JPS63126232A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS63126232A JPS63126232A JP27173186A JP27173186A JPS63126232A JP S63126232 A JPS63126232 A JP S63126232A JP 27173186 A JP27173186 A JP 27173186A JP 27173186 A JP27173186 A JP 27173186A JP S63126232 A JPS63126232 A JP S63126232A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- metal
- electrode
- gate electrode
- regions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 50
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- -1 GaAs compound Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
2 本発明は、半導体基板を熱処理(アニール)する半
導体装置の製造方法に関するもので、特にQa As
MES トET (Ga Asショットキーバリヤゲ
ート電界効果トランジスタ)の製造に際し、好適な熱処
理方法として使用される。
導体装置の製造方法に関するもので、特にQa As
MES トET (Ga Asショットキーバリヤゲ
ート電界効果トランジスタ)の製造に際し、好適な熱処
理方法として使用される。
(従来の技術)
半導体基板の主面に直接金属″Eへ極を形成した半導体
装置のうち、半絶縁性GaAs半導体基板を母材とする
セルファライン型MES F巳]の製造方法を例とし
て以下述べる。
装置のうち、半絶縁性GaAs半導体基板を母材とする
セルファライン型MES F巳]の製造方法を例とし
て以下述べる。
第2図(a)に示すようにあらかじめイオン注入により
高濃度N+型領領域及びN型動作層領域3を形成したG
a As M板1を準備し、基板上にゲーh電極材Ti
/Au /Mo /WN (13板側)からなる積層
膜を堆積させる。 次に写真蝕刻法によりゲート電極4
を形成した後、サイドウオール5を形成する。 次に第
2図(b)に示すようにゲート電極4とサイドウオール
5とをマスクとしてイオン注入を行い、ランプアニール
を施し注入イオンを活性化して低抵抗領域6を形成する
。
高濃度N+型領領域及びN型動作層領域3を形成したG
a As M板1を準備し、基板上にゲーh電極材Ti
/Au /Mo /WN (13板側)からなる積層
膜を堆積させる。 次に写真蝕刻法によりゲート電極4
を形成した後、サイドウオール5を形成する。 次に第
2図(b)に示すようにゲート電極4とサイドウオール
5とをマスクとしてイオン注入を行い、ランプアニール
を施し注入イオンを活性化して低抵抗領域6を形成する
。
最後に公知の方法によりドレイン電極7及びソース電極
8を設けGa As MES FETが得られる。
8を設けGa As MES FETが得られる。
このようなセルファライン構造のMESFETの場合、
ゲート電極4及びサイドウオール5を形成して、これを
マスクとして不純物をイオン注入するので、注入後不純
物の活性化を目的とした熱処理が必要不可欠となる。
しかし基板上に何も被着物が無い場合に比較すると、こ
の場合には線膨脹係数が基板と異なるゲート電極が固着
されているため、高温の熱処理を行って常温に戻すと熱
歪がlli内に発生する。 この歪により基板の母材の
特性が変化したり或は基板(ウェーハ)が反ることb
11あり問題となっている。
ゲート電極4及びサイドウオール5を形成して、これを
マスクとして不純物をイオン注入するので、注入後不純
物の活性化を目的とした熱処理が必要不可欠となる。
しかし基板上に何も被着物が無い場合に比較すると、こ
の場合には線膨脹係数が基板と異なるゲート電極が固着
されているため、高温の熱処理を行って常温に戻すと熱
歪がlli内に発生する。 この歪により基板の母材の
特性が変化したり或は基板(ウェーハ)が反ることb
11あり問題となっている。
〈発明が解決しようとする問題点)
ICの集積密度を増加するため、素子パターンの微細化
は常に求められている。 基板上のパターン(例えば前
記ゲート電極)の微細化に伴い、前記熱処理後の熱歪は
、ゲーl〜電極周辺部に接する基板の微小部分に集中す
るようになる。 特にランプアニール、フラッシュアニ
ール等急熱急冷を用いる熱処理方法では、前記熱歪とそ
の微小部分への集中は著しくなる。 その結果、基板母
材の特性変化や不規則な基板の反りが起こり、FETの
しきい値電圧(V th )の面内バラツキ、ピンチオ
フ不良、ショー1〜チヤネル効果(ドレイン洩れ電流増
大効果)及びトランスコンダクタンス振動等の索子特性
の劣化及び歩留り低下の要因となる。
は常に求められている。 基板上のパターン(例えば前
記ゲート電極)の微細化に伴い、前記熱処理後の熱歪は
、ゲーl〜電極周辺部に接する基板の微小部分に集中す
るようになる。 特にランプアニール、フラッシュアニ
ール等急熱急冷を用いる熱処理方法では、前記熱歪とそ
の微小部分への集中は著しくなる。 その結果、基板母
材の特性変化や不規則な基板の反りが起こり、FETの
しきい値電圧(V th )の面内バラツキ、ピンチオ
フ不良、ショー1〜チヤネル効果(ドレイン洩れ電流増
大効果)及びトランスコンダクタンス振動等の索子特性
の劣化及び歩留り低下の要因となる。
本発明の目的は、金属電極を接着した半導体基板の熱処
理、特にランプアニール、フラッシュアニール等の急熱
急冷を用いる熱処理に際し、基板内の熱歪を極少に抑え
ると共に熱歪が部分的に集中するのを防止して、素子特
性の劣化やバラツキを抑制し、基板の反りを緩和するこ
とのできる最適な半導体装置の製造方法を提供すること
である。
理、特にランプアニール、フラッシュアニール等の急熱
急冷を用いる熱処理に際し、基板内の熱歪を極少に抑え
ると共に熱歪が部分的に集中するのを防止して、素子特
性の劣化やバラツキを抑制し、基板の反りを緩和するこ
とのできる最適な半導体装置の製造方法を提供すること
である。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明は、金属電極を接着した半導体基板の熱処理に際
し、前記金属電極の基板に接する金属と線膨脹係数が実
質的に等しい金属からなる保護用金属膜を前記基板の山
王面に接着し、次にこの両金属膜を被着した状態で基板
を熱処理する工程を含むことを特徴とする半導体装置の
製造方法である。
し、前記金属電極の基板に接する金属と線膨脹係数が実
質的に等しい金属からなる保護用金属膜を前記基板の山
王面に接着し、次にこの両金属膜を被着した状態で基板
を熱処理する工程を含むことを特徴とする半導体装置の
製造方法である。
なお金属電極の基板に接する金属と線膨脹係数が実質的
に等しい金属とは、同−金属或は同程度の線膨脹係数を
有しその発明の作用効果が同一金属の場合と有意差のな
いものをいう。
に等しい金属とは、同−金属或は同程度の線膨脹係数を
有しその発明の作用効果が同一金属の場合と有意差のな
いものをいう。
(作用)
上記製造方法によれば、金属電極を接着した側の半導体
基板の第1主面は、金属電極と、金属電極の基板に接す
る金属と実質的に線膨脹係数の等しい金属膜とで一様に
保5される。 基板の反対側の第2主面も金属電極の基
板に接づ“る金属と実質的に線膨脹係数の等しい金属膜
で一様に保護される。 これは等しい金属保護膜で一様
に基板両面を挾むのと同じ状態とみなすことができる。
基板の第1主面は、金属電極と、金属電極の基板に接す
る金属と実質的に線膨脹係数の等しい金属膜とで一様に
保5される。 基板の反対側の第2主面も金属電極の基
板に接づ“る金属と実質的に線膨脹係数の等しい金属膜
で一様に保護される。 これは等しい金属保護膜で一様
に基板両面を挾むのと同じ状態とみなすことができる。
この状態で熱処理を行い常温に戻した場合、基板山王面
内の応力は常にバランスがとれ、歪は平均化、低減化さ
れ、基板の熱歪の部分的集中や基板の不規則な反りは防
止される。 ゛(実施例) 以下に本発明の製造方法をセルファライン型Ga As
MES FE rの製造過程に適用した場合につい
て第1図を参照して説明する。
内の応力は常にバランスがとれ、歪は平均化、低減化さ
れ、基板の熱歪の部分的集中や基板の不規則な反りは防
止される。 ゛(実施例) 以下に本発明の製造方法をセルファライン型Ga As
MES FE rの製造過程に適用した場合につい
て第1図を参照して説明する。
第1図(a)に示ずように、あらかじめドレイン及びソ
ース領域となる高濃度N+型領領域とN型動作層領域3
を形成した半絶縁性のQa As化合物半導体基板1を
準備する。 次に蒸着又はスパッタ等の方法により、ま
ずタングステンナイトライド(WN>、次にモリブデン
(MO) 、金(Au >及びチタン(Ti >の各金
属をこの順に、ゲート電極形成予定側の基板主面に積層
堆積する。
ース領域となる高濃度N+型領領域とN型動作層領域3
を形成した半絶縁性のQa As化合物半導体基板1を
準備する。 次に蒸着又はスパッタ等の方法により、ま
ずタングステンナイトライド(WN>、次にモリブデン
(MO) 、金(Au >及びチタン(Ti >の各金
属をこの順に、ゲート電極形成予定側の基板主面に積層
堆積する。
次にレジストパターンをマスクとしてエツチングを行い
、第1図(b)に示すように11 (最上層)/Au
/Mo /WN (基板側)からなる4層(7)ケート
電極4を形成する。 次に燐(P)を添加したSiO2
膜を全面に被覆し、これをエッチバックしてサイドウオ
ール5を形成し第1図(b )に示づ構造とする。 次
にゲート電極4及びサイドウオール5をマスクとしてS
iイオンの注入を行い、ゲート電極4の両側にN型イオ
ン注入領域6aを第1図(C)に示すように形成する。
、第1図(b)に示すように11 (最上層)/Au
/Mo /WN (基板側)からなる4層(7)ケート
電極4を形成する。 次に燐(P)を添加したSiO2
膜を全面に被覆し、これをエッチバックしてサイドウオ
ール5を形成し第1図(b )に示づ構造とする。 次
にゲート電極4及びサイドウオール5をマスクとしてS
iイオンの注入を行い、ゲート電極4の両側にN型イオ
ン注入領域6aを第1図(C)に示すように形成する。
次に第1図(d )に示すように基板1の上下の両生
面の全面にWN、MO、AUの金属をこの順序で蒸着又
はスパッタ等の方法で被着しAU (最上層)/Mo
/WN (基板側)の積層保護用金属膜10゜11を
形成する。 金属膜10の厚さは約2000大、金属膜
11のJ9さは約10001である。 次にこの金属膜
を被着した状態で約800℃約1分のランプアニールを
施し、前記イオン注入によって生じた損傷の回復及び注
入原子の活性化を行う。 これにより低抵抗のN型領域
6が形成される。 次に基板側主面の保護膜10.11
をイオンミリング等の方法により除去する。 次に第1
図(e )に示すように公知の方法によりN+型頭領1
42オーミック接触をするドレイン電極7及びソース電
極8を形成する。
面の全面にWN、MO、AUの金属をこの順序で蒸着又
はスパッタ等の方法で被着しAU (最上層)/Mo
/WN (基板側)の積層保護用金属膜10゜11を
形成する。 金属膜10の厚さは約2000大、金属膜
11のJ9さは約10001である。 次にこの金属膜
を被着した状態で約800℃約1分のランプアニールを
施し、前記イオン注入によって生じた損傷の回復及び注
入原子の活性化を行う。 これにより低抵抗のN型領域
6が形成される。 次に基板側主面の保護膜10.11
をイオンミリング等の方法により除去する。 次に第1
図(e )に示すように公知の方法によりN+型頭領1
42オーミック接触をするドレイン電極7及びソース電
極8を形成する。
この実施例では、ゲート電極の基板に接する金属がタン
グステンナイトライド(WN >であり、イオン注入後
の熱処理に際し、ゲート電極面以外の基板面にもWNの
保護用金属膜が接着されているので、基板の両生面は線
膨脹係数が等しいWN金属膜で挾まれることとなり、熱
処理により基板の受ける応力は両生面でバランスし基板
の反りは防止されると共にゲート電極周辺部への歪の集
中も起こらない。 又Ga As MES FETに
用いられるこの金属膜は、熱処理に際し、注入イオン原
子の外部拡散やGa AS基板の解離等を防止する保護
膜として作用することは勿論必要で、WN金属膜はこの
点においてもずぐれた特性を示す。 Ga As ME
S FETにおいてゲート電極の基板に接する金属は
WNのはかTaやTi等の高融点金属合金が用いられる
。 Ga As MES FETの製造方法に本発明
を適用することは望ましい実施態様であるが、これに限
るものでなく、シリコン半導体基板を用いたMES
FET等に対しても勿論適用できる。
グステンナイトライド(WN >であり、イオン注入後
の熱処理に際し、ゲート電極面以外の基板面にもWNの
保護用金属膜が接着されているので、基板の両生面は線
膨脹係数が等しいWN金属膜で挾まれることとなり、熱
処理により基板の受ける応力は両生面でバランスし基板
の反りは防止されると共にゲート電極周辺部への歪の集
中も起こらない。 又Ga As MES FETに
用いられるこの金属膜は、熱処理に際し、注入イオン原
子の外部拡散やGa AS基板の解離等を防止する保護
膜として作用することは勿論必要で、WN金属膜はこの
点においてもずぐれた特性を示す。 Ga As ME
S FETにおいてゲート電極の基板に接する金属は
WNのはかTaやTi等の高融点金属合金が用いられる
。 Ga As MES FETの製造方法に本発明
を適用することは望ましい実施態様であるが、これに限
るものでなく、シリコン半導体基板を用いたMES
FET等に対しても勿論適用できる。
[発明の効果]
前述のように、半導体基板面に金属電極を接着後熱処理
を施す際、従来の方法では基板母材と金R電極材との線
膨脹係数の差により金属電極周辺部は大きな応力を受け
、この部分に大きな熱歪が導入された。 本発明の製造
方法によれば基板の上下両主面に金属電極と実質的に等
しい線膨脹係数を有する金属を堆積させた後熱処理を施
すため電極周辺部への歪の集中を大幅に緩和することが
できる。 その結果、例えばゲート電極直下にある動作
層の特性変化を極少に抑制することができる。 又基板
の上下両主面に等しい金属を堆積して熱処理をづ°るた
め、基板の両生面の受ける歪は互に等しく、基板の反り
は抑制される。
を施す際、従来の方法では基板母材と金R電極材との線
膨脹係数の差により金属電極周辺部は大きな応力を受け
、この部分に大きな熱歪が導入された。 本発明の製造
方法によれば基板の上下両主面に金属電極と実質的に等
しい線膨脹係数を有する金属を堆積させた後熱処理を施
すため電極周辺部への歪の集中を大幅に緩和することが
できる。 その結果、例えばゲート電極直下にある動作
層の特性変化を極少に抑制することができる。 又基板
の上下両主面に等しい金属を堆積して熱処理をづ°るた
め、基板の両生面の受ける歪は互に等しく、基板の反り
は抑制される。
以上によりランプアニール、フラッシュアニール等の急
熱急冷の熱処理を行っても基板内の熱歪を極少に抑え、
熱歪の部分的集中を防止し基板面内の素子特性の均−化
及び不良率の低下が得られる。
熱急冷の熱処理を行っても基板内の熱歪を極少に抑え、
熱歪の部分的集中を防止し基板面内の素子特性の均−化
及び不良率の低下が得られる。
第1図は本発明の半導体装置の製造方法の製造工程を示
す断面図、第2図は従来の半導体装置の製造方法の製造
工程を示す断面図である。 1・・・半導体基板(半絶縁性GaAS基板)、2・・
・高濃度N+型領域、 3・・・N型動作層領域、4・
・・金属電極(ゲート電極)、 5・・・サイドウオー
ル、 6・・・低抵抗N型領域、 10.11・・・保
護用金属膜。 特許出願人 株式会社 東 芝 第1図(1) (e) 第1図(2) 第2図
す断面図、第2図は従来の半導体装置の製造方法の製造
工程を示す断面図である。 1・・・半導体基板(半絶縁性GaAS基板)、2・・
・高濃度N+型領域、 3・・・N型動作層領域、4・
・・金属電極(ゲート電極)、 5・・・サイドウオー
ル、 6・・・低抵抗N型領域、 10.11・・・保
護用金属膜。 特許出願人 株式会社 東 芝 第1図(1) (e) 第1図(2) 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 半導体基板の主面に接して金属電極を形成する工程
と、該金属電極の基板に接する金属と線膨脹係数が実質
的に等しい金属からなる前記基板の両主面に接着した保
護用金属膜を形成する工程と、前記両金属膜を接着した
状態で熱処理を行う工程とを含むことを特徴とする半導
体装置の製造方法。 2 前記金属電極がショットキーバリヤゲート電界効果
トランジスタのゲート電極である特許請求の範囲第1項
記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27173186A JPS63126232A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27173186A JPS63126232A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63126232A true JPS63126232A (ja) | 1988-05-30 |
Family
ID=17504048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27173186A Pending JPS63126232A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63126232A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1219358A2 (en) | 2000-12-26 | 2002-07-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Coating device and coating method |
-
1986
- 1986-11-17 JP JP27173186A patent/JPS63126232A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1219358A2 (en) | 2000-12-26 | 2002-07-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Coating device and coating method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH02257618A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPH0235462B2 (ja) | ||
JPH0329301B2 (ja) | ||
JPS63126232A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6257255A (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
JPH0212015B2 (ja) | ||
JPS6160591B2 (ja) | ||
JPH0235463B2 (ja) | ||
JPS6390175A (ja) | 化合物半導体電界効果トランジスタの製造方法 | |
JPS63136575A (ja) | シヨツトキゲ−ト電界効果トランジスタ、およびその製造方法 | |
JPS6352473A (ja) | 化合物半導体装置 | |
JPS6077467A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
JPH01119071A (ja) | 化合物半導体電界効果トランジスタ | |
JPS6050966A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
JP2000200759A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6057980A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS60245220A (ja) | 砒化ガリウムへのオ−ム性電極の形成方法 | |
JPH02303158A (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
JPS6060719A (ja) | 化合物半導体集積回路装置の製造法 | |
JPS62291070A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS5893290A (ja) | シヨツトキバリア電界効果トランジスタの製造方法 | |
JPH024138B2 (ja) | ||
JPS6347982A (ja) | 半導体装置 | |
JPS6220324A (ja) | 電子装置形成基板および電子装置の製造方法 | |
JPS62144356A (ja) | シヨツトキ−障壁電極の形成方法 |