JPS63150713A - 定電圧源回路 - Google Patents

定電圧源回路

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JPS63150713A
JPS63150713A JP29761986A JP29761986A JPS63150713A JP S63150713 A JPS63150713 A JP S63150713A JP 29761986 A JP29761986 A JP 29761986A JP 29761986 A JP29761986 A JP 29761986A JP S63150713 A JPS63150713 A JP S63150713A
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JP
Japan
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constant voltage
transistor
circuit
terminal
current
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Pending
Application number
JP29761986A
Other languages
English (en)
Inventor
Hitoshi Kubo
仁 久保
Tatsuo Tanaka
達夫 田中
Tomoyuki Honma
友之 本間
Kazushige Kojika
小鹿 和繁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Tosbac Computer System Co Ltd
Toshiba Electronic Device Solutions Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
Tosbac Computer System Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野〕 この発明は、電源電圧の変動によって特性が悪化する回
路に定電圧を供給するための定電圧発生回路に関する。
(従来の技術〕 従来、この種の定ぼ庄原回路は、例えば第5図に示すよ
うに構成されている。第5図において、1ノは電源(V
oC)端子、12は定電圧源(Vsrn)端子、13は
接地(GND )端子で、上記電源端子11にはバイパ
スコンデンサ14が、上記定電圧源端子12にはパイ・
9スコンデンサ15がそれぞれ外付けされる。また、上
記電#4子1ノには、カレントミラー回路を構成するP
NP型トランソスタQl、Q2の各エミッタおよびNP
N W出力トランジスタQ3のコレクタがそれぞれ接続
される。
上記トランジスタQ J I Q 2はl:Nのエミッ
メ面積比を有してお)、ペースが共通接続されてトラン
ジスタQ1のコレクタに暖続されるとともに。
トランジスタQ2のコレクタと上記接地端子13間には
定電圧発生回路16が接続される。上記トランジスタQ
3のペースには上記トランジスタQ2のコレクタが接続
され、エミッタには上紀定2圧源端子12が接続される
。上記定電圧源端子12と接地端子13間には、負荷1
7が接続される。上記トランソスタQノのコレクタには
、NPN型トランソスタQ4のコレクタが接続され、こ
のトランジスタQ4のエミッタと接地端子13間には抵
抗R1が接続される。上記トランジスタQ4のペースに
は、スイッチ回路18の一端が接続され、このスイッチ
回路18の他端と上記接地端子13間には電源y1が接
続される。そして、上記スイッチ回路18がスイッチ制
御端子19に供給される制御信号C8によってオン/オ
フ制御されることKよシ定電圧発生回路20の動作が制
御される。
上記のような構成にふ―いて、制御信号C8Kよシスイ
ッチ回路18がオン状態に設定されると、電源v1から
トランジスタQ4にペース電流が供Mされ、このトラン
ジスタQ4がオン状態となる。
これによって、トランソスタQノのコレクタには”C1
(〜”C4)なる電流が流れ、トランジスタQ2のコレ
クタにはN X I c 1なる電流が流れる。
この電流(NXIc+)がトランジスタQ3のペースに
供給され、このトランジスタQ3がオン状態となること
により、負荷17に電源端子11から電源vccが供給
される。
一方、制#信号C8によりてスイッチ回路18がオフ状
態に設定されると、トランジスタQ4はオフ状態となる
。従って、トランジスタQ1〜Q3もオフ状態となシ、
負荷17には電源は供給されない。
しかし、このような構成では、定電圧発生回路20の動
作を制御するためのスイッチ制御端子19が必要となう
、端子数の削減を図りたい半導体集積回路装置にあって
は不利である。端子数の削減を図るために、上記スイッ
チ制御端子19を省いて定電圧発生回路20を非動作状
態とするために、上記定電圧源端子12t−接地端子1
3に接続する(トランジスタQ3のエミッタを接地する
)Q2のカレントミラー比をN、およびトランジスタQ
ノのコレクタ電流をrctとすると、トランジスタQ3
のコレクタ′T!L流は、工  =β ・N−IC1 C35 となる。ここで、β3 =100 、N=1 、I。、
=100μAとした場合のコレクタ電流’csを求めて
みると。
I  =100XIX100μA=lOmAとなり、消
費電流が大幅に増加して実用に耐えない。
定電圧発生回路の他の構成例として定電圧発生回路16
t−使用しないものもあるが、この場合には出力特性が
電源電圧依存性を待ってしまう。このため、′1源電圧
依存性をなくすための補償回路が必要となシ1回路構成
が複雑化するとともに素子数が増加してチップ面積の増
大によりコストの上昇を招くという欠点がある。
(発明が解決しようとする問題点) 上述したように、従来の足社庄原回路においては、動作
を制御するためのスイッチ制御端子が必要となり端子数
が増加する欠点がある。また、上記スイッチ制御端子を
省略しようとすると消費電流が増加したり、回路構成が
複雑化したりする欠点がある。
この発明は上記のような事情に≦みてなされたもので、
その目的とするところは、消費′f!tmの増加や回路
構成の複雑化を招くことなく端子数を削減できる定電圧
発生回路を提供することである。
[発明の構成コ (問題点を解決するための手段と作用)すなわち、この
発明においては、上記の目的を達成するために、スイッ
チ制御端子を定電圧源端子と共用したもので、定電圧源
端子に外部スイッチを付加し、この外部スイッチの切換
制御により定電圧発生回路の動作状態と非動作状態とを
切換えるようにしている。
このようにスイッチ制御端子と定電圧源端子とを共用す
ることによう、消費電流の増力口や回路構成の復雑化?
招くことなく端子数の削減ができる。
(実施例) 以下、この発明の一実施例について図面を参照して説明
する。第1図において、前記第5図と同−講成部には同
じ符号を付しておシ、′亀源ffcc)端子11と接地
点間にはバイアスコンガン?14が外付けされる。また
、定電圧源(Ysta ) RAAlB2接地点間には
バイアスコンデンサ15が外付けされるとともに、この
端子12には外付はスイッチ21の可動接点21hが接
続される。上記スイッチ21の固定接点21bには電源
V。、が接続され、固定接点21cはオープン状態、固
定接点21dには接地点が接続される。また、接地(G
ND )端子13には接地点が接続される。上記電源端
子11には、PNP型トランソスタQ 1 、 Q2の
エミッタ、NPN型出力トランノスタQ3のコレクタ、
NPNItトランジスタQ 5 s Q 6のコレクタ
がそれぞれ接続される。上記トランソスタQノ1Q2は
、l:Nのエミツタ面積比を有しており、ベースが共通
接続されてトランジスタQ1のコレクタに接続されると
ともに、トランジスタQ2のコレクタと上記接地端子1
3間には定電圧発生回路16として働くダイオードD1
〜DMが順方向に直列接続される。上記トランジスタQ
3のペースには上記トランジスタQ2のコレクタが接続
され、エミッタには上記定電圧源端子12が接続される
。また、上記′電源端子12と接地端子13「濁には、
負荷17が接続される。上記トランソスタQノのコレク
タには、トランジスタQ4のコレクタが接続され、この
トランジスタQ4のペースには、抵抗R2を介して上記
定電圧源端子12が接続されるとともに、ダイオード2
2..222のアノード、カンード間を介して接地端子
13が接続され、エミッタには抵抗R1t−介して接地
端子13が接続される。−また、上記トランジスタQ5
のベースには、上記トランジスタQ ’ # Q 2の
ベース共通接続点が、エミッタには上記トラン7スタQ
6のベースがそれぞれ接続される。そして、上記トラン
ジスタQ6のエミッタと接地端子13闇には抵抗R3が
接穂されて成る。
次に、上記のような構成において動作を説明する。まず
、スイッチ2ノの可動接点21thが固定接点21cに
接続され、定電圧源端子12がオープン状、鯨の時には
、スタータ回路を構成しているトランジスタQ 5 p
 Q 6がオン状態となる。この時、トラン7スタQ6
のコレクタ電流をI。6とすると、このトランジスタQ
6のペース”tEJ[;tl。〆β、(βNはNPN型
トランクスタの電流増幅率)、トラン7スタQ5のベー
ス電流はIC6/β、となる。
従って、トランジスタQ2のコレクタには、上記トラン
ジスタQ5のベースllLaのカレントミラー倍(N倍
)の電流が流れ、定電圧発生回路I6を構成するダイオ
ードDI’り!ノードに足′屯圧が発生する。この定祇
正によって出力トランジスタQ3がオン−111;態と
なり、電源4子1ノからトラン7スタQ3のコレクタ、
エミッメ間、抵抗凡2゜およびダイオード22..22
.を介して接地錫子13’/C電流が流れる。この−流
によってダイオ−P22g のアノード側に定電圧が先
生し、トラン7スタQ4がオン状態となって定電圧発生
回路23が動作状態とな73゜上記矩ばυに椋回路23
が定常状基となると、トランジスタQ4のコレクタ4渡
工。但し% vamはトランジスタのペース・エミッタ
間ノ一方向電圧である。上記コレクタ電流IC4は定[
[(6j+、 この1ばがトランジスタQ1#Q2から
なるカレントミラー回路により、N倍に増幅され、トラ
ン7スタ″a21)コレクタ4渡工C2は・ I、=NXI。1 となる。但し、ここでは工。、ンI、5(1,5はトラ
ンノスタQ5のペース電流)と仮定している。この時、
出力トランジスタQ3の最大電流容量はほぼβ ×N・
工。、(β、うけトランジスタQ3の電光増幅率)とな
る。また、トランジスタQ3のエミッタ電位、丁なわち
定電圧源端子12の電位は。
M−V−V(Mは直列接読されたダイオードBE   
   BEQ4 D1〜DMの数)で表わされる。
一方、スイッチ21の可動接点21at−固定接点21
dに接続し之場合には、トランジスタQ4がオフ状態と
なって定電流発生回路23は非動作状態となる。従って
、トランジスタQノがオフ状態となるが、トランジスタ
Q s e Q 6がオン状態であるので、トランジス
タQ5のベース電流としてはIc6/βN′なる電流が
流れる。これによって、トとなる。但し、β、はPNP
!トラ/ノスタのt流増−率でるる。上記トランジスタ
Q2のコレクタ’1tjffffiIc2がトランジス
タQ3のペース電流成分となシ、このトランジスタQ3
がオン状態となる。
これによって、 なる電流が定電圧源端子12を介して接地点に流れる。
ここで、β、=100−β、 =−40,Ic6= 1
00μAとした場合のトランジスタQ3のコレクタ電流
”C3は・ となシ、実用上はとんど問題がない。
また、スイッチ21の可動接点21at−固定接点21
bに接続した場合には、トランジスタQ4がオン状態と
なって定電流発生回路23が動作状態となる。これによ
って、出力トランジスタQ3のペースには、前述したM
−V□なる電圧が印〃目される。従りて、トランジスタ
Q3はエミッタ電位の方が高くなるので、オフ状態とな
る。ここで、トランジスタQ3のvooの電圧とM −
V、、の電圧の和がvCC以下であれは、全く問題のな
いレベルである。
次に、上記第1図の回路を定電圧源(v8TIl)とし
て使用する場合のVsTB電流(工、)の過渡特性に関
して説明する。第1図の回路において、定電圧源端子1
2に負荷を接続し、この負荷を除々に小さくして行った
時、gsA子12の電位が上がってダイオードD1〜D
Mがオフしてしまい、トランジスタQ2のコレクタ電流
Ic2が全てトランジスタQ3のペースtiとして流れ
る。このため、トランジスタQ3のコレクタ電流!、3
(〜I、)ハ、1、=βQ3 ×IC2−IP となシ、大きな電流が流れる。そこで実際の回路では電
流制限の必要がある。
第2図は、上述した電流制限を行なえる定電圧発生回路
の構成例を示している。第2図において前記第1図の回
路と同一構成部には同じ符号を付してその詳細な説明は
省略する。すなわち、前記第1図の回路におけるトラン
ジスタQ3のコレクタとシ源趨子11間、およびペース
とトランジスタQ2のコレクタ間それぞれに抵抗R4、
R5を設けるとともて、PNP型トランノスタQ7を設
けている。上記トランジスタQ7のエミッタには1!源
端子1ノがコレクタにはトランジスタQ ’ # Q 
’ IQ5の共通ペースが、ペースにはトランジスタQ
3(Dコレクタがそれぞれ接続される。
上記のような構成において、定電圧源端子12の電位が
負荷の影響で低下すると、ダイオードD1〜DMがオフ
し、トランジスタQ2のコレクタ電KI(2が全てトラ
ンジスタQ3のベース電流として流れる。これによって
、トランジスタQ3のコレクタ電流Ic3が増大し、抵
抗R4の両端に電圧降下が生ずる。この電圧降下は、ト
ランジスタQ7のvBE(七〇、7V)で抑えられるた
め(トランジスタQ2がカレントミラー回路をオフさせ
る方向に働く)、トランジスタQ3のコレクタNaI、
は、上記抵抗R4とトランジスタQ7とによって次式に
示すように制限される。
第3図および第4図はそれぞれ抵抗R4とトランジスタ
Q7が存在する場合(実萄)と存在しない場合(破線)
の電圧−電流特性を示している。
第3図は負荷を徐々に小さくした時のトランソスタQ3
のコレクタ電流IC3をプロットしたものであシ、第4
図は第3図の二点鎖線で囲んだ領域Sを拡大したもので
ある。この特性図から、抵抗R4とトランジスタQ7と
によるリミッタ回路の効果が良くわかる。
なお、前記第2図の回路において、出力トランジスタQ
3のベースに抵抗R5を接続しているのは、電源VC6
が高いα正時て、このトランジスタQ3のエミッタを電
源に接続して使用した場合でも、トランジスタQ、?に
過大電流が流れないように保獲するためでるる。換言す
れば、抵抗R5はトランジスタQ3が■。、。でオン状
態となった場合の保護を行なうためのものである。通常
の使用(トランジスタQ3のエミッタを定電圧源として
用いる)状態においては、トランジスタQ3の電流増幅
率は高く、ベースを流成分による抵抗R5の電圧降下は
無視できる。
このようを構成によれば、制御端子を省略できるので端
子数を削減でき、高集積化に好適である。
また、第2図に示したように電流制限回路を付加すれば
非動作時の消費電流を低減できる。さらに、トランジス
タQ4はインーーダンスの低い定電圧源から定電流が供
給されるので、トランジスタQ3のベースに供給される
電流にリップル成分が少なく(つtb、カレントミラー
回路を使用しているため電源電圧のリップル成分がもれ
にくい構成であり)、高性能である。
[発明の効果コ 以上説明したようにこの発明によれば、消費電流の増加
や回路構成の複雑化を招くことなく端子数を削減できる
定電圧発生回路が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例に係わる定電圧発生回路を
示す図、第2図はこの発明の他の実週例を示す図、第3
図は上記第2図の回路における電流制限回路の効果につ
いて説明するための電圧−電流特性を示す図、第4図は
上記第3図の特性図における一部を拡大して示す図、第
5図は従来の定電圧発生回路を示す図である。 1)・・・電源端子、12・・・定電圧発生回路、13
・・・接地端子、16・・・定電圧発生回路、17・・
・負荷、21・・・スイッチ、23・・・定電流回路、
Q1〜Q7・・・トランジスタっ 出頗人代理人  弁鳴士 鈴 江 武 彦第2図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)電源端子と、この電源端子に接続されるカレント
    ミラー回路と、このカレントミラー回路に動作用の初期
    電流を供給するスタータ回路と、定電圧源端子と、上記
    カレントミラー回路の入力側に出力端が接続されカレン
    トミラー回路を構成するトランジスタとは逆極性のトラ
    ンジスタを有し、上記定電圧源端子からの電流に基づい
    て作動される定電流回路と、接地端子と、この接地端子
    と上記カレントミラー回路の出力側との間に設けられ、
    所定の定電圧を発生する定電圧発生回路と、上記カレン
    トミラー回路の出力側に設けられカレントミラー回路を
    構成するトランジスタとは逆極性でエミッタホロワ構成
    の出力トランジスタと、上記定電圧源端子と上記接地端
    子間に設けられる負荷と、上記定電圧源端子に外付けさ
    れ、この端子を電源電圧レベル、接地レベル、およびオ
    ープン状態に選択的に設定するスイッチとを具備するこ
    とを特徴とする定電圧源回路。
  2. (2)前記エミッタホロワ構成の出力トランジスタのコ
    レクタ電流が所定の値より大きくなった時に、前記カレ
    ントミラー回路の出力電流を低減させる電流制限回路を
    設けて成ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の定電圧源回路。
JP29761986A 1986-12-16 1986-12-16 定電圧源回路 Pending JPS63150713A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6856190B2 (en) 2002-10-31 2005-02-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Leak current compensating device and leak current compensating method
JP2006330663A (ja) * 2005-05-25 2006-12-07 Samsung Sdi Co Ltd プラズマ表示装置及びその電源装置
JP2010103503A (ja) * 2008-09-29 2010-05-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2016170501A (ja) * 2015-03-11 2016-09-23 シチズンホールディングス株式会社 基準電流生成回路、及び降圧充電システム

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6856190B2 (en) 2002-10-31 2005-02-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Leak current compensating device and leak current compensating method
CN100397279C (zh) * 2002-10-31 2008-06-25 松下电器产业株式会社 漏电流补偿装置及漏电流补偿方法
JP2006330663A (ja) * 2005-05-25 2006-12-07 Samsung Sdi Co Ltd プラズマ表示装置及びその電源装置
US7542020B2 (en) 2005-05-25 2009-06-02 Samsung Sdi Co., Ltd. Power supply device and plasma display device including power supply device
JP2010103503A (ja) * 2008-09-29 2010-05-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2016170501A (ja) * 2015-03-11 2016-09-23 シチズンホールディングス株式会社 基準電流生成回路、及び降圧充電システム

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