JPS6060719A - 化合物半導体集積回路装置の製造法 - Google Patents
化合物半導体集積回路装置の製造法Info
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- JPS6060719A JPS6060719A JP16813583A JP16813583A JPS6060719A JP S6060719 A JPS6060719 A JP S6060719A JP 16813583 A JP16813583 A JP 16813583A JP 16813583 A JP16813583 A JP 16813583A JP S6060719 A JPS6060719 A JP S6060719A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は化合物半導体集積回路、特にｗ、ＷＳｉガどの
高融点金属をゲート金属として用いたＧａＡＳ集積回路
の製造法に関する。
高融点金属をゲート金属として用いたＧａＡＳ集積回路
の製造法に関する。
高融点金属をゲート金属として用いたＧａＡＳ集積回路
の製造法の例を第１図に示す（例えば特開昭５７−１１
３２８９ ）。第１図（ａ）のように半絶縁性ＧａＡＳ
基板１にイオン注入法で能動層２を形成した後第１図（
ｂ）に示すようにＷもしくはＷＳｉなどのＧａＡＳと反
応しない高融点金属薄膜ｉを形成する。次いで該高融点
金属３を所定のパターンに加工した後第１図（Ｃ）のよ
うに該高融点金属をマスクとして、不純物をイオン注入
し、オーミック電極用低抵抗層４を形成する。次いで第
１図（ｄ）のように５ｆＯｚ 、５ｊ３Ｎ４ などのア
ニール用のキャップ材と々る耐熱性膜５を被着してアニ
ールによる不純物の活性化を行なった後、第１図（ｅ）
のようにオーミック電極６を形成すればＧａＡＳ ＦＥ
Ｔが作製される。
の製造法の例を第１図に示す（例えば特開昭５７−１１
３２８９ ）。第１図（ａ）のように半絶縁性ＧａＡＳ
基板１にイオン注入法で能動層２を形成した後第１図（
ｂ）に示すようにＷもしくはＷＳｉなどのＧａＡＳと反
応しない高融点金属薄膜ｉを形成する。次いで該高融点
金属３を所定のパターンに加工した後第１図（Ｃ）のよ
うに該高融点金属をマスクとして、不純物をイオン注入
し、オーミック電極用低抵抗層４を形成する。次いで第
１図（ｄ）のように５ｆＯｚ 、５ｊ３Ｎ４ などのア
ニール用のキャップ材と々る耐熱性膜５を被着してアニ
ールによる不純物の活性化を行なった後、第１図（ｅ）
のようにオーミック電極６を形成すればＧａＡＳ ＦＥ
Ｔが作製される。
しかしこの方法によればＧａＡＳ表面の一部にＷ。
ＷＳｉなどの高融点金属が形成された状態（第１図（ｄ
）でアニール等の加熱工程を経るため、熱膨張率の相異
に起因する局所的な歪等の影響が避けられずＦＥＴの特
性の劣化とくにしきい電圧値ｙｔｈのばらつく等の問題
があった。
）でアニール等の加熱工程を経るため、熱膨張率の相異
に起因する局所的な歪等の影響が避けられずＦＥＴの特
性の劣化とくにしきい電圧値ｙｔｈのばらつく等の問題
があった。
本発明は高融点金属を加工することなく、半導体基板全
面に被着した゛状態でアニールすることによシ歪の局所
的な集中を避け、特性の良好なＦＥＴの作製を可能とす
る方法を提供するものである。
面に被着した゛状態でアニールすることによシ歪の局所
的な集中を避け、特性の良好なＦＥＴの作製を可能とす
る方法を提供するものである。
以下本発明の実施例を第２図により説明する。
第２図（ａ）に示すように半絶縁性ＧａＡＳ基板１にイ
オン注入法で能動層２を形成し、次いで第２図（ｂ）の
ように高融点金属膜であるＷＳｉＳａＯ２び耐熱性絶縁
膜である８１０２膜７を公知の方法で被着する。次いで
第２図＜Ｃ）のように５ｊ０２膜７をフォトレジ技術を
用いて所定のパターンに加工した後、ＷＳ１膜３を通し
て高濃度の不純物のイオン注入を行ない、オーミック電
極用の高濃度層４を形成する。この状態ですなわちＷＳ
ｉ膜をキャップ材として８００′Ｃ２０分のアニールを
行ない、領域２および４に注入された不純物の活性化を
行なう。しかる後８１０２膜７をマスクとしてＷＳｉＳ
ａＯ２ライエツチング法で加工し、第２図（ｄ）のよう
にＳ ’ ０２による保護膜５′を被着する。次いで第
２図（ｅ）のようにオーミック電極６を形成すればＧａ
ＡＳ ＭＥＳＦＥＴが完成する。この方法によれば従来
は第１図（ｄ）の状態でアニールが行なわれるのに比し
、第２図（ｄ）の状態でアニールが行なわれる。す々わ
ち従来は、ＧａＡＳ基板１の表面に、加工されたＷＳｉ
の局所的に残された状態でアニールが行々われるのに比
し、本方法ではＧａＡＳ基板１の表面全面にＷＳｉが被
着された状態でアニールが行なわれる。このため従来の
ように活性層２に局所的な歪が加わらず、歪はＧａＡＳ
基板１の全面に分散することになる。
オン注入法で能動層２を形成し、次いで第２図（ｂ）の
ように高融点金属膜であるＷＳｉＳａＯ２び耐熱性絶縁
膜である８１０２膜７を公知の方法で被着する。次いで
第２図＜Ｃ）のように５ｊ０２膜７をフォトレジ技術を
用いて所定のパターンに加工した後、ＷＳ１膜３を通し
て高濃度の不純物のイオン注入を行ない、オーミック電
極用の高濃度層４を形成する。この状態ですなわちＷＳ
ｉ膜をキャップ材として８００′Ｃ２０分のアニールを
行ない、領域２および４に注入された不純物の活性化を
行なう。しかる後８１０２膜７をマスクとしてＷＳｉＳ
ａＯ２ライエツチング法で加工し、第２図（ｄ）のよう
にＳ ’ ０２による保護膜５′を被着する。次いで第
２図（ｅ）のようにオーミック電極６を形成すればＧａ
ＡＳ ＭＥＳＦＥＴが完成する。この方法によれば従来
は第１図（ｄ）の状態でアニールが行なわれるのに比し
、第２図（ｄ）の状態でアニールが行なわれる。す々わ
ち従来は、ＧａＡＳ基板１の表面に、加工されたＷＳｉ
の局所的に残された状態でアニールが行々われるのに比
し、本方法ではＧａＡＳ基板１の表面全面にＷＳｉが被
着された状態でアニールが行なわれる。このため従来の
ように活性層２に局所的な歪が加わらず、歪はＧａＡＳ
基板１の全面に分散することになる。
ＧａＡＳ基板１にＣｒドープ半絶縁性基板、能動層２へ
の不純物をＳ’とし、１．５ Ｘ Ｉ Ｏ”ｃｍ−”の
濃度で打ち込み、スパッター法で形成したＷＳｉＳａＯ
２さを１０００人とし８００ｔＺ’、２０分のアニール
を打力った場合、しきい値のウェハー内のばらつきは従
来の約３０％減と寿っだ。ＷＳｉＳａＯ２００〜８５０
Ｃのアニール温度でＧａＡＳと反応しない高融点金属で
あればよく、他にＴａ。
の不純物をＳ’とし、１．５ Ｘ Ｉ Ｏ”ｃｍ−”の
濃度で打ち込み、スパッター法で形成したＷＳｉＳａＯ
２さを１０００人とし８００ｔＺ’、２０分のアニール
を打力った場合、しきい値のウェハー内のばらつきは従
来の約３０％減と寿っだ。ＷＳｉＳａＯ２００〜８５０
Ｃのアニール温度でＧａＡＳと反応しない高融点金属で
あればよく、他にＴａ。
ＭＯＮ もしくはこれらの７リサイド膜が考えられる。
またオーミック電極用低抵抗層４を形成するためのイオ
ン注入のマスクとして５ｉ０２膜７を用いたが、これは
アニール温度でゲート金属材３をおかさない材料でちれ
ばよく、他に’Ｓｉ３Ｎ４゜ＡｔｚＯ３さらにＴｉ、Ａ
ｔ等の金属材でもよい。
ン注入のマスクとして５ｉ０２膜７を用いたが、これは
アニール温度でゲート金属材３をおかさない材料でちれ
ばよく、他に’Ｓｉ３Ｎ４゜ＡｔｚＯ３さらにＴｉ、Ａ
ｔ等の金属材でもよい。
またＧａＡＳに限らずＩｎＰ等他の化合物半導体集積回
路にも適用できる。
路にも適用できる。
第１図は従来の高融点金属あるいはその化合物をゲート
電極材として用いる化合物半導体集積回路の製造の工程
を示す断面図、第２図は本発明による化合物半導体集積
回路の製造工程を示す断面図である。 １・・・半絶縁性化合物半導体基板、２・・・能動層、
３・・・高融点金属層、４・・・オーミック電極用低抵
抗層、５・・・アニール用キャップ膜、６・・・オーミ
ック電極、５′・・・表面保護膜、７・・・マスクとな
る耐熱性材料第 ／ 図 （Ｌ） （Ｃ） （洗） ＜ｂ） 第１頁の続き ＠発明者 三島木 宏光 小平重上フ タ事業本ｆ （来町１４５幡地 株式会社日立製作所コンピユーもデ
バイス開発センター内
電極材として用いる化合物半導体集積回路の製造の工程
を示す断面図、第２図は本発明による化合物半導体集積
回路の製造工程を示す断面図である。 １・・・半絶縁性化合物半導体基板、２・・・能動層、
３・・・高融点金属層、４・・・オーミック電極用低抵
抗層、５・・・アニール用キャップ膜、６・・・オーミ
ック電極、５′・・・表面保護膜、７・・・マスクとな
る耐熱性材料第 ／ 図 （Ｌ） （Ｃ） （洗） ＜ｂ） 第１頁の続き ＠発明者 三島木 宏光 小平重上フ タ事業本ｆ （来町１４５幡地 株式会社日立製作所コンピユーもデ
バイス開発センター内
Claims (1)
- 化合物半導体基板にイオン注入法によシネ細物を注入し
、キャップ材を被着後熱処理することにより注入不純物
の活性化をはかる、いわゆるキャップ・アニール工程に
おいて、キャップ材としてＭＯ，Ｗ、Ｔａ等の高融点金
属膜もしくはこれらの金属のケイ素化合物膜を用いたこ
とを特徴とする化合物半導体集積回路装置の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16813583A JPS6060719A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 化合物半導体集積回路装置の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16813583A JPS6060719A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 化合物半導体集積回路装置の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6060719A true JPS6060719A (ja) | 1985-04-08 |
Family
ID=15862478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16813583A Pending JPS6060719A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 化合物半導体集積回路装置の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6060719A (ja) |
-
1983
- 1983-09-14 JP JP16813583A patent/JPS6060719A/ja active Pending
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