1988-07-04 |
| JPH0432540B2 JPH0432540B2 (ja) | 1992-05-29 |
Family
ID=17994160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61309533A Granted JPS63160348A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | Ｉｃチツプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63160348A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02256252A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-17 | Omron Tateisi Electron Co | 電子部品の実装方法 |
| KR100367056B1 (ko) * | 1999-10-13 | 2003-01-09 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전자 부품의 지지 지그, 전자 부품의 지지 방법, 및 전자부품의 제조방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5277587A (en) * | 1975-12-23 | 1977-06-30 | Seiko Epson Corp | Wiring of integrated circuit outside chip |
| JPS61242041A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-12-24 JP JP61309533A patent/JPS63160348A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5277587A (en) * | 1975-12-23 | 1977-06-30 | Seiko Epson Corp | Wiring of integrated circuit outside chip |
| JPS61242041A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02256252A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-17 | Omron Tateisi Electron Co | 電子部品の実装方法 |
| KR100367056B1 (ko) * | 1999-10-13 | 2003-01-09 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전자 부품의 지지 지그, 전자 부품의 지지 방법, 및 전자부품의 제조방법 |
| US7624492B1 (en) | 1999-10-13 | 2009-12-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing electronic parts |
| US8726494B2 (en) | 1999-10-13 | 2014-05-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Holding jig for electronic parts |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0432540B2 (ja) | 1992-05-29 |
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