JPH0380341B2 - - Google Patents
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- JPH0380341B2 JPH0380341B2 JP28516185A JP28516185A JPH0380341B2 JP H0380341 B2 JPH0380341 B2 JP H0380341B2 JP 28516185 A JP28516185 A JP 28516185A JP 28516185 A JP28516185 A JP 28516185A JP H0380341 B2 JPH0380341 B2 JP H0380341B2
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はキヤツシユカード用IC、身分証明
書用ICなどとして用いられる薄型の半導体装置
の封止方法に関するものである。
書用ICなどとして用いられる薄型の半導体装置
の封止方法に関するものである。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体装置の封止方法としては
第２図及び第３図の断面図に示されるようなポツ
テイングと言われる方法があつた。（特公昭57−
177531号公報） 第２図において、１は第１基板、２は第２基
板、３は半導体装置、４は裏面電極、５はポツテ
イング樹脂、９は成形枠である。このポツテイン
グ方法では半導体装置３を第２基板２に導電性接
着材１０を用いてダイボンデイングし、その後、
ワイヤーボンデイング等の方法によつて半導体装
置３と第１基板１上のパターン６とを接続ワイヤ
ー８によつて接続し、その上に成形枠９を取り付
け、枠の中にポツテイング樹脂を入れ加熱硬化さ
せていた。
第２図及び第３図の断面図に示されるようなポツ
テイングと言われる方法があつた。（特公昭57−
177531号公報） 第２図において、１は第１基板、２は第２基
板、３は半導体装置、４は裏面電極、５はポツテ
イング樹脂、９は成形枠である。このポツテイン
グ方法では半導体装置３を第２基板２に導電性接
着材１０を用いてダイボンデイングし、その後、
ワイヤーボンデイング等の方法によつて半導体装
置３と第１基板１上のパターン６とを接続ワイヤ
ー８によつて接続し、その上に成形枠９を取り付
け、枠の中にポツテイング樹脂を入れ加熱硬化さ
せていた。
第３図において１１はフイルム基板、６１はリ
ードフレーム、６２はバンプ１５は治具である。
この他のポツテイング方法では、第３図に示すよ
うに、フイルム基板１１上にリードフレーム６１
が形成されており、バンプ６２が形成された半導
体装置３はギヤングボンデイングによつてリード
フレーム６１とボンデイングされている。このよ
うに半導体装置３を塔載したフイルム基板１１の
上に成形枠９を取り付け、これを第３図に示すよ
うにフイルム基板１１を対向させて治具１５上に
セツトし、ポツテイング樹脂５を成形枠９側から
ポツテイングし加熱装置によつて加熱硬化させて
いた。次いでポツテイング樹脂５の冷却後、治具
１５をはずしてポツテイング作業を完了、半導体
装置を封止するものである。
ードフレーム、６２はバンプ１５は治具である。
この他のポツテイング方法では、第３図に示すよ
うに、フイルム基板１１上にリードフレーム６１
が形成されており、バンプ６２が形成された半導
体装置３はギヤングボンデイングによつてリード
フレーム６１とボンデイングされている。このよ
うに半導体装置３を塔載したフイルム基板１１の
上に成形枠９を取り付け、これを第３図に示すよ
うにフイルム基板１１を対向させて治具１５上に
セツトし、ポツテイング樹脂５を成形枠９側から
ポツテイングし加熱装置によつて加熱硬化させて
いた。次いでポツテイング樹脂５の冷却後、治具
１５をはずしてポツテイング作業を完了、半導体
装置を封止するものである。
ところが、第２図に示すポツテイング方法で
は、第２基板２の上に半導体装置３と第１基板１
のパターン６とを接続した後に、接続ワイヤー８
を覆うようにポツテイングを行うため、組立て後
の半導体装置全体の総厚が厚くなつてしまう傾向
にあり、薄型化が困難であつた。
は、第２基板２の上に半導体装置３と第１基板１
のパターン６とを接続した後に、接続ワイヤー８
を覆うようにポツテイングを行うため、組立て後
の半導体装置全体の総厚が厚くなつてしまう傾向
にあり、薄型化が困難であつた。
また、第３図の方法では治具１５を使用するた
め、工程が増え、生産性が悪かつた。さらに、こ
の方法ではポツテイング樹脂５は半導体装置３の
裏側にまでも入る必要があるが、樹脂のポツテイ
ング時に治具１５によつて密閉され空気の逃げる
所がない為、半導体装置３の裏側あるいは治具１
２の両端とリードフレーム６１との間に泡の入る
場合が生じた。そして、この泡は硬化後空気ボイ
ドとなつて残つた。
め、工程が増え、生産性が悪かつた。さらに、こ
の方法ではポツテイング樹脂５は半導体装置３の
裏側にまでも入る必要があるが、樹脂のポツテイ
ング時に治具１５によつて密閉され空気の逃げる
所がない為、半導体装置３の裏側あるいは治具１
２の両端とリードフレーム６１との間に泡の入る
場合が生じた。そして、この泡は硬化後空気ボイ
ドとなつて残つた。
しかるに、この種の半導体装置は薄型であるた
めに、パツケージ表面からチツプまでの距離が短
かく水が侵入しやすい。また小型化によりプリン
ト基板への実装方法が従来と異なり、そのため半
田熱の影響を受けやすく、樹脂とリード界面の密
着性の劣化などが懸念される。
めに、パツケージ表面からチツプまでの距離が短
かく水が侵入しやすい。また小型化によりプリン
ト基板への実装方法が従来と異なり、そのため半
田熱の影響を受けやすく、樹脂とリード界面の密
着性の劣化などが懸念される。
従つて、上記の点からボイドの発生は信頼性の
向上を妨げるという問題点があつた。
向上を妨げるという問題点があつた。
従来の半導体装置を封止するポツテイング方法
では、一方では半導体装置全体の総厚が厚くなる
という問題点があり、他方では、ポツテイング後
のポツテイング樹脂にボイドが発生しやすく、信
頼性に欠けるという問題点があつた。
では、一方では半導体装置全体の総厚が厚くなる
という問題点があり、他方では、ポツテイング後
のポツテイング樹脂にボイドが発生しやすく、信
頼性に欠けるという問題点があつた。
この発明は、このような従来のものの欠点を解
決するために為されたもので、半導体装置の総厚
を薄くし、ポツテイング後のポツテイング樹脂に
ボイドが発生するのを防止し信頼性の高い半導体
装置の封止方法を提供することを目的とする。
決するために為されたもので、半導体装置の総厚
を薄くし、ポツテイング後のポツテイング樹脂に
ボイドが発生するのを防止し信頼性の高い半導体
装置の封止方法を提供することを目的とする。
この発明の半導体装置の封止方法は、フイルム
基板に塔載され、紫外線硬化型樹脂がポツテイン
グされた半導体装置を、上下面プレート間に所望
間隙をあけて保持、紫外線硬化型樹脂を押圧した
状態で紫外線を照射し、硬化するものである。
基板に塔載され、紫外線硬化型樹脂がポツテイン
グされた半導体装置を、上下面プレート間に所望
間隙をあけて保持、紫外線硬化型樹脂を押圧した
状態で紫外線を照射し、硬化するものである。
この発明においては上下面プレート間の間隙を
調整することにより、半導体装置を中心としたポ
ツテイング樹脂による封止巾を任意にコントロー
ルできる。また押圧されるのでポツテイング樹脂
が山状に盛り上がることなく薄くできる。さらに
成形枠等を廃しているので、ボイドの発生を防げ
信頼性を向上できる。
調整することにより、半導体装置を中心としたポ
ツテイング樹脂による封止巾を任意にコントロー
ルできる。また押圧されるのでポツテイング樹脂
が山状に盛り上がることなく薄くできる。さらに
成形枠等を廃しているので、ボイドの発生を防げ
信頼性を向上できる。
以下、この発明の一実施例を第１図に用いて説
明する図において、３はパンプが形成された半導
体装置、１１は半導体塔載用フイルム基板で上面
にリードフレーム６１が形成されている。半導体
装置３はギヤングボンデイングによりリードフレ
ーム６１とボンデイングされている。５は紫外線
硬化型ポツテイング樹脂、１２は下面プレート、
１３は上面プレートで、ともに透明で紫外線を良
く通す石英ガラス、パイレツクス、フロート板ガ
ラス等のガラス類、あるいはポリカーボネート、
アクリル等のプラスチツク類から成り、上面プレ
ート１３は図示しない方法によつて、下面プレー
ト１２上、任意の距離まで降下し、上・下面プレ
ート１２，１３間に所望間隙１４を形成して停止
することができるように構成されている。１６は
紫外線照射装置で、上面、下面プレートを通して
紫外線を照射できるように構成されている。ここ
で、フイルム基板１１は35mmの写真フイルムと形
状が同じでスプロケツト穴がついており、スプロ
ケツトによつて一定間隔で移動することができる
ようになつている。従つて、図示していない吐出
機によつて、連続フイルム上の半導体装置３上
に、紫外線硬化型樹脂５をポツテイングし、ポツ
テイングされた半導体装置３を前記した方法で塔
載したフイルム基板１１が下面プレート１２上に
移動、停止し、次いで上面プレート１３が任意の
位置まで下降して、紫外線照射装置１６によつ
て、紫外線硬化型樹脂５を上面、下面プレート１
３，１２を通して紫外線照射し、硬化させた所望
の厚さに成形する。成形後上面プレート１３が上
がり、次にフイルム基板１１がポツテイングを終
了し、成形、硬化まちの次の半導体装置分だけ移
動し、紫外線照射の工程に入る。以下、これを繰
り返し自動ポツテイングシステムと成る。
明する図において、３はパンプが形成された半導
体装置、１１は半導体塔載用フイルム基板で上面
にリードフレーム６１が形成されている。半導体
装置３はギヤングボンデイングによりリードフレ
ーム６１とボンデイングされている。５は紫外線
硬化型ポツテイング樹脂、１２は下面プレート、
１３は上面プレートで、ともに透明で紫外線を良
く通す石英ガラス、パイレツクス、フロート板ガ
ラス等のガラス類、あるいはポリカーボネート、
アクリル等のプラスチツク類から成り、上面プレ
ート１３は図示しない方法によつて、下面プレー
ト１２上、任意の距離まで降下し、上・下面プレ
ート１２，１３間に所望間隙１４を形成して停止
することができるように構成されている。１６は
紫外線照射装置で、上面、下面プレートを通して
紫外線を照射できるように構成されている。ここ
で、フイルム基板１１は35mmの写真フイルムと形
状が同じでスプロケツト穴がついており、スプロ
ケツトによつて一定間隔で移動することができる
ようになつている。従つて、図示していない吐出
機によつて、連続フイルム上の半導体装置３上
に、紫外線硬化型樹脂５をポツテイングし、ポツ
テイングされた半導体装置３を前記した方法で塔
載したフイルム基板１１が下面プレート１２上に
移動、停止し、次いで上面プレート１３が任意の
位置まで下降して、紫外線照射装置１６によつ
て、紫外線硬化型樹脂５を上面、下面プレート１
３，１２を通して紫外線照射し、硬化させた所望
の厚さに成形する。成形後上面プレート１３が上
がり、次にフイルム基板１１がポツテイングを終
了し、成形、硬化まちの次の半導体装置分だけ移
動し、紫外線照射の工程に入る。以下、これを繰
り返し自動ポツテイングシステムと成る。
なお、実施例１ではポツテイング樹脂として昭
和高分子社製の商品名、スピラツクT510−７（紫
外線硬化樹脂）を使用し、紫外線照射時間
（500W）200秒で硬化を完了させた。また、実施
例２では、紫外線硬化、加熱硬化併用型の樹脂、
東洋紡社製VHT−４を使用し、紫外線照射時間
５秒の後、加熱炉で150℃30分のバツチ処理によ
る硬化を行なつた。その結果いずれにおいても良
好な結果を得たが、実施例１に対し、実施例２で
は加熱併用のため、紫外線照射の後、加熱炉での
アフターキユアーが必要であるが、ポツテイング
作業を自動化した場合を考慮すると、自動化ライ
ンでのタクトタイムの短かい併用型の方が適して
いるように思える。（加熱はバツチ処理で行なう
〓連続したフイルムキヤリア上に半導体が乗つて
いるため）。また、実施例では上、下面プレート
に石英板ガラスを使用し、シリコーン系の離型剤
を塗布し使用した。
和高分子社製の商品名、スピラツクT510−７（紫
外線硬化樹脂）を使用し、紫外線照射時間
（500W）200秒で硬化を完了させた。また、実施
例２では、紫外線硬化、加熱硬化併用型の樹脂、
東洋紡社製VHT−４を使用し、紫外線照射時間
５秒の後、加熱炉で150℃30分のバツチ処理によ
る硬化を行なつた。その結果いずれにおいても良
好な結果を得たが、実施例１に対し、実施例２で
は加熱併用のため、紫外線照射の後、加熱炉での
アフターキユアーが必要であるが、ポツテイング
作業を自動化した場合を考慮すると、自動化ライ
ンでのタクトタイムの短かい併用型の方が適して
いるように思える。（加熱はバツチ処理で行なう
〓連続したフイルムキヤリア上に半導体が乗つて
いるため）。また、実施例では上、下面プレート
に石英板ガラスを使用し、シリコーン系の離型剤
を塗布し使用した。
上記のように、この発明によると上面、下面プ
レートの間隙を調整することによつて半導体装置
を中心としたポツテイング樹脂による封止巾を任
意にコントロールできる。なお、半導体装置にポ
ツテイングする紫外線硬化型樹脂の量を変えると
より効果的である。この時第３図に示したような
治具がないので、ポツテイング樹脂が広がつて行
く所に空気の抵抗がなく、従つて泡の入る心配も
ない。またポツテイングしたポツテイング樹脂
は、従来方法であればポツテイング後の表面形状
は表面張力によつて山状に盛りあがつているが、
この発明によれば上面プレートによつて押される
ため、平面を得ることができ、山状にもり上がつ
ていた分だけ薄くポツテイングできるようになつ
た。さらに成形枠の必要もなくなつた。
レートの間隙を調整することによつて半導体装置
を中心としたポツテイング樹脂による封止巾を任
意にコントロールできる。なお、半導体装置にポ
ツテイングする紫外線硬化型樹脂の量を変えると
より効果的である。この時第３図に示したような
治具がないので、ポツテイング樹脂が広がつて行
く所に空気の抵抗がなく、従つて泡の入る心配も
ない。またポツテイングしたポツテイング樹脂
は、従来方法であればポツテイング後の表面形状
は表面張力によつて山状に盛りあがつているが、
この発明によれば上面プレートによつて押される
ため、平面を得ることができ、山状にもり上がつ
ていた分だけ薄くポツテイングできるようになつ
た。さらに成形枠の必要もなくなつた。
なお、実施例で使用した樹脂の粘度は1000cps
〜2000cpsであつたが、1000cps以下の低粘度の樹
脂においても同様の効果を得ることができる。
（低粘度であれば流れやすくなるが２枚のプレー
トの間に樹脂があるため、表面張力によつて形状
を保つ）、また高粘度域ではクリヤー樹脂で10万
cpsまでは同様の効果を予備実験にて得ている。
加えて、充填剤入りの樹脂においても、東洋紡社
製、紫外線加熱併用樹脂VHT−４に、竜森KK
製クリスタライト−AAを１対２の割合（重量）
で混合し、約40万cpsの状態で使用した場合も良
い結果を得られた。（40万cpsとはいつてもクリヤ
ー樹脂の粘度が低い為、ドローツとして流動性が
あるが、クリヤー樹脂で10万cpsを越えると流動
性がなくなる。このため泡を混入する結果となり
使用に適さない。） また、加熱併用の場合の加熱方法は、電気オー
ブン、赤外線加熱遠赤外線加熱等どれを使用して
も同様の効果を奏することはいうまでもない。
〜2000cpsであつたが、1000cps以下の低粘度の樹
脂においても同様の効果を得ることができる。
（低粘度であれば流れやすくなるが２枚のプレー
トの間に樹脂があるため、表面張力によつて形状
を保つ）、また高粘度域ではクリヤー樹脂で10万
cpsまでは同様の効果を予備実験にて得ている。
加えて、充填剤入りの樹脂においても、東洋紡社
製、紫外線加熱併用樹脂VHT−４に、竜森KK
製クリスタライト−AAを１対２の割合（重量）
で混合し、約40万cpsの状態で使用した場合も良
い結果を得られた。（40万cpsとはいつてもクリヤ
ー樹脂の粘度が低い為、ドローツとして流動性が
あるが、クリヤー樹脂で10万cpsを越えると流動
性がなくなる。このため泡を混入する結果となり
使用に適さない。） また、加熱併用の場合の加熱方法は、電気オー
ブン、赤外線加熱遠赤外線加熱等どれを使用して
も同様の効果を奏することはいうまでもない。
以上のように、この発明によれば、半導体塔載
用フイルム基板に塔載され、紫外線硬化型樹脂が
ポツテイングされた半導体装置を、上下面プレー
ト間に間隙をあけて保持、紫外線硬化型樹脂を押
圧した状態で紫外線を照射し、硬化させるように
することにより、半導体装置の総厚を薄くし、ポ
ツテイング後のポツテイング樹脂にボイドが発生
するのを防止でき信頼性高く半導体装置を封止で
きる効果がある。
用フイルム基板に塔載され、紫外線硬化型樹脂が
ポツテイングされた半導体装置を、上下面プレー
ト間に間隙をあけて保持、紫外線硬化型樹脂を押
圧した状態で紫外線を照射し、硬化させるように
することにより、半導体装置の総厚を薄くし、ポ
ツテイング後のポツテイング樹脂にボイドが発生
するのを防止でき信頼性高く半導体装置を封止で
きる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例の半導体装置の封
止方法を示す断面構成図で、第２図及び第３図は
それぞれ従来例の半導体装置の封止方法を示す断
面図である。 図において、３は半導体装置、５は紫外線硬化
型樹脂、１１は半導体塔載用フイルム基板、１２
は下面プレート、１３は上面プレート、１４は間
隙、１６は紫外線照射装置、６１はリードフレー
ムである。なお、図中、同一符号は同一又は相当
部分を示す。
止方法を示す断面構成図で、第２図及び第３図は
それぞれ従来例の半導体装置の封止方法を示す断
面図である。 図において、３は半導体装置、５は紫外線硬化
型樹脂、１１は半導体塔載用フイルム基板、１２
は下面プレート、１３は上面プレート、１４は間
隙、１６は紫外線照射装置、６１はリードフレー
ムである。なお、図中、同一符号は同一又は相当
部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体塔載用フイルム基板に塔載された半導
体装置に紫外線硬化型樹脂をポツテイングする工
程、上記半導体装置を下面プレートに載置する工
程、並びに下面プレート上の上記紫外線硬化型樹
脂がポツテイングされた半導体装置を上面及び下
面プレート間に所望間隙をあけて保持し、上記紫
外線硬化型樹脂を押圧した状態で、上記紫外線硬
化型樹脂に少なくともどちらか一方のプレートを
透過した紫外線を照射し、上記紫外線硬化型樹脂
を硬化させるようにした半導体装置の封止方法。 ２ 上面及び下面プレートはともに紫外線透過性
であり、上面及び下面プレートを透過させ紫外線
を照射するようにした特許請求の範囲第１項記載
の半導体装置の封止方法。 ３ 上面プレートを上下に移動させ両プレート間
の間隙を調整するようにした特許請求の範囲第１
項又は第２項記載の半導体装置の封止方法。 ４ 紫外線硬化型樹脂は紫外線加熱併用型樹脂で
ある特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれ
かに記載の半導体装置の封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28516185A JPS62144335A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 半導体装置の封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28516185A JPS62144335A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 半導体装置の封止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62144335A JPS62144335A (ja) | 1987-06-27 |
| JPH0380341B2 true JPH0380341B2 (ja) | 1991-12-24 |
Family
ID=17687874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28516185A Granted JPS62144335A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 半導体装置の封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62144335A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0189753U (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-13 | ||
| JP2772443B2 (ja) * | 1990-06-18 | 1998-07-02 | シャープ株式会社 | 半導体パッケージの封止方法及び封止装置 |
-
1985
- 1985-12-18 JP JP28516185A patent/JPS62144335A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62144335A (ja) | 1987-06-27 |
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