JPH02303158A - 半導体集積回路の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路の製造方法Info
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- JPH02303158A JPH02303158A JP12490789A JP12490789A JPH02303158A JP H02303158 A JPH02303158 A JP H02303158A JP 12490789 A JP12490789 A JP 12490789A JP 12490789 A JP12490789 A JP 12490789A JP H02303158 A JPH02303158 A JP H02303158A
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- resistor
- photoresist film
- plasma treatment
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Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
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- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明はGaAsを材料とした半導体集積回路の製造方
法に関し、特にGaAs結晶層を抵抗体とした半導体集
積回路の製造方法に関する。
法に関し、特にGaAs結晶層を抵抗体とした半導体集
積回路の製造方法に関する。
(ロ)従来の技術
GaAsを材料としたGaAs集積回路は電子移動度が
Siに比べて大きく高速動作が期待できることから注目
をあつめ、活発な研究開発が進められている。
Siに比べて大きく高速動作が期待できることから注目
をあつめ、活発な研究開発が進められている。
従来、GaAs集積回路においてショットキー接合ゲー
ト型電界効果トランジスタ(以下FETと略記する)お
よび抵抗体の能動層はウェハー内向−性にすぐれている
といわれるイオン注入技術を利用して形成されている。
ト型電界効果トランジスタ(以下FETと略記する)お
よび抵抗体の能動層はウェハー内向−性にすぐれている
といわれるイオン注入技術を利用して形成されている。
しかし、イオン注入技術による能動層形成において、シ
ート抵抗値の再現性は必ずしも充分ではないため、FE
T層と抵抗体の能動層を別工程で形成する場合などFE
T能動体のシート抵抗が設計値通りに形成されていなが
ら抵抗体能動体層のシート抵抗が設計値からはずれてし
まうことが起り、その結果回路として所要の特性が得ら
れず製品歩留まりの低下を招くという欠点があった。ま
たこの場合、製造工程も最初から始めなければならず最
終製品を得るために要する時間的損失も大きいという欠
点があった。
ート抵抗値の再現性は必ずしも充分ではないため、FE
T層と抵抗体の能動層を別工程で形成する場合などFE
T能動体のシート抵抗が設計値通りに形成されていなが
ら抵抗体能動体層のシート抵抗が設計値からはずれてし
まうことが起り、その結果回路として所要の特性が得ら
れず製品歩留まりの低下を招くという欠点があった。ま
たこの場合、製造工程も最初から始めなければならず最
終製品を得るために要する時間的損失も大きいという欠
点があった。
この欠点を解消するため、特開昭6.1−104すくな
くともひとつ以上配置し、必要に応じてこの抵抗値修正
用抵抗体を上記抵抗体に並列接続するものが示されてい
る。
くともひとつ以上配置し、必要に応じてこの抵抗値修正
用抵抗体を上記抵抗体に並列接続するものが示されてい
る。
(ハ)発明が解決しようとする課題
上記従来例では、抵抗体の抵抗値が設計値と比較して大
きい方向にずれた場合には有効であるが、小さい方向に
ずれた場合には修正が効かないという問題があり、まだ
歩留りを改善する余地がある。
きい方向にずれた場合には有効であるが、小さい方向に
ずれた場合には修正が効かないという問題があり、まだ
歩留りを改善する余地がある。
本発明は抵抗値が設計値と比較して大きい方向にずれた
場合でも、小さい方向にずれた場合でも何れの場合も簡
単に修正することができる半導体集積回路の製造方法を
提供するものである。
場合でも、小さい方向にずれた場合でも何れの場合も簡
単に修正することができる半導体集積回路の製造方法を
提供するものである。
(ニ)課題を解決するための手段
本発明は、GaAs結晶層を能動領域とするショットキ
ー接合ゲート型電界効果トランジスタとGaAs結晶層
を抵抗領域とする抵抗体が同一の半絶縁性GaAs基板
上に形成されてなる半導体集積回路において、前記抵抗
領域の結晶層に水素プラズマ処理を施すことを特徴とす
るGaAs集積回路の製造方法である。
ー接合ゲート型電界効果トランジスタとGaAs結晶層
を抵抗領域とする抵抗体が同一の半絶縁性GaAs基板
上に形成されてなる半導体集積回路において、前記抵抗
領域の結晶層に水素プラズマ処理を施すことを特徴とす
るGaAs集積回路の製造方法である。
(ホ)作用
GaAs半導体中のドナーは、水素原子により不活性化
することが知られている(S、J。
することが知られている(S、J。
Pearton et al、Jl、Appl。
Phys、59,1986.P2821−2827参照
)。また、不活性化したドナーは、熱処理により、活性
化することが知られている。従って、水素プラズマ処理
の量或いは、熱処理の量により、抵抗体の抵抗値を任意
の値にすることができる。
)。また、不活性化したドナーは、熱処理により、活性
化することが知られている。従って、水素プラズマ処理
の量或いは、熱処理の量により、抵抗体の抵抗値を任意
の値にすることができる。
(へ)実施例
以下、本発明の一実施例を第1図(a)乃至(C)に基
づいて詳細に述べる。図は、抵抗体部分のプロセス断面
図を示しだものでFET部分及び接続パターンは省略し
て示していない。
づいて詳細に述べる。図は、抵抗体部分のプロセス断面
図を示しだものでFET部分及び接続パターンは省略し
て示していない。
GaAs半絶縁性基板(1)上にホトレジスト膜(2)
(例えば東京応化社製0EBR)を形成し、所望部分に
開口(3)を設ける。レジスト膜の膜厚は約2μmとし
た。次に、Si1を基板(1)の主表面上方より、所望
量注入し、イオン注入層(抵抗体の抵抗領域となるGa
As結晶層)(4)を形成しホトレジスト膜(2)を除
去した後、ハロゲンランプを使用した短時間アニールで
イオン主人層(4)を活性化する(第1図(a))。
(例えば東京応化社製0EBR)を形成し、所望部分に
開口(3)を設ける。レジスト膜の膜厚は約2μmとし
た。次に、Si1を基板(1)の主表面上方より、所望
量注入し、イオン注入層(抵抗体の抵抗領域となるGa
As結晶層)(4)を形成しホトレジスト膜(2)を除
去した後、ハロゲンランプを使用した短時間アニールで
イオン主人層(4)を活性化する(第1図(a))。
ホトレジスト膜(5)(例えば、富士薬品社製■、MR
)を形成し、主表面上方より、オーミック金属膜(Au
+Ge/N i/Au)(6)を蒸着法により被着する
(第1図(b))。
)を形成し、主表面上方より、オーミック金属膜(Au
+Ge/N i/Au)(6)を蒸着法により被着する
(第1図(b))。
ホトレジスト膜(5)上のオーミック金属膜をホトレジ
スト膜(5)とともにリフトオフ法により除去し、残存
したオーミック金属膜(6)を水素雰囲気中で、450
℃、150秒の熱処理を行ないオーミック電極(8)を
形成する。続いてECR水素プラズマ処理を施こし、イ
オン注入層(4)の一部分(7)を不活性化して、イオ
ン注入層(4)を抵抗領域とする抵抗体(9)を完成す
る(第1図(C))。その後、測定□を行ないこの抵抗
体(9)の抵抗値が設計値と比較して大きい方へずれて
いる時は、ECR水素プラズマ処理を再度行ない、逆に
、小さい方へずれている時は、熱処理を行なうことで、
抵抗体(9)の抵抗値を所望の値とする。
スト膜(5)とともにリフトオフ法により除去し、残存
したオーミック金属膜(6)を水素雰囲気中で、450
℃、150秒の熱処理を行ないオーミック電極(8)を
形成する。続いてECR水素プラズマ処理を施こし、イ
オン注入層(4)の一部分(7)を不活性化して、イオ
ン注入層(4)を抵抗領域とする抵抗体(9)を完成す
る(第1図(C))。その後、測定□を行ないこの抵抗
体(9)の抵抗値が設計値と比較して大きい方へずれて
いる時は、ECR水素プラズマ処理を再度行ない、逆に
、小さい方へずれている時は、熱処理を行なうことで、
抵抗体(9)の抵抗値を所望の値とする。
尚、ECR水素プラズマ処理に代えて高周波水素プラズ
マ処理を用いることもできる。
マ処理を用いることもできる。
(ト)発明の効果
以上、述べたように、半導体集積回路の製造工程を最初
からやり直すことなく、半導体集積回路に使用された抵
抗体の抵抗値の・修正が可能となり、製品歩留りの低下
が回避でき、且つ、最終製品にまでに要する時間的損失
も最小に抑えることができる。
からやり直すことなく、半導体集積回路に使用された抵
抗体の抵抗値の・修正が可能となり、製品歩留りの低下
が回避でき、且つ、最終製品にまでに要する時間的損失
も最小に抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)乃至(c)は本発明の一実施例を説明する
ための工程説明図である。 (1)・・・GaAs半絶縁性基板、(2)(5)・・
・ホトレジスト膜、(4)・・・イオン主人層、(9)
・・・抵抗体。
ための工程説明図である。 (1)・・・GaAs半絶縁性基板、(2)(5)・・
・ホトレジスト膜、(4)・・・イオン主人層、(9)
・・・抵抗体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、GaAs結晶層を能動領域とするショットキー接合
ゲート型電界効果トランジスタとGaAs結晶層を抵抗
領域とする抵抗体が同一の半絶縁性GaAs基板上に形
成されてなる半導体集積回路において、前記抵抗領域の
GaAs結晶層に水素プラズマ処理を施すことを特徴と
する半導体集積回路の製造方法。 2、水素プラズマ処理が施された抵抗領域のGaAs結
晶層に熱処理を施すことを特徴とする請求項1記載の半
導体集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12490789A JPH02303158A (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 半導体集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12490789A JPH02303158A (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 半導体集積回路の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02303158A true JPH02303158A (ja) | 1990-12-17 |
Family
ID=14897065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12490789A Pending JPH02303158A (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 半導体集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02303158A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06112410A (ja) * | 1992-08-12 | 1994-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2014206117A1 (zh) * | 2013-06-25 | 2014-12-31 | 中国科学院微电子研究所 | 降低二维晶体材料接触电阻的方法和设置 |
-
1989
- 1989-05-18 JP JP12490789A patent/JPH02303158A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06112410A (ja) * | 1992-08-12 | 1994-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US5956592A (en) * | 1992-08-12 | 1999-09-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device having polysilicon resistors with a specific resistance ratio resistant to manufacturing processes |
WO2014206117A1 (zh) * | 2013-06-25 | 2014-12-31 | 中国科学院微电子研究所 | 降低二维晶体材料接触电阻的方法和设置 |
CN104253015A (zh) * | 2013-06-25 | 2014-12-31 | 中国科学院微电子研究所 | 降低二维晶体材料接触电阻的方法 |
US10141408B2 (en) | 2013-06-25 | 2018-11-27 | Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | Method and arrangement for reducing contact resistance of two-dimensional crystal material |
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