JPS63150929A - Icカ−ドにおけるicチツプ封止方法 - Google Patents
Icカ−ドにおけるicチツプ封止方法Info
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- JPS63150929A JPS63150929A JP61298121A JP29812186A JPS63150929A JP S63150929 A JPS63150929 A JP S63150929A JP 61298121 A JP61298121 A JP 61298121A JP 29812186 A JP29812186 A JP 29812186A JP S63150929 A JPS63150929 A JP S63150929A
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- Japan
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- sealing
- chip
- base material
- sealing medium
- sealant
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Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 22
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- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Credit Cards Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はICカードにおけるICチップ封止方法に関す
るものである。
るものである。
従来の技術
近年、マイクロコンピュータやメモリなどのICチップ
を内蔵した、いわゆるICカードが実用化さ跣てきてい
る。このICカー−の構造として、例えば本出願人は先
に、第3図及び第4図に示すようなものを提案している
。ICカードの基材を示す第3図において、41は可撓
性を有する基材、42はICチップの保持孔、43はス
ルーホール、44はチップボンディング用のリード、4
5は回路パターン、4Gは外部端子で119、この基材
41を用いたICカードを分解して示す第4図において
、47はICチップ、48はバンブ、49は封止剤、5
0は基材41の両面を覆う保FIiフィルム、50aは
外部端子46を露出させる窓である。
を内蔵した、いわゆるICカードが実用化さ跣てきてい
る。このICカー−の構造として、例えば本出願人は先
に、第3図及び第4図に示すようなものを提案している
。ICカードの基材を示す第3図において、41は可撓
性を有する基材、42はICチップの保持孔、43はス
ルーホール、44はチップボンディング用のリード、4
5は回路パターン、4Gは外部端子で119、この基材
41を用いたICカードを分解して示す第4図において
、47はICチップ、48はバンブ、49は封止剤、5
0は基材41の両面を覆う保FIiフィルム、50aは
外部端子46を露出させる窓である。
そして、このICカードを製造するには、基材41の保
持孔42にICチップ47を挿入するとともにリード4
4に対してバンプ48にてチップポンディングを打っで
ICチップ47を基材41に保持させるとともに回路パ
ターン45と電気的に接続し、次に封止剤49にてIC
チップ47を封止し、その後基材41の両面に保W1フ
ィルム50を加熱圧着して貼着している。
持孔42にICチップ47を挿入するとともにリード4
4に対してバンプ48にてチップポンディングを打っで
ICチップ47を基材41に保持させるとともに回路パ
ターン45と電気的に接続し、次に封止剤49にてIC
チップ47を封止し、その後基材41の両面に保W1フ
ィルム50を加熱圧着して貼着している。
ところで、前記ICチップ47の封止方法としては、一
般に第5図に示すように、基材41上の封止すべき範囲
を封止枠51にて囲んで、その中にエポキシ樹脂等の封
止剤49を山状に滴下することにより、ICチップ47
及びその接続部を封止剤49で埋め、封止剤49を硬化
させた後、封止枠51を取り除くとともに、図中に仮想
線で示すように、グラインダーにて封止剤49の突出部
分を削り取って、ICカードとして要求される所定の厚
みに収まるようにしている。
般に第5図に示すように、基材41上の封止すべき範囲
を封止枠51にて囲んで、その中にエポキシ樹脂等の封
止剤49を山状に滴下することにより、ICチップ47
及びその接続部を封止剤49で埋め、封止剤49を硬化
させた後、封止枠51を取り除くとともに、図中に仮想
線で示すように、グラインダーにて封止剤49の突出部
分を削り取って、ICカードとして要求される所定の厚
みに収まるようにしている。
又、第6図に示すように、基材41の表面に形成された
ボンディング部52にICチップ47を接合するととも
に、このICチップ47とパッド53とを金ワイヤ54
にてワイヤボンディングするようにしたICカードにお
いてら、ICチップの封止方法は、封止枠55を配置し
てその中に封止剤49を充填し、封止剤49を硬化させ
た後、封止剤49の突出部をグラインダーにて削り取る
という方法が採られている。なお、第6図において、5
6はICカードを平滑するためのスペーサである。
ボンディング部52にICチップ47を接合するととも
に、このICチップ47とパッド53とを金ワイヤ54
にてワイヤボンディングするようにしたICカードにお
いてら、ICチップの封止方法は、封止枠55を配置し
てその中に封止剤49を充填し、封止剤49を硬化させ
た後、封止剤49の突出部をグラインダーにて削り取る
という方法が採られている。なお、第6図において、5
6はICカードを平滑するためのスペーサである。
発明が解決しようとする問題点
ところが、上記のような封止方法では、封止剤を硬化さ
せた後、グラインダーによる新剤工程が必要となり、し
かもこの研削時に封止剤49に大きなストレスが作用し
、そのためにボンディングが外れてしまうことがあると
いう問題があった。
せた後、グラインダーによる新剤工程が必要となり、し
かもこの研削時に封止剤49に大きなストレスが作用し
、そのためにボンディングが外れてしまうことがあると
いう問題があった。
本発明はこのような従来の問題点に鑑み、封止剤を研削
せずに所定の厚みに仕上げることができ、生産性の良い
かつボンディングが外れる虞れのないICチップの封止
方法を提供することを目的とする。
せずに所定の厚みに仕上げることができ、生産性の良い
かつボンディングが外れる虞れのないICチップの封止
方法を提供することを目的とする。
問題、αを解決するための手段
本発明は上記目的を達成するため、基材に保持されたI
Cチップ上に封止剤を山状に塗布し、この封止剤を整形
板で押圧して平らに整形した後、封止剤を硬化させるこ
とを特徴とする。
Cチップ上に封止剤を山状に塗布し、この封止剤を整形
板で押圧して平らに整形した後、封止剤を硬化させるこ
とを特徴とする。
作用
本発明によれば、封止剤をディスペンサー等で山状に塗
布すればよいため、封止剤の塗布が容易であり、かつそ
の封止剤を硬化前に平らに整形するので、容易にかつ封
止剤にストレス等を発生させずに整形でき、ICチップ
のボンディングが外れる虞れもまったく無り、所望の厚
みのICカードに対応する厚さの封止を能率的にかつ信
頼性高く行うことができる。
布すればよいため、封止剤の塗布が容易であり、かつそ
の封止剤を硬化前に平らに整形するので、容易にかつ封
止剤にストレス等を発生させずに整形でき、ICチップ
のボンディングが外れる虞れもまったく無り、所望の厚
みのICカードに対応する厚さの封止を能率的にかつ信
頼性高く行うことができる。
実施例
以下、本発明の実施例をm1図及び第2図を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
tlfJ1図に示す第1実施例において、1はICカー
ドの基材であり、この基材1に形成された保持孔2内に
ICチップ3が挿入保持され、かつバンプ4を介して基
材1の表面に形成されたチップボンディング用のリード
5に接合されている。6は基材1に形成された回路パタ
ーン、7はスルーホール、8は外部電極である。
ドの基材であり、この基材1に形成された保持孔2内に
ICチップ3が挿入保持され、かつバンプ4を介して基
材1の表面に形成されたチップボンディング用のリード
5に接合されている。6は基材1に形成された回路パタ
ーン、7はスルーホール、8は外部電極である。
このように基材1にICチップ3が保持された状態で、
基材1の裏面に保持孔2を閉じるようにプラス板からな
る受板10を配置し、基材1の表面上に、封止厚みに対
応する高さを有しかつICチップ3の周囲の封止領域を
囲む封止枠11を配置室した後、ICチップ3上にディ
スペンサーにで紫外線硬化グの封止剤12を仮想線で示
すように山状に滴下塗布する。次に、封止剤12の上に
透明なガラス板からなる整形板13を乗せて封止枠11
に当接するまで押圧し、封止剤12を平らに整形する。
基材1の裏面に保持孔2を閉じるようにプラス板からな
る受板10を配置し、基材1の表面上に、封止厚みに対
応する高さを有しかつICチップ3の周囲の封止領域を
囲む封止枠11を配置室した後、ICチップ3上にディ
スペンサーにで紫外線硬化グの封止剤12を仮想線で示
すように山状に滴下塗布する。次に、封止剤12の上に
透明なガラス板からなる整形板13を乗せて封止枠11
に当接するまで押圧し、封止剤12を平らに整形する。
次に、紫外線ランプ14から整形板13を通しで封止剤
12に紫外線を照射し、封止剤12を硬化させる。その
後、受板10及び整形板13を取り除き、基材1の表裏
両面に図示しない保護フィルムを貼着することによって
ICカードが完成する。尚、前記受板10及び整形板1
3の封止剤と接する面には、雛形剤をコーティングした
り、離形シーYを貼着または介装したりして雛形処理が
施されている。
12に紫外線を照射し、封止剤12を硬化させる。その
後、受板10及び整形板13を取り除き、基材1の表裏
両面に図示しない保護フィルムを貼着することによって
ICカードが完成する。尚、前記受板10及び整形板1
3の封止剤と接する面には、雛形剤をコーティングした
り、離形シーYを貼着または介装したりして雛形処理が
施されている。
次に、第2図に基づいて第2実施例を説明する。
21は基材で、その表面に形成されたボンディング部2
2にICチップ23が接合されている。又、前記ボンデ
ィング部22の周囲に形成されたバッド24とICチッ
プ23とが金ワイヤ25にてワイヤボンディングされて
いる。26は回路パターン、27はスルーホール、28
は外部電極である。
2にICチップ23が接合されている。又、前記ボンデ
ィング部22の周囲に形成されたバッド24とICチッ
プ23とが金ワイヤ25にてワイヤボンディングされて
いる。26は回路パターン、27はスルーホール、28
は外部電極である。
このように基材21にICチップ23が保持された状態
で、基材21の表面上に、封止厚みに対応する高さを有
しかつICチップ23の周囲の封正領域を囲む封止枠3
1を配置した後、ICチップ23上にディスペンサーに
て紫外線硬化型の封止剤32を仮想線で示すように山状
に滴下塗布する。次に、封止剤32の上に透明なガラス
板からなる整形板33を乗せて封止枠30に当接するま
で押圧し、封止剤32を平らに整形する。次に、紫外線
ランプ34から整形板33を通して封止剤32に紫外線
を照射し、封止剤32を硬化させることによっで封止が
完了する。
で、基材21の表面上に、封止厚みに対応する高さを有
しかつICチップ23の周囲の封正領域を囲む封止枠3
1を配置した後、ICチップ23上にディスペンサーに
て紫外線硬化型の封止剤32を仮想線で示すように山状
に滴下塗布する。次に、封止剤32の上に透明なガラス
板からなる整形板33を乗せて封止枠30に当接するま
で押圧し、封止剤32を平らに整形する。次に、紫外線
ランプ34から整形板33を通して封止剤32に紫外線
を照射し、封止剤32を硬化させることによっで封止が
完了する。
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、例えば
上記実施例では紫外線硬化型の封止剤を用いた例を示し
たが熱硬化型の封止剤を用いてもよく、その場合当然整
形板は透明なガラス板である必要はなく、整形板は加熱
板あるいは耐熱板にて構成すると良い。
上記実施例では紫外線硬化型の封止剤を用いた例を示し
たが熱硬化型の封止剤を用いてもよく、その場合当然整
形板は透明なガラス板である必要はなく、整形板は加熱
板あるいは耐熱板にて構成すると良い。
発明の効果
本発明のICカードのICチップ封止方法によれば、以
上のように封止剤をディスペンサー等で山状に塗布すれ
ばよいため、封止剤の塗布が容易であり、かつその封止
剤を硬化前に平らに整形するので、容易にかつ封止剤に
ストレス等を発生させずに整形でさ、ICチップのボン
ディングが外れる虞れがなく、従って所望の厚みのIC
カードに対応する厚さの封止を能率的に行えるとともに
信頼性の高い封止が得られるという効果がある。
上のように封止剤をディスペンサー等で山状に塗布すれ
ばよいため、封止剤の塗布が容易であり、かつその封止
剤を硬化前に平らに整形するので、容易にかつ封止剤に
ストレス等を発生させずに整形でさ、ICチップのボン
ディングが外れる虞れがなく、従って所望の厚みのIC
カードに対応する厚さの封止を能率的に行えるとともに
信頼性の高い封止が得られるという効果がある。
第1図は本発明の第1実施例における封止過程の断面図
、第2図は本発明の第2笑施例における封止過程の断面
図、第3図はICカードに用いる基材の一例の外観斜視
図、第4図は第3図の基材を用いたICカードを保5!
フィルムを分肝して示した断面図、第5図は従来のIC
チップの封止過程を示す断面図、第6図は従来の他の構
造のICカードにおけるICチップの封止過程を示す断
面図である。 1.21・・・・・・・・・基材 3.23・・・・・・・・・ICチップ12.32・・
・・・・・・・封止剤 13.33・・・・・・・・・整形板 14.34・・・・・・・・・紫外線ランプ。 代理A4弁理士 中尾敏男 はか1名 12−封止を1 21・−・是 牧 23・・−10+7プ 32・−・灯止斉1 33・−・贅七政 第 2 図 34−6望外
ノ9う2゜第3図 A1 第4図 第5図
、第2図は本発明の第2笑施例における封止過程の断面
図、第3図はICカードに用いる基材の一例の外観斜視
図、第4図は第3図の基材を用いたICカードを保5!
フィルムを分肝して示した断面図、第5図は従来のIC
チップの封止過程を示す断面図、第6図は従来の他の構
造のICカードにおけるICチップの封止過程を示す断
面図である。 1.21・・・・・・・・・基材 3.23・・・・・・・・・ICチップ12.32・・
・・・・・・・封止剤 13.33・・・・・・・・・整形板 14.34・・・・・・・・・紫外線ランプ。 代理A4弁理士 中尾敏男 はか1名 12−封止を1 21・−・是 牧 23・・−10+7プ 32・−・灯止斉1 33・−・贅七政 第 2 図 34−6望外
ノ9う2゜第3図 A1 第4図 第5図
Claims (1)
- 基材に保持されたICチップ上に封止剤を山状に塗布
し、この封止剤を整形板で押圧して平らに整形した後、
封止剤を硬化させることを特徴とするICカードにおけ
るICチップ封止方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61298121A JPS63150929A (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | Icカ−ドにおけるicチツプ封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61298121A JPS63150929A (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | Icカ−ドにおけるicチツプ封止方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63150929A true JPS63150929A (ja) | 1988-06-23 |
Family
ID=17855442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61298121A Pending JPS63150929A (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | Icカ−ドにおけるicチツプ封止方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63150929A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6047430A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-14 | Sharp Corp | Lsiの樹脂封止方式 |
JPS60137028A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS62128534A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の封止方法 |
-
1986
- 1986-12-15 JP JP61298121A patent/JPS63150929A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6047430A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-14 | Sharp Corp | Lsiの樹脂封止方式 |
JPS60137028A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS62128534A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の封止方法 |
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