JPS63136575A - シヨツトキゲ−ト電界効果トランジスタ、およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く産業上の利用分野〉 本発明は、超高速動作を行なうことができるショットキ
ゲート電界効果トランジスタ、およびその製造方法に関
する。

く従来技術および問題点〉 ショットキゲート電界効果トランジスタ（以下Ｍ　Ｅ　
Ｓ　Ｆ　Ｅ　Ｔと略記する）は、特に超高周波における
優れた増幅用素子、或は発振用素子として賞月されてい
る。また、超高速動作の集積回路の基本構成素子として
も、優れたものであることは周知である。

従来最も普通に用いられているＭＥＳＦＥＴの構造は第
２図に示すとおりであり、高比抵抗または半絶縁性の半
導体結晶基板（２１）上に、導電性半導体結晶層（２２
）　（通常、動作層と称する）を形成し、動作層（２２
）の上面に、ショットキ接触を有するゲート電極（２３
）　（通常、ショットキゲート電極と称する）、および
それぞれオーミック接触を有するソース電極（２４）、
ドレイン電極（２５）を形成している。そして、ショッ
トキゲート電極（２３）に印加する電圧を変化させるこ
とにより、ショットキゲート電極（２３）から延びる空
乏層（２６）の幅を変化させ、ソース電極、ドレイン電
極間に流れる電流を変化させることができる。

Ｍ　Ｅ　Ｓ　Ｆ　Ｅ　Ｔの性能を表わす指数としては、
伝達コンダクタンスｇｍと遮断周波数ｆＴとがあり、そ
れぞれ次のように表わされる。

ｇｍ　−　ｅ　ｕ　Ｚ　（Ｖｇ　−Ｖｔｈ）　／　ａ　
ＬｇｆＴ＝ｇｌ／２πＣｇｓ 但し、Ｌｇはゲート長、Ｚはゲート幅、μはキャリアの
移動度、ａは動作層厚み、εは半導体の誘電率、Ｖｇは
ゲート印加電圧、ｖｔｈはＭＥＳＦＥＴの閾値電圧、Ｃ
ｇｓはゲート・ソース間容量である。

そして、上記伝達コンダクタンスｇ＋ｎ，および遮断周
波数ｆＴは何れも高い方がよく、そのためには上式から
明らかなように、ゲート長Ｌｇを短縮することにより伝
達コンダクタンスｇｌｌＩを高めることかできる。また
、この場合には、同時にゲート・ソース間容ＷＣｇｓを
減少させることになり、遮断周波数ｆＴを高める上で非
常に有効である。

さらに、上記の構造のＭＥＳＦＥＴにおいては、ソース
電極、ショットキゲート電極間に直列寄生抵抗Ｒｓが存
在しているのであり、この直列寄生抵抗Ｒｓが大きいと
、ショットキゲート電極間の電界Ｅが直列寄生抵抗Ｒｓ
における電圧降下により弱められ、伝達コンダクタンス
ｇｍを低下させることになる。直列寄生抵抗ＲｓがＯの
時の伝達コンダクタンスをｇｌＩＩＯとすれば、伝達コ
ンダクタンスｇｍは、 ｇｍ　−　ｇｍＯ／　（　１　＋Ｒｓ　ｇ［ＩＩＯ）で
表わされる。そして、直列寄生抵抗Ｒｓの値は、Ｇａ　
Ａｓのような表面学位の多い材料に対しては大きくなる
。

以上の説明から明らかなように、Ｍ　Ｅ　Ｓ　Ｆ　Ｅ　
Ｔの性能を向上させるためには、ゲート長Ｌｇを短縮す
ること、およびソース電極、ショットキゲート電極間の
直列寄生抵抗Ｒｓを低減することが必要であり、この面
での研究が進んでいる。

即ち、ゲート長Ｌｇを短縮するものとして、■　電子ビ
ーム直接描画露光によりサブミクロンのレジストパター
ンを使用して加工を行なうもの があり、また、ソース電極、ショットキゲート電極間の
直列寄生抵抗Ｒｓを低減するものとして、■　ショット
キゲート電極以外の領域にイオン注入を行ない、活性化
するもの、 ■　耐熱性を有するショットキゲート電極をマスフとし
て自己整合的にイオン注入を行なうもの（〜、ＹＯＫＯ
ＹＡＭＡ、１ＳＳＣＣＤｉｇｅｓｔ　ｏｆ’　Ｔｅｃｈ
ｎｉｃａｌ　Ｐａｐｅｒｐ、２１８　１９８１年）、 ■　ダミーゲートをマスクとしてイオン注入を行なった
後、パターンを反転してショットキゲート電極を形成す
るもの（Ｋ、Ｙａａ＋ａｓａｋｉ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉ
ｃｓＬｃｔｔｅｒｓ　ｖｏｌ、１８　ｐ、１２０　）、
■　ショットキ接触を有するＴｉ層の−Ｌにマスクとし
てＡ１層を形成し、Ａ１層をマスクとして反応性イオン
エツチングを行なった後、プラズマエツチングを行なっ
てＴ字状のゲート電極を形成するもの（Ｆ、Ｄｅｂｒ’
ｉｅ、Ｊ、Ｃｂａｐｌａｒｔ、ａｎｄ　Ｌ。

Ｃｈｃｖｒｉｃｒ、　Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、５９（
１）、ｌ　Ｊａｎｕａｒｙ１９８Ｂ　）、 ■　ソース電極、ショットキゲート電極間距離を短縮す
るもの（Ａ、ｌＩｉｇａｓｈｉｓａｋａ、Ｅｘｔｅｎｄ
ｅｄ＾ｂｓｔｒａｃｔｓ　ｏｒｔｈｅ　１５ｔｈ　ｃｏ
ｎｆ’、　ｏｎ　５ｏｌｉｄ　５ｔａｔｅＤｅｖｉｃｅ
　＆　Ｍａｔｅｒｉａｌ　１９８３　ｐ、６９　）があ
る。

上記■〜■のものについてさらに詳細に説明する。

上記■のものは、イオン注入法により不純物を打込み、
アニールすることにより打込まれた不純物を活性化し、
その領域を高濃度にすることによりソース電極、ショッ
トキゲート電極間の直列寄生抵抗Ｒｓを低減するもので
ある。

上記■のものは、第５図に示すように、動作層（２２）
の上面に耐熱性を有するゲート金属（２７）を形成し、
このゲート金属（２７）をマスクとして高濃度イオンの
注入を行なうものであり、アニールした後ソース電極、
ショットキゲート電極を形成する。

上記■のものは、第６図に示すように、動作層（２２）
の上面に、イオン注入のマスクになる材質のダミーゲー
ト（２８）を形成し、ダミーゲート（２８）をマスクと
して高濃度イオンの注入を行なうものであり、アニール
した後パターンを反転することによりソース電極、ドレ
イン電極を形成し、最後にショットキゲート電極を形成
する。

上記■のものは、ショットキ接触を有するＴｉ層の上に
マスクとしてのＡ１層を形成し、反応性イオンエツチン
グ、およびプラズマエツチングを行なうことによりショ
ットキゲート電極を形成する。そして、その後、自己整
合技術によりソース電極、およびドレイン電極を形成す
る。

上記■のものは、第７図に示すように、動作層（２２）
の上面にショットキゲート電極（２３）を形成し、全面
に絶縁物からなる膜（３０）を形成した後、絶縁膜を除
去して全面にオーミック接触を有する金属（３１）を形
成し、ショットキゲート電極上の金属を除去することに
よりソース電極、ドレイン電極を形成する。この場合に
おいて、絶縁膜を形成する方法によって、つきまわりの
よい膜が得られ、ショットキゲート電極の側壁にも絶縁
膜が形成される。そして、反応性イオンエツチング法等
の異方性エツチングにより絶縁膜を除去すれば、ショッ
トキゲート電極の側壁のみに絶縁膜が残留する。

したがって、ソース電極、ドレイン電極が絶縁膜の厚み
だけ離隔した状態で、即ちショットキゲート電極に近接
した状態で形成できる。

〈発明が解決しようとする問題点〉 上記■のものにおいては、加工に高度な技術を必要とし
、しかもスルーブツトが遅く、実用的でないという問題
がある。特にＧａ　Ａｓ基板のような半絶縁性の材料に
対しては特殊な技術を用いなければならず汎用性がない
という問題がある。

上記■のものにおいては、ショットキゲート電極か高濃
度領域と重なるとショットキゲート電極の耐圧を低下さ
せ、或はソース電極、ショットキゲート電極間容量を増
大させることになり、Ｍ　ＥＳＦＥＴの性能を低下させ
る原因になるので、このような不都合の発生を防出する
ために、高精度な位置合せを行なわなければならない。

しかし、現在の光学系を使用した露光器では上記の高精
度な位置合せが極めて困難であるという不都合がある。

上記■のものにおいては、自己整合技術を使用すること
により、上記位置合せの困難性を解消しているが、ショ
ットキゲート電極を形成した後、イオン注入を行ない、
高温でアニールを行なわなければならないため、ショッ
トキゲート電極の種類が限られてしまうという不都合が
ある。

上記■のものにおいては、上記■のものと同様に位置合
せの困難性を解消することができ、しがもアニール後に
ショットキゲート電極を形成するのでシヨ・９トキゲー
ト電極の選択の自由度を高くすることができるが、パタ
ーンを反転する工程が複離であり、しかもサブミクロン
のショットキゲート電極を形成することが極めて困難で
あるという不都合かある。

上記■のものにおいては、反応性イオンエツチングによ
りマスクとしてのＡ１層に合わせて形成されたＴｉ層に
プラ・ズマエッチングを施すことにより、Ｔｉ層の側面
のエツチングを行なうのであるから、プラズマエツチン
グの条件、例えば時間等によりサイドエツチングの量が
変化し、サブミクロンのショットキゲート電極を形成す
ることが極めて困難であるという不都合がある。

に記■のものにおいては、ドレイン電極とショットキゲ
ート電極とが、ショットキゲート電極の側壁に存在する
絶縁膜（３ｏ）を挟んで近接しているのて、何らかの欠
陥が絶縁膜に存在すると、その部分で絶縁破壊を起こす
虞れがある。したがって、この構造のＭＥ　Ｓ　Ｆ　Ｅ
Ｔを基本素子として集積回路を作製した場合に、歩留ま
りを低下させる原因になるという不都合がある。また、
オーミック接触を釘するソース電極、およびドレイン電
極の下の層は、不純物濃度が高くないためコンタクト抵
抗を低くすることができず、その結果、直列寄生抵抗Ｒ
ｓはそれほど低くならないという不都合がある。

この発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、
ショットキゲート電極の長さを簡単にサブミクロンのオ
ーダーに形成することができ、しかも直列寄生抵抗を低
減することかできるショットキゲート電界効果トランジ
スタ、およびその製造方法を提供することを目的として
いる。

く問題点を解決するための手段〉 上記の目的を達成するための、この発明のショットキゲ
ート電界効果トランジスタは、逆台形断面形状を有する
ショットキゲート電極が形成されているとともに、ショ
ットキゲート電極の両側に、ショットキゲート電極に対
して自己整合的に高濃度不純物領域、およびソース電極
、ドレイン電極が形成されたものである。

また、この発明のショットキゲート電界効果トランジス
タの製造方法は、レジストをマスクとして反応性イオン
ビームエツチングにより逆台形断面形状を釘するゲート
電極を形成し、次いでレジストの除去、およびアニール
を行ない、その後、」二記ショットキゲート電極をマス
クとしてオーミック接触を何する金属材料を垂直蒸着す
ることによりソース電極、ドレイン電極を自己整合的に
形成するものである。

但し、上記エツチング時のマスクとしては、Ａｕ、ＡＩ
、Ｃｒのうちいずれかひとつを使うものであってもよい
、 また、上記イオンビームの入射角を変えることにより逆
台形構造の側辺の角度を調整し、必要なゲート長を得る
ものであってもよく、さらに、イオンビームの入射角を
変えることにより逆台形＋ｆ４造の側辺の角度を調整し
、逆台形の」二辺端から下辺端に相当する基板上の領域
の不純物濃度分布を１週整するものであってもよく、さ
らには、イオンビームの入射角を逆台形構造の各側辺に
対して互に異なる角度とすることにより、ソース電極と
ゲート電極の距離よりもドレイン電極とゲート電極の距
離を長くするものであってもよい。

く作用〉 上記の構成のショットキゲート電界効果トランジスタは
、ショットキゲート電極とソース電極、ドレイン電極と
の間隔を小さくし、しかもショットキゲート電極領域以
外の部分が高濃度不純物領域であるから、コンタクト抵
抗を低減して直列寄生抵抗を小さくすることができ、シ
ョットキゲート電極間に印加される電圧を殆どロスなく
ショットキゲート電極間の電界として活用することがで
き、この電界によりソース電極、ドレイン電極間に流れ
る電流を制御することができる。

また、ショットキゲート電界効果トランジスタの製造方
法は、反応性イオンビームエツチングによって微細なレ
ジストパターンを使用することなくサブミクロンの逆台
形断面形状を有するショットキゲート電極を形成し、シ
ョットキゲート電極を形成するためのレジスト、および
ショットキゲート電極をマスクとしてイオン注入を行な
うことにより自己整合的に高濃度不純物領域を形成して
、ショットキゲート電極と高濃度不純物領域とが重なる
ことを防止し、さらにオーミック接触を有する金属を垂
直方向から全面に蒸若することによりショットキゲート
電極と近接したソース電極、およびドレイン電極を自己
整合的に形成することができる。

但し、ショットキゲート電極を形成した後にレジスト除
去、およびアニールを行なうのであるから、ショットキ
ゲート電極としては耐熱性を何する金属で形成されるこ
とが好ましい。

また、反応性イオンエツチング時のマスクとして、Ａｕ
、Ａ１．Ｃｒのうちいずれかひとつを使用することによ
り、上記と同様にショットキゲート電界効果トランジス
タを製造することができる。

さらに、イオンビームの入射角を変化させることにより
、ゲート長を調整する−こと、或は、逆台形構造のショ
ットキゲート電極の上辺端から下辺端に相当する基板上
の領域の不純物濃度分布を調整すること、或は、ソース
電極とショットキゲート電極の距離よりもドレイン電極
とショットキゲート電極の距離を長くすることができる
。

〈実施例〉 以下、実施例を示す添付図面によって詳細に説明する。

第１図Ａ−Ｊは、ショットキゲート電界効果トランジス
タの製造方法を説明する図である。

先ず、同図Ａに示すように、Ｇａ　Ａｓからなる半絶縁
性半導体基板（１）の表面に、イオン注入法により不純
物となり得るイオン（例えばＳｌ　”　）を打込み、動
作層（２）を形成する。そして、同図Ｂに示すように、
上記基板［１）の表面（動作層（２）の表面）に、耐熱
性を有し、かつＧａ　Ａｓとショットキー接触を有する
電極金属（３’）　（例えばＷＳＩ）を従来公知の方法
で約５０００Ａの厚さに形成し、同図Ｃに示すように、
上記電極金属（３′）の表面に、通常のフォトリソグラ
フィを用いてゲート領域に対応させてレジストパターン
（６）を形成する。次いで、同図りに示すように、上記
レジストパターン（６）をマスクとして、ＣＦ４を反応
ガスとする反応性イオンビームエツチングにより、入射
イオンが基板］１）に対して所定の角度を有する状態で
上記電極金属（３′）をエツチングし、基板（１）と接
する電極金属端部をレジストパターン（６）より後退し
た位置とすることができる。以上の動作では、電極金属
（３′）の一方の側面をレジストパターン（６）より後
退させることができるのみであるから、入射イオンの角
度を変えて電極金属（３′）の他方の側面をもエツチン
グし、レジストパターン（６）より後退させることによ
り、同図Ｅに示すような逆台形断面形状を有するショッ
トキゲート電極（３）を形成することができる。

この場合において、入射イオンの角度を変えて、ショッ
トキゲート電極（３）の側辺の角度をθとすれば、レジ
ストパターン（６）の寸法がＬ　、　７Ｈ極金属（３′
）の厚みがｔである場合に、ゲート長ＬｇをＬｇ　−Ｌ
−２ｔ　ｘ　　ｔａｎθとすることができ、単に入射イ
オンの角度を変化させるだけで必要なゲート長を得るこ
とができる。

その後、同図Ｆに示すように、上記レジストパターン（
６）、およびショットキゲート電極（３）をマスクとし
て、イオン注入法により高濃度不純物領域口［８）を形
成し、レジストパターン（６）を除去した後、Ａｓ雰囲
気中８００℃で２０分間保護膜なしでアニールすること
により、イオン注入された不純物を活性化する。この場
合において、高濃度領域のアニールを行なう際の熱によ
る横方向の拡散がショットキゲート電極の絶縁耐力を低
下させ、或はショットキゲート電極の入力容量を増加さ
せることがあり、問題となるが、ショットキゲート電極
形成時のエツチングにより逆台形断面形状のテーバ角度
を変えて高濃度不純物注入領域と基板（１）上のショッ
トキゲート電極の位置のオフセット量を制御することが
できるので、熱による横方向の拡散が起ってもショット
キゲート電極と重ならないようにショットキゲートＷｔ
Ｍ形状を制御すればよく、何ら問題とはならない。そし
て、同図Ｇに示すように、オーミック接触を有する金属
材料を、従来公知の方法により可能な限り垂直に蒸着し
、約２０００Ａの厚さの電極金属［９）を形成する。こ
の場合において、基板（１）の上に形成された電極金属
（９）の位置は、逆台形断面形状を有するショットキゲ
ート電極（３）の上端部が、ひさしとして作用すること
により制限され、ショットキゲート電極（３）と短絡す
ることはない。

次にショットキゲート電極（３）の上に存在する金属材
料を除去する必、要があるが、この金属材料は以下のよ
うにして除去する。即ち、先ず、同図Ｈに示すように、
上記のように構成されたウェハーの全面にレジスト００
］を周知の方法で平坦塗布する。

この場合において、レジスト００）は、レジスト自体の
性質により全面が平坦化されたように塗布されることに
なるので、段差部におけるレジストが薄くなる（ショッ
トキゲート電極〔３）の上に存在するレジストが他の部
分に存在するレジストよりも薄くなる）。したがって、
０２を反応ガスとする反応性イオンエツチングによりレ
ジスト００１を削っていくと、最初にショットキゲート
電極（３）の上のレジスト００）が消失する（同図１参
照）。シヨ・ソトキゲート電極１３］の上のレジストが
消失し、オーミ・ンク接触を有する金属材料が見えた時
点て工・ンチングを停止１−シ、同図工に示すように、
Ａｒのスノく・ツタ−で上記金属材料を除去する。その
後は、同図Ｊに示すように、レジストＯａを除去し、残
った電極金属（９）を４００℃で約５分間シンターする
ことにより合金化し、ソース電極（４）、およびドレイ
ン電Ｔｈ　（５）を形成し、Ｍ　Ｅ　Ｓ　Ｆ　Ｅ　Ｔを
完成させることができる。

また、入射イオンの角度を変えて、ショットキゲート電
極（３）の側辺の角度をθとした場合には、逆台形構造
のショットキゲート電極の上辺端から下辺端に相当する
半絶縁性半導体基板（１）の領域の不純物濃度を調整す
ることもできる。

さらに詳細に説明すると、通常の方形構造のショットキ
ゲート電極の上面にダミーゲートを形成した場合には、
マスクの厚みが一定であるから、マスクの直下領域には
イオン注入が全く行なわれない（第６図Ａ参照）。

この状態で、注入イオンを活性化するために熱処理を施
すと、注入領域が横方向にも拡がるのであるが、その拡
がりはガウス分布にしたがうので、ショットキゲート電
極に近づくほど濃度が低くなる（第６図Ｂ参照）。

これに対して、逆台形構造のショットキゲート電極をマ
スクとしてイオン注入を行なえば、マスクの厚みかうす
い箇所はイオンが透過し、第３図へに示すように、ショ
ットキゲート電極に近接する箇所まで注入領域か形成さ
れる。この状態で注入イオンを活性化するために熱処理
を施すと、第３図Ｂに示すように、ショットキゲート電
極近傍まで比較的均一な濃度分布を有する領域が形成さ
れる。

したがって、ショットキゲート電極近傍まで高濃度不純
物領域が形成されることに伴い、寄生抵抗を大幅に低減
することができる。

さらには、入射イオンの角度を変えることに゛より、第
４図に示すように、ショットキゲート電極（３）の各側
辺の角度を互に異なる角度にした場合には、ソース電極
（４）とショットキゲート電極（３）との距離よりもド
レイン電極口とショットキゲート電極（３）との距離を
長くすることができ、しかも上記それぞれの角度θ１．
θ２に基いて、ゲート長Ｌｇを、Ｌｇ　＝Ｌ　−ｔ　Ｘ
　　ｔａｎ６１１−　ｔ　Ｘ　　ｔａｎθ２とすること
ができ、上記入射イオンの角度を変化させるだけで必要
な電極間距離差、およびゲート長を得ることができる。

そして、このような構成とすることにより、寄生抵抗と
して作用するソース電極（４）とショットキゲート電極
（３）との間の抵抗を小さくして、ＦＥＴ特性を高め、
ドレイン電極（９とショットキゲート電極（３）との間
の抵抗を大きくして、ドレイン耐圧を高め、高電圧を印
加できるようにすることかできる。

〈発明の効果〉 以上のように、この発明のショットキゲート電界効果ト
ランジスタによれば、ショットキゲート領域以外の部分
が高濃度領域であるからオーミック接触のコンタクト抵
抗が小さく、シかもソース電極とショットキゲート電極
とが近接しているので直列寄生抵抗Ｒｓが小さく、伝達
コンダクタンスｇ１１および遮断周波数ｆＴを高くする
ことができ、また、ショットキゲート電極とソース電極
、ドレイン電極との間には確実にギャップが形成されて
いるので、絶縁耐圧が低下することがなく、さらにはシ
ョットキゲート電極を逆台形断面形状としているので、
サブミクロンゲートになっても断面積は小さくならず、
ショットキゲート抵抗を増加させることがなく、極めて
高い性能を発揮することかできるという特有の効果を奏
する。

また、この発明のショットキゲート電界効果トランジス
タの製造方法によれば、エツチングを行なう場合に入射
イオンと基板との角度を制御することにより、何らサブ
ミクロンのレジストパターンを用いることなくサブミク
ロンのショットキゲート電極を形成することができ、全
体として簡単に、かつ正確に所定の特性を有するショッ
トキゲート電界効果トランジスタを製造することができ
るという特ｑの効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のショットキゲート電界効果トランジス
タの製造工程を示す説明図、 第２図はショットキゲート電界効果トランジスタの基本
的な構造を示す縦断面図、 第３図は高濃度不純物領域形成動作を詳細に説明する図
、 第４図はこの発明のショットキゲート電界効果トランジ
スタの他の実施例を示す要部縦断面図、第５図から第７
図は従来の製造方法を示す概略図。 （１］・・・半絶縁性半導体基板、 （３）・・・ショットキゲート電極、（４）・・・ソー
ス電極、（５）・・・ドレイン電極、（６）・・・レジ
ストパターン、（７）　（８）・・・高濃度不純物領域
第１図−Ａ しり 第２図 第３図−Ａ　　　第３図−Ｂ 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、逆台形断面形状を有するショットキゲート電極が形
   成されているとともに、ショットキゲート電極の両側に
   、ショットキゲート電極に対して自己整合的に高濃度不
   純物領域、およびソース電極、ドレイン電極が形成され
   ていることを特徴とするショットキゲート電界効果トラ
   ンジスタ。 ２、レジストをマスクとして反応性イオンビームエッチ
   ングにより逆台形断面形状を有するショットキゲート電
   極を形成し、次いでレジストの除去、およびアニールを
   行ない、その後、上記ショットキゲート電極をマスクと
   してオーミック接触を有する金属材料を垂直蒸着するこ
   とによりソース電極、ドレイン電極を自己整合的に形成
   することを特徴とするショットキゲート電界効果トラン
   ジスタの製造方法。 ３、エッチング時のマスクとしてＡｕ、Ａｌ、Ｃｒのう
   ちいずれかひとつを使うことを特徴とする上記特許請求
   の範囲第２項記載のショットキゲート電界効果トランジ
   スタの製造方法。 ４、イオンビームの入射角を変えることにより逆台形構
   造のショットキゲート電極の側辺の角度を調整して、必
   要なゲート長を得ることを特徴とする上記特許請求の範
   囲第２項記載のショットキゲート電界効果トランジスタ
   の製造方法。 ５、イオンビームの入射角を変えることにより逆台形構
   造のショットキゲート電極の側辺の角度を調整して、逆
   台形の上辺端から逆台形の下辺端に相当する基板上の領
   域の不純物濃度分布を調整することを特徴とする上記特
   許請求の範囲第２項記載のショットキゲート電界効果ト
   ランジスタの製造方法。 ６、イオンビームの入射角を逆台形構造のショットキゲ
   ート電極の各側辺に対して互に異なる角度とすることに
   よりソース電極とショットキゲート電極の距離よりもド
   レイン電極とショットキゲート電極の距離を長くするこ
   とを特徴とする上記特許請求の範囲第２項記載のショッ
   トキゲート電界効果トランジスタの製造方法。