JPS5881970A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
- Publication number
- JPS5881970A JPS5881970A JP17811481A JP17811481A JPS5881970A JP S5881970 A JPS5881970 A JP S5881970A JP 17811481 A JP17811481 A JP 17811481A JP 17811481 A JP17811481 A JP 17811481A JP S5881970 A JPS5881970 A JP S5881970A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputtering
- holders
- container
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、スパッタ膜が付着されるべき基板の温度上昇
を低減させるためになされたスパッタ装置に関するもの
、である。
を低減させるためになされたスパッタ装置に関するもの
、である。
各種の導電膜あるいは絶縁膜のスパッタ方式による形成
は（１）ステップカバーリッジが良好である、（２）付
着力が強固である、（３）グレインサイズが小さい等の
利点を有するため盛んに用いられつつあり、その生産性
、膜質等の向上が増々望まれている。
は（１）ステップカバーリッジが良好である、（２）付
着力が強固である、（３）グレインサイズが小さい等の
利点を有するため盛んに用いられつつあり、その生産性
、膜質等の向上が増々望まれている。
第１図および第２図は従来のスパッタ装置を示す概略図
で、各々同軸型２極スパツタ装置および平行平板型２極
スパツタ装置と称せられるもので、ｌは容器（ペルジャ
ー）、２は電源、３はターゲット、４は基板ホルダー、
５はスパッタ膜を付着すべき基板、６はスパッタ原子の
流れ方向である。
で、各々同軸型２極スパツタ装置および平行平板型２極
スパツタ装置と称せられるもので、ｌは容器（ペルジャ
ー）、２は電源、３はターゲット、４は基板ホルダー、
５はスパッタ膜を付着すべき基板、６はスパッタ原子の
流れ方向である。
以上においてターゲット３を構成して℃・る物質のスパ
ッタ膜が基板５表面に付着される。
ッタ膜が基板５表面に付着される。
しかし従来のスパッタ装置におり・ではターゲソト３か
らの熱輻射あるいはスパッタされた原子あるいは分子の
衝激等によって、基板５に温度上昇が生じ約２００Ｃ位
まで上昇していた。このためプラスチック、紙等の熱加
塑性のあるもの、あるいは耐熱性に劣る基板材料には適
用できず、・またスパッタ物質によってはその膜質にも
影響を与えることになった。この欠点を除くためマグネ
トロンを用いたスパッタ装置を構成することにより、電
子をターゲット付近に局在させて基板温度を低減させる
ような改善案（特公昭５２−２４５１４号）も提案され
たが十分な効果は得られなかった。
らの熱輻射あるいはスパッタされた原子あるいは分子の
衝激等によって、基板５に温度上昇が生じ約２００Ｃ位
まで上昇していた。このためプラスチック、紙等の熱加
塑性のあるもの、あるいは耐熱性に劣る基板材料には適
用できず、・またスパッタ物質によってはその膜質にも
影響を与えることになった。この欠点を除くためマグネ
トロンを用いたスパッタ装置を構成することにより、電
子をターゲット付近に局在させて基板温度を低減させる
ような改善案（特公昭５２−２４５１４号）も提案され
たが十分な効果は得られなかった。
また従来のスパッタ装置においては温度上昇の影響によ
って基板５上にスパッタされた膜厚にバラツキが見られ
た。
って基板５上にスパッタされた膜厚にバラツキが見られ
た。
本発明は以上の一問題に対処してなされたもので、ター
ゲットの周囲に複数の基板ホルダーを配置し、これら基
板ホルダーを上記ターゲットの周囲を回転させると共に
自転させるようにして従来欠点を除去し得るように構成
したスパッタ装置を提供することを目的とするものであ
る。以下図面を参照して本発明実施例を説明する。第３
図および第４図は本発明実施例によるスパッタ装置を示
す上面図および断面図で、容器ｌの中心にはターゲット
３が配置され、ターゲット３の周囲には複数の基板ホル
ダー７（一部図示略）が配置されこの基板ホルダー７は
歯車８、チェーン９、外部モータ等より成る駆動装置に
よって上記ターゲット３の周囲を回転すると共に自転す
るように構成される。
ゲットの周囲に複数の基板ホルダーを配置し、これら基
板ホルダーを上記ターゲットの周囲を回転させると共に
自転させるようにして従来欠点を除去し得るように構成
したスパッタ装置を提供することを目的とするものであ
る。以下図面を参照して本発明実施例を説明する。第３
図および第４図は本発明実施例によるスパッタ装置を示
す上面図および断面図で、容器ｌの中心にはターゲット
３が配置され、ターゲット３の周囲には複数の基板ホル
ダー７（一部図示略）が配置されこの基板ホルダー７は
歯車８、チェーン９、外部モータ等より成る駆動装置に
よって上記ターゲット３の周囲を回転すると共に自転す
るように構成される。
１０はターゲット３の周囲に設けられたブラインドシャ
ッター、月は基板ホルダー７に設けられた水冷管、１２
はガス導入口、１３は真空排気口、１４は支持台である
。
ッター、月は基板ホルダー７に設けられた水冷管、１２
はガス導入口、１３は真空排気口、１４は支持台である
。
以上の構造において基板ホルダー７は正多角柱例えば６
角柱で構成されその周囲に〜多数の基板５が保持される
。この状態で真空排気口１３により容器ｌ内を真空に排
気した後、ガス導入口１２よりスパッタガスを導入して
スパッタを開始する。これと共に上記基板ホルダー７を
駆動装置によってターゲット３の周囲を回転させると共
に自転させる。
角柱で構成されその周囲に〜多数の基板５が保持される
。この状態で真空排気口１３により容器ｌ内を真空に排
気した後、ガス導入口１２よりスパッタガスを導入して
スパッタを開始する。これと共に上記基板ホルダー７を
駆動装置によってターゲット３の周囲を回転させると共
に自転させる。
スパッタが安定状態になったら上記ブラインドシャッタ
ー１０を開いてターゲット３からのスパッタ膜を基板５
表面に付着させるようにする。スパッタ処理の開基板ホ
ルダー７には水冷管１ｊを通じて冷却水が供給されるの
でその温度はほぼ一定に保たれる。
ー１０を開いてターゲット３からのスパッタ膜を基板５
表面に付着させるようにする。スパッタ処理の開基板ホ
ルダー７には水冷管１ｊを通じて冷却水が供給されるの
でその温度はほぼ一定に保たれる。
以上によればスパッタ処理中基板５は基板ホルダー７に
よってターゲット３の周囲を回転し、また自転している
ために、常にターゲット３而と相対することはないので
、ターゲット３と対向した時に生ずる多少の温度上昇分
は対向していない時に熱平衡温度に戻る。よってほぼ一
定の処理温度に保たれるので低温での安定なスパッタ処
理が行われる。
よってターゲット３の周囲を回転し、また自転している
ために、常にターゲット３而と相対することはないので
、ターゲット３と対向した時に生ずる多少の温度上昇分
は対向していない時に熱平衡温度に戻る。よってほぼ一
定の処理温度に保たれるので低温での安定なスパッタ処
理が行われる。
このため従来は適用不可能であったプラスチック、紙等
の基板材料に対しても適用可能となる。
の基板材料に対しても適用可能となる。
また基板温度の上昇が防止されるためにスノ（ツタ膜厚
のバラツキも抑えられる。
のバラツキも抑えられる。
さらに従来の同軸２極スパツタ装置に比較して、基板ホ
ルダーを多角柱で構成することにより基板を同時に大量
処理できるので、生産性を向上させることかできる。
ルダーを多角柱で構成することにより基板を同時に大量
処理できるので、生産性を向上させることかできる。
以上のように本発明によれば、ターゲットの周囲に複数
の基板ホルダーを配置し、これら基板ホルダーを上記タ
ーゲットの周囲を回転させると共に自転させるように構
成するので、基板の温度上昇を低減させることができる
と共にス・ぐツタ膜厚のバラツキを抑えることができる
。
の基板ホルダーを配置し、これら基板ホルダーを上記タ
ーゲットの周囲を回転させると共に自転させるように構
成するので、基板の温度上昇を低減させることができる
と共にス・ぐツタ膜厚のバラツキを抑えることができる
。
本発明は通常の交流あるいは直流型２極ス・ζツタ装置
に適用できる他に、容器外周部あるいはターゲット内部
に電磁石あるいは永久磁石を設置しターゲット近傍に荷
電粒子を閉じ込めるようにしたマグネトロンスパッタ装
置に対しても適用することができる。
に適用できる他に、容器外周部あるいはターゲット内部
に電磁石あるいは永久磁石を設置しターゲット近傍に荷
電粒子を閉じ込めるようにしたマグネトロンスパッタ装
置に対しても適用することができる。
また基板ホルダーに設けた水冷管の水の温度を制御する
ことにより、あるいはヒーターを設けるように構成する
ことにより基板温度を任意の範囲内で制御することも可
能となる。
ことにより、あるいはヒーターを設けるように構成する
ことにより基板温度を任意の範囲内で制御することも可
能となる。
第１図および第２図は共に従来例を示す概略図、第３図
および第４図は本発明実施例を示す上面図および断面図
である。 ｌ・・・容器、３・・・ターゲット、４．７・・・基板
ホルダー、５・・・基板、１０・・・ブラインドシャッ
ター、１１・・・水冷管。 特許出願人 クラリオン株式会社 第１図 第２図 手続補正書（〔Ｌ２ １ 事件の表示 昭和ｓ６年特許鵬 第１７８１１４号 ２ 妬明の名称 スパツ／装置 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 名 称 （１４ｇ） クツリオン株式会社４・代理人
〒１０５ 住 所 東京都港区芝３丁目２番１４号芝三丁目ビル
明細書の４１軒請求の範Ｈの欄、見切の詳細な特許請求
の範囲の記載を別紙の通り訂正する。 λ 明細書第３頁第１行目の「熱輻射」を「熱輻射」に
、同頁第２行目の「衝激等Ｊｖｒ衝撃等」ｋ、同頁ｔａ
ｘ３ｈ目のｒｍ厚」Ｙ ｒａｇのｍ厚ｘｒ、同頁第１７
行目乃至第１８行目の「ｔ−一回転せると共に」ン「に
おいて」に各々訂正する。 ３、明細書＠３頁第臣行目乃至１ｍ１３行目の「温度上
昇の影響によってＪ′１ｊＩ：ｍ除する。 ４、明細書第４頁第８行目および第１９行目の「Ｖ回転
すると共に」を「において」ｋ、同頁第２行目の「支持
台Ｊｖｒ絶縁支持台」に各々訂正する。 ５、明＋ｌ１ｉｌ第５頁第２行目の「膜Ｊ１に：ｒ粒子
ＪＫ。 同頁第２行目および第６行目の「処理」を「工程」に、
同頁第７行目乃至第８行目の「を回転し、またＪ Ｖ
ｒＫ：おいて」に、同頁第１】行目の「処理温度」ｔ「
基板温度」に、同頁第稔行目乃至＠１３行目の「スパッ
タ処理が行われる。」を「スパッタを行い得る。」に、
同頁第２行目の「基板温度の上昇が防止されるためＫＪ
）ｋ ｒ基板ホルダー７の自転により」に各々訂正す
る。 ６、ｌｉＩＩｍ１１１６頁第４行８乃至ｊｌ！５行１の
ｒｔ−回転させると共ｙＪＹ ｒにおいて」に訂正する
。 ７、 明細書第７頁第２行目乃至第３行目の「４゜７・
・・基板ホルダー」を「７・・・基板ホルダーＪｋ訂正
する。 ＆ 添付図自第３図および９４１Ｍ２１に別紙のように
訂正する。 （別 紙） 特許請求の範囲 １、容器と、この容器内の中心に配置されたターゲット
と、このターゲットの周囲に配置された複数の基板ホル
ダーとを含み、上記基板ホルダーｔターゲットの周囲に
おいて自転させるように構成したことを特徴とするスノ
（ツタ装置。 ２、上記基板ホルダーが多角柱から成ることｔ物像とす
る特許請求の範囲第１項記載のスノ（ツタ装置。 ３、 上記ターゲットの周囲にブラインドシャッターが
設けられたことｔ特徴とする特許請求の範ｌ！ｉ第１項
又は第２項記載のスノ（ツタ装置。 ４、上記基板ホルダーに水冷管が設けられたことを特徴
とする特ｌ！Ｆ梢求の範囲第１項乃至第３項のいずれか
に記載のスパッタ処理。 ５、 上記基板ホルダーを回転させるための駆動装置が
設けられたことｔ％鑓とする特許請求の範囲第１項乃至
第４項のいずれかに記載のスノ（ツタ装置。
および第４図は本発明実施例を示す上面図および断面図
である。 ｌ・・・容器、３・・・ターゲット、４．７・・・基板
ホルダー、５・・・基板、１０・・・ブラインドシャッ
ター、１１・・・水冷管。 特許出願人 クラリオン株式会社 第１図 第２図 手続補正書（〔Ｌ２ １ 事件の表示 昭和ｓ６年特許鵬 第１７８１１４号 ２ 妬明の名称 スパツ／装置 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 名 称 （１４ｇ） クツリオン株式会社４・代理人
〒１０５ 住 所 東京都港区芝３丁目２番１４号芝三丁目ビル
明細書の４１軒請求の範Ｈの欄、見切の詳細な特許請求
の範囲の記載を別紙の通り訂正する。 λ 明細書第３頁第１行目の「熱輻射」を「熱輻射」に
、同頁第２行目の「衝激等Ｊｖｒ衝撃等」ｋ、同頁ｔａ
ｘ３ｈ目のｒｍ厚」Ｙ ｒａｇのｍ厚ｘｒ、同頁第１７
行目乃至第１８行目の「ｔ−一回転せると共に」ン「に
おいて」に各々訂正する。 ３、明細書＠３頁第臣行目乃至１ｍ１３行目の「温度上
昇の影響によってＪ′１ｊＩ：ｍ除する。 ４、明細書第４頁第８行目および第１９行目の「Ｖ回転
すると共に」を「において」ｋ、同頁第２行目の「支持
台Ｊｖｒ絶縁支持台」に各々訂正する。 ５、明＋ｌ１ｉｌ第５頁第２行目の「膜Ｊ１に：ｒ粒子
ＪＫ。 同頁第２行目および第６行目の「処理」を「工程」に、
同頁第７行目乃至第８行目の「を回転し、またＪ Ｖ
ｒＫ：おいて」に、同頁第１】行目の「処理温度」ｔ「
基板温度」に、同頁第稔行目乃至＠１３行目の「スパッ
タ処理が行われる。」を「スパッタを行い得る。」に、
同頁第２行目の「基板温度の上昇が防止されるためＫＪ
）ｋ ｒ基板ホルダー７の自転により」に各々訂正す
る。 ６、ｌｉＩＩｍ１１１６頁第４行８乃至ｊｌ！５行１の
ｒｔ−回転させると共ｙＪＹ ｒにおいて」に訂正する
。 ７、 明細書第７頁第２行目乃至第３行目の「４゜７・
・・基板ホルダー」を「７・・・基板ホルダーＪｋ訂正
する。 ＆ 添付図自第３図および９４１Ｍ２１に別紙のように
訂正する。 （別 紙） 特許請求の範囲 １、容器と、この容器内の中心に配置されたターゲット
と、このターゲットの周囲に配置された複数の基板ホル
ダーとを含み、上記基板ホルダーｔターゲットの周囲に
おいて自転させるように構成したことを特徴とするスノ
（ツタ装置。 ２、上記基板ホルダーが多角柱から成ることｔ物像とす
る特許請求の範囲第１項記載のスノ（ツタ装置。 ３、 上記ターゲットの周囲にブラインドシャッターが
設けられたことｔ特徴とする特許請求の範ｌ！ｉ第１項
又は第２項記載のスノ（ツタ装置。 ４、上記基板ホルダーに水冷管が設けられたことを特徴
とする特ｌ！Ｆ梢求の範囲第１項乃至第３項のいずれか
に記載のスパッタ処理。 ５、 上記基板ホルダーを回転させるための駆動装置が
設けられたことｔ％鑓とする特許請求の範囲第１項乃至
第４項のいずれかに記載のスノ（ツタ装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 容−器と、この容器内の中心に配置されたターゲ
ットと、このターゲットの周囲に、配置された複数の基
板ホルダーとを含み、上記基板ホルダーをターゲットの
周囲を回転させると共に自転させるように構成したこと
を特徴とするスパッタ装置。 ２、 上記基板ホルダーが多角柱から成ることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のスパッタ装置。 ３、 上記ターゲットの周囲にブラインドシャッターが
設けられたことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は
第２項記載のスパッタ装置。 ４、 上記基板ホルダーに水冷管が設けられたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれかに
記載のスパッタ装置。 ５ 上記基板ホルダーを回転させるための駆動装置が設
けられたことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第
４項のいずれかに記載のスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17811481A JPS5881970A (ja) | 1981-11-06 | 1981-11-06 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17811481A JPS5881970A (ja) | 1981-11-06 | 1981-11-06 | スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5881970A true JPS5881970A (ja) | 1983-05-17 |
Family
ID=16042897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17811481A Pending JPS5881970A (ja) | 1981-11-06 | 1981-11-06 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5881970A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2602798A1 (fr) * | 1986-08-13 | 1988-02-19 | Alcatel Thomson Faisceaux | Procede de depot par pulverisation cathodique d'une couche de materiau sur des substrats et dispositif de mise en oeuvre d'un tel procede |
| CN104651794A (zh) * | 2013-11-18 | 2015-05-27 | 株式会社神户制钢所 | 成膜装置 |
| JP2016031470A (ja) * | 2014-07-29 | 2016-03-07 | ブラザー工業株式会社 | ポリゴンミラーの製造方法、ポリゴンミラーおよび画像形成装置 |
-
1981
- 1981-11-06 JP JP17811481A patent/JPS5881970A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2602798A1 (fr) * | 1986-08-13 | 1988-02-19 | Alcatel Thomson Faisceaux | Procede de depot par pulverisation cathodique d'une couche de materiau sur des substrats et dispositif de mise en oeuvre d'un tel procede |
| CN104651794A (zh) * | 2013-11-18 | 2015-05-27 | 株式会社神户制钢所 | 成膜装置 |
| JP2016031470A (ja) * | 2014-07-29 | 2016-03-07 | ブラザー工業株式会社 | ポリゴンミラーの製造方法、ポリゴンミラーおよび画像形成装置 |
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