JPS63132454U - - Google Patents

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JPS63132454U
JPS63132454U JP2437987U JP2437987U JPS63132454U JP S63132454 U JPS63132454 U JP S63132454U JP 2437987 U JP2437987 U JP 2437987U JP 2437987 U JP2437987 U JP 2437987U JP S63132454 U JPS63132454 U JP S63132454U
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JP
Japan
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memory device
semiconductor memory
insulating film
substrate
counter electrode
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JP2437987U
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【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例を示す半導体記憶装
置の断面図、第２図は第１図の等価回路図、第３
図は第１の従来例（トレンチ・キヤパシタ型）の
断面図、第４図は第２の従来例（突起部型）の断
面図である。 １…基板、２…誘電体膜、３…対向電極、４…
キヤパシタ、５…絶縁膜、１２…ＭＯＳ型トラン
ジスタ。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 誘電体膜を介して基板上にキヤパシタの対
    向電極が形成され、さらに該対向電極上に絶縁膜
    が形成され、かつ該絶縁膜上に再結晶層からなる
    ＭＯＳ型トランジスタが形成されたことを特徴と
    する半導体記憶装置。 (2) 上記基板が半導体材料で形成されたことを
    特徴とする実用新案登録請求の範囲第(1)項記載
    の半導体記憶装置。 (3) 上記基板が金属材料で形成されたことを特
    徴とする実用新案登録請求の範囲第(1)項記載の
    半導体記憶装置。 (4) 上記絶縁膜上に回路網が形成されたことを
    特徴とする実用新案登録請求の範囲第(1)項乃至
    第(3)項記載の半導体記憶装置。
JP2437987U 1987-02-20 1987-02-20 Pending JPS63132454U (ja)

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JP2437987U JPS63132454U (ja) 1987-02-20 1987-02-20

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JPS63132454U true JPS63132454U (ja) 1988-08-30

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ID=30823556

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JP2437987U Pending JPS63132454U (ja) 1987-02-20 1987-02-20

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JP (1) JPS63132454U (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60236261A (ja) * 1984-04-25 1985-11-25 シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト １トランジスタ・メモリセルとその製造方法
JPS61156863A (ja) * 1984-12-28 1986-07-16 Toshiba Corp 半導体記憶装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60236261A (ja) * 1984-04-25 1985-11-25 シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト １トランジスタ・メモリセルとその製造方法
JPS61156863A (ja) * 1984-12-28 1986-07-16 Toshiba Corp 半導体記憶装置

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