JPS63150713A - 定電圧源回路 - Google Patents
定電圧源回路Info
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- JPS63150713A JPS63150713A JP29761986A JP29761986A JPS63150713A JP S63150713 A JPS63150713 A JP S63150713A JP 29761986 A JP29761986 A JP 29761986A JP 29761986 A JP29761986 A JP 29761986A JP S63150713 A JPS63150713 A JP S63150713A
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Links
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- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野〕
この発明は、電源電圧の変動によって特性が悪化する回
路に定電圧を供給するための定電圧発生回路に関する。
路に定電圧を供給するための定電圧発生回路に関する。
(従来の技術〕
従来、この種の定ぼ庄原回路は、例えば第5図に示すよ
うに構成されている。第5図において、1ノは電源(V
oC)端子、12は定電圧源(Vsrn)端子、13は
接地(GND )端子で、上記電源端子11にはバイパ
スコンデンサ14が、上記定電圧源端子12にはパイ・
9スコンデンサ15がそれぞれ外付けされる。また、上
記電#4子1ノには、カレントミラー回路を構成するP
NP型トランソスタQl、Q2の各エミッタおよびNP
N W出力トランジスタQ3のコレクタがそれぞれ接続
される。
うに構成されている。第5図において、1ノは電源(V
oC)端子、12は定電圧源(Vsrn)端子、13は
接地(GND )端子で、上記電源端子11にはバイパ
スコンデンサ14が、上記定電圧源端子12にはパイ・
9スコンデンサ15がそれぞれ外付けされる。また、上
記電#4子1ノには、カレントミラー回路を構成するP
NP型トランソスタQl、Q2の各エミッタおよびNP
N W出力トランジスタQ3のコレクタがそれぞれ接続
される。
上記トランジスタQ J I Q 2はl:Nのエミッ
メ面積比を有してお)、ペースが共通接続されてトラン
ジスタQ1のコレクタに暖続されるとともに。
メ面積比を有してお)、ペースが共通接続されてトラン
ジスタQ1のコレクタに暖続されるとともに。
トランジスタQ2のコレクタと上記接地端子13間には
定電圧発生回路16が接続される。上記トランジスタQ
3のペースには上記トランジスタQ2のコレクタが接続
され、エミッタには上紀定2圧源端子12が接続される
。上記定電圧源端子12と接地端子13間には、負荷1
7が接続される。上記トランソスタQノのコレクタには
、NPN型トランソスタQ4のコレクタが接続され、こ
のトランジスタQ4のエミッタと接地端子13間には抵
抗R1が接続される。上記トランジスタQ4のペースに
は、スイッチ回路18の一端が接続され、このスイッチ
回路18の他端と上記接地端子13間には電源y1が接
続される。そして、上記スイッチ回路18がスイッチ制
御端子19に供給される制御信号C8によってオン/オ
フ制御されることKよシ定電圧発生回路20の動作が制
御される。
定電圧発生回路16が接続される。上記トランジスタQ
3のペースには上記トランジスタQ2のコレクタが接続
され、エミッタには上紀定2圧源端子12が接続される
。上記定電圧源端子12と接地端子13間には、負荷1
7が接続される。上記トランソスタQノのコレクタには
、NPN型トランソスタQ4のコレクタが接続され、こ
のトランジスタQ4のエミッタと接地端子13間には抵
抗R1が接続される。上記トランジスタQ4のペースに
は、スイッチ回路18の一端が接続され、このスイッチ
回路18の他端と上記接地端子13間には電源y1が接
続される。そして、上記スイッチ回路18がスイッチ制
御端子19に供給される制御信号C8によってオン/オ
フ制御されることKよシ定電圧発生回路20の動作が制
御される。
上記のような構成にふ―いて、制御信号C8Kよシスイ
ッチ回路18がオン状態に設定されると、電源v1から
トランジスタQ4にペース電流が供Mされ、このトラン
ジスタQ4がオン状態となる。
ッチ回路18がオン状態に設定されると、電源v1から
トランジスタQ4にペース電流が供Mされ、このトラン
ジスタQ4がオン状態となる。
これによって、トランソスタQノのコレクタには”C1
(〜”C4)なる電流が流れ、トランジスタQ2のコレ
クタにはN X I c 1なる電流が流れる。
(〜”C4)なる電流が流れ、トランジスタQ2のコレ
クタにはN X I c 1なる電流が流れる。
この電流(NXIc+)がトランジスタQ3のペースに
供給され、このトランジスタQ3がオン状態となること
により、負荷17に電源端子11から電源vccが供給
される。
供給され、このトランジスタQ3がオン状態となること
により、負荷17に電源端子11から電源vccが供給
される。
一方、制#信号C8によりてスイッチ回路18がオフ状
態に設定されると、トランジスタQ4はオフ状態となる
。従って、トランジスタQ1〜Q3もオフ状態となシ、
負荷17には電源は供給されない。
態に設定されると、トランジスタQ4はオフ状態となる
。従って、トランジスタQ1〜Q3もオフ状態となシ、
負荷17には電源は供給されない。
しかし、このような構成では、定電圧発生回路20の動
作を制御するためのスイッチ制御端子19が必要となう
、端子数の削減を図りたい半導体集積回路装置にあって
は不利である。端子数の削減を図るために、上記スイッ
チ制御端子19を省いて定電圧発生回路20を非動作状
態とするために、上記定電圧源端子12t−接地端子1
3に接続する(トランジスタQ3のエミッタを接地する
)Q2のカレントミラー比をN、およびトランジスタQ
ノのコレクタ電流をrctとすると、トランジスタQ3
のコレクタ′T!L流は、工 =β ・N−IC1 C35 となる。ここで、β3 =100 、N=1 、I。、
=100μAとした場合のコレクタ電流’csを求めて
みると。
作を制御するためのスイッチ制御端子19が必要となう
、端子数の削減を図りたい半導体集積回路装置にあって
は不利である。端子数の削減を図るために、上記スイッ
チ制御端子19を省いて定電圧発生回路20を非動作状
態とするために、上記定電圧源端子12t−接地端子1
3に接続する(トランジスタQ3のエミッタを接地する
)Q2のカレントミラー比をN、およびトランジスタQ
ノのコレクタ電流をrctとすると、トランジスタQ3
のコレクタ′T!L流は、工 =β ・N−IC1 C35 となる。ここで、β3 =100 、N=1 、I。、
=100μAとした場合のコレクタ電流’csを求めて
みると。
I =100XIX100μA=lOmAとなり、消
費電流が大幅に増加して実用に耐えない。
費電流が大幅に増加して実用に耐えない。
定電圧発生回路の他の構成例として定電圧発生回路16
t−使用しないものもあるが、この場合には出力特性が
電源電圧依存性を待ってしまう。このため、′1源電圧
依存性をなくすための補償回路が必要となシ1回路構成
が複雑化するとともに素子数が増加してチップ面積の増
大によりコストの上昇を招くという欠点がある。
t−使用しないものもあるが、この場合には出力特性が
電源電圧依存性を待ってしまう。このため、′1源電圧
依存性をなくすための補償回路が必要となシ1回路構成
が複雑化するとともに素子数が増加してチップ面積の増
大によりコストの上昇を招くという欠点がある。
(発明が解決しようとする問題点)
上述したように、従来の足社庄原回路においては、動作
を制御するためのスイッチ制御端子が必要となり端子数
が増加する欠点がある。また、上記スイッチ制御端子を
省略しようとすると消費電流が増加したり、回路構成が
複雑化したりする欠点がある。
を制御するためのスイッチ制御端子が必要となり端子数
が増加する欠点がある。また、上記スイッチ制御端子を
省略しようとすると消費電流が増加したり、回路構成が
複雑化したりする欠点がある。
この発明は上記のような事情に≦みてなされたもので、
その目的とするところは、消費′f!tmの増加や回路
構成の複雑化を招くことなく端子数を削減できる定電圧
発生回路を提供することである。
その目的とするところは、消費′f!tmの増加や回路
構成の複雑化を招くことなく端子数を削減できる定電圧
発生回路を提供することである。
[発明の構成コ
(問題点を解決するための手段と作用)すなわち、この
発明においては、上記の目的を達成するために、スイッ
チ制御端子を定電圧源端子と共用したもので、定電圧源
端子に外部スイッチを付加し、この外部スイッチの切換
制御により定電圧発生回路の動作状態と非動作状態とを
切換えるようにしている。
発明においては、上記の目的を達成するために、スイッ
チ制御端子を定電圧源端子と共用したもので、定電圧源
端子に外部スイッチを付加し、この外部スイッチの切換
制御により定電圧発生回路の動作状態と非動作状態とを
切換えるようにしている。
このようにスイッチ制御端子と定電圧源端子とを共用す
ることによう、消費電流の増力口や回路構成の復雑化?
招くことなく端子数の削減ができる。
ることによう、消費電流の増力口や回路構成の復雑化?
招くことなく端子数の削減ができる。
(実施例)
以下、この発明の一実施例について図面を参照して説明
する。第1図において、前記第5図と同−講成部には同
じ符号を付しておシ、′亀源ffcc)端子11と接地
点間にはバイアスコンガン?14が外付けされる。また
、定電圧源(Ysta ) RAAlB2接地点間には
バイアスコンデンサ15が外付けされるとともに、この
端子12には外付はスイッチ21の可動接点21hが接
続される。上記スイッチ21の固定接点21bには電源
V。、が接続され、固定接点21cはオープン状態、固
定接点21dには接地点が接続される。また、接地(G
ND )端子13には接地点が接続される。上記電源端
子11には、PNP型トランソスタQ 1 、 Q2の
エミッタ、NPN型出力トランノスタQ3のコレクタ、
NPNItトランジスタQ 5 s Q 6のコレクタ
がそれぞれ接続される。上記トランソスタQノ1Q2は
、l:Nのエミツタ面積比を有しており、ベースが共通
接続されてトランジスタQ1のコレクタに接続されると
ともに、トランジスタQ2のコレクタと上記接地端子1
3間には定電圧発生回路16として働くダイオードD1
〜DMが順方向に直列接続される。上記トランジスタQ
3のペースには上記トランジスタQ2のコレクタが接続
され、エミッタには上記定電圧源端子12が接続される
。また、上記′電源端子12と接地端子13「濁には、
負荷17が接続される。上記トランソスタQノのコレク
タには、トランジスタQ4のコレクタが接続され、この
トランジスタQ4のペースには、抵抗R2を介して上記
定電圧源端子12が接続されるとともに、ダイオード2
2..222のアノード、カンード間を介して接地端子
13が接続され、エミッタには抵抗R1t−介して接地
端子13が接続される。−また、上記トランジスタQ5
のベースには、上記トランジスタQ ’ # Q 2の
ベース共通接続点が、エミッタには上記トラン7スタQ
6のベースがそれぞれ接続される。そして、上記トラン
ジスタQ6のエミッタと接地端子13闇には抵抗R3が
接穂されて成る。
する。第1図において、前記第5図と同−講成部には同
じ符号を付しておシ、′亀源ffcc)端子11と接地
点間にはバイアスコンガン?14が外付けされる。また
、定電圧源(Ysta ) RAAlB2接地点間には
バイアスコンデンサ15が外付けされるとともに、この
端子12には外付はスイッチ21の可動接点21hが接
続される。上記スイッチ21の固定接点21bには電源
V。、が接続され、固定接点21cはオープン状態、固
定接点21dには接地点が接続される。また、接地(G
ND )端子13には接地点が接続される。上記電源端
子11には、PNP型トランソスタQ 1 、 Q2の
エミッタ、NPN型出力トランノスタQ3のコレクタ、
NPNItトランジスタQ 5 s Q 6のコレクタ
がそれぞれ接続される。上記トランソスタQノ1Q2は
、l:Nのエミツタ面積比を有しており、ベースが共通
接続されてトランジスタQ1のコレクタに接続されると
ともに、トランジスタQ2のコレクタと上記接地端子1
3間には定電圧発生回路16として働くダイオードD1
〜DMが順方向に直列接続される。上記トランジスタQ
3のペースには上記トランジスタQ2のコレクタが接続
され、エミッタには上記定電圧源端子12が接続される
。また、上記′電源端子12と接地端子13「濁には、
負荷17が接続される。上記トランソスタQノのコレク
タには、トランジスタQ4のコレクタが接続され、この
トランジスタQ4のペースには、抵抗R2を介して上記
定電圧源端子12が接続されるとともに、ダイオード2
2..222のアノード、カンード間を介して接地端子
13が接続され、エミッタには抵抗R1t−介して接地
端子13が接続される。−また、上記トランジスタQ5
のベースには、上記トランジスタQ ’ # Q 2の
ベース共通接続点が、エミッタには上記トラン7スタQ
6のベースがそれぞれ接続される。そして、上記トラン
ジスタQ6のエミッタと接地端子13闇には抵抗R3が
接穂されて成る。
次に、上記のような構成において動作を説明する。まず
、スイッチ2ノの可動接点21thが固定接点21cに
接続され、定電圧源端子12がオープン状、鯨の時には
、スタータ回路を構成しているトランジスタQ 5 p
Q 6がオン状態となる。この時、トラン7スタQ6
のコレクタ電流をI。6とすると、このトランジスタQ
6のペース”tEJ[;tl。〆β、(βNはNPN型
トランクスタの電流増幅率)、トラン7スタQ5のベー
ス電流はIC6/β、となる。
、スイッチ2ノの可動接点21thが固定接点21cに
接続され、定電圧源端子12がオープン状、鯨の時には
、スタータ回路を構成しているトランジスタQ 5 p
Q 6がオン状態となる。この時、トラン7スタQ6
のコレクタ電流をI。6とすると、このトランジスタQ
6のペース”tEJ[;tl。〆β、(βNはNPN型
トランクスタの電流増幅率)、トラン7スタQ5のベー
ス電流はIC6/β、となる。
従って、トランジスタQ2のコレクタには、上記トラン
ジスタQ5のベースllLaのカレントミラー倍(N倍
)の電流が流れ、定電圧発生回路I6を構成するダイオ
ードDI’り!ノードに足′屯圧が発生する。この定祇
正によって出力トランジスタQ3がオン−111;態と
なり、電源4子1ノからトラン7スタQ3のコレクタ、
エミッメ間、抵抗凡2゜およびダイオード22..22
.を介して接地錫子13’/C電流が流れる。この−流
によってダイオ−P22g のアノード側に定電圧が先
生し、トラン7スタQ4がオン状態となって定電圧発生
回路23が動作状態とな73゜上記矩ばυに椋回路23
が定常状基となると、トランジスタQ4のコレクタ4渡
工。但し% vamはトランジスタのペース・エミッタ
間ノ一方向電圧である。上記コレクタ電流IC4は定[
[(6j+、 この1ばがトランジスタQ1#Q2から
なるカレントミラー回路により、N倍に増幅され、トラ
ン7スタ″a21)コレクタ4渡工C2は・ I、=NXI。1 となる。但し、ここでは工。、ンI、5(1,5はトラ
ンノスタQ5のペース電流)と仮定している。この時、
出力トランジスタQ3の最大電流容量はほぼβ ×N・
工。、(β、うけトランジスタQ3の電光増幅率)とな
る。また、トランジスタQ3のエミッタ電位、丁なわち
定電圧源端子12の電位は。
ジスタQ5のベースllLaのカレントミラー倍(N倍
)の電流が流れ、定電圧発生回路I6を構成するダイオ
ードDI’り!ノードに足′屯圧が発生する。この定祇
正によって出力トランジスタQ3がオン−111;態と
なり、電源4子1ノからトラン7スタQ3のコレクタ、
エミッメ間、抵抗凡2゜およびダイオード22..22
.を介して接地錫子13’/C電流が流れる。この−流
によってダイオ−P22g のアノード側に定電圧が先
生し、トラン7スタQ4がオン状態となって定電圧発生
回路23が動作状態とな73゜上記矩ばυに椋回路23
が定常状基となると、トランジスタQ4のコレクタ4渡
工。但し% vamはトランジスタのペース・エミッタ
間ノ一方向電圧である。上記コレクタ電流IC4は定[
[(6j+、 この1ばがトランジスタQ1#Q2から
なるカレントミラー回路により、N倍に増幅され、トラ
ン7スタ″a21)コレクタ4渡工C2は・ I、=NXI。1 となる。但し、ここでは工。、ンI、5(1,5はトラ
ンノスタQ5のペース電流)と仮定している。この時、
出力トランジスタQ3の最大電流容量はほぼβ ×N・
工。、(β、うけトランジスタQ3の電光増幅率)とな
る。また、トランジスタQ3のエミッタ電位、丁なわち
定電圧源端子12の電位は。
M−V−V(Mは直列接読されたダイオードBE
BEQ4 D1〜DMの数)で表わされる。
BEQ4 D1〜DMの数)で表わされる。
一方、スイッチ21の可動接点21at−固定接点21
dに接続し之場合には、トランジスタQ4がオフ状態と
なって定電流発生回路23は非動作状態となる。従って
、トランジスタQノがオフ状態となるが、トランジスタ
Q s e Q 6がオン状態であるので、トランジス
タQ5のベース電流としてはIc6/βN′なる電流が
流れる。これによって、トとなる。但し、β、はPNP
!トラ/ノスタのt流増−率でるる。上記トランジスタ
Q2のコレクタ’1tjffffiIc2がトランジス
タQ3のペース電流成分となシ、このトランジスタQ3
がオン状態となる。
dに接続し之場合には、トランジスタQ4がオフ状態と
なって定電流発生回路23は非動作状態となる。従って
、トランジスタQノがオフ状態となるが、トランジスタ
Q s e Q 6がオン状態であるので、トランジス
タQ5のベース電流としてはIc6/βN′なる電流が
流れる。これによって、トとなる。但し、β、はPNP
!トラ/ノスタのt流増−率でるる。上記トランジスタ
Q2のコレクタ’1tjffffiIc2がトランジス
タQ3のペース電流成分となシ、このトランジスタQ3
がオン状態となる。
これによって、
なる電流が定電圧源端子12を介して接地点に流れる。
ここで、β、=100−β、 =−40,Ic6= 1
00μAとした場合のトランジスタQ3のコレクタ電流
”C3は・ となシ、実用上はとんど問題がない。
00μAとした場合のトランジスタQ3のコレクタ電流
”C3は・ となシ、実用上はとんど問題がない。
また、スイッチ21の可動接点21at−固定接点21
bに接続した場合には、トランジスタQ4がオン状態と
なって定電流発生回路23が動作状態となる。これによ
って、出力トランジスタQ3のペースには、前述したM
−V□なる電圧が印〃目される。従りて、トランジスタ
Q3はエミッタ電位の方が高くなるので、オフ状態とな
る。ここで、トランジスタQ3のvooの電圧とM −
V、、の電圧の和がvCC以下であれは、全く問題のな
いレベルである。
bに接続した場合には、トランジスタQ4がオン状態と
なって定電流発生回路23が動作状態となる。これによ
って、出力トランジスタQ3のペースには、前述したM
−V□なる電圧が印〃目される。従りて、トランジスタ
Q3はエミッタ電位の方が高くなるので、オフ状態とな
る。ここで、トランジスタQ3のvooの電圧とM −
V、、の電圧の和がvCC以下であれは、全く問題のな
いレベルである。
次に、上記第1図の回路を定電圧源(v8TIl)とし
て使用する場合のVsTB電流(工、)の過渡特性に関
して説明する。第1図の回路において、定電圧源端子1
2に負荷を接続し、この負荷を除々に小さくして行った
時、gsA子12の電位が上がってダイオードD1〜D
Mがオフしてしまい、トランジスタQ2のコレクタ電流
Ic2が全てトランジスタQ3のペースtiとして流れ
る。このため、トランジスタQ3のコレクタ電流!、3
(〜I、)ハ、1、=βQ3 ×IC2−IP となシ、大きな電流が流れる。そこで実際の回路では電
流制限の必要がある。
て使用する場合のVsTB電流(工、)の過渡特性に関
して説明する。第1図の回路において、定電圧源端子1
2に負荷を接続し、この負荷を除々に小さくして行った
時、gsA子12の電位が上がってダイオードD1〜D
Mがオフしてしまい、トランジスタQ2のコレクタ電流
Ic2が全てトランジスタQ3のペースtiとして流れ
る。このため、トランジスタQ3のコレクタ電流!、3
(〜I、)ハ、1、=βQ3 ×IC2−IP となシ、大きな電流が流れる。そこで実際の回路では電
流制限の必要がある。
第2図は、上述した電流制限を行なえる定電圧発生回路
の構成例を示している。第2図において前記第1図の回
路と同一構成部には同じ符号を付してその詳細な説明は
省略する。すなわち、前記第1図の回路におけるトラン
ジスタQ3のコレクタとシ源趨子11間、およびペース
とトランジスタQ2のコレクタ間それぞれに抵抗R4、
R5を設けるとともて、PNP型トランノスタQ7を設
けている。上記トランジスタQ7のエミッタには1!源
端子1ノがコレクタにはトランジスタQ ’ # Q
’ IQ5の共通ペースが、ペースにはトランジスタQ
3(Dコレクタがそれぞれ接続される。
の構成例を示している。第2図において前記第1図の回
路と同一構成部には同じ符号を付してその詳細な説明は
省略する。すなわち、前記第1図の回路におけるトラン
ジスタQ3のコレクタとシ源趨子11間、およびペース
とトランジスタQ2のコレクタ間それぞれに抵抗R4、
R5を設けるとともて、PNP型トランノスタQ7を設
けている。上記トランジスタQ7のエミッタには1!源
端子1ノがコレクタにはトランジスタQ ’ # Q
’ IQ5の共通ペースが、ペースにはトランジスタQ
3(Dコレクタがそれぞれ接続される。
上記のような構成において、定電圧源端子12の電位が
負荷の影響で低下すると、ダイオードD1〜DMがオフ
し、トランジスタQ2のコレクタ電KI(2が全てトラ
ンジスタQ3のベース電流として流れる。これによって
、トランジスタQ3のコレクタ電流Ic3が増大し、抵
抗R4の両端に電圧降下が生ずる。この電圧降下は、ト
ランジスタQ7のvBE(七〇、7V)で抑えられるた
め(トランジスタQ2がカレントミラー回路をオフさせ
る方向に働く)、トランジスタQ3のコレクタNaI、
は、上記抵抗R4とトランジスタQ7とによって次式に
示すように制限される。
負荷の影響で低下すると、ダイオードD1〜DMがオフ
し、トランジスタQ2のコレクタ電KI(2が全てトラ
ンジスタQ3のベース電流として流れる。これによって
、トランジスタQ3のコレクタ電流Ic3が増大し、抵
抗R4の両端に電圧降下が生ずる。この電圧降下は、ト
ランジスタQ7のvBE(七〇、7V)で抑えられるた
め(トランジスタQ2がカレントミラー回路をオフさせ
る方向に働く)、トランジスタQ3のコレクタNaI、
は、上記抵抗R4とトランジスタQ7とによって次式に
示すように制限される。
第3図および第4図はそれぞれ抵抗R4とトランジスタ
Q7が存在する場合(実萄)と存在しない場合(破線)
の電圧−電流特性を示している。
Q7が存在する場合(実萄)と存在しない場合(破線)
の電圧−電流特性を示している。
第3図は負荷を徐々に小さくした時のトランソスタQ3
のコレクタ電流IC3をプロットしたものであシ、第4
図は第3図の二点鎖線で囲んだ領域Sを拡大したもので
ある。この特性図から、抵抗R4とトランジスタQ7と
によるリミッタ回路の効果が良くわかる。
のコレクタ電流IC3をプロットしたものであシ、第4
図は第3図の二点鎖線で囲んだ領域Sを拡大したもので
ある。この特性図から、抵抗R4とトランジスタQ7と
によるリミッタ回路の効果が良くわかる。
なお、前記第2図の回路において、出力トランジスタQ
3のベースに抵抗R5を接続しているのは、電源VC6
が高いα正時て、このトランジスタQ3のエミッタを電
源に接続して使用した場合でも、トランジスタQ、?に
過大電流が流れないように保獲するためでるる。換言す
れば、抵抗R5はトランジスタQ3が■。、。でオン状
態となった場合の保護を行なうためのものである。通常
の使用(トランジスタQ3のエミッタを定電圧源として
用いる)状態においては、トランジスタQ3の電流増幅
率は高く、ベースを流成分による抵抗R5の電圧降下は
無視できる。
3のベースに抵抗R5を接続しているのは、電源VC6
が高いα正時て、このトランジスタQ3のエミッタを電
源に接続して使用した場合でも、トランジスタQ、?に
過大電流が流れないように保獲するためでるる。換言す
れば、抵抗R5はトランジスタQ3が■。、。でオン状
態となった場合の保護を行なうためのものである。通常
の使用(トランジスタQ3のエミッタを定電圧源として
用いる)状態においては、トランジスタQ3の電流増幅
率は高く、ベースを流成分による抵抗R5の電圧降下は
無視できる。
このようを構成によれば、制御端子を省略できるので端
子数を削減でき、高集積化に好適である。
子数を削減でき、高集積化に好適である。
また、第2図に示したように電流制限回路を付加すれば
非動作時の消費電流を低減できる。さらに、トランジス
タQ4はインーーダンスの低い定電圧源から定電流が供
給されるので、トランジスタQ3のベースに供給される
電流にリップル成分が少なく(つtb、カレントミラー
回路を使用しているため電源電圧のリップル成分がもれ
にくい構成であり)、高性能である。
非動作時の消費電流を低減できる。さらに、トランジス
タQ4はインーーダンスの低い定電圧源から定電流が供
給されるので、トランジスタQ3のベースに供給される
電流にリップル成分が少なく(つtb、カレントミラー
回路を使用しているため電源電圧のリップル成分がもれ
にくい構成であり)、高性能である。
[発明の効果コ
以上説明したようにこの発明によれば、消費電流の増加
や回路構成の複雑化を招くことなく端子数を削減できる
定電圧発生回路が得られる。
や回路構成の複雑化を招くことなく端子数を削減できる
定電圧発生回路が得られる。
第1図はこの発明の一実施例に係わる定電圧発生回路を
示す図、第2図はこの発明の他の実週例を示す図、第3
図は上記第2図の回路における電流制限回路の効果につ
いて説明するための電圧−電流特性を示す図、第4図は
上記第3図の特性図における一部を拡大して示す図、第
5図は従来の定電圧発生回路を示す図である。 1)・・・電源端子、12・・・定電圧発生回路、13
・・・接地端子、16・・・定電圧発生回路、17・・
・負荷、21・・・スイッチ、23・・・定電流回路、
Q1〜Q7・・・トランジスタっ 出頗人代理人 弁鳴士 鈴 江 武 彦第2図
示す図、第2図はこの発明の他の実週例を示す図、第3
図は上記第2図の回路における電流制限回路の効果につ
いて説明するための電圧−電流特性を示す図、第4図は
上記第3図の特性図における一部を拡大して示す図、第
5図は従来の定電圧発生回路を示す図である。 1)・・・電源端子、12・・・定電圧発生回路、13
・・・接地端子、16・・・定電圧発生回路、17・・
・負荷、21・・・スイッチ、23・・・定電流回路、
Q1〜Q7・・・トランジスタっ 出頗人代理人 弁鳴士 鈴 江 武 彦第2図
Claims (2)
- (1)電源端子と、この電源端子に接続されるカレント
ミラー回路と、このカレントミラー回路に動作用の初期
電流を供給するスタータ回路と、定電圧源端子と、上記
カレントミラー回路の入力側に出力端が接続されカレン
トミラー回路を構成するトランジスタとは逆極性のトラ
ンジスタを有し、上記定電圧源端子からの電流に基づい
て作動される定電流回路と、接地端子と、この接地端子
と上記カレントミラー回路の出力側との間に設けられ、
所定の定電圧を発生する定電圧発生回路と、上記カレン
トミラー回路の出力側に設けられカレントミラー回路を
構成するトランジスタとは逆極性でエミッタホロワ構成
の出力トランジスタと、上記定電圧源端子と上記接地端
子間に設けられる負荷と、上記定電圧源端子に外付けさ
れ、この端子を電源電圧レベル、接地レベル、およびオ
ープン状態に選択的に設定するスイッチとを具備するこ
とを特徴とする定電圧源回路。 - (2)前記エミッタホロワ構成の出力トランジスタのコ
レクタ電流が所定の値より大きくなった時に、前記カレ
ントミラー回路の出力電流を低減させる電流制限回路を
設けて成ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の定電圧源回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29761986A JPS63150713A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 定電圧源回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29761986A JPS63150713A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 定電圧源回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63150713A true JPS63150713A (ja) | 1988-06-23 |
Family
ID=17848901
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29761986A Pending JPS63150713A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 定電圧源回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63150713A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6856190B2 (en) | 2002-10-31 | 2005-02-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Leak current compensating device and leak current compensating method |
JP2006330663A (ja) * | 2005-05-25 | 2006-12-07 | Samsung Sdi Co Ltd | プラズマ表示装置及びその電源装置 |
JP2010103503A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-05-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2016170501A (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-23 | シチズンホールディングス株式会社 | 基準電流生成回路、及び降圧充電システム |
-
1986
- 1986-12-16 JP JP29761986A patent/JPS63150713A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6856190B2 (en) | 2002-10-31 | 2005-02-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Leak current compensating device and leak current compensating method |
CN100397279C (zh) * | 2002-10-31 | 2008-06-25 | 松下电器产业株式会社 | 漏电流补偿装置及漏电流补偿方法 |
JP2006330663A (ja) * | 2005-05-25 | 2006-12-07 | Samsung Sdi Co Ltd | プラズマ表示装置及びその電源装置 |
US7542020B2 (en) | 2005-05-25 | 2009-06-02 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Power supply device and plasma display device including power supply device |
JP2010103503A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-05-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2016170501A (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-23 | シチズンホールディングス株式会社 | 基準電流生成回路、及び降圧充電システム |
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