JP2010103503A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置の内部回路の出力電圧を検出し、前記出力電圧が半導体装置の仕様内の電圧であるか仕様外の電圧であるかを判定する機能を有する検出回路を備えており、前記検出回路は、前記出力電圧が仕様内であるか仕様外であるかを判定する信号をデジタル回路に送り、前記デジタル回路は当該信号に応じて回路動作の実行または停止を行う。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、出力電圧が半導体装置の仕様内であるか仕様外であるかを検出する機能を半導体装置内に組み込んだ構成の一例について、図1、図2を参照して説明する。
本実施の形態では、半導体装置の一例として、メモリ回路203の書込電圧が仕様内(所定の範囲の電圧)であるか仕様外(所定の範囲外の電圧)であるかを検出する構成について説明する。
本実施の形態では、半導体装置の一例として、電源電圧が仕様内(所定の範囲内の電圧)であるか仕様外(所定の範囲外の電圧)であるかを検出する構成について説明する。
実施の形態2、3では、それぞれ信号電圧(VIN)を検出する回路、電源電圧(VDD)の検出する回路について説明したが、適用できる半導体装置はこれらに限定されない。
本実施の形態では、実施の形態1〜4に記載の検出回路について、具体的な回路構成の一例を説明する。回路構成は本実施の形態に限定されるものではなく、同様の機能を有するものであれば適宜適用することができる。
本実施の形態では、実施の形態1〜5に記載の検出回路において、回路の構成が仕様電圧に合わせて変更される一例を説明する。
本実施の形態では、実施の形態1〜5に記載の検出回路において、回路の構成が仕様電圧に合わせて変更される一例を説明する。
本実施の形態では、半導体装置の使用例を説明する。
101 出力電圧
102 検出回路
103 ステップ
104 ステップ
105 ステップ
106 ステップ
107 ステップ
108 ステップ
200 半導体装置
201 アンテナ回路
202 デジタル回路
203 メモリ回路
210 リーダ/ライタ
301 整流回路
302 定電圧回路
500 入力部
501 P型トランジスタ
502 第1の抵抗
503 第2の抵抗
504 ダイオード部
505 第1のインバータ
506 第2のインバータ
507 バッファ回路
508 出力部
801 半導体層
802 第1の導電層
803 第2の導電層
904 入力部
905 破線部
906 破線部
907 入力部
908 破線部
909 破線部
910 破線部
911 破線部
1001 破線部
1002 破線部
1100 半導体装置
Claims (7)
- 電圧を検出して判定信号を出力する検出回路と、前記判定信号に応じてメモリ回路の動作を制御するデジタル回路と、を有し、
前記検出回路は、前記電圧の入力部と、基準電圧が入力される配線と、トランジスタと、複数のダイオードが直列接続されたダイオード部と、第1および第2の抵抗と、バッファ回路と、前記判定信号の出力部とを有し、
前記入力部は、前記第1の抵抗の一方の端子と、前記トランジスタのソースとに電気的に接続されており、
前記第1の抵抗の他方の端子は、前記トランジスタのゲートと、前記ダイオード部のアノードとに電気的に接続されており、
前記ダイオード部のカソードは、前記配線と、前記第2の抵抗の一方の端子とに電気的に接続されており、
前記トランジスタのドレイン及び前記第2の抵抗の他方の端子は、バッファ回路を介して前記出力部に電気的に接続されており、
前記検出回路の検出範囲は、前記複数のダイオードの数によって制御され、
前記ダイオードの数は可変であることを特徴とする半導体装置。 - 電圧を検出して判定信号を出力する検出回路と、前記判定信号に応じてメモリ回路の動作を制御するデジタル回路と、を有し、
前記検出回路は、前記電圧の入力部と、基準電圧が入力される配線と、複数のトランジスタが並列接続されたトランジスタ部と、複数のダイオードが直列接続されたダイオード部と、第1および第2の抵抗と、バッファ回路と、前記判定信号の出力部とを有し、
前記入力部は、前記第1の抵抗の一方の端子と、前記トランジスタ部のソースとに電気的に接続されており、
前記第1の抵抗の他方の端子は、前記トランジスタ部のゲートと、前記ダイオード部のアノードとに電気的に接続されており、
前記ダイオード部のカソードは、前記配線と、前記第2の抵抗の一方の端子とに電気的に接続されており、
前記トランジスタ部のドレイン及び前記第2の抵抗の他方の端子は、バッファ回路を介して前記出力部に電気的に接続されており、
前記検出回路の検出範囲は、前記複数のトランジスタの数及び前記複数のダイオードの数によって制御され、
前記トランジスタ及び前記ダイオードの数は可変であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記電圧は、信号電圧または電源電圧であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項3において、
前記信号電圧は、整流回路によって生成されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項3において、
前記電源電圧は、定電圧回路によって生成されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記複数のダイオードは、ダイオード接続されたN型トランジスタであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記複数のダイオードは、ダイオード接続されたP型トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
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