JPS62128534A - 半導体装置の封止方法 - Google Patents
半導体装置の封止方法Info
- Publication number
- JPS62128534A JPS62128534A JP27038185A JP27038185A JPS62128534A JP S62128534 A JPS62128534 A JP S62128534A JP 27038185 A JP27038185 A JP 27038185A JP 27038185 A JP27038185 A JP 27038185A JP S62128534 A JPS62128534 A JP S62128534A
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- potting resin
- potted
- potting
- heating plates
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- Pending
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はキャッシュカード用Ｉ（、身分証明書用ＩＣ
などとして用いられる薄型の半導体装置の封止方法に関
するものである。
などとして用いられる薄型の半導体装置の封止方法に関
するものである。
従来のこの種の半導体装置の封止方法はポツティングと
言われる方法で第２図に示す如く溝成されていた。この
ような公知技術は、特開昭５７−１７７５８１号公報な
どに示されている。
言われる方法で第２図に示す如く溝成されていた。この
ような公知技術は、特開昭５７−１７７５８１号公報な
どに示されている。
即ち第２図において、（１）は第１基板、（２）は第２
基板、（３）は半導体装置、（５）はボッティング樹脂
、（９）は成形枠である。この従来のものでは半導体装
置（３）を第２基板（２）に導電性接着材αＱを用いて
ダイボンディングし、その後、ワイヤーボンディング等
の方法によって半導体装置（３）と第１基板Ｑ）上のパ
ターン（６）とを接続ワイヤー（８）によって接続し、
その上に成形枠（９）を取り付け、枠の中にポツティン
グ樹脂を入れ加熱硬化させていた。また、他の従来の半
導体装ｆｆｆのポツティング方法は、第３図に示すよう
に、２つのフィルム基板α力上にはそれぞれリードフレ
ーム曲が形成されており、バンブーが形成された半導体
装置（３）はギャングボンディングによってリードフレ
ーム（６１）とボンディングされている。なお、バンプ
鞄とは金属積層構造、例えば金とスズによる突起と指し
、回路基板とＩＣをワイヤーで接合する為のものでバン
プが溶けて接合が完了する。次にフィルム基板α力の上
に成形枠（９）を取り付ける。以上の如く組み立てたも
のを治具α０上に第３図に示すように２つのフィルム基
板αυを対向させてセットし、ボッティング樹脂（５）
を成形枠（９）側からボッティングし、その後、加熱装
置によって加熱し硬化させる。次いでポツティング樹脂
（５）の冷却後、治具（至）をはずしてポツティング作
業を終了する。
基板、（３）は半導体装置、（５）はボッティング樹脂
、（９）は成形枠である。この従来のものでは半導体装
置（３）を第２基板（２）に導電性接着材αＱを用いて
ダイボンディングし、その後、ワイヤーボンディング等
の方法によって半導体装置（３）と第１基板Ｑ）上のパ
ターン（６）とを接続ワイヤー（８）によって接続し、
その上に成形枠（９）を取り付け、枠の中にポツティン
グ樹脂を入れ加熱硬化させていた。また、他の従来の半
導体装ｆｆｆのポツティング方法は、第３図に示すよう
に、２つのフィルム基板α力上にはそれぞれリードフレ
ーム曲が形成されており、バンブーが形成された半導体
装置（３）はギャングボンディングによってリードフレ
ーム（６１）とボンディングされている。なお、バンプ
鞄とは金属積層構造、例えば金とスズによる突起と指し
、回路基板とＩＣをワイヤーで接合する為のものでバン
プが溶けて接合が完了する。次にフィルム基板α力の上
に成形枠（９）を取り付ける。以上の如く組み立てたも
のを治具α０上に第３図に示すように２つのフィルム基
板αυを対向させてセットし、ボッティング樹脂（５）
を成形枠（９）側からボッティングし、その後、加熱装
置によって加熱し硬化させる。次いでポツティング樹脂
（５）の冷却後、治具（至）をはずしてポツティング作
業を終了する。
しかしながら、これらの方法によりポツティングを行な
うと、第２図においては第２基板（２）の上に半導体装
置（３）と第１基板（１）のパターン（２）とを接続し
た後に、接続ワイヤー（８）を覆うようにボッティング
を行うため、組立て後の半導体装置全体の総厚が厚くな
ってしまう傾向にあるという問題点があった。また第３
図においては治具を使用するため工程が増え、生産性が
悪くなった。また、第３図の方法ではポツティング樹脂
（５）は半導体装置（３）の裏側にまでも入る必要があ
るが、この時半導体装置（３）の裏側、あるいは冶具＠
の両端とリードフレーム旬との間に泡の入る場合が生じ
た。これは冶具によって密閉され空気の逃げる所がない
ためである。従って硬化後この泡は空気ボイドとなって
残る。ここでこの皿の半導体装置は薄形であるために、
１）モジュール表面からチップまでの距離が短かく水分
が浸入しやすい。２）小形化によりプリント基板への実
装時に半田熱の影響を受は易く、樹脂とリード界面の密
性性の劣化などの懸念される。従ってボイドの発生はこ
れらの点から信頼性の向上をさまたげるという問題点が
あった。
うと、第２図においては第２基板（２）の上に半導体装
置（３）と第１基板（１）のパターン（２）とを接続し
た後に、接続ワイヤー（８）を覆うようにボッティング
を行うため、組立て後の半導体装置全体の総厚が厚くな
ってしまう傾向にあるという問題点があった。また第３
図においては治具を使用するため工程が増え、生産性が
悪くなった。また、第３図の方法ではポツティング樹脂
（５）は半導体装置（３）の裏側にまでも入る必要があ
るが、この時半導体装置（３）の裏側、あるいは冶具＠
の両端とリードフレーム旬との間に泡の入る場合が生じ
た。これは冶具によって密閉され空気の逃げる所がない
ためである。従って硬化後この泡は空気ボイドとなって
残る。ここでこの皿の半導体装置は薄形であるために、
１）モジュール表面からチップまでの距離が短かく水分
が浸入しやすい。２）小形化によりプリント基板への実
装時に半田熱の影響を受は易く、樹脂とリード界面の密
性性の劣化などの懸念される。従ってボイドの発生はこ
れらの点から信頼性の向上をさまたげるという問題点が
あった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ボッティングによりフィルム基板に組み立て
られた半導体装置全体の総厚を薄くでき、また空気ボイ
ドの発生の少ない半導体装置の封止方法を提供すること
を目的とする。
たもので、ボッティングによりフィルム基板に組み立て
られた半導体装置全体の総厚を薄くでき、また空気ボイ
ドの発生の少ない半導体装置の封止方法を提供すること
を目的とする。
この発明にかかる半導体装置の封止方法は２つのフィル
ム基板間に組み立てられた半導体装置をポツティング樹
脂でポツティングして第１．第２のヒートプレート間に
配置し、ポツティングされた上記半導体装置が所定厚み
になるように両ヒートプレート間の間隔を調整し、その
漫画ヒートプレートを加熱して両ヒートプレート間のポ
ツティング樹脂を硬化させて半導体装置を封止するよう
にしたものである。
ム基板間に組み立てられた半導体装置をポツティング樹
脂でポツティングして第１．第２のヒートプレート間に
配置し、ポツティングされた上記半導体装置が所定厚み
になるように両ヒートプレート間の間隔を調整し、その
漫画ヒートプレートを加熱して両ヒートプレート間のポ
ツティング樹脂を硬化させて半導体装置を封止するよう
にしたものである。
この発明においては、第１．第２のヒートプレート間の
間隔を調整して組み立て後の半導体装置全体を所定厚み
にするので、半導体装置のポツティング樹脂を薄く形成
することができるとともに、空気ボイドの発生が少なく
なる。
間隔を調整して組み立て後の半導体装置全体を所定厚み
にするので、半導体装置のポツティング樹脂を薄く形成
することができるとともに、空気ボイドの発生が少なく
なる。
以下この発明の一実施例を第１図を用いて説明する。即
ち第１図において、０ηは２つのフィルム基板で、それ
ぞれのフィルム基板α◇の上面にはリードフレーム（６
υが形成されており、バンプが形成された半導体装置（
３）はギヤングボンディングによりリードフレーム旬と
ボンディングされている。
ち第１図において、０ηは２つのフィルム基板で、それ
ぞれのフィルム基板α◇の上面にはリードフレーム（６
υが形成されており、バンプが形成された半導体装置（
３）はギヤングボンディングによりリードフレーム旬と
ボンディングされている。
（２）は第１、即ち下面ヒートプレート、α１は第２、
即ち上面ヒートプレートである。ヒートプレート（２）
０３は任意の温度設定が可能となっており、上面ヒート
プレート（至）は図示しない方法によって下面ヒートプ
レート（６）上の任意の距離まで降下し、停止すること
ができるように構成されている。
即ち上面ヒートプレートである。ヒートプレート（２）
０３は任意の温度設定が可能となっており、上面ヒート
プレート（至）は図示しない方法によって下面ヒートプ
レート（６）上の任意の距離まで降下し、停止すること
ができるように構成されている。
ここで、フィルム基板α力は３５朋の写真フィルムと形
状が同じでスプロケット穴がついており、スプロケット
によって一定間隔で移動することができるようになって
いる。従って、図示していない吐出機によって、フィル
ム基板α力、この場合連続フィルム上の半導体装置（３
）上にポツティングｔｍ 脂（５）をポツティングし、
ポツティングされた半導体装置（３）をボンディングに
より搭ｊ俄したフィルム基板が下面ヒートプレート（２
）上に移動、停止し、次いで上面ヒートプレート（至）
が任意の位置まで降下して、ポツティング樹脂α０でポ
ツティングされた上記半導体装置（３）が所定厚みにな
るように上面。
状が同じでスプロケット穴がついており、スプロケット
によって一定間隔で移動することができるようになって
いる。従って、図示していない吐出機によって、フィル
ム基板α力、この場合連続フィルム上の半導体装置（３
）上にポツティングｔｍ 脂（５）をポツティングし、
ポツティングされた半導体装置（３）をボンディングに
より搭ｊ俄したフィルム基板が下面ヒートプレート（２
）上に移動、停止し、次いで上面ヒートプレート（至）
が任意の位置まで降下して、ポツティング樹脂α０でポ
ツティングされた上記半導体装置（３）が所定厚みにな
るように上面。
下面ヒートプレート間の間隔を調整し、ポツティング樹
脂（５）を上面、下面の両ヒートプレートによって一定
時間加熱してポツティング樹脂を硬化させ、所定の厚さ
に成形して半導体装置の封止を行なう。なお、ヒートプ
レートによって熱せられた樹脂は粘度が下がるが表面張
力によってヒートプレートに吸着し流れることはない。
脂（５）を上面、下面の両ヒートプレートによって一定
時間加熱してポツティング樹脂を硬化させ、所定の厚さ
に成形して半導体装置の封止を行なう。なお、ヒートプ
レートによって熱せられた樹脂は粘度が下がるが表面張
力によってヒートプレートに吸着し流れることはない。
成形後上面ヒートプレート（至）が上がり、半導体装置
の封止が完了し、硬化まちの次の半導体装置分だけ移動
し加熱の工程に入る。以下これを繰り返し自動ポツティ
ングシステムと成る。尚、この実施例ではポツティング
樹脂として、日本ベルノックス製の商品名ベルノックス
ＭＥ８９０ 、 ＸＭ−１９８８、ＭＥ −１１３の３
種のエポキシ樹脂を使用し、ヒートプレート温度を１５
０°Ｃに設定し３分で硬化を完了させた。尚、ヒートプ
レート面は平滑で鏡面仕上されているものが良くシリコ
ーン系の離型剤を塗布するか、ふっ素糸樹脂をコーティ
ングする。あるいは、ふっ素糸粘着テープ等をはりつけ
て使用し、ポツティング樹脂の硬化後の離型性を良くす
ることが望ましい。この実施例では上、下面ヒートプレ
ート面にニドフロン粘着テープ（商品名２日東電工製）
を貼りつけ使用した。
の封止が完了し、硬化まちの次の半導体装置分だけ移動
し加熱の工程に入る。以下これを繰り返し自動ポツティ
ングシステムと成る。尚、この実施例ではポツティング
樹脂として、日本ベルノックス製の商品名ベルノックス
ＭＥ８９０ 、 ＸＭ−１９８８、ＭＥ −１１３の３
種のエポキシ樹脂を使用し、ヒートプレート温度を１５
０°Ｃに設定し３分で硬化を完了させた。尚、ヒートプ
レート面は平滑で鏡面仕上されているものが良くシリコ
ーン系の離型剤を塗布するか、ふっ素糸樹脂をコーティ
ングする。あるいは、ふっ素糸粘着テープ等をはりつけ
て使用し、ポツティング樹脂の硬化後の離型性を良くす
ることが望ましい。この実施例では上、下面ヒートプレ
ート面にニドフロン粘着テープ（商品名２日東電工製）
を貼りつけ使用した。
このようにすると、半導体装置へのボッティング樹脂の
量と、上面、下面ヒートプレート間の間隔を調整するこ
とにより、半導体装置を中心としたポツティング樹１指
による封止中（第１図４で示す。）を任意にコントロー
ルできる。また、従来用いたような治具を用いる必要が
無いのでポツティング樹脂が広がって行く所に空気の抵
抗がなく、従って泡の入る心配もない。またポツティン
グしたポツティング樹脂は従来方法においてはボッティ
ング後の表面形状は表面張力によって山伏に盛りあがっ
ているが、この実施例によれば上面ヒートプレートによ
って押されるため平面形状を得ろことができ、山伏に盛
りあがっていた分だけ薄くポツティングできろようにな
った。さらに成形枠の必要がなくなり材料および工程の
削減となった。
量と、上面、下面ヒートプレート間の間隔を調整するこ
とにより、半導体装置を中心としたポツティング樹１指
による封止中（第１図４で示す。）を任意にコントロー
ルできる。また、従来用いたような治具を用いる必要が
無いのでポツティング樹脂が広がって行く所に空気の抵
抗がなく、従って泡の入る心配もない。またポツティン
グしたポツティング樹脂は従来方法においてはボッティ
ング後の表面形状は表面張力によって山伏に盛りあがっ
ているが、この実施例によれば上面ヒートプレートによ
って押されるため平面形状を得ろことができ、山伏に盛
りあがっていた分だけ薄くポツティングできろようにな
った。さらに成形枠の必要がなくなり材料および工程の
削減となった。
なお、上記実施例において使用したポツティング樹脂の
粘度は１０００ ｃｐｓへ２０００ ｃｐｓ （ｃｐｓ
は粘度の単位センチポイズ）であったが、５００ ｃｐ
ｓのクリヤー樹脂から４０万ＣＰＳの充填剤入りの樹脂
に至るまで同様の効果が得られることが予備実験により
実証されている。
粘度は１０００ ｃｐｓへ２０００ ｃｐｓ （ｃｐｓ
は粘度の単位センチポイズ）であったが、５００ ｃｐ
ｓのクリヤー樹脂から４０万ＣＰＳの充填剤入りの樹脂
に至るまで同様の効果が得られることが予備実験により
実証されている。
また、上記実施例においては、フィルム基板α力を連続
フィルムとして自動的に連続して半導体装置の封止を行
なうものとしたが、連続フィルムで゛ある必要はない。
フィルムとして自動的に連続して半導体装置の封止を行
なうものとしたが、連続フィルムで゛ある必要はない。
さらに、ヒートプレートの動作については、この実施例
にこだわるものではない。
にこだわるものではない。
以上のように、この発明によれば２つのフィルム基板間
に組み立てられた半導体装置をポツティング樹脂でポツ
ティングして第１．第２のヒートプレート間に配置し、
ポツティングされた上記半導体装置が所定厚みになるよ
うに両ヒートプレート間の間隔を調整し、その漫画ヒー
トプレートを加熱して両ヒートプレート間のポツティン
グ樹脂を硬化させるようにしたので、ポツティング樹脂
による封止中を任意にコントロールでき、空気ボイドの
発生が無く、薄くポツティングできる半導体装置の封止
方法が得られるという効果がある。
に組み立てられた半導体装置をポツティング樹脂でポツ
ティングして第１．第２のヒートプレート間に配置し、
ポツティングされた上記半導体装置が所定厚みになるよ
うに両ヒートプレート間の間隔を調整し、その漫画ヒー
トプレートを加熱して両ヒートプレート間のポツティン
グ樹脂を硬化させるようにしたので、ポツティング樹脂
による封止中を任意にコントロールでき、空気ボイドの
発生が無く、薄くポツティングできる半導体装置の封止
方法が得られるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例の半導体装置の封止方法に
よる２つのヒートプレート間にはさまれた状態の半導体
装置を示す断面図、第２図は従来の封止方法を説明する
断面図、第３図は従来の池の封止方法を説明する断面図
である。 （３）・・・半導体装置、（５）・・・ポツティング樹
脂、０η・・・フィルム基板、（２）・・・下面ヒート
プレート、（２）・・・上面ヒートプレート、α尋・・
・半導体装置の総厚、１６１１・・・リードフレーム なお図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
よる２つのヒートプレート間にはさまれた状態の半導体
装置を示す断面図、第２図は従来の封止方法を説明する
断面図、第３図は従来の池の封止方法を説明する断面図
である。 （３）・・・半導体装置、（５）・・・ポツティング樹
脂、０η・・・フィルム基板、（２）・・・下面ヒート
プレート、（２）・・・上面ヒートプレート、α尋・・
・半導体装置の総厚、１６１１・・・リードフレーム なお図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）２つのフィルム基板間に組み立てられた半導体装
置をポッティング樹脂でポッティングして第１、第２の
ヒートプレート間に配置し、ポッティングされた上記半
導体装置が所定厚みになるように両ヒートプレート間の
間隔を調整し、その後両ヒートプレートを加熱して両ヒ
ートプレート間のポッティング樹脂を硬化させて上記半
導体装置の封止を行なうようにした半導体装置の封止方
法。 - （２）第１、第２のヒートプレート間の間隔の調整は、
下面ヒートプレートを固定し、上面ヒートプレートを任
意の位置まで降下させて行なうようにした特許請求の範
囲第１項記載半導体装置の封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27038185A JPS62128534A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 半導体装置の封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27038185A JPS62128534A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 半導体装置の封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62128534A true JPS62128534A (ja) | 1987-06-10 |
Family
ID=17485463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27038185A Pending JPS62128534A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 半導体装置の封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62128534A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63150929A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｉｃカ−ドにおけるｉｃチツプ封止方法 |
| JPH03241753A (ja) * | 1990-02-19 | 1991-10-28 | Fujitsu Ltd | 封止装置及びアクチュエータ |
| US5736424A (en) * | 1987-02-27 | 1998-04-07 | Lucent Technologies Inc. | Device fabrication involving planarization |
-
1985
- 1985-11-29 JP JP27038185A patent/JPS62128534A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63150929A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｉｃカ−ドにおけるｉｃチツプ封止方法 |
| US5736424A (en) * | 1987-02-27 | 1998-04-07 | Lucent Technologies Inc. | Device fabrication involving planarization |
| JPH03241753A (ja) * | 1990-02-19 | 1991-10-28 | Fujitsu Ltd | 封止装置及びアクチュエータ |
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