JPS63143256A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS63143256A JPS63143256A JP28961086A JP28961086A JPS63143256A JP S63143256 A JPS63143256 A JP S63143256A JP 28961086 A JP28961086 A JP 28961086A JP 28961086 A JP28961086 A JP 28961086A JP S63143256 A JPS63143256 A JP S63143256A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrates
- sputtering
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- holders
- sides
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、基板ホルダーを所定の温度に温度調節しなが
ら、その基板ホルダーに保持された基板に所定の薄膜堆
積を行なうことの出来る、殊にインライン化に適したス
パッタリング装置に関する。
ら、その基板ホルダーに保持された基板に所定の薄膜堆
積を行なうことの出来る、殊にインライン化に適したス
パッタリング装置に関する。
（従来の技術とその問題点）
従来のスパッタリング装置は、第２図にその概略を示す
ように、ターゲット３１と陰極３２（磁場設定手段、水
冷機構を内蔵するがそれらの図示は省略する）とで構成
されるスパッタ電極３を真空室５内に水平に配置し、こ
れに対向して、基板４を登載する基板ホルダー２を固定
、若しくは搬送可能に設置する、水平型の方式が主流を
占めている。電圧は真空室壁５（通常アースされる）と
スパッタ電極３０間に印加される。基板４の加熱等を行
なうときは、温度調節機構１を、スパッタ陰極３から見
て基板ホルダー２の裏側に設置している。
ように、ターゲット３１と陰極３２（磁場設定手段、水
冷機構を内蔵するがそれらの図示は省略する）とで構成
されるスパッタ電極３を真空室５内に水平に配置し、こ
れに対向して、基板４を登載する基板ホルダー２を固定
、若しくは搬送可能に設置する、水平型の方式が主流を
占めている。電圧は真空室壁５（通常アースされる）と
スパッタ電極３０間に印加される。基板４の加熱等を行
なうときは、温度調節機構１を、スパッタ陰極３から見
て基板ホルダー２の裏側に設置している。
この水平型スパッタリング装置を改良して、ゴミの付着
を防ぐと同時に、量産性を高めた、縦型の両面スパッタ
リング装置が開発されている。
を防ぐと同時に、量産性を高めた、縦型の両面スパッタ
リング装置が開発されている。
これは、第３図に概略を示すように、中央に基板ホルダ
ー２を障立もしくは搬送可能に設置し、それを挟んだ形
にスパッタ電極３，３′をｉ１２置している。この装置
をインライン方式に組み込む場合には、スパッタ室に入
る直前の例えば仕込室て基板ホルダー２のｒ前加熱」を
行い、これをスパッタ室に搬送してその温度が変わらな
いうちにスバッタリングを行なうようにしている。
ー２を障立もしくは搬送可能に設置し、それを挟んだ形
にスパッタ電極３，３′をｉ１２置している。この装置
をインライン方式に組み込む場合には、スパッタ室に入
る直前の例えば仕込室て基板ホルダー２のｒ前加熱」を
行い、これをスパッタ室に搬送してその温度が変わらな
いうちにスバッタリングを行なうようにしている。
しかし薄膜堆積装置の技術が進んで、次第に堆積薄膜の
品質が重視されるようになり、また様々の材質、様々の
種類の薄膜を、多層に、しかも大量枚数の基板に高速に
堆積することが要求されるようになると、特に、温度コ
ントロールが不十分な為に、上記した従来の装置ではこ
とに品質確保の面で充分に対処出来なくなってきた。多
層膜の場合は事前加熱の温度を様々の温度にした加熱室
を多数用意してそれらの室をくぐらせる煩雑さもあるし
、インライン装置がやたらと長大になる欠点もある。
品質が重視されるようになり、また様々の材質、様々の
種類の薄膜を、多層に、しかも大量枚数の基板に高速に
堆積することが要求されるようになると、特に、温度コ
ントロールが不十分な為に、上記した従来の装置ではこ
とに品質確保の面で充分に対処出来なくなってきた。多
層膜の場合は事前加熱の温度を様々の温度にした加熱室
を多数用意してそれらの室をくぐらせる煩雑さもあるし
、インライン装置がやたらと長大になる欠点もある。
（発明の目的）
本発明は、上記の問題を解決し、材質の異なる様々の高
品質の薄膜、殊に多層膜を、大量の基板に高速に堆積す
ることの出来る、コンパクトなスパッタリング装置を提
供することを目的とする。
品質の薄膜、殊に多層膜を、大量の基板に高速に堆積す
ることの出来る、コンパクトなスパッタリング装置を提
供することを目的とする。
（発明の構成）
本発明は、中央に障立する温度調節部を挟んで、２枚の
基板ホルダーを、鉛直に且つ搬送可能に支持し、該基板
ホルダーの外面に複数の基板を保持するとともに、更に
その全体を挟んで両側にスパッタ電極を配置したスパッ
タリング装置によって前記目的を達成したものである。
基板ホルダーを、鉛直に且つ搬送可能に支持し、該基板
ホルダーの外面に複数の基板を保持するとともに、更に
その全体を挟んで両側にスパッタ電極を配置したスパッ
タリング装置によって前記目的を達成したものである。
〈実施例）
第１図に本発明の実施例のスパッタリングＨＫの概略の
断面図を示す。
断面図を示す。
装置の中央には温度調節部２が障立固定されている。加
熱電源、水冷機構、調節装置の図示は省略した。この温
度調節部を挟んで、２枚の上方（又は下方）で互いに結
合された基板ホルダー２゜２′が鉛直に設けられ、下部
（又は上部）でスライドさせて搬送可能になっている。
熱電源、水冷機構、調節装置の図示は省略した。この温
度調節部を挟んで、２枚の上方（又は下方）で互いに結
合された基板ホルダー２゜２′が鉛直に設けられ、下部
（又は上部）でスライドさせて搬送可能になっている。
多数の基板４は該基板ホルダー２，２′の外面に、被処
理表面をスパッタ電極３，３′に同けて保持される。
理表面をスパッタ電極３，３′に同けて保持される。
更に、上記装置の全体を挟んで、その両側にスパッタ電
極３，３′が配置されている。これらのスパッタ電極３
，３′が、それぞれ、ターゲットと陰極（磁場設定手段
、水冷機構を内蔵することがある）で構成されることは
従来の通りである。
極３，３′が配置されている。これらのスパッタ電極３
，３′が、それぞれ、ターゲットと陰極（磁場設定手段
、水冷機構を内蔵することがある）で構成されることは
従来の通りである。
本発明の上記の構成のスパッタリング装置によれば、堆
積時の温度をその時の膜質に合わせて自由に選ぶことが
出来る。そのため、そのときどきの膜堆積処理にもっと
も理想的な温度、しかも一定温度に保つことが出来、従
って、最高品質の均一な薄膜の堆積を行なうことが出来
る。
積時の温度をその時の膜質に合わせて自由に選ぶことが
出来る。そのため、そのときどきの膜堆積処理にもっと
も理想的な温度、しかも一定温度に保つことが出来、従
って、最高品質の均一な薄膜の堆積を行なうことが出来
る。
多層膜の場合にも、各層に理想的な温度を与えて堆積さ
せることが容易である。前記したように、従来の事前加
熱のために、温度を様々にした多数の加熱室を用意する
などの配慮は不要となる。そのため、インライン化した
ときも、装置がやたらと長大になる従来の欠点は完全に
解消し、装置が非常にコンパクトに纒められる。
せることが容易である。前記したように、従来の事前加
熱のために、温度を様々にした多数の加熱室を用意する
などの配慮は不要となる。そのため、インライン化した
ときも、装置がやたらと長大になる従来の欠点は完全に
解消し、装置が非常にコンパクトに纒められる。
上記の外の、両面同時にスパッタリング出来るので、大
量枚数の基板を高速に処理出来ることや、ゴミの付着が
防がれ、ターゲット部分に不正規の放電を生ずる心配が
なくなり、製品の歩留りが上昇する等の、従来の縦型の
両面スパッタリング装置の長所はそのまま保存されてい
る。
量枚数の基板を高速に処理出来ることや、ゴミの付着が
防がれ、ターゲット部分に不正規の放電を生ずる心配が
なくなり、製品の歩留りが上昇する等の、従来の縦型の
両面スパッタリング装置の長所はそのまま保存されてい
る。
（発明の効果）
本発明は、材質の異なる様々の高品質の薄膜、殊に多層
膜を、大量枚数の基板に高速に堆積することの出来る、
コンパクトなスパッタリング装置を提供する効果がある
。
膜を、大量枚数の基板に高速に堆積することの出来る、
コンパクトなスパッタリング装置を提供する効果がある
。
第１図は、本発明のスパッタリング装置の概略の構成図
。 第２，３図は、従来の同様の図。 ｌ・・・・・・温度調節部、 ２，２゛・・・基板ホ
ルダー、３．３′・・・・・・スパッタ電極、４，４′
・・・・・・基板、５・・・・・・真空室。 特許出願人 日電アネルバ株式会社 代理人 弁理士 村上 健次 手続補正書 １．事件の表示 特願昭６１−２８９６１０号２、発
明の名称 スパッタリング装置３、補正をする者 事件との間係 特許出肩人 住所 〒１３３東京都府中市四谷５−８−１名称
日電アネルバ株式会社 代表者 安１）進 ４、代理人 住所 〒１８３東京都府中市四谷！５−８−１６、補正
の対象 明細１の発明の詳細な説明の霜。 ７、補正の内容 （１）明細書第２頁第４行目に「登載するＪとあるのを
「搭載する」と補正する。 夕陰極」とあるのを、「スパッタ電極」と補正する。 （３）同書第３頁第１１行目〜第１２行目の「欠点もあ
る。」の後に次の文意を挿入にする。 「また、ｒ前加熱」方式では、薄膜堆積中の温度を予め
見込んで、その前段階の温度設定をするた力高輝度制譚
は難しい。特に高温が必要な場合、基板ホルダー移送中
の温度イ氏下を配慮して前加熱部で非常に高い温度が必
要とされ、これは電力消費の上からも、搬送系の信頼性
の上からも好ましくなかフた。」（４）同書同頁第１７
行目〜第１８行目に「コンパクトなスパッタリング装置
」とあるのを「コンパクトで信頼性の高いスパッタリン
グ装置」と補正する。 （５）同書第４頁第１１行目に「温度調節部２」とある
のを、「温度調節部１」と補正する。 （６）同書第６頁第２行目の「そのまま国存されている
。」の後に次の文章を挿入する。 「上記の説明は、基板加熱だけを単独に行う場合だけに
ついて述べたが、本発明をｒ前加熱」方式と組み合わせ
て行うことにより、特に基板加熱を高温かつ短いサイク
ルで行うことができ、膜堆積処理する場合に、当該装置
をコンパクトにでき、かつ高い信頼性が得られろ。」 （７）同書同頁第７行目に「コンパクトなスパッタリン
グ装置」とあるのを「コンパクトで搬送の信頼性が高い
スパッタリング装置」と補正する。
。 第２，３図は、従来の同様の図。 ｌ・・・・・・温度調節部、 ２，２゛・・・基板ホ
ルダー、３．３′・・・・・・スパッタ電極、４，４′
・・・・・・基板、５・・・・・・真空室。 特許出願人 日電アネルバ株式会社 代理人 弁理士 村上 健次 手続補正書 １．事件の表示 特願昭６１−２８９６１０号２、発
明の名称 スパッタリング装置３、補正をする者 事件との間係 特許出肩人 住所 〒１３３東京都府中市四谷５−８−１名称
日電アネルバ株式会社 代表者 安１）進 ４、代理人 住所 〒１８３東京都府中市四谷！５−８−１６、補正
の対象 明細１の発明の詳細な説明の霜。 ７、補正の内容 （１）明細書第２頁第４行目に「登載するＪとあるのを
「搭載する」と補正する。 夕陰極」とあるのを、「スパッタ電極」と補正する。 （３）同書第３頁第１１行目〜第１２行目の「欠点もあ
る。」の後に次の文意を挿入にする。 「また、ｒ前加熱」方式では、薄膜堆積中の温度を予め
見込んで、その前段階の温度設定をするた力高輝度制譚
は難しい。特に高温が必要な場合、基板ホルダー移送中
の温度イ氏下を配慮して前加熱部で非常に高い温度が必
要とされ、これは電力消費の上からも、搬送系の信頼性
の上からも好ましくなかフた。」（４）同書同頁第１７
行目〜第１８行目に「コンパクトなスパッタリング装置
」とあるのを「コンパクトで信頼性の高いスパッタリン
グ装置」と補正する。 （５）同書第４頁第１１行目に「温度調節部２」とある
のを、「温度調節部１」と補正する。 （６）同書第６頁第２行目の「そのまま国存されている
。」の後に次の文章を挿入する。 「上記の説明は、基板加熱だけを単独に行う場合だけに
ついて述べたが、本発明をｒ前加熱」方式と組み合わせ
て行うことにより、特に基板加熱を高温かつ短いサイク
ルで行うことができ、膜堆積処理する場合に、当該装置
をコンパクトにでき、かつ高い信頼性が得られろ。」 （７）同書同頁第７行目に「コンパクトなスパッタリン
グ装置」とあるのを「コンパクトで搬送の信頼性が高い
スパッタリング装置」と補正する。
Claims (1)
- （１）中央に障立する温度調節部を挟んで、２枚の基板
ホルダーを、鉛直に且つ搬送可能に支持し、該基板ホル
ダーの外面に複数の基板を保持するとともに、更にその
全体を挟んで両側にスパッタ電極を配置したことを特徴
とするスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28961086A JPS63143256A (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28961086A JPS63143256A (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63143256A true JPS63143256A (ja) | 1988-06-15 |
Family
ID=17745467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28961086A Pending JPS63143256A (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63143256A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02294475A (ja) * | 1989-04-14 | 1990-12-05 | Leybold Ag | 陰極スパツタリング装置 |
| US5693199A (en) * | 1995-03-09 | 1997-12-02 | Hmt Technology Corporation | Single chamber sputtering assembly |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57193023A (en) * | 1981-05-25 | 1982-11-27 | Hitachi Ltd | Heater assembly |
-
1986
- 1986-12-04 JP JP28961086A patent/JPS63143256A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57193023A (en) * | 1981-05-25 | 1982-11-27 | Hitachi Ltd | Heater assembly |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02294475A (ja) * | 1989-04-14 | 1990-12-05 | Leybold Ag | 陰極スパツタリング装置 |
| US5693199A (en) * | 1995-03-09 | 1997-12-02 | Hmt Technology Corporation | Single chamber sputtering assembly |
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