JPS63118163A - 電子写真感光体 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はポリビニルアルコール系中間層を有する電子写
真感光体に関する。
真感光体に関する。
従来技術
従来、導電性基板上に感光層を設けた一般的な電子写真
感光体、特に感光層が電荷発生層と電荷移動層とから構
成される積層型電子写真感光体に高帯電性、高感度性お
よび低残留電位性を付与するため種々の試みがなされて
きた。その1つとして、高感度の電荷発生層中へ帯電時
に導電性基板側から帯sit荷と逆極性の電荷が注入す
るのを阻止するだめの中間層を設けることが提案された
。例えば1%開昭47−6341.48−3544およ
び48−12034号には硝酸セルロース系樹脂中間層
が、vj開昭48−47344゜52−25638.5
B−30757,58−63945゜58−95351
.58−98739および60−66258号にはポリ
アミド系樹脂中間層が、%開昭48−26141には酢
酸ビニル系(り(脂中間層が、特開昭49−69332
および52−10138号にはマレイン酸系樹脂中間層
が、そして特開昭58−105155号にはポリビニル
アルコール系樹脂中間層がそれぞれ開示されている。中
でもポリビニルアルコール系のものは電気抵抗がxo”
bα前後で中間層として好適であること、有機溶媒に侵
されないため感光層を&/In工しゃすいし。
感光体、特に感光層が電荷発生層と電荷移動層とから構
成される積層型電子写真感光体に高帯電性、高感度性お
よび低残留電位性を付与するため種々の試みがなされて
きた。その1つとして、高感度の電荷発生層中へ帯電時
に導電性基板側から帯sit荷と逆極性の電荷が注入す
るのを阻止するだめの中間層を設けることが提案された
。例えば1%開昭47−6341.48−3544およ
び48−12034号には硝酸セルロース系樹脂中間層
が、vj開昭48−47344゜52−25638.5
B−30757,58−63945゜58−95351
.58−98739および60−66258号にはポリ
アミド系樹脂中間層が、%開昭48−26141には酢
酸ビニル系(り(脂中間層が、特開昭49−69332
および52−10138号にはマレイン酸系樹脂中間層
が、そして特開昭58−105155号にはポリビニル
アルコール系樹脂中間層がそれぞれ開示されている。中
でもポリビニルアルコール系のものは電気抵抗がxo”
bα前後で中間層として好適であること、有機溶媒に侵
されないため感光層を&/In工しゃすいし。
成膜性が良く均一な塗膜を得やすいこと等の点から最も
好ましい中間層である。
好ましい中間層である。
しかしポリビニルアルコール系中間層を設げた感光体に
おいては高温高湿下で繰返し使用した場合、帯電性は良
好であるが、感度が低下する上5画像露光後、残留電位
が蓄へし、地肌部電位が上昇して地汚れを生じるという
欠点があった。
おいては高温高湿下で繰返し使用した場合、帯電性は良
好であるが、感度が低下する上5画像露光後、残留電位
が蓄へし、地肌部電位が上昇して地汚れを生じるという
欠点があった。
目 的
本発明の目的はポリビニルアルコール系中間層を有する
にも拘わらず、低温低湿下は勿論。
にも拘わらず、低温低湿下は勿論。
高温高湿下で繰返し使用しても高感度を維持し、“
しかも地汚れを生じない耐久性のある電子写真感光体を
提供することである。
しかも地汚れを生じない耐久性のある電子写真感光体を
提供することである。
構成
本発明の電子写真感光体は尋電性基板上に中間層及び感
光層を順次投げた電子写真感光体において、前記中間層
がポリビニルアルコールを生成分とし、且つこの中間層
内にポリビニルアルコールの不純物として含まれる酢酸
及び/又はそのアルカリ金属塩の量を中間層の0.5重
量−以下にしたことを特徴とするものである。
光層を順次投げた電子写真感光体において、前記中間層
がポリビニルアルコールを生成分とし、且つこの中間層
内にポリビニルアルコールの不純物として含まれる酢酸
及び/又はそのアルカリ金属塩の量を中間層の0.5重
量−以下にしたことを特徴とするものである。
本発明者らは従来のポリビニルアルコール系中間層を有
する感光体における欠点を解消するため1種々検討した
。その結果、従来の欠点の原因はポリビニルアルコール
中に含まれる不純物にあることを見出した。ポリビニル
アルコールは一般にプリ酢酸ビニルをアルカリの存在下
でケン化して製造されている。このため得られるポリビ
ニルアルコールには例えば下記式に示すように、不純物
として酢酸のアル、カリ金属塩(通常ナトリウム塩)や
酢酸が相当量混入する。
する感光体における欠点を解消するため1種々検討した
。その結果、従来の欠点の原因はポリビニルアルコール
中に含まれる不純物にあることを見出した。ポリビニル
アルコールは一般にプリ酢酸ビニルをアルカリの存在下
でケン化して製造されている。このため得られるポリビ
ニルアルコールには例えば下記式に示すように、不純物
として酢酸のアル、カリ金属塩(通常ナトリウム塩)や
酢酸が相当量混入する。
この場合1反応溶剤としては一般にアルコールを主体と
する溶剤が用いられるので、混入した酢酸ナトリウム等
はポリビニルアルコール系比べてアルコールに対する溶
解性が低いので、大部分は母液分離の際、取除くことが
できるが。
する溶剤が用いられるので、混入した酢酸ナトリウム等
はポリビニルアルコール系比べてアルコールに対する溶
解性が低いので、大部分は母液分離の際、取除くことが
できるが。
それでも0.8〜2wt%程度の混入は避けられない。
0=C−CH。
このようなアルカリ金属イオンは高温高湿下の帯電及び
露光の繰返しによって中間層内を移動(イオン伝導)し
て中間層と接する感光層に到達し、その結果、光減衰感
度を低下させたり。
露光の繰返しによって中間層内を移動(イオン伝導)し
て中間層と接する感光層に到達し、その結果、光減衰感
度を低下させたり。
残留電位を増大させるものと推測さnる。一方。
酸イオンは帯電、露光の繰返しに関わりなく。
感光層に接触することKより帯電性を低下させるものと
推測される。
推測される。
コレに対し本発明のポリビニルアルコール系中間層はこ
れら欠点の原因となる酢酸塩や酢酸量を0.5wt%以
下に減少させたので、中間層内のイオン量、従って感光
層に接触するアルカリイオン量及び酸イオン量が少なく
なり、高温高湿下の繰返し使用においても光減衰感度の
低下や残留電位の増大等も殆んどなくなる。しかし0、
5 wt%を越えると、従来と同様、感度(光減衰感度
)の低下や、残留電位増大による地汚れ等がひどくなる
。
れら欠点の原因となる酢酸塩や酢酸量を0.5wt%以
下に減少させたので、中間層内のイオン量、従って感光
層に接触するアルカリイオン量及び酸イオン量が少なく
なり、高温高湿下の繰返し使用においても光減衰感度の
低下や残留電位の増大等も殆んどなくなる。しかし0、
5 wt%を越えると、従来と同様、感度(光減衰感度
)の低下や、残留電位増大による地汚れ等がひどくなる
。
従って本発明の中間層に用いられるポリビニルアルコー
ルは従来使われているポリビニルアルコールから酢酸ナ
トリウム等を所定量まで取除く必要がある。ポリビニル
アルコール中ノ酢酸ナトリウム等(以下酢酸ナトリウム
の例で説明する。)は蒸溜、抽出1分液、濾過等の一般
に用いられる化学工業的手段では取除(ことが困難であ
るが、イオン交換法、透析法、電気透析法等のイオンを
分離する方法及び分子の大きさの違いから分離する方法
で取除くことができる。いずれの場合も市販のポリビニ
ルアルコールを純水に溶解して1〜10 wtチの水溶
液の状態で精製する。
ルは従来使われているポリビニルアルコールから酢酸ナ
トリウム等を所定量まで取除く必要がある。ポリビニル
アルコール中ノ酢酸ナトリウム等(以下酢酸ナトリウム
の例で説明する。)は蒸溜、抽出1分液、濾過等の一般
に用いられる化学工業的手段では取除(ことが困難であ
るが、イオン交換法、透析法、電気透析法等のイオンを
分離する方法及び分子の大きさの違いから分離する方法
で取除くことができる。いずれの場合も市販のポリビニ
ルアルコールを純水に溶解して1〜10 wtチの水溶
液の状態で精製する。
イオン交換法は陰イオン交換樹脂及び陽イオン交換樹脂
、又は陰イオン交換膜及び陽イオン交換膜を用いて酢酸
イオン及びNaイオンを水酸イオン及び水素イオンに置
換える形で酢酸ナトリウムな取除(。陰イオン交換樹脂
は一般には塩累イオ/が結合した状態で市販されている
ため、この塩素イオンを例えば水酸化ナトリウムの1規
定水溶液で水酸イオンに置換し、充分に純水で洗浄して
用いる。陽イオン交換樹脂は一般にはナトリウムイオン
又は水素イオンが結合した状態で市販されている。ナト
リウムイオンは例えば塩化水素の3規定水溶液で水素イ
オンに置換して充分に純水で洗浄して用いる。水素イオ
ンが結合したイオン交換樹脂の場合にも同様に塩化水素
水溶液で処理する。イオン交換樹脂は陰イオン交換樹脂
と陽イオン交換樹脂とを別々のカラムに充填して用いて
もよいし、また1本のカラムに混合して充填して用いて
もよい。
、又は陰イオン交換膜及び陽イオン交換膜を用いて酢酸
イオン及びNaイオンを水酸イオン及び水素イオンに置
換える形で酢酸ナトリウムな取除(。陰イオン交換樹脂
は一般には塩累イオ/が結合した状態で市販されている
ため、この塩素イオンを例えば水酸化ナトリウムの1規
定水溶液で水酸イオンに置換し、充分に純水で洗浄して
用いる。陽イオン交換樹脂は一般にはナトリウムイオン
又は水素イオンが結合した状態で市販されている。ナト
リウムイオンは例えば塩化水素の3規定水溶液で水素イ
オンに置換して充分に純水で洗浄して用いる。水素イオ
ンが結合したイオン交換樹脂の場合にも同様に塩化水素
水溶液で処理する。イオン交換樹脂は陰イオン交換樹脂
と陽イオン交換樹脂とを別々のカラムに充填して用いて
もよいし、また1本のカラムに混合して充填して用いて
もよい。
ポリビニルアルコールのケン化度及び重合度によって異
なるが1wt%〜10vt%の水溶液を0.5〜! O
ct=、%程度のカラム展開速度で処理することによっ
て酢酸イオン及びナトリウムイオン濃度が100 pp
m以下の純粋なポリビニルアルコール水浴液を得ること
ができる。
なるが1wt%〜10vt%の水溶液を0.5〜! O
ct=、%程度のカラム展開速度で処理することによっ
て酢酸イオン及びナトリウムイオン濃度が100 pp
m以下の純粋なポリビニルアルコール水浴液を得ること
ができる。
透析法はセロハン瞑、コロジオン膜、硫酸膜、アセチル
セルロース膜、蛋白質膜1合成樹脂腺等の透析膜を用い
て行なわれるが、この場合、透析膜1例えばセロハンチ
ューブ又はシートの場合はグリセリン等が溶は込んでい
るので、これを純水で充分洗浄してグリセリン等を除い
て数十又の孔を作り、塩化亜鉛又は水酸化す) IJウ
ムの水溶液で処理して孔径を調節(広げる)し、再び充
分洗浄して用いる。ポリビニルアルコールの水溶液を上
記処理したセロハンチューブ又はシートに包み込んです
身ロン糸等で結んで50倍〜100倍量の攪拌している
純水槽中につるす。5〜20時間毎に4回〜5回純水を
新しいものに交換すれば純粋なポリビニルアルコールの
水溶液が得られる。
セルロース膜、蛋白質膜1合成樹脂腺等の透析膜を用い
て行なわれるが、この場合、透析膜1例えばセロハンチ
ューブ又はシートの場合はグリセリン等が溶は込んでい
るので、これを純水で充分洗浄してグリセリン等を除い
て数十又の孔を作り、塩化亜鉛又は水酸化す) IJウ
ムの水溶液で処理して孔径を調節(広げる)し、再び充
分洗浄して用いる。ポリビニルアルコールの水溶液を上
記処理したセロハンチューブ又はシートに包み込んです
身ロン糸等で結んで50倍〜100倍量の攪拌している
純水槽中につるす。5〜20時間毎に4回〜5回純水を
新しいものに交換すれば純粋なポリビニルアルコールの
水溶液が得られる。
電気透析法は上記透析法のポリビニルアルコール水溶液
側と純水側とに白金等イオン化傾向の小さい材料の電極
を入れて、ポリビニルアルコール側をe電極に純水側を
ex極にして電流を流して陽イオン(Naイオン)を取
除き、次に純水槽を新しいものに交換してポリビニルア
ルコール側をex:極に純水側なex極にして電流を流
して陰イオン(酢酸イオン)を取除き、純粋なポリビニ
ルアルコールの水溶液を得る方法である。
側と純水側とに白金等イオン化傾向の小さい材料の電極
を入れて、ポリビニルアルコール側をe電極に純水側を
ex極にして電流を流して陽イオン(Naイオン)を取
除き、次に純水槽を新しいものに交換してポリビニルア
ルコール側をex:極に純水側なex極にして電流を流
して陰イオン(酢酸イオン)を取除き、純粋なポリビニ
ルアルコールの水溶液を得る方法である。
いずれにしても上記透析膜を用いる両方法は浸透圧によ
って水が浸入するためポリビニルアルコールの固形分濃
度を処理後に調整する必要がある。
って水が浸入するためポリビニルアルコールの固形分濃
度を処理後に調整する必要がある。
本発明感光体の基本的な構成は第1図に示すように導電
性基板l上にポリビニルアルコール系中間層2及び単1
fil型感光層3を設げたものと。
性基板l上にポリビニルアルコール系中間層2及び単1
fil型感光層3を設げたものと。
第2図に示すように導電性基板l上にポリビニルアルコ
ール系中間層2.及び電荷発生層4及び電荷移動層5か
うなる積層型感光層3′を設げたものである。
ール系中間層2.及び電荷発生層4及び電荷移動層5か
うなる積層型感光層3′を設げたものである。
本発明では更に、レーザー光源を用いたプリンター用感
光体に要求される光干渉防止のため、単層型感光体でも
積層型感光体でも夫々第3〜4図に示すように、導電性
基板1と中間層2との間に光散乱性又は光吸収性下引層
6を挿入することができる。
光体に要求される光干渉防止のため、単層型感光体でも
積層型感光体でも夫々第3〜4図に示すように、導電性
基板1と中間層2との間に光散乱性又は光吸収性下引層
6を挿入することができる。
次に本発明で用いられる各構成材料について説明する。
導電性基板は帯電電荷と逆極性の電荷を基板側に供給す
ることを目的とする層であって、電気抵抗がlOΩ工以
下で、かつ各中間層及び感光層の成膜条件に耐えられる
材料が使用される。
ることを目的とする層であって、電気抵抗がlOΩ工以
下で、かつ各中間層及び感光層の成膜条件に耐えられる
材料が使用される。
これら材料の例としては、A1.Ni、Cr、 Zn、
ステンレス等の電気伝導性の金属および合金並びにガラ
ス、セラミックス等の無機絶縁物質およびポリエステル
、ポリイミド、フェノール樹脂。
ステンレス等の電気伝導性の金属および合金並びにガラ
ス、セラミックス等の無機絶縁物質およびポリエステル
、ポリイミド、フェノール樹脂。
ナイロン樹脂1紙等の有機絶縁性物質の表面を、真空蒸
着、スフ4ツタリング、吹付塗装等の方法によって、A
J、Ni、Cr、zn、ステンレス、炭素。
着、スフ4ツタリング、吹付塗装等の方法によって、A
J、Ni、Cr、zn、ステンレス、炭素。
S no、、In103等の電気導電性物質を被覆して
導電処理を行なったものがあげられる。
導電処理を行なったものがあげられる。
ポリビニルアルコール系中間層は感光体の帯電時にS棉
電性基板から感光層への電荷注入を阻止して、帯電性を
保ち、かつ感光体露光時には感光層で発生した電荷対の
一方、即ち導電性基板側に阻止されている電荷とは反対
極性の電荷を41!性基板側へ移動させる作用を有する
。
電性基板から感光層への電荷注入を阻止して、帯電性を
保ち、かつ感光体露光時には感光層で発生した電荷対の
一方、即ち導電性基板側に阻止されている電荷とは反対
極性の電荷を41!性基板側へ移動させる作用を有する
。
特に感光層が高感度の場合には感光層の帯電性が悪(な
るので必要である。この中間層は前述のようにして得ら
れる高純度ポリビニルアルコールの水溶液を基板上に塗
布して形成される。
るので必要である。この中間層は前述のようにして得ら
れる高純度ポリビニルアルコールの水溶液を基板上に塗
布して形成される。
厚さは0.2〜2μmが適当である。
単層型感光層は画像露光によって潜像電荷を形成させる
ことを目的とする層である。この菰の感光層は、色素増
感された酸化亜鉛、酸化チタン、硫化亜鉛等の光導電性
粉体、セレン粉体、無定形シリコン粉体、ポリビニルカ
ルバゾール、フタロシアニン顔料、オキサジアゾール顔
料、アゾ顔料等を、必要に応じて結着剤樹脂及び/又は
後述する電子供与性化合物と共に、中間層上に塗布形成
される。またピリリウム系染料とビスフェノールA系の
ポリカーゼネートとから形成される共晶錯体に電子供与
性化合物を添加した組成物を用いて単層型感光層を形成
することができる。結着剤樹脂としては後述する積層型
感光層と同様のものが使用される。厚さは5〜30μが
適当である。
ことを目的とする層である。この菰の感光層は、色素増
感された酸化亜鉛、酸化チタン、硫化亜鉛等の光導電性
粉体、セレン粉体、無定形シリコン粉体、ポリビニルカ
ルバゾール、フタロシアニン顔料、オキサジアゾール顔
料、アゾ顔料等を、必要に応じて結着剤樹脂及び/又は
後述する電子供与性化合物と共に、中間層上に塗布形成
される。またピリリウム系染料とビスフェノールA系の
ポリカーゼネートとから形成される共晶錯体に電子供与
性化合物を添加した組成物を用いて単層型感光層を形成
することができる。結着剤樹脂としては後述する積層型
感光層と同様のものが使用される。厚さは5〜30μが
適当である。
一方、積層型感光層の場合、電荷発生層は画像露光によ
って潜像電荷を発生分離させることを目的とする膚であ
る。本発明においては、IE電荷発生層有機系染顔料、
結晶セレンまたはセレン化ヒ素等を電荷発生物質とし、
これを結着剤樹脂と共に中間層上に塗布形成される。有
機系顔料としてはフタロシアニン系顔料、ジスアゾ顔料
、トリスアゾ顔料、ペリレン系顔料、スクアリック環系
染料、アズレニウム塩系染料。
って潜像電荷を発生分離させることを目的とする膚であ
る。本発明においては、IE電荷発生層有機系染顔料、
結晶セレンまたはセレン化ヒ素等を電荷発生物質とし、
これを結着剤樹脂と共に中間層上に塗布形成される。有
機系顔料としてはフタロシアニン系顔料、ジスアゾ顔料
、トリスアゾ顔料、ペリレン系顔料、スクアリック環系
染料、アズレニウム塩系染料。
キノン系縮合多環化合物等がある。中でもジスアゾ顔料
およびトリスアゾ顔料が好ましく、その具体例としては
下記のものが挙げられる。
およびトリスアゾ顔料が好ましく、その具体例としては
下記のものが挙げられる。
rL科& 顔料歯−一一一
込一一一N:N−A 顔料嶌 頗穐顔料5
Δ−□ 顔料風一般式III: A−N=N
舎11c=lIc舎Cll=C1l舎N=N−A顔料踵
−八 −顔料嵐 N−一一一一顔料
嵐 顔料鬼l!rLr拐
−−−−JL−−−−− 顔料火これら有機系
染顔料と併用される結着剤樹脂としてはポリアミド、ポ
リウレタン、?リエステル、エポキシ樹脂、ボリカーダ
ネート、ポリエーテルなどの縮合系樹脂並びにポリスチ
レン。
込一一一N:N−A 顔料嶌 頗穐顔料5
Δ−□ 顔料風一般式III: A−N=N
舎11c=lIc舎Cll=C1l舎N=N−A顔料踵
−八 −顔料嵐 N−一一一一顔料
嵐 顔料鬼l!rLr拐
−−−−JL−−−−− 顔料火これら有機系
染顔料と併用される結着剤樹脂としてはポリアミド、ポ
リウレタン、?リエステル、エポキシ樹脂、ボリカーダ
ネート、ポリエーテルなどの縮合系樹脂並びにポリスチ
レン。
ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリ−N−ビ
ニルカルバゾール z−yビニルゾチラール、スチレン
−ブタジェン共i合体、スfVンーアクリロニトリル共
重合体等の重合体および共重合体等の接着性、絶縁性樹
脂が挙げられる。なお有機系染顔料の含有if′i、6
0〜100重全チが好ましい。また有機系染顔料を用い
た場合の電荷発生層の厚さは0.05〜0.5μが適当
である。結晶セレン又はセレン化ヒ素合金の粒子を用い
た場合は電子供与性結着剤及び/又は電子供与性有機化
合物と併用される。このような電子供与性物質としては
ポリビニルカルバゾールおよびそのvj尋体(例えばカ
ルバゾール骨格に塩素、臭素などのハロゲン、メチル基
、アミノ基などの置換基を有するもの)、ポリビニルぜ
レン、オキサジアゾール、ピラゾリン、ヒドラゾン、ジ
アリールメタン、α−フェニルスプルペア、ト+)フェ
ニルアミン系化合物などの窒素含有化合物およびジアリ
ールメタン系化合物等があるが、特にポリビニルカルバ
ゾールおよびその誘導体が好ましい。またこれらの物質
を混合して用いても良い。混合して用いる場合もポリビ
ニルカルバゾールおよびその誘導体に他の電子供与性有
機化合物を添加するのが好ましい。この株の無機系電荷
発生物質の含有量は層全体の30〜90″M量饅が適当
である。また無機系電荷発生物質を用いた場合の電荷発
生層の厚さは0.2〜5μmが適当である。
ニルカルバゾール z−yビニルゾチラール、スチレン
−ブタジェン共i合体、スfVンーアクリロニトリル共
重合体等の重合体および共重合体等の接着性、絶縁性樹
脂が挙げられる。なお有機系染顔料の含有if′i、6
0〜100重全チが好ましい。また有機系染顔料を用い
た場合の電荷発生層の厚さは0.05〜0.5μが適当
である。結晶セレン又はセレン化ヒ素合金の粒子を用い
た場合は電子供与性結着剤及び/又は電子供与性有機化
合物と併用される。このような電子供与性物質としては
ポリビニルカルバゾールおよびそのvj尋体(例えばカ
ルバゾール骨格に塩素、臭素などのハロゲン、メチル基
、アミノ基などの置換基を有するもの)、ポリビニルぜ
レン、オキサジアゾール、ピラゾリン、ヒドラゾン、ジ
アリールメタン、α−フェニルスプルペア、ト+)フェ
ニルアミン系化合物などの窒素含有化合物およびジアリ
ールメタン系化合物等があるが、特にポリビニルカルバ
ゾールおよびその誘導体が好ましい。またこれらの物質
を混合して用いても良い。混合して用いる場合もポリビ
ニルカルバゾールおよびその誘導体に他の電子供与性有
機化合物を添加するのが好ましい。この株の無機系電荷
発生物質の含有量は層全体の30〜90″M量饅が適当
である。また無機系電荷発生物質を用いた場合の電荷発
生層の厚さは0.2〜5μmが適当である。
電荷発生層上に設けられる電荷移動層は帯電電荷をその
表面に保持させ、かつ露光により電荷発生層で発生分離
した電荷を移動させて保持していた帯tttta荷と結
合させることを目的とする鳩である。帯電電荷を保持さ
せる目的達成のために邂気抵抗が高いことが要求され、
また保持した帯電電荷で闘い表面電位を得る目的を達成
するためには、誘電率が小さくかつ電荷移動性が良いこ
とが要求される。これらの要件を涌足させるためには有
機電荷移動物質を有効成分として含有する有機電荷移動
層が用いられる。
表面に保持させ、かつ露光により電荷発生層で発生分離
した電荷を移動させて保持していた帯tttta荷と結
合させることを目的とする鳩である。帯電電荷を保持さ
せる目的達成のために邂気抵抗が高いことが要求され、
また保持した帯電電荷で闘い表面電位を得る目的を達成
するためには、誘電率が小さくかつ電荷移動性が良いこ
とが要求される。これらの要件を涌足させるためには有
機電荷移動物質を有効成分として含有する有機電荷移動
層が用いられる。
有機電荷移動物質としては、たとえば、ポリ−N−ビニ
ルカルバゾール系化合物、ピラゾリ/系化合物、α−フ
ェニルスチルベン系化合物、ヒドラゾy系化合物、ジア
リールメタン系化合物、トリフェニルアミン系化合物、
ジビニルベンゼン系化合物、フルオレン系化合物、アン
トラセン系化合物、オキサジアゾール系化合物。
ルカルバゾール系化合物、ピラゾリ/系化合物、α−フ
ェニルスチルベン系化合物、ヒドラゾy系化合物、ジア
リールメタン系化合物、トリフェニルアミン系化合物、
ジビニルベンゼン系化合物、フルオレン系化合物、アン
トラセン系化合物、オキサジアゾール系化合物。
ジアミノカルバゾール系化合物など従来知られている化
合物を使用することができる。ポリビニルカルバゾール
等の1合体以外のこれら有機電荷移動物質は、結合剤と
してボリカー〆ネート等の電荷発生層用結合剤樹脂と同
様な樹脂及びシリコン油と併用される。またこれらには
。
合物を使用することができる。ポリビニルカルバゾール
等の1合体以外のこれら有機電荷移動物質は、結合剤と
してボリカー〆ネート等の電荷発生層用結合剤樹脂と同
様な樹脂及びシリコン油と併用される。またこれらには
。
必要に応じて可塑剤が配合される。こうした可塑剤とし
ては、例えばハロゲン化パラフィン、ジメチルナフタレ
ン、ジブチル7タレート、ジオクチル7タレート、トリ
クレジルホスフェート等やポリエステル等の重合体の共
重合体などがあげられる。電荷移動層は以上の成分を溶
解した溶液を電荷発生層上に塗布形成される。なお電荷
$動鳩の厚さは5〜30μmが適当である。
ては、例えばハロゲン化パラフィン、ジメチルナフタレ
ン、ジブチル7タレート、ジオクチル7タレート、トリ
クレジルホスフェート等やポリエステル等の重合体の共
重合体などがあげられる。電荷移動層は以上の成分を溶
解した溶液を電荷発生層上に塗布形成される。なお電荷
$動鳩の厚さは5〜30μmが適当である。
また電荷移動物質と結合剤との重量比は2/8〜8/2
が適当である。シリコン油の使用量は結合剤の0.00
1〜1重量%が適当である。
が適当である。シリコン油の使用量は結合剤の0.00
1〜1重量%が適当である。
光散乱性下引層及び光吸収性下引層は前述のようにプリ
ンター用感光体における光干渉防止を目的とする層で、
光散乱性下引層は例えば酸化スズ、酸化アンチモン等の
導電性粉体と酸化チタン、酸化亜鉛、硫化亜鉛等の白色
顔料とを下記のような熱硬化性樹脂中に分散して構成さ
れまた光吸収性下引Nは例えば炭素、各種金属等の導電
性光吸収性顔料及び/又は光吸収性有機顔料を同様な熱
硬化性樹脂中に分散して構成される。ここで使用される
熱硬化性樹脂は1例えば活性水素(−〇H基、−NH,
基、−NN基等の水素)を複数個含有する化合物とイン
クアネート基を複数個含有する化合物および/またはエ
ポキシ基を複数個含有する化合物とを熱重合させたもの
である。活性水素を複数個含有する化合物としては、た
とえばポリビニルブチラール。
ンター用感光体における光干渉防止を目的とする層で、
光散乱性下引層は例えば酸化スズ、酸化アンチモン等の
導電性粉体と酸化チタン、酸化亜鉛、硫化亜鉛等の白色
顔料とを下記のような熱硬化性樹脂中に分散して構成さ
れまた光吸収性下引Nは例えば炭素、各種金属等の導電
性光吸収性顔料及び/又は光吸収性有機顔料を同様な熱
硬化性樹脂中に分散して構成される。ここで使用される
熱硬化性樹脂は1例えば活性水素(−〇H基、−NH,
基、−NN基等の水素)を複数個含有する化合物とイン
クアネート基を複数個含有する化合物および/またはエ
ポキシ基を複数個含有する化合物とを熱重合させたもの
である。活性水素を複数個含有する化合物としては、た
とえばポリビニルブチラール。
フェノキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド。
とドロキシメチルメタクリレート基等の活性水素を含有
するアクリル樹脂等があげられ、インシアネート基を複
数個含有する化合物としては。
するアクリル樹脂等があげられ、インシアネート基を複
数個含有する化合物としては。
たとえばトリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジ
イソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート等
とこれらのプレポリマー等があげられ、さらにエポキシ
基を複数含有する化合物としては、ビスフェノールA型
エポキシ樹脂があげられる。いずれにしても光散乱性又
は光吸収性下引層は以上のような成分を溶解又は分散し
た液を基板上に塗布し、50〜z o o ’cで熱重
合させて形成される。なおこの下引層の厚さは1〜lO
μmが適当である。また導電性粉体と白色顔料と前記熱
硬化性樹脂とのN量比は2〜6/1〜5/2〜6が適当
であり、また導電性光吸収性顔料及び/又は光吸収性有
機顔料と前記熱硬化性樹脂との重量比は4〜9/l〜6
が適当である。
イソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート等
とこれらのプレポリマー等があげられ、さらにエポキシ
基を複数含有する化合物としては、ビスフェノールA型
エポキシ樹脂があげられる。いずれにしても光散乱性又
は光吸収性下引層は以上のような成分を溶解又は分散し
た液を基板上に塗布し、50〜z o o ’cで熱重
合させて形成される。なおこの下引層の厚さは1〜lO
μmが適当である。また導電性粉体と白色顔料と前記熱
硬化性樹脂とのN量比は2〜6/1〜5/2〜6が適当
であり、また導電性光吸収性顔料及び/又は光吸収性有
機顔料と前記熱硬化性樹脂との重量比は4〜9/l〜6
が適当である。
以下に本発明を実施例によって説明する。
実施例1
市販のポリビニルアルコール(関東化学社製ポリビニル
アルコール≠2000 )の8重量% 純水溶液を第5
図に示すイオン交換カラム(図中。
アルコール≠2000 )の8重量% 純水溶液を第5
図に示すイオン交換カラム(図中。
7は高純度ポリビニルアルコール水溶液、8は透下11
!I橙パルゾ、9は陰イオン交換樹脂、lOは陽イオン
交換樹脂、11は市販ポリビニルアルコールの水溶液、
12は加圧調整パルプ、13は加圧用Ntガス)に通し
て処理し、約8重量%の高純度ポリビニルアルコール水
溶液を作った。
!I橙パルゾ、9は陰イオン交換樹脂、lOは陽イオン
交換樹脂、11は市販ポリビニルアルコールの水溶液、
12は加圧調整パルプ、13は加圧用Ntガス)に通し
て処理し、約8重量%の高純度ポリビニルアルコール水
溶液を作った。
なお隙イオン交換樹脂としてはダウケミカル社製ダウエ
ックスMSA−1を約80CC1陽イオン交換樹脂とし
ては同じ(ダウエックス50W を約5occ使用し、
またカラム展開速度は1 cc 7分とした。
ックスMSA−1を約80CC1陽イオン交換樹脂とし
ては同じ(ダウエックス50W を約5occ使用し、
またカラム展開速度は1 cc 7分とした。
分析結果(固形分当りの含有f:年単位ppm) :従
って未処理の市販ポリビニルアルコールは酢酸ナトリウ
ムを約L I N、 量%含有していることが予想され
る。これに比較して処理後の高純度ポリビニルアルコー
ルは酢酸ナトリウムをo、 o o o s重量%以下
、また酢酸を0.03重量%以下含んでいることになる
。
って未処理の市販ポリビニルアルコールは酢酸ナトリウ
ムを約L I N、 量%含有していることが予想され
る。これに比較して処理後の高純度ポリビニルアルコー
ルは酢酸ナトリウムをo、 o o o s重量%以下
、また酢酸を0.03重量%以下含んでいることになる
。
またガスクロマトクラフによる分析結果からアセチル基
の含有辻を推定した結果、ケン化度は処理前後で変化し
ていないことがわかった。
の含有辻を推定した結果、ケン化度は処理前後で変化し
ていないことがわかった。
次に上記高純度ポリビニルアルコール水溶液を用いて下
記中間層塗工液を作成した。
記中間層塗工液を作成した。
また比軟用塗工液−8として前記未処理の市販ポリビニ
ルアルコールの8Nj1%水溶液100重蓋部とメタノ
ール92!を部との混合液を用意した。
ルアルコールの8Nj1%水溶液100重蓋部とメタノ
ール92!を部との混合液を用意した。
次にノークレン蒸気で洗浄した厚さ0.3鱈のAI版板
上塗工液−1〜−20を各゛々浸漬塗工し。
上塗工液−1〜−20を各゛々浸漬塗工し。
130℃で10分間乾燥して1μm厚のポリビニルアル
コール系中間層を形成した。
コール系中間層を形成した。
一方、15Cmφのガラスポット中に容積の%の量のl
αφのステンレスメールと400.9のシクロヘキサノ
ンと2551の前記アゾ顔料lを投入して48時間ミリ
ングした。さらに408!iのシクロヘキサノンを追加
投入してさらに24時間ミリングしたのち、取り出した
分散溶液800Iを攪拌しながらテトラヒドロフラン8
00Iを滴下して電荷発生層用塗工液−9とした。
αφのステンレスメールと400.9のシクロヘキサノ
ンと2551の前記アゾ顔料lを投入して48時間ミリ
ングした。さらに408!iのシクロヘキサノンを追加
投入してさらに24時間ミリングしたのち、取り出した
分散溶液800Iを攪拌しながらテトラヒドロフラン8
00Iを滴下して電荷発生層用塗工液−9とした。
次にこの塗工液−9を前記中間層上に浸漬塗工し、13
0℃で10分間乾燥して約0.1μ雇厚の電荷発生層を
形成した。
0℃で10分間乾燥して約0.1μ雇厚の電荷発生層を
形成した。
引続きこの電荷発生層上に下記処方の電荷移動層用塗工
液−10を浸dR塗工し、130℃で1時間乾燥して2
1μm厚の電荷移動層を形成した。
液−10を浸dR塗工し、130℃で1時間乾燥して2
1μm厚の電荷移動層を形成した。
α−フェニルスチルベン系iJ移動物質ポリカーゼネー
ト (商品名パンライト01400) 10重量
部シリコン油(商品名KF−50) α0002重
世部テトラヒドロフラン 80重量部
以上のようにして作成した各感光体を低温低湿(10℃
、15%)及び高温高湿(30℃、90チ)の各測定環
境で市販の静電複写紙試験装置(川口電機製作新製SP
428型)を用いて一6KVのコロナ放電を20秒間
行なって帯電させた後。
ト (商品名パンライト01400) 10重量
部シリコン油(商品名KF−50) α0002重
世部テトラヒドロフラン 80重量部
以上のようにして作成した各感光体を低温低湿(10℃
、15%)及び高温高湿(30℃、90チ)の各測定環
境で市販の静電複写紙試験装置(川口電機製作新製SP
428型)を用いて一6KVのコロナ放電を20秒間
行なって帯電させた後。
感光体の表面電位vmを測定し、さらに20秒間暗所に
放置した後、表面電位Vpoを測定した。
放置した後、表面電位Vpoを測定した。
ついでタングステンランプ光を感光体表面での照度が4
5ルツクスになる様に照射してVpoが月になるまでの
露光1tE3Aおよび30秒間照射後の残留表面電位V
rとを測定した。またくり返し疲労特性を知るために上
記装置で−7,5KVでの帯電と50ルツクスでの露光
を1時間くり返り、テ疲労後(D Vm’ 、 Vpo
’ 、 E3A’およびVr’を測定した。低温低湿下
の結果な戒−1に、また高温高湿下の結果を衣−2に示
す。
5ルツクスになる様に照射してVpoが月になるまでの
露光1tE3Aおよび30秒間照射後の残留表面電位V
rとを測定した。またくり返し疲労特性を知るために上
記装置で−7,5KVでの帯電と50ルツクスでの露光
を1時間くり返り、テ疲労後(D Vm’ 、 Vpo
’ 、 E3A’およびVr’を測定した。低温低湿下
の結果な戒−1に、また高温高湿下の結果を衣−2に示
す。
(以下余白)
実施例2
15C!IIφのガラスポットに容積の%量のlαφの
メノク〆−/L/4001の下記樹脂液および25Iの
前記アゾ顔料A47を投入して48時間ミリングした。
メノク〆−/L/4001の下記樹脂液および25Iの
前記アゾ顔料A47を投入して48時間ミリングした。
さらに580Iの樹脂液3を追腑投入してさらに24時
間ミリングしたのち、取り出した分散溶液95011を
攪拌しながらメチルエチルケトン7109を滴下して電
荷発生層用塗工液−11とした。
間ミリングしたのち、取り出した分散溶液95011を
攪拌しながらメチルエチルケトン7109を滴下して電
荷発生層用塗工液−11とした。
樹脂液
ポリビニルゾデラール xoNfi部(商品
名XYHLユニオンカーバイド社製)シクロヘキサン
970I量部次にこの塗工液−11を電
荷発生層用塗工液−9の代りに用いて実施例1と同様に
して感光体を作成し、同様に高温高湿下の電気特性を測
定した。その結果を表−3に示す。
名XYHLユニオンカーバイド社製)シクロヘキサン
970I量部次にこの塗工液−11を電
荷発生層用塗工液−9の代りに用いて実施例1と同様に
して感光体を作成し、同様に高温高湿下の電気特性を測
定した。その結果を表−3に示す。
(以下余白)
実施例3
厚さiooμmの1表面にAlを真空蒸着したポリエチ
レンテレフタレートフィルムのM蒸着面にウェットギャ
ップ50μmで塗工液−1をブレード塗工し、厚さ約1
μmの中間層を形成した。
レンテレフタレートフィルムのM蒸着面にウェットギャ
ップ50μmで塗工液−1をブレード塗工し、厚さ約1
μmの中間層を形成した。
次にこの中間層上にウェットギャップ50μmで塗工液
−9をブレード塗工し、120℃で10分間乾燥して約
0.1μm厚の電荷発生層を形成した。更にこの電荷発
生層上にウェットギャップ200μmで塗工液−22を
ブレード塗工し。
−9をブレード塗工し、120℃で10分間乾燥して約
0.1μm厚の電荷発生層を形成した。更にこの電荷発
生層上にウェットギャップ200μmで塗工液−22を
ブレード塗工し。
120℃で20分間乾燥して約20μm厚の電荷移動層
を形成し、感光体を作成した。
を形成し、感光体を作成した。
この感光体を80冒φのAノドラムに貼付けてFT40
60(■リコー製複写機)で30℃、85%ノ環境下で
コピーしたところ、地肌部が真白で地汚れのないきれい
な画像が得られた。ここでFT 4060は帯電及び転
写チャージャーと現像バイヤスの’4mを負極性に改造
して用、い、現像剤は正荷電トナーを用いた2成分系現
像剤を用いた。
60(■リコー製複写機)で30℃、85%ノ環境下で
コピーしたところ、地肌部が真白で地汚れのないきれい
な画像が得られた。ここでFT 4060は帯電及び転
写チャージャーと現像バイヤスの’4mを負極性に改造
して用、い、現像剤は正荷電トナーを用いた2成分系現
像剤を用いた。
次に複写機の現像部を取りはずして現像及び転写工程を
除き静電的に10,000枚コピー相当分くり返し操作
した後再び現像部を取付けて画像をコピーしたところ初
期と同様のきれ〜・なコピーが得られた。
除き静電的に10,000枚コピー相当分くり返し操作
した後再び現像部を取付けて画像をコピーしたところ初
期と同様のきれ〜・なコピーが得られた。
比較例3
中間層の塗工に塗工液−8を用いた以外は実施例3と同
様にして感光体を作成し、実施例3と同様にして画像出
しコピー、静電的くり返し及びくり返し後の画像出しコ
ピーを行なったところ、初期は実施例−3と同様地肌部
が真白なきれいなコピーが得られたが、xo、ooo枚
コピコピー相当分返し後の画像は地肌部に地汚れが観察
された。
様にして感光体を作成し、実施例3と同様にして画像出
しコピー、静電的くり返し及びくり返し後の画像出しコ
ピーを行なったところ、初期は実施例−3と同様地肌部
が真白なきれいなコピーが得られたが、xo、ooo枚
コピコピー相当分返し後の画像は地肌部に地汚れが観察
された。
実施例4
9CILφのガラスポットに容積の%量の1c!Lφの
アルミナ焼結メールと酸化アンチモン10wt%を含有
する酸化スズの微粉8.!i+と酸化チタン粉末5Iと
固形分濃度12wt%のブチラール樹脂(セキスイ化学
製BL−1)のメチルエチルクトン溶液68Ilとを入
れて72時間ミリングし。
アルミナ焼結メールと酸化アンチモン10wt%を含有
する酸化スズの微粉8.!i+と酸化チタン粉末5Iと
固形分濃度12wt%のブチラール樹脂(セキスイ化学
製BL−1)のメチルエチルクトン溶液68Ilとを入
れて72時間ミリングし。
次にメチルエチ化ケトン47yを追加して48時間ミリ
ングしだ。次に取出した顔料分散液80i量部に対して
8重量部のトリエンジイソシアネートの20wt%メチ
ルエチルケトン溶液を加えて攪拌し1元散乱性下引層塗
ヱ液とした。
ングしだ。次に取出した顔料分散液80i量部に対して
8重量部のトリエンジイソシアネートの20wt%メチ
ルエチルケトン溶液を加えて攪拌し1元散乱性下引層塗
ヱ液とした。
上記塗工液を授漬塗工で実施例1と同じM基板上に塗工
して130℃で1時間加熱硬化させて約3μm厚の光散
乱性下引層を形成した。次にこの下引層上に実施例1と
同様にして中間層。
して130℃で1時間加熱硬化させて約3μm厚の光散
乱性下引層を形成した。次にこの下引層上に実施例1と
同様にして中間層。
電荷発生層及び電荷移動層を形成し、感光体を作成した
。以下この感光体の電気特性を実施例1と同様にして高
温高湿下の電気特性を測定した。その結果を表−4に示
す。
。以下この感光体の電気特性を実施例1と同様にして高
温高湿下の電気特性を測定した。その結果を表−4に示
す。
(以下余白)
比較例4
中間層の塗工に下記塗工液−12を用い、且つ中間層の
厚さを1μm及び0.4μmにした以外は実施例4と同
様にして感光体を作成し、実施例1と同様にして高温高
湿下で感光体の電気特性を測定した。結果は表−5に示
す様に帯電性及び残留電位の両方を満足するものは得ら
れなかった。
厚さを1μm及び0.4μmにした以外は実施例4と同
様にして感光体を作成し、実施例1と同様にして高温高
湿下で感光体の電気特性を測定した。結果は表−5に示
す様に帯電性及び残留電位の両方を満足するものは得ら
れなかった。
共重合ポリアミド(東し社製CM−8000) 4
重量部エチルアルコール 388重量部
ジチルアルコール 5g!j1部(以下余
白) 効 果 本発明の感光体は中間層が以上のように構成されている
ので、低温低湿は勿論、高温高湿においても高い帯を性
、高い光減衰感度および低い残留電位を示し、また環境
による電気特性の変動が少ない等の利点を有している。
重量部エチルアルコール 388重量部
ジチルアルコール 5g!j1部(以下余
白) 効 果 本発明の感光体は中間層が以上のように構成されている
ので、低温低湿は勿論、高温高湿においても高い帯を性
、高い光減衰感度および低い残留電位を示し、また環境
による電気特性の変動が少ない等の利点を有している。
第1〜4図は本発明感光体の一例の構成図。
第5図は実施例1で用いたイオン交換カラムの断面図で
ある。 ポリビニルアルコール ド・・導電性基板 2・・・系中間層3・・・単層
型感光M1 3′・・・電荷発生層4及び電荷郡動層5よりなる&石
型感光層光散乱性又は 6・・・光吸収性下り1M 7・・・高純度PVA
水溶液9・・・陰イオン交換樹脂 lO・・・陽イオ
ン交換樹脂11・・・市販PVAの水溶液 特許出願人 株式会社 リ コ − 篤1図 兜2図 飛3圃 篤4W 篤5図 手続補正帯 昭和61年12月27日 特許庁長官 黒 1)明 雄 殿 電子写真感光体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 (674)株式会社 リ コ − 代表者 浜 1) 広 4、代理人 6、 補正の内容 1)明細書第8頁第4行「硫酸膜」を「硫酸紙」に訂正
する。 2)同第28頁第6行[塗工液−1〜−20」を「塗工
液−1〜−8」に訂正する。 3)同第35頁第10行「塗工液−22」を「塗工液−
10」に訂正する。 以上
ある。 ポリビニルアルコール ド・・導電性基板 2・・・系中間層3・・・単層
型感光M1 3′・・・電荷発生層4及び電荷郡動層5よりなる&石
型感光層光散乱性又は 6・・・光吸収性下り1M 7・・・高純度PVA
水溶液9・・・陰イオン交換樹脂 lO・・・陽イオ
ン交換樹脂11・・・市販PVAの水溶液 特許出願人 株式会社 リ コ − 篤1図 兜2図 飛3圃 篤4W 篤5図 手続補正帯 昭和61年12月27日 特許庁長官 黒 1)明 雄 殿 電子写真感光体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 (674)株式会社 リ コ − 代表者 浜 1) 広 4、代理人 6、 補正の内容 1)明細書第8頁第4行「硫酸膜」を「硫酸紙」に訂正
する。 2)同第28頁第6行[塗工液−1〜−20」を「塗工
液−1〜−8」に訂正する。 3)同第35頁第10行「塗工液−22」を「塗工液−
10」に訂正する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、導電性基板上に中間層及び感光層を順次設けた電子
写真感光体において、前記中間層がポリビニルアルコー
ルを主成分とし、且つこの中間層内にポリビニルアルコ
ールの不純物として含まれる酢酸及び/又はそのアルカ
リ金属塩の量を中間層の0.5重量%以下にしたことを
特徴とする電子写真感光体。 2、基板と中間層との間に更に白色顔料又は光吸収性顔
料と熱硬化性樹脂とを主成分とする光散乱性又は光吸収
性下引層が設けられる特許請求の範囲第1項記載の感光
体。 3、中間層が0.5重量%以下の酢酸ナトリウム及び酢
酸リチウムを含むポリビニルアルコールを主成分として
なる特許請求の範囲第1項又は第2項記載の感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26359886A JPS63118163A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26359886A JPS63118163A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63118163A true JPS63118163A (ja) | 1988-05-23 |
Family
ID=17391769
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26359886A Pending JPS63118163A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63118163A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02146555A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
JPH07295269A (ja) * | 1994-04-25 | 1995-11-10 | Nec Corp | 電子写真感光体 |
-
1986
- 1986-11-05 JP JP26359886A patent/JPS63118163A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02146555A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
JPH07295269A (ja) * | 1994-04-25 | 1995-11-10 | Nec Corp | 電子写真感光体 |
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