JPS63133393A - リフレツシユタイミング制御方式 - Google Patents
リフレツシユタイミング制御方式Info
- Publication number
- JPS63133393A JPS63133393A JP61281113A JP28111386A JPS63133393A JP S63133393 A JPS63133393 A JP S63133393A JP 61281113 A JP61281113 A JP 61281113A JP 28111386 A JP28111386 A JP 28111386A JP S63133393 A JPS63133393 A JP S63133393A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refresh
- value
- signal
- rfg13
- input terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 3
- 101150046174 NIP2-1 gene Proteins 0.000 abstract 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 abstract 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 101100496104 Mus musculus Clec2d gene Proteins 0.000 description 1
- 101100274534 Rattus norvegicus Clec2d11 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
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- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はリフレッシュタイミング制御方式に関し、特に
ダイナミックメモリ(以下DRAM)のリフレッシュの
起動周期タイミングを制御するりフレッシュタイミング
制御方式に関する。
ダイナミックメモリ(以下DRAM)のリフレッシュの
起動周期タイミングを制御するりフレッシュタイミング
制御方式に関する。
[−従来の技術J
従来、この種のDRAMのリフレッシュの起動は、基本
クロックパルスをカウンタでカウントし、カウンタのオ
ーバフローまたはカウンタ値が規定値をオーバしたこと
を検出することによって行なわれており、起動周期はカ
ウンタ値を変えることにより決めていた。
クロックパルスをカウンタでカウントし、カウンタのオ
ーバフローまたはカウンタ値が規定値をオーバしたこと
を検出することによって行なわれており、起動周期はカ
ウンタ値を変えることにより決めていた。
(発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の方式では、基本クロック周期の変更また
はDRAM素子のタイプを変更する場合、カウンタのオ
ーバフロー値をハードウェア的に設定し直す必要がある
ため、LSIに内蔵したときは、LSIの種類が多くな
るという欠点がある。
はDRAM素子のタイプを変更する場合、カウンタのオ
ーバフロー値をハードウェア的に設定し直す必要がある
ため、LSIに内蔵したときは、LSIの種類が多くな
るという欠点がある。
又、プログラマブル機能を内蔵することもOT能である
が、ソフトウェア制御となるため、対応するROMの種
類が多くなるという欠点がある。
が、ソフトウェア制御となるため、対応するROMの種
類が多くなるという欠点がある。
1問題点を解決するための手段〕
本発明のリフレッシュタイミング制御方式は、リフレッ
シュ信号を作成するためのリフレッシュカウンタを内蔵
するLSIにおいて、第1のクロック入力端子に入力さ
れた基本クロックの値と第2のクロック入力端子に入力
された前記基本クロックに遅延をかけた遅延クロックの
値との差により前記リフレッシュカウンタの出力タイミ
ングを制御するタイミング制御回路を備えている。
シュ信号を作成するためのリフレッシュカウンタを内蔵
するLSIにおいて、第1のクロック入力端子に入力さ
れた基本クロックの値と第2のクロック入力端子に入力
された前記基本クロックに遅延をかけた遅延クロックの
値との差により前記リフレッシュカウンタの出力タイミ
ングを制御するタイミング制御回路を備えている。
[、実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明のリフレッシュタイミング制御方式の一
実施例を示すブロック図である。
実施例を示すブロック図である。
同図において、LSIIはクロック入力端子CLKA、
CLKBにそれぞれ入力される基本クロック、遅延クロ
ックの値の差を検出する検出回路(以下DET)11と
、リフレッシュ起動タイミング用のリフレッシュカウン
タ(以下CNT)12と、CNT12の出力ビットQo
、Q+、〜Qnを入力としDETIIからの制御信号に
よりリフレッシュ起動信号を作成するリフレッシュ起動
信号作成回路(以下RFC)13とを備える。
CLKBにそれぞれ入力される基本クロック、遅延クロ
ックの値の差を検出する検出回路(以下DET)11と
、リフレッシュ起動タイミング用のリフレッシュカウン
タ(以下CNT)12と、CNT12の出力ビットQo
、Q+、〜Qnを入力としDETIIからの制御信号に
よりリフレッシュ起動信号を作成するリフレッシュ起動
信号作成回路(以下RFC)13とを備える。
なお、クロック入力端子CLRBには遅延回路(以下D
L)2によって基本クロックCLKに遅延をかけた遅延
クロックが入力され、LSIIの出力端子REFにはR
FG13からのリフレッシュ起動信号が出力される。
L)2によって基本クロックCLKに遅延をかけた遅延
クロックが入力され、LSIIの出力端子REFにはR
FG13からのリフレッシュ起動信号が出力される。
続いて本実施例の動作について説明する。
LSTIを使用する装置で決まる基本クロックCLKを
クロック入力端子CLKAに入力するとともに、クロッ
ク入力端子CLKBに遅延クロックを入力すると、DE
TIIはこの両クロックを比較し、その値の差に応じた
制御信号をRFG 13に送出する。一方CNT12は
cp端子に入力されるDETIIの出力信号をカウント
アツプし、カウント値に対応する出力ビットQo 、Q
+ 、〜Qnを順次RFG13へ送出する。RFG13
はこの出力ビットQo 、Q+ 、 〜QnとDETI
Lからの制御信号によりリフレッシュ起動信号を作成し
て出力端子REFに出力する。
クロック入力端子CLKAに入力するとともに、クロッ
ク入力端子CLKBに遅延クロックを入力すると、DE
TIIはこの両クロックを比較し、その値の差に応じた
制御信号をRFG 13に送出する。一方CNT12は
cp端子に入力されるDETIIの出力信号をカウント
アツプし、カウント値に対応する出力ビットQo 、Q
+ 、〜Qnを順次RFG13へ送出する。RFG13
はこの出力ビットQo 、Q+ 、 〜QnとDETI
Lからの制御信号によりリフレッシュ起動信号を作成し
て出力端子REFに出力する。
従って、本実施例ではDL2の遅延値を変化させるだけ
でリフレッシュ起動タイミングを制御することができる
。
でリフレッシュ起動タイミングを制御することができる
。
以上説明したように本発明は、LSIの外部に設けた遅
延回路の遅延値と基本クロックの値の差によってリフレ
ッシュカウンタのオーバフロー値を制御することにより
、単に遅延回路の遅延値を変化させるだけでリフレッシ
ュ起動タイミングを制御できるので、LSIの種類を増
加させずに済む効果がある。また、本発明は基本クロッ
クの変更またはDRAM素子のタイプ変更によるリフレ
ッシュ起動周期の変更のいずれにも対応できるという効
果もある。
延回路の遅延値と基本クロックの値の差によってリフレ
ッシュカウンタのオーバフロー値を制御することにより
、単に遅延回路の遅延値を変化させるだけでリフレッシ
ュ起動タイミングを制御できるので、LSIの種類を増
加させずに済む効果がある。また、本発明は基本クロッ
クの変更またはDRAM素子のタイプ変更によるリフレ
ッシュ起動周期の変更のいずれにも対応できるという効
果もある。
第1図は本発明のリフレッシュタイミング制御方式の一
実施例を示すブロック図である。 1・・・LSI、2・・・遅延回路(DL)、11・・
・検出回路(DET>、12・・・リフレッシュカウン
タ(CNT)、13・・・リフレッシュ起動信号作成回
路(RFG)、CLKA、CLKB・・・クロック入第
1 図 ■
実施例を示すブロック図である。 1・・・LSI、2・・・遅延回路(DL)、11・・
・検出回路(DET>、12・・・リフレッシュカウン
タ(CNT)、13・・・リフレッシュ起動信号作成回
路(RFG)、CLKA、CLKB・・・クロック入第
1 図 ■
Claims (1)
- リフレッシュ信号を作成するためのリフレッシュカウン
タを内蔵するLSIにおいて、第1のクロック入力端子
に入力された基本クロックの値と第2のクロック入力端
子に入力された前記基本クロックに遅延をかけた遅延ク
ロックの値との差により前記リフレッシュカウンタの出
力タイミングを制御するタイミング制御回路を備えるこ
とを特徴とするリフレッシュタイミング制御方式。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61281113A JPS63133393A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | リフレツシユタイミング制御方式 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61281113A JPS63133393A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | リフレツシユタイミング制御方式 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63133393A true JPS63133393A (ja) | 1988-06-06 |
Family
ID=17634533
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61281113A Pending JPS63133393A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | リフレツシユタイミング制御方式 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63133393A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59191194A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-10-30 | Hitachi Ltd | Mos記憶装置 |
JPS60234928A (ja) * | 1984-05-02 | 1985-11-21 | Nippon Steel Corp | 竪型焼結炉 |
JPS61190794A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-25 | Hitachi Ltd | ダイナミツク型ram |
-
1986
- 1986-11-25 JP JP61281113A patent/JPS63133393A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59191194A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-10-30 | Hitachi Ltd | Mos記憶装置 |
JPS60234928A (ja) * | 1984-05-02 | 1985-11-21 | Nippon Steel Corp | 竪型焼結炉 |
JPS61190794A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-25 | Hitachi Ltd | ダイナミツク型ram |
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