JP3901754B2 - 基板保持装置、スパッタリング装置、基板交換方法、スパッタリング方法 - Google Patents
基板保持装置、スパッタリング装置、基板交換方法、スパッタリング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3901754B2 JP3901754B2 JP23617895A JP23617895A JP3901754B2 JP 3901754 B2 JP3901754 B2 JP 3901754B2 JP 23617895 A JP23617895 A JP 23617895A JP 23617895 A JP23617895 A JP 23617895A JP 3901754 B2 JP3901754 B2 JP 3901754B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- holding plate
- substrate holding
- hand
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ターゲットと基板を鉛直にして薄膜を成膜するスパッタリング技術にかかり、特に、基板を水平移動させる基板搬送ロボットに対応したスパッタリング方法と、そのスパッタリング方法に適した基板保持装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
薄膜を成膜するためのスパッタリング方法は、半導体素子や液晶素子を製造するために欠かせない技術となっており、特に、装置の組合せが柔軟であり、ダストの発生が少ないことから、基板搬送ロボットを使用した枚葉式スパッタリング方法が主流となっている。
【0003】
図8に、そのような従来技術の枚葉式のスパッタリング装置101を示すと、該スパッタリング装置101は、基板の搬出入を行うL/UL室102と、基板搬送ロボット107が設けられた搬送室108と、ターゲット111が天井に設けられたスパッタ室106とがこの順で配置され構成されている。前記L/UL室102と前記搬送室108との間と、前記搬送室108と前記スパッタ室106との間は、それぞれ仕切バルブ105、109によって仕切られており、個別に真空排気できるように構成されている。
【0004】
前記L/UL室102にはカセット昇降機構114が設けられており、前記スパッタ室106に基板を搬入するためには、先ず、前記L/UL室102と大気との間に設けられた扉103を開け、成膜対象の基板が満載されたカセット120を前記L/UL室102内に装着する。そして、前記扉103を閉じ、図示しない真空ポンプを起動して前記L/UL室102を真空排気した後、前記仕切バルブ105を開け、前記基板搬送ロボット107と前記カセット昇降機構114とを用いて、前記カセット120から基板を1枚ずつ取り出す。次いで、前記仕切バルブ109を開け、前記基板搬送ロボット107のハンド上に乗せた基板を前記スパッタ室106内に搬入する。
【0005】
前記スパッタ室106内の底面には複数の支持棒104が立設されており、前記ハンド上に乗せた基板を前記ターゲット111と前記各支持棒104の間に位置させ、前記各支持棒104の下端に設けられた基板昇降機構112を動作させて前記各支持棒104を持ち上げると前記基板は前記各支持棒104の上端部分に乗せられる。
【0006】
その状態で前記スパッタ室106から前記基板搬送ロボット107のハンドを抜き出すと、基板と前記ターゲット111とが対向配置されるので、前記仕切バルブ109を閉じてスパッタリングガスを導入してスパッタリングを開始できる状態になる。図8の符号113は前記各支持棒104に乗せられた状態の基板である。
【0007】
このスパッタリング装置101では、前記スパッタ室106の底面に平板状のヒーター110が配置されており、前記基板昇降機構112を動作させ、前記各支持棒104を下げると前記基板113は前記ヒーター110上に置かれるので、加熱しながら薄膜を成長させることができるものである。
【0008】
しかしながら、前記支持棒104は基板を水平に支持するため、前記スパッタ室106内でダストが発生すると、前記基板113表面に落下してしまう。このスパッタ室106の場合、前記ターゲット111が前記スパッタ室の天井に配置されているので、ターゲット111の保持枠等に堆積したターゲット材が剥離すると、前記成膜中の基板113の表面に落下し、薄膜に欠陥が生じ、歩留まりが悪くなってしまう。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたもので、その目的は、膜欠陥や基板のそり、歪みを生じさせずに大面積基板に薄膜を成膜することができるスパッタリング方法と、そのスパッタリング方法に適した基板保持装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために請求項1記載の発明は、スパッタリングにより成膜が行われる基板を保持する基板保持板と、前記基板を前記基板保持板へ密着させるクランプ機構と、前記基板保持板を嵌め込み、前記クランプ機構を取り付けた保持板回転枠と、前記基板よりもその内側を小さくくりぬいた窓部を有するマスク回転枠と、前記マスク回転枠を鉛直状態に取り付け、かつ前記保持板回転枠が鉛直状態の時に前記マスク回転枠と重なり前記基板の成膜領域が前記窓部に露出するように前記保持板回転枠を水平状態と鉛直状態とに移動させる回転機構と、水平状態の時の前記基板保持板の下方に設けられた第一及び第二の基板仮置機構とからなる基板保持装置において、前記第一の基板仮置機構は、前記基板保持板が水平状態の時、前記基板保持板の周縁の外側に位置し、上下動と回転動が可能な複数の支持棒と、該支持棒の各先端に設けられた爪部とから成り、第一の基板仮置機構に前記基板を仮置きする場合には、前記基板保持板が水平状態の時、前記各支持棒を高さを揃えて前記基板保持板よりも上方に上昇させた後、前記爪部を回転させ前記基板保持板の上側に位置させるように動作し、前記基板保持板には、前記爪部が前記基板保持板側に向いている状態で、前記爪部を前記基板保持板に収納する切り欠きが設けられ、前記保持板回転枠には、前記支持棒を前記基板保持板の下方に移動できるように第一の孔を設け、前記第二の基板仮置機構は、前記基板保持板が水平状態の前記基板保持板の周縁の下側に位置し、前記基板保持板の周縁に形成した第二の孔を貫通して高さを揃えて上下動が可能な複数のピンから成り、前記第一及び第二の基板仮置機構に同時に前記基板保持板と同じ大きさの基板を乗せられるように構成された基板保持装置である。
【0011】
請求項2記載の発明は、前記基板保持板にはヒーターが設けられ、前記基板保持板と密着された基板を加熱できるように構成された請求項1記載の基板保持装置である。
【0012】
請求項3記載の発明は、前記回転機構は、前記基板保持板が水平であって前記各支持棒と前記各ピンが前記保持板回転枠と前記基板保持板の前記第一、第二の孔から抜き出された状態で、前記基板保持板を前記保持板回転枠と共に回転し、鉛直に起立させるように構成された請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の基板保持装置である。
【0013】
請求項4記載の発明は、成膜室と、ターゲットと、請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の基板保持装置とを有し、前記ターゲットは前記成膜室内に鉛直に配置され、前記基板保持装置は、前記成膜室内であって、前記基板保持板に前記基板を密着して鉛直に起立させたときに前記基板が前記ターゲットに所定間隔で対向配置される位置に配置されたスパッタリング装置である。
【0014】
請求項5記載の発明は、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載された基板保持装置を用い、成膜終了基板が配置された水平状態の前記基板保持板の上部に、未成膜基板が乗せられた基板搬送ロボットのハンドを静止させ、前記各支持棒を上昇させ、回転させて前記未成膜基板を前記爪部上に置き、前記ハンドを前記基板保持板の上部から退避させ、前記成膜終了基板が乗せられた前記ピンを、前記成膜終了基板の高さが前記ハンドの高さよりも高くなるまで上昇させ、前記ハンドを前記基板保持板の上部に移動させ、前記ピンを降下させて前記成膜終了基板を前記ハンド上に乗せる基板交換方法である。
【0015】
請求項6記載の発明は、請求項4に記載されたスパッタリング装置を用い、前記基板保持板上に位置する成膜終了基板を未成膜基板と交換し、前記ターゲットをスパッタリングして前記未成膜基板表面に薄膜を形成するスパッタリング方法であって、前記成膜終了基板が配置された水平状態の前記基板保持板の上部に、前記未成膜基板が乗せられた基板搬送ロボットのハンドを静止させ、前記各支持棒を上昇させ、回転させて前記未成膜基板を前記爪部上に置き、前記ハンドを前記基板保持板の上部から退避させ、前記成膜終了基板が前記ピンを、前記成膜終了基板の高さが前記ハンドの高さよりも高くなるまで上昇させ、前記ハンドを前記基板保持板の上部に移動させ、前記ピンを降下させて前記成膜終了基板を前記ハンド上に乗せ、前記ハンドを前記基板保持板の上部から退避させ、前記各支持棒を降下させ、前記未成膜基板を前記基板保持板上に配置するスパッタリング方法である。
【0016】
このような本発明方法の構成によると、基板搬送ロボットを用いて基板を水平に移動させて搬入する際、基板を水平にしたままで基板保持板上に乗せてクランプし、次いで前記基板保持板を起立させるので、基板を脱落することなく鉛直にすることができ、そして、成膜室内にほぼ鉛直に配置されたターゲットと平行に対向させてスパッタリングを行えば、成膜の際に基板表面にダストが落下することはない。
【0017】
前記基板保持板にヒーターを設ければ、鉛直にされた基板を加熱しながら膜成長をさせることができるので、結晶性のよい薄膜を成膜することが可能となる。また、前記基板は前記基板保持板に密着されているので、加熱しても基板にそりや歪みが生じることがない。
【0018】
このような本発明方法を行う際、基板搬送ロボットのハンド上に乗せられて水平に移動されて搬入された基板を水平のまま乗せる基板保持板と、前記基板保持板上に乗せられた基板をクランプする基板クランプ機構と、前記基板保持板を起立させる回転機構とが設けられた基板保持装置を使用すると基板を簡単に鉛直にできて都合がよい。
【0019】
また、この基板保持装置で基板を鉛直にしたときに、成膜室内にほぼ鉛直に配置されたターゲットと基板とが直ちに平行に対向されるようにしておけば、鉛直にした状態で基板を移動させなくて済み、装置の構成が簡単になる。
【0020】
ところで、一般に広く用いられている真空用基板搬送ロボットでは、ハンド上に基板を乗せて水平に移動させることはできるが、ハンドを上下に動かして、基板を上下に移動させることはできないのが普通である。そこで、前記ハンド上に乗せられた基板が前記基板保持板上に位置するときに、その基板を持ち上げて上下移動させる第1の基板仮置機構と、前記基板保持板上に乗せられた基板を持ち上げて上下移動させる第2の基板仮置機構とをこの基板保持装置に設けておけば、前記第1、第2の基板仮置機構の動作と前記ハンドの動作によって、前記ハンド上にある未成膜の基板と前記基板保持板上にある成膜が終了した基板とを、それぞれ前記第1、第2の基板仮置機構に置いて交換できるようになるので、基板搬送ロボットに無駄な動きがなくなって、基板交換時間、ひいては成膜処理時間を短縮させることが可能となる。
【0021】
その際、前記基板保持板にヒーターを設け、密着された基板を加熱しながらスパッタリングを行えば、そりや歪みを生じさせずに結晶性のよい薄膜を得ることができて好ましい。
【0022】
【発明の実施の形態】
本発明方法の実施の形態を、その方法に用いられる基板保持装置の発明の実施の形態と共に図面を用いて説明する。
【0023】
図1を参照し、2は本発明の基板保持装置であり、外周が四辺形の保持板回転枠5とシャフト21とを有している。前記シャフト21は水平に配置されており、前記保持板回転枠5は前記シャフト21に取り付けられ、この図1では水平にされている。
【0024】
この基板保持装置2は、図2に示すような成膜室42内に配置されており、前記保持板回転枠5の内側には矩形形状に形成された基板保持板3がはめ込まれ、前記成膜室42内であって前記基板保持板3の下方にはベース17が水平に配置され、前記成膜室42の外部であって前記ベース17の下方には、基板昇降板12が水平に配置されている。
【0025】
前記基板昇降板12は、図示しないモーターによって上下移動自在に構成されており、該基板昇降板12と前記ベース17とは、4つの中空円筒の支柱19で連結されて一緒に上下移動できるようにされている。前記各支柱19は、それぞれ伸縮自在な金属ベローズ11で気密に覆われており、前記基板昇降板12と前記ベース17の上下移動させたときでも、前記成膜室42内に大気が侵入しないようにされている。
【0026】
前記ベース17の前記各支柱19が固定されている部分には丸穴14が開けられており、前記各丸穴14を通して前記各支柱19内に支持棒8が1本ずつ挿入されている。前記各支持棒8の下端部分は前記基板昇降板12に気密に挿通され、先端が前記基板昇降板12の裏面から突き出た部分には、それぞれプーリー25が設けられている。他方、前記各支持棒8の上端部分の上方には前記保持板回転枠5が位置するようにされており、該保持板回転枠5の、前記各支持棒8の上方に位置する部分には、孔13が開けられており、前記基板昇降板12を下方から上昇させたときに、前記各支持棒8が前記孔13に挿通され、前記各支持棒8の先端部分が前記保持板回転枠5上に出られるようにされている。
【0027】
前記各支持棒8の高さは同じになるように揃えられて、それらの先端には爪部9がそれぞれ設けられており、また、前記孔13は前記基板保持板3の四隅付近に位置するように配置されている。従って、前記各支持棒8を前記孔13上に出し、前記各爪部9を前記基板保持板3上に位置するように向けた場合には、前記各爪部9上に前記基板保持板3とほぼ同じ大きさの基板を一時的に乗せることができるので、前記支持棒8と前記爪部9とで第1の基板仮置機構が構成されていることになる。
【0028】
また、前記ベース17には8本のピン7が立設されており、前記各ピン7は、それらの上方に前記基板保持板3の縁が位置するように配置されている。前記基板保持板3の縁の、前記各ピン7の上方の位置する部分には孔15が開けられており、前記ベース17を下方から上昇させたときに、前記各ピン7が前記孔15に挿通され、それらの先端部分が前記基板保持板3の縁上に出られるようにされている。
【0029】
前記各ピン7の高さは同じになるように揃えられ、それらの先端には爪部10がそれぞれ設けられており、また、前記孔15は前記基板保持板3の相対する2つの縁上に3個ずつと、残りの2辺の縁上に1個ずつ配置されており、前記各ピン7を前記基板保持板3上に出せば、前記各爪部10上に前記基板保持板3とほぼ同じ大きさの基板を一時的に乗せることができるので、前記各ピン7と前記各爪部10とで第2の基板仮置機構が構成されていることになる。
【0030】
前記基板昇降板12の表面にはロータリーアクチュエーター24が設けられており、該基板昇降板12は前記ロータリーアクチュエーター24の回転軸が貫通され、その裏面に突き出た部分と前記プーリー25にはベルト26が掛けられており、前記ロータリーアクチュエーター24の回転力が前記各支持棒8に伝達され、前記各支持棒8が回動できるように構成されている。
【0031】
そのロータリーアクチュエーター24によって、前記各支持棒8を回動させる際、前記支持棒8先端の前記爪部9は、4つ全部が前記基板保持板3の縁に沿う方向に向けられるか、前記基板保持板3の内側に向けられるかのいずれか一方の状態となるようにされており、前記各爪部9を縁に沿う方向に向ければ前記爪部9は前記孔13に引っかからず、前記支持棒8を前記孔13から出し入れができ、他方、前記各爪部9を内側に向けたときは、前記各爪部9は前記基板保持板3上に位置するようにされており、前記ロータリーアクチュエーター24を動作させて前記各支持棒8を回動させると、一方の状態から他方の状態へ切り替えられるようにされている。
【0032】
また、前記爪部9の位置よりも前記爪部10の位置が低く、前記爪部9の高さと前記爪部10の高さとの間には、基板搬送ロボットのハンドを挿入できる程度の差が設けられている。
【0033】
前記シャフト21には、モーター23と、該モーター23の回転方向を変換するウォームギア27とで構成された回転機構が設けられており、該回転機構を動作させ、前記シャフト21を回転させると前記保持板回転枠5と前記基板保持板3とを水平にも鉛直にもできるようにされており、前記支持棒8と前記ピン7とを前記孔13、15から抜き出して前記シャフト21を回転させれば、前記基板保持板3が前記ピン7や前記支持棒8とぶつかることがないようにされている。
【0034】
また、前記保持板回転枠5には基板クランプ機構4が設けられており、水平にされた前記基板保持板3を起立させる際、その基板保持板3に基板を水平に乗せ、前記基板クランプ機構4によって基板をクランプしておけば、前記基板保持板3が略鉛直な状態にされても基板が脱落しないようにされている。
【0035】
他方、前記シャフト21上には、前記保持板回転枠5よりもわずかに大きめに形成されたマスク回転枠6が鉛直に配置されており、該マスク回転枠6は2本の支持腕36に固定され、前記2本の支持腕36は、前記シャフト21に回転可能に取り付けられ、また、クランク機構38と成形ベローズ35とを介して前記成膜室42外に配置された圧空シリンダ34にも気密に接続されている。従って、前記マスク回転枠6は前記シャフト21で支持されているが、前記クランク機構38を静止させておけば、前記シャフト21が回転した場合でも、前記保持板回転枠6は回転せず、鉛直状態を維持できるように構成されている。
【0036】
このマスク回転枠6の内側は成膜対象の基板よりもやや小さめの矩形形状にくりぬかれ、それによって窓部16が形成されており、前記保持板回転枠5が起立され、略鉛直にされて前記基板保持板3にクランプされた基板が前記マスク回転枠6に重ねられる際、その基板の無効領域である周辺部分は前記マスク回転枠6で遮蔽され、一方、基板表面の成膜領域は前記窓部16で露出されるようにされている。また、前記カソード電極33に略鉛直に設けられた図示しないスパッタリングターゲット(例えばITO材)に対し、前記略鉛直にされた基板は、直ちに所定間隔で平行に対向するようにされている。
【0037】
このような成膜室42が、図7に示すようなマルチチャンバー型の成膜装置41に複数設けられており、更に、該成膜装置41には、基板の搬出入を行うL/UL室441、442と、基板の脱ガスを行う予備加熱室43も設けられており、各室は、基板搬送ロボット31が配置された基板搬送室45を中心としてその周囲に配置されている。
【0038】
前記基板搬送室45とその周囲に配置された各室との間には開閉可能な仕切板が設けられており、中心の前記基板搬送室45とその周囲の各室とは、それぞれが独立に高真空状態を維持できるように構成されている。
【0039】
この成膜装置41で処理する基板は大型のガラス基板(例えば550×650mm2)であり、前記L/UL室441、442と大気雰囲気との間に設けられた仕切板を開け、未処理のガラス基板が満載されたカセットを前記L/UL室441、442のどちらかに装着し、仕切板を閉じた後真空排気し、前記基板搬送ロボット31を動作させてそのハンド32の先端を前記カセットに挿入し、前記L/UL室441、442に設けられたカセット昇降機構を動作させ、前記カセットから前記ハンド32上に基板を1枚だけ移す。
【0040】
次いで、前記L/UL室441、又は前記L/UL室442から前記ハンド32を抜き出し、前記予備加熱室43に基板を搬入する。所定時間が経過し、前記予備加熱室43での加熱・脱ガス処理が終了すると、その基板を前記ハンド32で取り出し、前記成膜室42の正面まで運ぶ。図3はその状態を示している。前記ハンド32上には加熱・脱ガスが終了した未成膜基板51が乗せられている。ここでは、前記成膜室42内の成膜作業は終了しており、図3に鉛直状態で示された前記保持板回転枠5内には所定膜厚の薄膜が成膜された成膜終了基板52がクランプされているものとする。
【0041】
前述の図3は、いわば基板の入れ替え準備段階であり、引き続き行われる前記未成膜基板51と前記成膜終了基板52との交換作業を、図4(a)〜図6(n)を用いて説明する。この図4(a)〜図6(n)では、見やすいように前記未成膜基板51と前記成膜終了基板52以外の符号を省略してある。
【0042】
先ず、図3の入れ替え準備段階から、前記成膜室42と前記基板搬送室45との間の仕切板を開けると共に前記基板クランプ機構4によって成膜終了基板52をクランプしながら前記基板保持板3を転倒させ、前記成膜終了基板52を水平にする(図4(a):転倒動作)。
【0043】
次に、前記クランプを解除し、前記基板昇降板12を上昇させると前記各支持棒8は前記孔13に挿通される。このとき、前記各支持棒8先端の前記爪部9を前記基板保持板3の縁に沿った方向に向けておけば前記各爪部9は前記基板保持板3上に置かれた前記成膜終了基板52には当たることはなく、前記各爪部9を前記成膜終了基板52よりも高い位置まで上昇させることができる(同図(b):フックアップ動作(1))。
【0044】
そして、前記ロータリーアクチュエーター24を動作させ、前記各爪部9を前記基板保持板3の内側に向けると前記各爪部9は前記基板保持板3上に位置される(同図(b):フックイン動作)。
【0045】
その状態を維持しながら前記ハンド32を前記成膜室42内に入れ、その先端に乗せられた前記未成膜基板51を前記各爪部9上まで移動させ(同図(d):ハンドイン動作(1))、前記各支持棒8を更に持ち上げると、前記ハンド32の先端に乗せられていた前記未成膜基板51は前記各爪部9上に移しかえられる(図5(e):フックアップ動作(2))。
すると、前記ハンド32は空の状態となるので、そのハンド32を前記基板保持板3上から抜き出す(同図(f):ハンドアウト動作(1))。
【0046】
次に、前記ベース17を上昇させて前記各ピン7を持ち上げると、前記各ピン7先端の爪部10に前記成膜終了基板52が乗せられる(同図(g):ピンアップ動作)。
このとき、前記成膜終了基板52を、前記ハンド32の高さよりも高くなるまで持ち上げておき、前記空のハンド32を前記成膜終了基板52の下に挿入する(同図(h):ハンドイン動作(2))。
【0047】
次に、前記各ピン7を下げると前記成膜終了基板52は前記爪部10上から前記ハンド32上に移しかえられる(同図(i):ピンダウン動作)。前記ハンド32を前記成膜室42外へ抜き出すと(同図(j):ハンドアウト動作(2))、前記成膜室42から前記成膜終了基板52を搬出することができる。
【0048】
前記孔13には、前記各爪部9を内側に向けたままで収納できるように、前記基板保持板3に達する切り欠きが設けられているので、前記各支持棒8を下げ、前記孔13の切り欠きに内側に向けたままの前記爪部9を収納すると、前記爪部9上にあった前記未成膜基板51は前記基板保持板3に移しかえられる(図6(k):フックダウン動作)。
【0049】
前記各爪部9を前記孔13内に収納したまま前記基板保持板3の縁に沿った方向に向け(同図(l):フックアウト動作)、その後前記基板昇降板12を下げると前記各支持棒8と前記各ピン7とが前記孔13、15から抜き出される(同図(m):分離動作)。
【0050】
そして前記基板クランプ機構4によって、前記基板保持板3上に置かれた前記未成膜基板51をクランプしながら起立させ(同図(n):起立動作)、前記成膜室42と前記基板搬送室45との間の仕切板を閉じた状態にしてスパッタリングガスを導入し、前記カソード電極33に電圧を印加すると前記ターゲットのスパッタリングが開始され、前記起立された未成膜基板51への薄膜の成膜が行われる。
【0051】
このとき、前記鉛直にされた前記未成膜基板51は前記基板クランプ機構4によって前記基板保持板3に密着されており、また、前記基板保持板3はサンドイッチ構造に形成され、その中間の層がヒーターで構成されているので、前記ターゲットのスパッタリングの際、前記ヒーターに通電し、前記未成膜基板51を加熱しながら薄膜を成長させると、基板にそりや歪みを生じることなく、結晶性のよい薄膜を得ることができた。
【0052】
他方、前記ハンド32に乗せられた前記成膜終了基板52は、前記基板搬送室45と前記L/UL室441、又は前記L/UL室442との間の仕切板が開けられた後、その中に装着されたカセットの空いているところに納められる。
そして、空になったハンド32先端には、前記カセット昇降機構によって未処理の基板が乗せられ、その未処理の基板は前記予備加熱室43で加熱・脱ガス処理が終了した未成膜基板と交換され、未成膜基板として前記ハンド32上に乗せられて、まもなく成膜が終了する成膜室42の前面で図3のように待機され、前記成膜室42において、引き続き図4(a)から図6(n)の一連の交換作業が行われる。このような一連の基板交換動作は、成膜すべき基板がなくなるまで繰り返される。
【0053】
なお、前記圧空シリンダ34を動作させると、通常では垂直に配置されている前記マスク回転枠16を水平にすることができ、水平にされた前記マスク回転枠16を前記各支持棒8で持ち上げて前記ハンド32上に乗せると、前記L/UL室441、442に移送することができ、それによって前記マスク回転枠16を大気中に取り出すことができる。また、それとは逆に、新しいマスク回転枠16を前記基板搬送ロボット31によって前記L/UL室室441、442から前記成膜室42内に搬入し、前記各支持棒8上に乗せた場合には、前記支持腕36に装着できるようにされている。従って、この基板保持装置2では、前記成膜室42の高真空状態を維持したまま、表面にターゲット材が付着したマスク回転枠を新しいマスク回転枠と交換することができる。
【0054】
なお、前記シャフト21の両端部分は磁性流体でシールされて前記成膜室42の外部に取り出されており、前記成膜室42の高真空状態を維持しながら回転できるようにされている。その両端部分に設けられたカバー38を取れば、前記基板保持板3にヒーターを入れたり、その温度を測定するための熱電対を挿入できるように構成されている。
【0055】
以上説明したように、基板を略鉛直にしてスパッタリングを行うので、ターゲットやその周囲で発生したダストが基板上に落下することがなく、また、基板保持板で保持しながら大面積基板を加熱するので、基板にそりや歪みを生じさせずに結晶性のよい薄膜を成長させることができる。
【0056】
また、上述のような未成膜基板と成膜終了基板との交換を行う結果、基板搬送ロボットに無駄な動作がなくなり、基板の交換時間が短縮でき、全体の処理時間も短くすることが可能となる。
【0057】
更にまた、基板を第1、第2の基板仮置機構上に置いて交換するので、基板交換の際にも基板が擦られることがなく、ダストが発生しない。
なお、上記実施の形態は、支持棒8を4本、ピンを8本設けたが、本数はそれに限定されるものではなく、基板を安定に支持できる本数であればよい。
【0058】
【発明の効果】
基板にダストが落下せず、また、大型基板にそりや歪みを生じさせずに結晶性のよい薄膜を成膜することができる。
基板交換が効率的に行えるので、処理時間が短縮する。装置が大型化しないのでコストアップすることはない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の基板保持装置の好ましい実施の形態を示す図
【図2】 その基板保持装置が配置される成膜室の一例を示す図
【図3】 その基板保持装置と基板搬送ロボットとが入換準備段階にある状態を示す図
【図4】 本発明方法の一例の以下の動作を説明するための図
(a):転倒動作 (b):フックアップ動作 (c):フックイン動作 (d):ハンドイン動作
【図5】 図4(d)に続く以下の動作を説明するための図
(e):フックアップ動作 (f):ハンドアウト動作 (g):ピンアップ動作 (h):ハンドイン動作 (i):ピンダウン動作 (j):ハンドアウト動作
【図6】 図5(j)に続く以下の動作を説明するための図
(k):フックダウン動作 (l):フックアウト動作 (m):分離動作 (n):起立動作
【図7】 本発明の基板加熱装置が用いられる成膜装置の一例を示す図
【図8】 従来技術の成膜方法とそれに用いられる基板保持装置を説明するための図
【符号の説明】
2……基板保持装置 3……基板保持板 4……基板クランプ機構
7……ピン 8……支持棒 9、10……爪部
31……基板搬送ロボット 32……ハンド 42……成膜室
Claims (6)
- スパッタリングにより成膜が行われる基板を保持する基板保持板と、
前記基板を前記基板保持板へ密着させるクランプ機構と、
前記基板保持板を嵌め込み、前記クランプ機構を取り付けた保持板回転枠と、
前記基板よりもその内側を小さくくりぬいた窓部を有するマスク回転枠と、
前記マスク回転枠を鉛直状態に取り付け、かつ前記保持板回転枠が鉛直状態の時に前記マスク回転枠と重なり前記基板の成膜領域が前記窓部に露出するように前記保持板回転枠を水平状態と鉛直状態とに移動させる回転機構と、
水平状態の時の前記基板保持板の下方に設けられた第一及び第二の基板仮置機構とからなる基板保持装置において、
前記第一の基板仮置機構は、前記基板保持板が水平状態の時、前記基板保持板の周縁の外側に位置し、上下動と回転動が可能な複数の支持棒と、該支持棒の各先端に設けられた爪部とから成り、第一の基板仮置機構に前記基板を仮置きする場合には、前記基板保持板が水平状態の時、前記各支持棒を高さを揃えて前記基板保持板よりも上方に上昇させた後、前記爪部を回転させ前記基板保持板の上側に位置させるように動作し、
前記基板保持板には、前記爪部が前記基板保持板側に向いている状態で、前記爪部を前記基板保持板に収納する切り欠きが設けられ、
前記保持板回転枠には、前記支持棒を前記基板保持板の下方に移動できるように第一の孔を設け、
前記第二の基板仮置機構は、前記基板保持板が水平状態の前記基板保持板の周縁の下側に位置し、前記基板保持板の周縁に形成した第二の孔を貫通して高さを揃えて上下動が可能な複数のピンから成り、
前記第一及び第二の基板仮置機構に同時に前記基板保持板と同じ大きさの基板を乗せられるように構成された基板保持装置。 - 前記基板保持板にはヒーターが設けられ、前記基板保持板と密着された基板を加熱できるように構成された請求項1記載の基板保持装置。
- 前記回転機構は、前記基板保持板が水平であって前記各支持棒と前記各ピンが前記保持板回転枠と前記基板保持板の前記第一、第二の孔から抜き出された状態で、前記基板保持板を前記保持板回転枠と共に回転し、鉛直に起立させるように構成された請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の基板保持装置。
- 成膜室と、ターゲットと、請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の基板保持装置とを有し、
前記ターゲットは前記成膜室内に鉛直に配置され、
前記基板保持装置は、前記成膜室内であって、前記基板保持板に前記基板を密着して鉛直に起立させたときに前記基板が前記ターゲットに所定間隔で対向配置される位置に配置されたスパッタリング装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載された基板保持装置を用い、
成膜終了基板が配置された水平状態の前記基板保持板の上部に、未成膜基板が乗せられた基板搬送ロボットのハンドを静止させ、前記各支持棒を上昇させ、回転させて前記未成膜基板を前記爪部上に置き、
前記ハンドを前記基板保持板の上部から退避させ、
前記成膜終了基板が乗せられた前記ピンを、前記成膜終了基板の高さが前記ハンドの高さよりも高くなるまで上昇させ、
前記ハンドを前記基板保持板の上部に移動させ、
前記ピンを降下させて前記成膜終了基板を前記ハンド上に乗せる基板交換方法。 - 請求項4に記載されたスパッタリング装置を用い、
前記基板保持板上に位置する成膜終了基板を未成膜基板と交換し、前記ターゲットをスパッタリングして前記未成膜基板表面に薄膜を形成するスパッタリング方法であって、
前記成膜終了基板が配置された水平状態の前記基板保持板の上部に、前記未成膜基板が乗せられた基板搬送ロボットのハンドを静止させ、前記各支持棒を上昇させ、回転させて前記未成膜基板を前記爪部上に置き、
前記ハンドを前記基板保持板の上部から退避させ、
前記成膜終了基板が前記ピンを、前記成膜終了基板の高さが前記ハンドの高さよりも高くなるまで上昇させ、
前記ハンドを前記基板保持板の上部に移動させ、
前記ピンを降下させて前記成膜終了基板を前記ハンド上に乗せ、前記ハンドを前記基板保持板の上部から退避させ、
前記各支持棒を降下させ、前記未成膜基板を前記基板保持板上に配置するスパッタリング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23617895A JP3901754B2 (ja) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | 基板保持装置、スパッタリング装置、基板交換方法、スパッタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23617895A JP3901754B2 (ja) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | 基板保持装置、スパッタリング装置、基板交換方法、スパッタリング方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004223542A Division JP4098283B2 (ja) | 2004-07-30 | 2004-07-30 | スパッタリング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0959776A JPH0959776A (ja) | 1997-03-04 |
JP3901754B2 true JP3901754B2 (ja) | 2007-04-04 |
Family
ID=16996932
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23617895A Expired - Lifetime JP3901754B2 (ja) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | 基板保持装置、スパッタリング装置、基板交換方法、スパッタリング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3901754B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW461923B (en) | 1998-02-17 | 2001-11-01 | Sharp Kk | Movable sputtering film forming apparatus |
JP3822481B2 (ja) * | 2001-10-26 | 2006-09-20 | 株式会社アルバック | スパッタリング方法 |
KR100459212B1 (ko) * | 2001-11-06 | 2004-12-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 제조용 스퍼터 |
JP5705933B2 (ja) * | 2013-09-02 | 2015-04-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 成膜装置 |
CN105980595B (zh) * | 2014-02-19 | 2019-05-10 | 堺显示器制品株式会社 | 溅射装置 |
CN104485308B (zh) * | 2014-12-25 | 2018-07-27 | 天津威盛电子有限公司 | 一种加压夹具及使用该加压夹具固化树脂封装的方法 |
WO2018166634A1 (en) * | 2017-03-17 | 2018-09-20 | Applied Materials,Inc. | Methods of handling a mask device in a vacuum system, mask handling apparatus, and vacuum system |
-
1995
- 1995-08-22 JP JP23617895A patent/JP3901754B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0959776A (ja) | 1997-03-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3947761B2 (ja) | 基板処理装置、基板搬送機および基板処理方法 | |
KR100598196B1 (ko) | 반도체 처리 시스템에 있어서의 지지 기구 | |
JPH05152266A (ja) | 基板搬送装置 | |
JP4098283B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
JP3901754B2 (ja) | 基板保持装置、スパッタリング装置、基板交換方法、スパッタリング方法 | |
JP4645696B2 (ja) | 被処理体の支持機構及びロードロック室 | |
WO2017209881A1 (en) | Dodecadon transfer chamber and processing system having the same | |
JP3210154B2 (ja) | 基板の姿勢変換装置 | |
JP4471487B2 (ja) | 真空処理装置、真空処理方法 | |
JP3827881B2 (ja) | 真空処理装置及び基板起立装置 | |
JP3664854B2 (ja) | 真空処理装置 | |
JP4776061B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
JP3580916B2 (ja) | 基板加熱装置 | |
JP3822481B2 (ja) | スパッタリング方法 | |
JP4804654B2 (ja) | 容器内面成膜用cvd装置及び容器内面成膜方法 | |
JP2003347393A (ja) | 基板保持装置、及びその基板保持装置を用いた真空処理装置 | |
JP3242145B2 (ja) | 基板搬送装置 | |
JPH05160046A (ja) | 基板加熱方法及びその装置 | |
TWI791295B (zh) | 成膜裝置 | |
JP2000174094A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP3843225B2 (ja) | 有機el素子の製造装置 | |
JPH0610679Y2 (ja) | 連続インライン式成膜装置 | |
JP2895505B2 (ja) | スパッタリング成膜装置 | |
JP2001085493A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP2024067719A (ja) | キャリア支持装置、成膜装置及びキャリア支持方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040511 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040601 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040730 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040730 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061017 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061205 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20061205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061226 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061227 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130112 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130112 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150112 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |