JPS63145747A - 電子管用材料 - Google Patents
電子管用材料Info
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- JPS63145747A JPS63145747A JP61292382A JP29238286A JPS63145747A JP S63145747 A JPS63145747 A JP S63145747A JP 61292382 A JP61292382 A JP 61292382A JP 29238286 A JP29238286 A JP 29238286A JP S63145747 A JPS63145747 A JP S63145747A
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- Japan
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- coercive force
- thermal expansion
- electron tube
- grain size
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(目 的)
本発明はカラーブラウン管や蛍光表示管等の電子管用材
料に関する。
料に関する。
(従来技術及び問題点)
電子管用材料の中で電子ビームの軌道を制御する電子管
用材料としては、カラーブラウン管ではシャドウマスク
すなわち色選別電極として軟鋼や、アンバー材と呼ばれ
る鉄−ニッケル合金が、蛍光表示管ではグリッド材とし
てFe42Ni−6Cr合金が用いられている。
用材料としては、カラーブラウン管ではシャドウマスク
すなわち色選別電極として軟鋼や、アンバー材と呼ばれ
る鉄−ニッケル合金が、蛍光表示管ではグリッド材とし
てFe42Ni−6Cr合金が用いられている。
これらの材料は、いずれも主にエッチンク加工によりス
リットを設けて′a子ビー11の軌道を制御するもので
あるが、材料自体が地磁気やスピーカー内部の磁石の影
響で磁気を帯びると、′電子ビームの制御が建しくなり
色純度の低下やムラが生じるため地磁気や前記のような
外部磁場によってイ:F磁しにくい材料であることが必
要である。
リットを設けて′a子ビー11の軌道を制御するもので
あるが、材料自体が地磁気やスピーカー内部の磁石の影
響で磁気を帯びると、′電子ビームの制御が建しくなり
色純度の低下やムラが生じるため地磁気や前記のような
外部磁場によってイ:F磁しにくい材料であることが必
要である。
一般的なカラーテレビ用のシャドウマスクは軟鋼或いは
アンバー材をエツチング穿孔後世結晶焼鈍し軽く球面成
形した状態で使用されるために。
アンバー材をエツチング穿孔後世結晶焼鈍し軽く球面成
形した状態で使用されるために。
比較的保磁力(llc)が低く前記のような帯磁は大き
な問題となっていない。しかしながら、カラーテレビの
種類の中には冷延コイルを再結晶焼鈍せずに色選別電極
として用いるタイプのものもいくつかあり、この場合に
は従来の軟鋼やアンバー材では保磁力が高く、帯磁が大
きな問題となる。また軟鋼やアンバー材の場合、熱膨張
係数が高いのでガラス封着を施す様な用途には実際上使
用不能である。
な問題となっていない。しかしながら、カラーテレビの
種類の中には冷延コイルを再結晶焼鈍せずに色選別電極
として用いるタイプのものもいくつかあり、この場合に
は従来の軟鋼やアンバー材では保磁力が高く、帯磁が大
きな問題となる。また軟鋼やアンバー材の場合、熱膨張
係数が高いのでガラス封着を施す様な用途には実際上使
用不能である。
また、近年、カラーブラウン管に代わる平面ディスプレ
イと呼ばれる奥行きの小さいすなわち薄型のテレビの開
発が進められているが、このような電子管に使われる材
料において、取り扱い上の問題で冷延状態で使われてお
り、従来のカラーテレビと同様、もしくはさらに著しい
帯磁の問題が生じている。
イと呼ばれる奥行きの小さいすなわち薄型のテレビの開
発が進められているが、このような電子管に使われる材
料において、取り扱い上の問題で冷延状態で使われてお
り、従来のカラーテレビと同様、もしくはさらに著しい
帯磁の問題が生じている。
また上記の平面ディスプレイ用の電極材料あるいは蛍光
表示管のグリッド材料として用いる場合に、ガラスとの
封着性が特に要求されるときにはガラスと熱審張係数の
ほぼ等しいFe−42Ni−6Cr合金が用いられるこ
とがある。しかしこれは、高価なNiを多量に含むため
コスト高の材料となる欠点を有している。そこで熱膨張
係数がガラスとほぼ同一で、より低コストの材料として
5US430も考えられる。
表示管のグリッド材料として用いる場合に、ガラスとの
封着性が特に要求されるときにはガラスと熱審張係数の
ほぼ等しいFe−42Ni−6Cr合金が用いられるこ
とがある。しかしこれは、高価なNiを多量に含むため
コスト高の材料となる欠点を有している。そこで熱膨張
係数がガラスとほぼ同一で、より低コストの材料として
5US430も考えられる。
ところが、上記Fc−42Ni−6Crおよび5US4
30はいずれも再結晶焼鈍を施さない冷延状態七は保磁
力がHcで5〜60 eと高く前述したような帯磁の問
題が生じてくる。一方、Fe−42Ni−6Crに再結
晶焼鈍を施すことによりIlcを0.2程度に低くする
こと!±可能ではあるが、硬さがビッカース硬度で13
0程度と著しく低くなるために製造工程上の取り扱い中
に折れや傷が発生しやすくなるため1歩留りが低下して
しまうという欠点を有しており、使用に問題があった・ また、上記の低コストであるS U S 430の場合
には再結晶焼鈍を施しても保磁力がHcで2゜0以上と
十分低下せず、硬さもビッカース硬度で1508度と低
下するので’:iF mと折れや錫の発生という取り扱
い上の両面から問題点を有している。
30はいずれも再結晶焼鈍を施さない冷延状態七は保磁
力がHcで5〜60 eと高く前述したような帯磁の問
題が生じてくる。一方、Fe−42Ni−6Crに再結
晶焼鈍を施すことによりIlcを0.2程度に低くする
こと!±可能ではあるが、硬さがビッカース硬度で13
0程度と著しく低くなるために製造工程上の取り扱い中
に折れや傷が発生しやすくなるため1歩留りが低下して
しまうという欠点を有しており、使用に問題があった・ また、上記の低コストであるS U S 430の場合
には再結晶焼鈍を施しても保磁力がHcで2゜0以上と
十分低下せず、硬さもビッカース硬度で1508度と低
下するので’:iF mと折れや錫の発生という取り扱
い上の両面から問題点を有している。
(構 成)
本発明はかかる点に鑑み、帯磁の問題が少なく。
即ち保磁力が低く、シかもガラス封着やガラス質の接着
材との接合が可能な程度に熱膨張が低く。
材との接合が可能な程度に熱膨張が低く。
取り扱い上湯やダコンが生じない程度の硬さを保持した
低コストの電子管用材料を、供給しようというものであ
り、その特性の目標数値としての室温から400℃まで
の平均熱膨張係数が1.30 X10°7/℃以下でビ
ッカース硬度が200以上。
低コストの電子管用材料を、供給しようというものであ
り、その特性の目標数値としての室温から400℃まで
の平均熱膨張係数が1.30 X10°7/℃以下でビ
ッカース硬度が200以上。
保磁力Hcが2,00未満という数値を満足する材料を
供給するものである。即ち、その要旨とするところは1
重量%でC001%以下、Si0.1〜1.0%、Mn
O,’1〜1.0%、Cr 10〜20%、A11.O
〜5.0%、残部Fe及び不可避的不純物からなる電子
管用材料、並びに重量%でco、1%以下、Si0.1
〜1.0%1Mn0.1〜1.0%、Cr10〜20%
、A11゜0〜5.0%、残部Fe及び不可避的不純物
からなり、結晶粒度が結晶粒度番号で10以下の電子管
用材料にある。
供給するものである。即ち、その要旨とするところは1
重量%でC001%以下、Si0.1〜1.0%、Mn
O,’1〜1.0%、Cr 10〜20%、A11.O
〜5.0%、残部Fe及び不可避的不純物からなる電子
管用材料、並びに重量%でco、1%以下、Si0.1
〜1.0%1Mn0.1〜1.0%、Cr10〜20%
、A11゜0〜5.0%、残部Fe及び不可避的不純物
からなり、結晶粒度が結晶粒度番号で10以下の電子管
用材料にある。
(発明の詳細な説明)
次ぎに本発明の成分の限定理由を説明する。
C;Cが0.1%よりも多いと、炭化物が多く析出し、
それが故に保磁力が悪化する。よって。
それが故に保磁力が悪化する。よって。
その成分範囲をO,1%以下とする。
si:siは脱酸1−1的で添加する。含有量が0゜1
%より少ないと脱酸が不十分で酸化物系介在物が増加し
、その結果、保磁力が悪化する。ス1.0%を超えて含
有すると熱膨張係数が高くなる。よって、その成分範囲
をO,1〜1.0%とする。
%より少ないと脱酸が不十分で酸化物系介在物が増加し
、その結果、保磁力が悪化する。ス1.0%を超えて含
有すると熱膨張係数が高くなる。よって、その成分範囲
をO,1〜1.0%とする。
M n : M nは脱酸及び硫化物のトラップを目的
として添加する。その効果が0.1%以上で生じ、1.
0%を超えて含有しても製造性を害し、熱膨張係数が上
昇するためガラス封着が遺しくなる。よって、その成分
範囲を0.1〜1.0%とする。
として添加する。その効果が0.1%以上で生じ、1.
0%を超えて含有しても製造性を害し、熱膨張係数が上
昇するためガラス封着が遺しくなる。よって、その成分
範囲を0.1〜1.0%とする。
Cr ; Crが10%より少ないと、熱膨張係数が高
くなりガラスとの接合性に問題が生じる。またCrが2
%を超えて添加されるとコス1へ高になるうえにエツチ
ング加工性を害す。よって、その成分範囲を10〜20
%とする。
くなりガラスとの接合性に問題が生じる。またCrが2
%を超えて添加されるとコス1へ高になるうえにエツチ
ング加工性を害す。よって、その成分範囲を10〜20
%とする。
Al ;Alを含有することで低保磁力が得られる。
その下限が1.0%である。また5 * O%を超えて
含有してもその効果はすでに飽和しており、また熱膨張
係数が高くなるうえに加工性を阻害する。よって、その
成分範囲を1.0〜5.0%とする。
含有してもその効果はすでに飽和しており、また熱膨張
係数が高くなるうえに加工性を阻害する。よって、その
成分範囲を1.0〜5.0%とする。
また、結晶粒度が結晶粒度番号で10を超えると保磁力
の低下が十分でなく、10以下であることがより望まし
い。
の低下が十分でなく、10以下であることがより望まし
い。
(実施例)
供試材は真空溶解炉で8鋼し鍛造、熱間圧延、酸洗後、
冷間圧延、焼鈍を適時くり返し、さらに最終焼鈍を施し
、板厚0.2nnの板とした。供試材の化学成分を第1
表に示す。
冷間圧延、焼鈍を適時くり返し、さらに最終焼鈍を施し
、板厚0.2nnの板とした。供試材の化学成分を第1
表に示す。
また、供試材の保磁力、熱膨張係数、硬さを測定し第1
表に併記した。
表に併記した。
第1表より明らかな様に本発明例1〜6は熱膨張係数も
全て130X10°7/℃以下でガラス封着が可能な値
であり、保磁力Hcも2.00以下と低く、ビッカース
硬度も全て200以上であり、取り扱い上も問題なく、
帯磁の問題のない材料が供給できる。さらに本発明例2
.4は本発明例1.3にくらへ各々結晶粒度が10以下
と粒度番号が小さいため、より低保磁力であり、優れた
ものである。
全て130X10°7/℃以下でガラス封着が可能な値
であり、保磁力Hcも2.00以下と低く、ビッカース
硬度も全て200以上であり、取り扱い上も問題なく、
帯磁の問題のない材料が供給できる。さらに本発明例2
.4は本発明例1.3にくらへ各々結晶粒度が10以下
と粒度番号が小さいため、より低保磁力であり、優れた
ものである。
比較例7はA1が低いために保磁力が高く、硬さも軟ら
かい。比較例8はAIが高く熱膨張係数が高い。比較例
9はCが、比較例10はMnが各々高いため保磁力が高
く、また熱膨張係数も高めである。比較例11.12は
Fe−42Ni−GCrの、比較例13.14は5US
430の各々焼鈍材及び冷延材の例であるが、Fc−4
2Ni−6Crでは低保磁力の場合、十分な硬さが得ら
れず、硬さを得るためには保磁力が悪化する。また5U
S430では焼鈍を施しても十分に保磁力が低下しない
。
かい。比較例8はAIが高く熱膨張係数が高い。比較例
9はCが、比較例10はMnが各々高いため保磁力が高
く、また熱膨張係数も高めである。比較例11.12は
Fe−42Ni−GCrの、比較例13.14は5US
430の各々焼鈍材及び冷延材の例であるが、Fc−4
2Ni−6Crでは低保磁力の場合、十分な硬さが得ら
れず、硬さを得るためには保磁力が悪化する。また5U
S430では焼鈍を施しても十分に保磁力が低下しない
。
(効 果)
以上に示す様に本発明の電子管用材料は低コストでガラ
ス封着またはガラス質の接着材の使用が可能であり、帯
磁の問題のないしかも取り扱い上の傷やダコンの発生し
にくい材料を供給することができる。
ス封着またはガラス質の接着材の使用が可能であり、帯
磁の問題のないしかも取り扱い上の傷やダコンの発生し
にくい材料を供給することができる。
Claims (2)
- (1)重量%でC0.1%以下、Si0.1〜1.0%
、Mn0.1〜1.0%、Cr10〜20%、Al1.
0〜5.0%、残部Fe及び不可避的不純物からなる電
子管用材料。 - (2)重量%でC0.1%以下、Si0.1〜1.0%
、Mn0.1〜1.0%、Cr10〜20%、Al1.
0〜5.0%、残部Fe及び不可避的不純物からなり、
結晶粒度が結晶粒度番号で10以下である電子管用材料
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61292382A JPS63145747A (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | 電子管用材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61292382A JPS63145747A (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | 電子管用材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63145747A true JPS63145747A (ja) | 1988-06-17 |
Family
ID=17781065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61292382A Pending JPS63145747A (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | 電子管用材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63145747A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7626746B2 (en) | 2003-11-04 | 2009-12-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Shutter unit and laser processing device using same |
-
1986
- 1986-12-10 JP JP61292382A patent/JPS63145747A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7626746B2 (en) | 2003-11-04 | 2009-12-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Shutter unit and laser processing device using same |
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