JPS63124444A - 半導体装置のエ−ジング装置 - Google Patents

半導体装置のエ−ジング装置

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Publication number
JPS63124444A
JPS63124444A JP27070286A JP27070286A JPS63124444A JP S63124444 A JPS63124444 A JP S63124444A JP 27070286 A JP27070286 A JP 27070286A JP 27070286 A JP27070286 A JP 27070286A JP S63124444 A JPS63124444 A JP S63124444A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
aging
semiconductor device
input terminals
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP27070286A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiro Sato
佐藤 好洋
Yoshitomo Kimura
木村 佳友
Kokichi Sawada
沢田 功吉
Heihachi Matsumoto
松本 平八
Hiroaki Imamasa
今政 宏彰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS63124444A publication Critical patent/JPS63124444A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、MO3型半導体集積回路において、短時間
で発生する初期不良品をスクリーニングするための半導
体装置のエージング装置に関するものである。
〔従来の技術〕
第2図は従来のこの種のエージング装置を示す図であり
、1はエージング装置のコントローラ部で、各種のスイ
ッチ、メータ等が具備されている。2は高温槽、3は前
記高温槽2内に収納されたエージング基板、4は前記エ
ージング基板3−、hに取り付けられたソケットであり
、各種の信号が入力されている。5は樹脂封止された半
導体装置で、ソケット4に挿入され、コントローラ部1
より各種の信号が供給されるようになっている。
次に動作について説明する。エージング基板3に取り付
けられたソケット4に樹脂封止された半導体装置5を挿
入する。エージング基板3には配線(図示せず)が施さ
れ、その配線には各種のクロックや電圧がコントローラ
部1かも送られ、半導体装置5に入力される。高温槽2
はエージング時に所定の温度に設定される。このような
高温。
高バイアスでのエージングは、半導体装置のスクリーニ
ング方法として最も効果が大きい。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のエージング装置は以上のように構成されているの
で、樹脂封止後の半導体装置の個々についてエージング
を実施している。したがって、エージングは各チップご
とに行わなければならず、また、エージング装置の規模
も大きくなるため、作業性およびコストの面で問題があ
った。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、ウェハの状態でエージングできる半導体装
置のエージング装置を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置のエージング装置は、ウェハ
形状のまま嵌合載置する少なくとも1つのウェハ嵌合部
をエージング基板に形成するとともに、ウェハ嵌合部に
嵌合されたウエノ\に所要の信号を供給するための信号
印加手段を具備したものである。
〔作用〕 この発明においては、ウエノ\状態での全チップ力(、
ウエノ・形状のまま同時にエージングされる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を第1図について説明する。
第1図において、1〜3は第2図と同じものであり、3
aは前記エージング基板3表面に形成したウェハ嵌合部
であり、このウェハ嵌合部3aに各チップからなる半導
体ウェハ6が嵌合載置される。また、ウェハ嵌合部3a
は、少なくとも1個が形成される。半導体ウェハ6は、
各チップの入力端子がポリSt等で形成された共通配線
(図示せず)に接続され、その共通入力端子(図示せず
)をウェハ端に設けている。7は前記共通入力端子に各
種の信号が入力される信号印加手段で、例えばコネクタ
が用いられ、このコネクタ7は、例えば回動式になって
おり、エージング基板3上のウェハ嵌合部3aに嵌合載
置された半導体ウェハ〇の各ウェハ端に設けられた共通
入力端子にワンタッチで接触するようになっている。
このように、ウェハ状態で半導体ウエノ\6と同形状の
ウェハ嵌合部3aに半導体ウェハ6を嵌合載置し、コン
トローラ部1から送られてきた信号をコネクタ7を通し
て半導体ウェハ6上の共通入力端子に印加することによ
り、各半導体ウェハ6の全チップを同時にエージングす
ることができる。
なお、上記実施例では信号印加手段としてコネクタ7を
通して半導体ウェハ6に信号を入力した場合について説
明したが、信号入力の方法はその他どのような方法によ
り行ってもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したようにこの発明は、ウェハ形状のまま嵌合
載置する少なくとも1つのウェハ嵌合部をエージング基
板に形成するとともに、ウェハ嵌合部に嵌合されたウェ
ハに所要の信号を供給するための信号印加手段を具備し
たので、ウェハ状態マ各チップをエージングすることが
でき、したがって、エージング不良品をウェハ段階でリ
ジェクトできるため、コスト低減につながる。また、最
終製品でのエージングという煩雑さが省略でき、かつエ
ージング装置も小型化できるので、安価で精度の高いも
のが得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示すエージング装置の斜
視図、第2図は従来のエージング装置の斜視図である。 図において、1はコントローラ部、2は高温槽、3はエ
ージング基板、3aは嵌合部、6は半導体ウェハ、7は
コネクタである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  高温槽とコントローラ部とからなり、前記高温槽内の
    エージング基板上に載置された半導体装置に、前記コン
    トローラ部から所要の信号を供給してエージングを行う
    半導体装置のエージング装置において、前記半導体装置
    をウェハ形状のまま嵌合載置する少なくとも1つのウェ
    ハ嵌合部を前記エージング基板に形成するとともに、前
    記ウェハ嵌合部に嵌合されたウェハに所要の信号を供給
    するための信号印加手段を具備したことを特徴とする半
    導体装置のエージング装置。
JP27070286A 1986-11-13 1986-11-13 半導体装置のエ−ジング装置 Pending JPS63124444A (ja)

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JPS63124444A true JPS63124444A (ja) 1988-05-27

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