JPH0699803B2 - スパッタリングによる透明導電膜の製造装置 - Google Patents
スパッタリングによる透明導電膜の製造装置Info
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- JPH0699803B2 JPH0699803B2 JP63132466A JP13246688A JPH0699803B2 JP H0699803 B2 JPH0699803 B2 JP H0699803B2 JP 63132466 A JP63132466 A JP 63132466A JP 13246688 A JP13246688 A JP 13246688A JP H0699803 B2 JPH0699803 B2 JP H0699803B2
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- Japan
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- transparent conductive
- conductive film
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は透明導電膜の製造装置に関し、特にガラス基板
等の所定の基板の表面にスパッタリングにより透明導電
膜を形成する製造装置に関する。
等の所定の基板の表面にスパッタリングにより透明導電
膜を形成する製造装置に関する。
＜従来の技術＞ 従来、例えば特公昭62−7265号公報に記載のように、ベ
ルジャ型容器の側壁にターゲットを設け、その容器内を
回転する回転体に透明導電膜を形成すべきガラス基板等
を取付けて連続的にスパッタリングを行って半透明導電
膜を製作し、その後、ベルジャ型容器からガラス基板等
を取り出して、容器外で所定の焼成工程を行なうことに
より完全な透明導電膜に仕上げる製造技術が知られてい
る。
ルジャ型容器の側壁にターゲットを設け、その容器内を
回転する回転体に透明導電膜を形成すべきガラス基板等
を取付けて連続的にスパッタリングを行って半透明導電
膜を製作し、その後、ベルジャ型容器からガラス基板等
を取り出して、容器外で所定の焼成工程を行なうことに
より完全な透明導電膜に仕上げる製造技術が知られてい
る。
また、上記のベルジャ型容器内にてガラス基板の表面に
所望の透明導電膜をスパッタリングし、そのスパッタリ
ングが完了した基板に対し、その容器内で連続的に焼成
工程を行い得るようにした製造装置も知られている。
所望の透明導電膜をスパッタリングし、そのスパッタリ
ングが完了した基板に対し、その容器内で連続的に焼成
工程を行い得るようにした製造装置も知られている。
＜発明が解決しようとする課題＞ ところで、上記のようなベルジャ型容器内でガラス基板
等の複数の基板を回転させながら、その表面にスパッタ
リングにより連続的に透明導電膜を形成する装置におい
ては、従来のインライン方式に比べて生産性が向上する
ものの、近年においては、コストダウン等を図るため
に、さらに一層生産性を向上させることが要求されてい
る。また、製品開発状況等に応じて、このような透明導
電膜が形成された基板形態の多様化の要求もある。
等の複数の基板を回転させながら、その表面にスパッタ
リングにより連続的に透明導電膜を形成する装置におい
ては、従来のインライン方式に比べて生産性が向上する
ものの、近年においては、コストダウン等を図るため
に、さらに一層生産性を向上させることが要求されてい
る。また、製品開発状況等に応じて、このような透明導
電膜が形成された基板形態の多様化の要求もある。
本発明は、こうした課題を解決するためになされたもの
であり、生産性を一層向上させることができ、また、基
板形態の多様化に対応できるスパッタリングによる透明
導電膜の製造装置を提供することを目的とする。
であり、生産性を一層向上させることができ、また、基
板形態の多様化に対応できるスパッタリングによる透明
導電膜の製造装置を提供することを目的とする。
＜課題を解決するための手段＞ 本発明スパッタリングによる透明導電膜の製造装置は、
同心の内側壁と外側壁とを有する中空円筒形とされたベ
ルジャ型容器における各側壁の異なる場所に設けられた
第１のターゲットおよび第２のターゲットと、上記ベル
ジャ型容器の中を回転する基板架台と、その基板架台に
装着されて上記ベルジャ型容器における内側壁と外側壁
とに囲まれた空間に沿って該容器内を回転する基板と、
その基板の回転軌道と上記第１または第２のターゲット
との間に選択的に介在されて該基板と第１または第２の
ターゲットとの間を遮蔽する移動シャッタと、その移動
シャッタを上記第１のターゲット側と第２のターゲット
側との間で選択的に移動させる移動手段と、上記移動シ
ャッタにおける基板対向面に設けられたヒータと、上記
ベルジャ型容器内を真空に減圧する真空手段と、上記ベ
ルジャ型容器内へ不活性ガスを導入する不活性ガス導入
手段とを有するとともに、上記第１および第２のターゲ
ットがそれぞれ内側壁と外側壁とに相対向して設けられ
た一対のターゲットで構成されていることによって特徴
づけられる。
同心の内側壁と外側壁とを有する中空円筒形とされたベ
ルジャ型容器における各側壁の異なる場所に設けられた
第１のターゲットおよび第２のターゲットと、上記ベル
ジャ型容器の中を回転する基板架台と、その基板架台に
装着されて上記ベルジャ型容器における内側壁と外側壁
とに囲まれた空間に沿って該容器内を回転する基板と、
その基板の回転軌道と上記第１または第２のターゲット
との間に選択的に介在されて該基板と第１または第２の
ターゲットとの間を遮蔽する移動シャッタと、その移動
シャッタを上記第１のターゲット側と第２のターゲット
側との間で選択的に移動させる移動手段と、上記移動シ
ャッタにおける基板対向面に設けられたヒータと、上記
ベルジャ型容器内を真空に減圧する真空手段と、上記ベ
ルジャ型容器内へ不活性ガスを導入する不活性ガス導入
手段とを有するとともに、上記第１および第２のターゲ
ットがそれぞれ内側壁と外側壁とに相対向して設けられ
た一対のターゲットで構成されていることによって特徴
づけられる。
＜作用＞ 基板架台に装着された基板が第１または第２のターゲッ
トを通過するごとに、その基板表面にはスパッタリング
により透明導電膜が形成される。また、この第１および
第２の各ターゲットがベルジャ型容器の内側壁および外
側壁に相対向して設けられた一対のターゲットで構成さ
れているので、例えば、基板架台の両面にそれぞれ基板
が装着されている場合、あるいは、基板架台に対して２
枚の基板が背中合わせに支持されている場合には、各基
板の表面に同時に透明導電膜が形成される。また、基板
架台に対して１枚の基板がその下端部あるいは側端部等
で部分的に支持されることにより、装着されている場合
には、基板の表裏面に同時に透明導電膜が形成される。
トを通過するごとに、その基板表面にはスパッタリング
により透明導電膜が形成される。また、この第１および
第２の各ターゲットがベルジャ型容器の内側壁および外
側壁に相対向して設けられた一対のターゲットで構成さ
れているので、例えば、基板架台の両面にそれぞれ基板
が装着されている場合、あるいは、基板架台に対して２
枚の基板が背中合わせに支持されている場合には、各基
板の表面に同時に透明導電膜が形成される。また、基板
架台に対して１枚の基板がその下端部あるいは側端部等
で部分的に支持されることにより、装着されている場合
には、基板の表裏面に同時に透明導電膜が形成される。
＜実施例＞ 第１図に本発明装置の実施例の縦断面図を示し、第２図
に第１図のＡ−Ａ′断面図を示す。
に第１図のＡ−Ａ′断面図を示す。
基台１上に、開閉自在のベルジャ型容器２を固着して真
空室を構成し、その排気孔３は真空ポンプ、拡散ポンプ
等の真空排気系に、メインバルブ４を介して連通してい
る。ベルジャ型容器２には、弁６を介してO2ガス源７及
びArガス源８が接続され、また、弁９を介してN2ガス源
10が接続されている。ベルジャ型容器２の形状は、同軸
の内側壁11と外側壁12が相対向する中空円筒形である。
この内側壁11および外側壁12の全周を二分して、第２図
に示すように第１の領域（Ｉ）と第２の領域（II）を設
ける。第１の領域（Ｉ）には内外両側壁にそれぞれ対向
させて一対のシリコンターゲット13,14が配設されて第
１のターゲットT1が設けられており、また、第２の領域
（II）には内外両側壁にそれぞれ対向させて一対の酸化
インジウム・スズ合金のターゲット15,16が配設されて
第２のターゲットT2が設けられている。複数個のシリコ
ンターゲット13,14にはスイッチ17を介して第１の直流
電源18が接続され、複数個のインジウム・スズ合金のタ
ーゲット15,16にはスイッチ19を介して第２の直流電源2
0が接続される。基台１上には、モータ21により回転駆
動される回転円盤22が設けられ、その回転円盤22の外周
に円筒形の基板架台23が支持されている。この基板架台
23の回転軌道は内外両側壁11,12のほぼ中間である。こ
の基板架台23の両面に、透明導電膜を形成すべきガラス
基板が張りつけられる。基台１上の外周部には、環状歯
車24が回転自在に設けられ、これと係合する小歯車25を
介してモータ26により回転駆動され、この環状歯車24に
移動シャッタ27が設けられる。この移動シャッタ27は第
１の領域（Ｉ）また第２の領域（II）を選択的に移動し
てターゲットと基板架台23の間を遮断するためのもの
で、基板架台23の内側を遮断する半円筒形遮蔽板27A
と、基板架台23の外側を遮断する半円筒形の遮蔽板27B
から構成されている。各遮蔽板27A,27Bの中央部の内側
には基板を加熱するためのヒータ28A,28Bが配設されて
いる。このヒータ28A,28Bは、例えば第２図に示すよう
に、反射板29の前方に複数個のハロゲンヒータ30…30を
並設し、リード電極31,31を導出したものである。
空室を構成し、その排気孔３は真空ポンプ、拡散ポンプ
等の真空排気系に、メインバルブ４を介して連通してい
る。ベルジャ型容器２には、弁６を介してO2ガス源７及
びArガス源８が接続され、また、弁９を介してN2ガス源
10が接続されている。ベルジャ型容器２の形状は、同軸
の内側壁11と外側壁12が相対向する中空円筒形である。
この内側壁11および外側壁12の全周を二分して、第２図
に示すように第１の領域（Ｉ）と第２の領域（II）を設
ける。第１の領域（Ｉ）には内外両側壁にそれぞれ対向
させて一対のシリコンターゲット13,14が配設されて第
１のターゲットT1が設けられており、また、第２の領域
（II）には内外両側壁にそれぞれ対向させて一対の酸化
インジウム・スズ合金のターゲット15,16が配設されて
第２のターゲットT2が設けられている。複数個のシリコ
ンターゲット13,14にはスイッチ17を介して第１の直流
電源18が接続され、複数個のインジウム・スズ合金のタ
ーゲット15,16にはスイッチ19を介して第２の直流電源2
0が接続される。基台１上には、モータ21により回転駆
動される回転円盤22が設けられ、その回転円盤22の外周
に円筒形の基板架台23が支持されている。この基板架台
23の回転軌道は内外両側壁11,12のほぼ中間である。こ
の基板架台23の両面に、透明導電膜を形成すべきガラス
基板が張りつけられる。基台１上の外周部には、環状歯
車24が回転自在に設けられ、これと係合する小歯車25を
介してモータ26により回転駆動され、この環状歯車24に
移動シャッタ27が設けられる。この移動シャッタ27は第
１の領域（Ｉ）また第２の領域（II）を選択的に移動し
てターゲットと基板架台23の間を遮断するためのもの
で、基板架台23の内側を遮断する半円筒形遮蔽板27A
と、基板架台23の外側を遮断する半円筒形の遮蔽板27B
から構成されている。各遮蔽板27A,27Bの中央部の内側
には基板を加熱するためのヒータ28A,28Bが配設されて
いる。このヒータ28A,28Bは、例えば第２図に示すよう
に、反射板29の前方に複数個のハロゲンヒータ30…30を
並設し、リード電極31,31を導出したものである。
次にこの装置を使用して実施する本発明方法を説明す
る。
る。
ベルジャ型容器２を吊り上げて、基板架台23に洗浄済ガ
ラス基板を装着する、容器２を下降させて基台１に固着
し、真空室内を真空排気するとともに、ヒータ28A,28B
と基板架台23を相対的に回転させて基板を加熱する。真
空室内の真空度が１〜７×10-5Torrに達したときArガス
及びO2ガスを導入する。真空度を７〜0.2×10-4Torrに
保持しながら、移動シャッタ27を領域（II）に停止させ
てシリコンターゲット用直流電源18をONにしてSiO2スパ
ッタリングを行なう。所定時間ののち電源18をOFFに
し、シャッタ27を180°回転させて領域（Ｉ）に停止さ
せ、酸化インジウム・スズのスパッタリングを所定時間
行なう。前後いずれのスパッタリングの実行中も、基板
架台23は回転をつづけ、ヒータ加熱を続けられている。
スパッタリングが終了すると、Arガス、O2ガスの導入を
停止し、真空排気系のメインバルブ４を閉じ、弁９を開
いてN2ガスを導入して真空室内の圧力を大気圧まで上昇
させ、所定時間経過させたのち、基板架台23の回転を停
止し、ヒータ28A,28BをOFFにし、ベルジャ型容器２を吊
り上げて透明導電膜の形成されたガラス基板を取り出
す。
ラス基板を装着する、容器２を下降させて基台１に固着
し、真空室内を真空排気するとともに、ヒータ28A,28B
と基板架台23を相対的に回転させて基板を加熱する。真
空室内の真空度が１〜７×10-5Torrに達したときArガス
及びO2ガスを導入する。真空度を７〜0.2×10-4Torrに
保持しながら、移動シャッタ27を領域（II）に停止させ
てシリコンターゲット用直流電源18をONにしてSiO2スパ
ッタリングを行なう。所定時間ののち電源18をOFFに
し、シャッタ27を180°回転させて領域（Ｉ）に停止さ
せ、酸化インジウム・スズのスパッタリングを所定時間
行なう。前後いずれのスパッタリングの実行中も、基板
架台23は回転をつづけ、ヒータ加熱を続けられている。
スパッタリングが終了すると、Arガス、O2ガスの導入を
停止し、真空排気系のメインバルブ４を閉じ、弁９を開
いてN2ガスを導入して真空室内の圧力を大気圧まで上昇
させ、所定時間経過させたのち、基板架台23の回転を停
止し、ヒータ28A,28BをOFFにし、ベルジャ型容器２を吊
り上げて透明導電膜の形成されたガラス基板を取り出
す。
透明導電膜の形成条件等を例示すれば次の通りである。
SiO2スパッタリング ターゲット材料 シリコン（100％） ターゲットと基板軌道間距離 15cm 投入電力 1.5w/cm2 基板温度 200℃〜300℃ 基板回転速度 1.5rpm スパッタリング時間 15〜24分 膜厚 150〜350Å 酸化インジウム・スズ合金スパッタリング ターゲット材料 酸化インジウムを主成分 としたスズとの合金 ターゲットと基板軌道間距離 15cm 投入電力 6w/cm2 基板温度 200℃〜300℃ 基板回転速度 1.5rpm スパッタリング時間 約14分 なお、本実施例においては、上記基板架台23に対してガ
ラス基板を装着する場合に、その基板架台23の両面にガ
ラス基板を張りつけるようにしたが、ガラス基板の下端
部あるいは側端部等を部分的に基板架台23に支持させる
ようにしてもよく、この場合には、１枚のガラス基板の
表裏両面に、同時にスパッタリングによる透明導電膜が
形成され、この種の透明導電膜が形成されたガラス基板
形態の多様化に対応することが可能となる。また、本実
施例においては、ガラス基板の表面に透明導電膜を形成
する場合について説明したが、スパッタリングにより透
明導電膜が形成される基板としてはガラス基板に限定さ
れるものではなく、例えば合成樹脂製の基板であっても
よい。
ラス基板を装着する場合に、その基板架台23の両面にガ
ラス基板を張りつけるようにしたが、ガラス基板の下端
部あるいは側端部等を部分的に基板架台23に支持させる
ようにしてもよく、この場合には、１枚のガラス基板の
表裏両面に、同時にスパッタリングによる透明導電膜が
形成され、この種の透明導電膜が形成されたガラス基板
形態の多様化に対応することが可能となる。また、本実
施例においては、ガラス基板の表面に透明導電膜を形成
する場合について説明したが、スパッタリングにより透
明導電膜が形成される基板としてはガラス基板に限定さ
れるものではなく、例えば合成樹脂製の基板であっても
よい。
＜発明の効果＞ 以上説明したように、本発明によれば、第１および第２
のターゲットをそれぞれ内側壁と外側壁とに相対向して
設けられた一対のターゲットにより構成したので、基板
架台の両面に装着されたガラス基板等の２枚の基板の表
面に同時に透明導電膜が形成されることになる。すなわ
ち、１回の製造工程で２枚同時に透明導電膜加工が施さ
れることにより、従来のこの種の製造装置に比べて生産
性が一段と向上する。また、基板架台に１枚の基板を装
着した場合には、その基板の表裏面に同時に透明導電膜
が形成され、製品開発状況等に応じて、透明導電膜が形
成された基板形態の多様化に好適に対応することができ
る。
のターゲットをそれぞれ内側壁と外側壁とに相対向して
設けられた一対のターゲットにより構成したので、基板
架台の両面に装着されたガラス基板等の２枚の基板の表
面に同時に透明導電膜が形成されることになる。すなわ
ち、１回の製造工程で２枚同時に透明導電膜加工が施さ
れることにより、従来のこの種の製造装置に比べて生産
性が一段と向上する。また、基板架台に１枚の基板を装
着した場合には、その基板の表裏面に同時に透明導電膜
が形成され、製品開発状況等に応じて、透明導電膜が形
成された基板形態の多様化に好適に対応することができ
る。
第１図は本発明装置の実施例の全体構成図、 第２図は第１図のＡ−Ａ′断面図、 第３図は第１図の移動シャッタ及びヒータを示す部分切
欠斜視図である。 １…基台 ２…ベルジャ型容器 ３…排気孔 ４…メインバルブ 6,7…弁 ８…Arガス源 ９…O2ガス源 10…N2ガス源 11,12…容器の側壁 13,14…シリコンターゲット 15,16…酸化膜インジウム・スズ合金ターゲット 18,20…直流電源 21…基板回転用モータ 23…基板架台 26…移動シャッタ用モータ 27…移動シャッタ 28…ヒータ T1，T2…第１のターゲット、第２のターゲット
欠斜視図である。 １…基台 ２…ベルジャ型容器 ３…排気孔 ４…メインバルブ 6,7…弁 ８…Arガス源 ９…O2ガス源 10…N2ガス源 11,12…容器の側壁 13,14…シリコンターゲット 15,16…酸化膜インジウム・スズ合金ターゲット 18,20…直流電源 21…基板回転用モータ 23…基板架台 26…移動シャッタ用モータ 27…移動シャッタ 28…ヒータ T1，T2…第１のターゲット、第２のターゲット
Claims (1)
- 【請求項１】同心の内側壁と外側壁とを有する中空円筒
形とされたベルジャ型容器における各側壁の異なる場所
に設けられた第１のターゲットおよび第２のターゲット
と、上記ベルジャ型容器の中を回転する基板架台と、そ
の基板架台に装着されて上記ベルジャ型容器における内
側壁と外側壁とに囲まれた空間に沿って該容器内を回転
する基板と、その基板の回転軌道と上記第１または第２
のターゲットとの間に選択的に介在されて該基板と第１
または第２のターゲットとの間を遮蔽する移動シャッタ
と、その移動シャッタを上記第１のターゲット側と第２
のターゲット側との間で選択的に移動させる移動手段
と、上記移動シャッタにおける基板対向面に設けられた
ヒータと、上記ベルジャ型容器内を真空に減圧する真空
手段と、上記ベルジャ型容器内へ不活性ガスを導入する
不活性ガス導入手段とを有するとともに、上記第１およ
び第２のターゲットがそれぞれ内側壁と外側壁とに相対
向して設けられた一対のターゲットで構成されているこ
とを特徴とするスパッタリングによる透明導電膜の製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63132466A JPH0699803B2 (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | スパッタリングによる透明導電膜の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63132466A JPH0699803B2 (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | スパッタリングによる透明導電膜の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01301851A JPH01301851A (ja) | 1989-12-06 |
| JPH0699803B2 true JPH0699803B2 (ja) | 1994-12-07 |
Family
ID=15082033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63132466A Expired - Lifetime JPH0699803B2 (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | スパッタリングによる透明導電膜の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0699803B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH081767B2 (ja) * | 1992-04-10 | 1996-01-10 | 三容真空工業株式会社 | 導電性薄膜とその製造方法 |
| JP2017036466A (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 日新電機株式会社 | スパッタ装置及び成膜方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5228108A (en) * | 1975-08-28 | 1977-03-02 | Kubota Ltd | Trencher attaching device in tractor |
| JPS52116896A (en) * | 1976-03-29 | 1977-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electrode plate and its preparation |
| JPS58752A (ja) * | 1981-06-25 | 1983-01-05 | Orient Watch Co Ltd | 酸素ガス検知組成物 |
| JPS61250163A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多層薄膜の製造方法および装置 |
| JPS6289881A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-24 | Hitachi Ltd | スパツタ装置 |
| JPS62263961A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-16 | Hitachi Ltd | スパツタリング装置 |
| JPH01275754A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-06 | Shimadzu Corp | 多層膜形成装置 |
-
1988
- 1988-05-30 JP JP63132466A patent/JPH0699803B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01301851A (ja) | 1989-12-06 |
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