JPS63119557A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置用リードフレーム、詳しくは、半
導体チップ（ダイ）を載置する部分、いわゆる、ダイア
タッチ部の構造に関するものである。

従来の技術 従来、この種の半導体装置用リードフレームは、電気良
導体の金属薄板からなり、第３図の平面図に示すように
、ダイアタッチ部１はタブリード２を介して、外枠３と
連結されこの外枠３の他方からは、連結枠４を介して、
引出リード５と連結した形状で加工され、さらに前記ダ
イアタッチ部１には、単数または複数個の貫通孔１０が
設けられた構成からなっていた。そして、この半導体装
置用リードフレームを用いた半導体装置は、第４図の断
面図に示すように、ダイアタッチ部１の面上にダイ６が
固着層７を介し固着され、このダイ６からは金属ワイヤ
ー８を介し多数の引出り−ド５に接続された後、引出リ
ード５の一部を残し、樹脂モールド９で封止されていた
。（たとえば、特開昭５８−１４５５７号公報、特開昭
５８−５２８６３号公報参照） ダイアタッチ部１の貫通孔は、異なった熱膨張係数から
なる部品材料間に生じる熱応力より、ダイ６にクラック
が発生するのを防ぐためのもので、ダイアタッチ部の剛
性を弱くし、ダイ６にかかる応力を緩和する。

また、ダイアタッチ部１の貫通孔１０は、ダイアタッチ
部１とダイ６とを固着剤で固着したとき固着層７に発生
する気泡からガス抜きして、気泡による熱抵抗増加を防
ぐことにも効用がある。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような構成で、応力を緩和するため
には、ある程度大きな径の貫通孔が必要であり、それは
他方で、固着剤を用いるときに問題となる気泡をガス抜
きするには不向きという欠点があった。また、気泡中の
気体をガス抜きするのに都合のよい小径の貫通孔を設け
たのではダイアタッチ部の剛性を弱める効果は乏しい。

すなわち、従来構造では、応力緩和と熱抵抗抑制との両
者を同時に満足できないという問題点を有していた。

本発明は、かかる従来の問題を解消するもので、応力緩
和と熱抵抗抑制の機能を合せ持った半導体装置用リード
フレームを提供することを目的とする。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明の半導体装置用リ
ードフレームは、ダイアタッチ部に、表裏両面から互に
交差する溝を、その交差部分で接合するように、備えた
ものである。

作用 本発明は上記した構成によって、ダイアタッチ部の溝幅
を小さくした分だけ、ダイアタッチ部の剛性を弱くする
ことができる。さらに、表裏両面の互いの溝の交差部が
つき合って微細な開口部を形成するため、固着剤などに
より発生する気泡を、開口部を通じて除去することがで
きる。このように、両方の機能を持つようになるのであ
る。

実施例 以下、本発明の実施例を添付図面にもとづいて説明をす
る。

本発明による半導体装置用リードフレームは、ダイアタ
ッチ部１がタブリード２を介して、外枠３と連結され、
この外枠３の他方からは、連結枠４を介して、引出リー
ド５と連結した形状であることは従来例と同様であるが
、さらに前記ダイアタッチ部１の表裏各面上には、第１
因子面図、正面図および側面図の各図に示すように、複
数個の線状溝部１１ａ、ｌｌｂが、その交差部分で互い
に接合して、連結開口部１２を形成するように構成がさ
れている。これは、鉄・ニッケル系、ステンレス系、鋼
糸なと電気良導体の金属材料の薄板（厚みは数１０μｍ
）を、上述した形状に加工がされている。

また、この半導体装置用リードフレームを用いた半導体
装置は、第２図の断面図に示すように、ダイアタッチ部
１の面上にシリコーン基材などからなるダイ６（縦横は
約数鴫、厚み約０　、５−ａ　）が固着層７を介し固着
され、さらにダイ６がらは金、アルミニウム、あるいは
銅の極細（直径数１０μｍ）な金属ワイヤー８を介し、
引出リード５に接続された後、引出リード５の一部を残
し、エポキシ樹脂などによる樹脂モールド９がなされて
いる。

上記構成において、ダイアタッチ部１とダイ６との間に
生じる応力は、ダイアタッチ部１の上下主面上に形成し
た線状溝部１１ａ、ｌｌｂにより厚みが薄くなった分だ
け、ダイアタッチ部の剛性を弱めることができ、結果と
して応力緩和ができ、強度の弱いダイ６にクラックが発
生するのを防止できる。

なお、線状溝部１１ａ、ｌｌｂの形成で略メツシュ構造
となるため、応力緩和の効果が増大できる。

さらに、線状溝部１１ａ、ｌｌｂは上下の交差部で連結
開口部１２を形成しているため、固着剤によりダイ６を
固着の際に発生する気体は、前記連結開口部１２より排
出しガス抜きができる。このため固着層７に残存の気泡
は少なくなり、結果として熱抵抗は小さくすることがで
きるという効果がある。

このように、本発明の半導体用リードフレームによれば
応力緩和によりクラック発生を少なくすることと、熱抵
抗を小にする両機能を付与できるという効果がある。

また、本発明によれば、上下の線状溝部どうしの交差部
で開口部を作り、略メツシュ構造としているため、応力
緩和作用が増大できる利点や、上下の線状溝部の幅や深
さを変えることでダイアタッチ部の剛性を広い範囲で調
整し易いという利点がある。

発明の効果 以上のように本発明の半導体装置用リードフレームによ
れば次の効果が得られる。

第一に、ダイアタッチ部の上下主面上に、線状溝部を複
数個形成して、ダイアタッチ部の剛性を弱（しているの
で、ダイにかかる応力が緩和され、結果としてダイのク
ラックが防止できるという効果がある。

第二に、前記の線状溝部は、上下両者の交差部がつき合
って、微細な開口部を形成しているので、固着剤でダイ
を固着の際に発生する気泡は、開口部よりガス抜きして
、気泡の少ない固着層が形成され、結果として固着層周
辺の熱抵抗を小さくすることができるという効果がある
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例におけるダイアタッチ部の要部
の平面図、正面図、側面図、第２図は本発明のリードフ
レームを用いた半導体装置組立における構成説明の断面
図、第３図は半導体装置用リードフレームを説明のため
の平面図、第４図は従来のリードフレームを用いた半導
体装置組立における構成説明の断面図である。 １・・・・・・ダイアタッチ部、２・・・・・・ダブリ
ード、３・・・・・・外枠、４・・・・・・連結枠、５
・・・・・・引出リード、６・・・・・・ダイ、７・・
・・・・固着層、８・・・・・・金属ワイヤー、９・・
・・・・樹脂モールド、１０・・・・・・貫通孔、１１
ａ。 １１ｂ・・・・・・線状溝部、１２・・・・・・連結開
口部。 代理人の氏名　弁理士　中尾敏男　ほか１名／−−グン
アグソチ ？−ダブワード 第２図 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体チップを載置するためのダイアタッチ部に、表裏
   両面から互いに交差する溝を、その交差部分で接合する
   ように、形成したことを特徴とする半導体装置用リード
   フレーム。