JPS63107203A - 集中定数型サ−キユレ−タ及びアイソレ−タ - Google Patents

集中定数型サ−キユレ−タ及びアイソレ−タ

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JPS63107203A
JPS63107203A JP61253401A JP25340186A JPS63107203A JP S63107203 A JPS63107203 A JP S63107203A JP 61253401 A JP61253401 A JP 61253401A JP 25340186 A JP25340186 A JP 25340186A JP S63107203 A JPS63107203 A JP S63107203A
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JP
Japan
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garnet
isolator
thickness
ceramic substrate
center
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JP61253401A
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Kenji Kuramoto
建二 倉元
Manabu Yoshimoto
由本　学
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Proterial Ltd
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Nippon Ferrite Ltd
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
    • H01P1/38—Circulators
    • H01P1/383—Junction circulators, e.g. Y-circulators
    • H01P1/387—Strip line circulators
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  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ＶＨＦ％ＵＨＦおよびマイクロ波帯で使用さ
れる集中定数型サーキュレータ及びアイソレータに関す
る。
（従来の技術） サーキュレータとアイソレータとは、一端部を外部回路
との端子として利用すればサーキュレータとなり、逆に
一端部をダミー抵抗により終端すればアイソレータとな
るものであり、それ以外の構造は同一である。従って集
中定数型サーキュレータと集中定数型アイソレータとは
同一技術で達成できるものであり、以下アイソレータと
称す。
従来の一般的なアイソレータの断面図を第２図に示す、
従来のアイソレータは、３組の中心導体２０１が絶縁体
を介して２枚のガーネット２０２にはさまれ、更にシー
ルド板２０３にて囲まれており、このガーネット２０２
をセラミック基板２０４の中央部の透孔に配置し、前記
中心導体２０１の端部をセラミック基板２０４に設けら
れたパターン電極に接続していた。そして、前記ガーネ
ット２０２の上部に鉄板２０５を介して永久磁石２０６
を配置し、ケース２０７，２０８に収納されていた。ま
た、必要に応じて空心コイル、コンデンサ等の素子を付
加していた。上記セラミック基板は２枚重ねて使用する
場合も多い。
この従来のアイソレータも、他のマイクロ波素子の小型
化に伴い、かなり小型化されてきた。例えば、非常に小
さいもので外径１０ｍｍ、厚さ０．９ｍｍのガーネット
を用い、外径１３Ｉ、厚さ４ｍｍの永久磁石を用いて、
外寸が２０ｍｍ角で高さが１０ｎｎのアイソレータも実
現されている。
（発明が解決しようとする問題点） 従来のアイソレータでは、かなり小型になったとはいっ
ても、他のマイクロ波素子に比較するとまだまだ大きい
。特に、高さが突出しており、薄型化の要求が強かった
。
本発明では、アイソレータの薄型化を目的とするもので
ある。
（問題点を解決するための手段） 本発明は、相互に絶縁状態で配置される中心導体と、厚
さ０．６ｍ以下の１枚のガーネットと、中央部に前記ガ
ーネットを挿入可能な透孔を有し。
かつパターン電極が形成された１枚のセラミック基板と
、前記ガーネットに直流磁界を印加する永久磁石とから
集中定数型サーキュレータ及びアイソレータを構成する
ものである。
本発明者は、ガーネットを１枚のみとし、アイソレータ
の小型化を達成しようと試みた。ところが従来のガーネ
ットを２枚使用したアイソレータからガーネットを１枚
除き、ガーネットを１枚のみとしたアイソレータを構成
しても、所望の特性のアイソレータを得ることができな
かった。そこで、ガーネットの厚さを変化させたり、中
心導体を変化させたり、セラミック基板のパターン電極
の形状を変化させたりして本発明に至ったものである。
（実施例） 実施例１ 本発明に係る一実施例の断面図を第１図に示す。
この実施例は、３組の中心導体１０１を互いに絶縁状態
で直径１０ｍｍ、厚さ０．５ｍの１枚のガーネット１０
２上に配置し、そのガーネット１０２を誘電率が９のセ
ラミック基板１０３　（１９，５ｍＸ１８．２ｍ　ｘ　
Ｏ，６３５ａｍ）の中央部に設けられた透孔に配置し、
前記中心導体１０１の端部を前記セラミック基板１０３
に形成された電極へ接続し、前記ガーネット１０２の上
部に直径１３ｍ、厚さ２．５ｍの永久磁石１０４を配置
し、ケース１０５，１０６に収納して構成した。この実
施例の中心導体１０１の導体部分の幅は１ｍｍであり、
従来の０．５１に比較し、約２倍の幅とした。この実施
例の外寸は。
２０ａａ角で高さ約５ｍｍであった。
この実施例の挿入損失のグラフを第３図に示す。
このグラフから明らかなように、本発明のアイソレータ
は、十分実用できる特性を有している。
実施例２ 直径１０＋ｎ＋ｎ、厚さ０．６ｎａのガーネットを用い
、他の構成を実施例１と同様としアイソレータを得た。
このアイソレータの外寸は、実施例１とほぼ同一であっ
た。
このアイソレータのｆ、＝８３５ＭＨｚでの挿入損失は
０．５５ｄＢであった。
比較例 本発明と構造をほぼ同一とし、ガーネットの厚さを変え
て、挿入損失を測定した。
この比較例と実施例とのガーネットの厚さに対する挿入
損失のグラフを第４図に示す。このグラフから明らかな
ように、ガーネットの厚さが０．６膿より厚くなると、
挿入損失が悪くなることがわかる。
以上のことより、本発明の実施例は、高さが従来の約半
分以下であり、挿入損失特性も良好なアイソレータであ
ることがわかる。
（発明の効果） 本発明は、集中定数型サーキュレータ及びアイソレータ
を薄型に構成することができ、しかもガーネットが１枚
減少するためコストダウンも達成できるものである。し
かも挿入損失特性も良好な集中定数型サーキュレータ及
びアイソレータを提供するものであり、産業上極めて有
益なものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明に係る一実施例の断面図であり、第２
図は、従来例の断面図であり、第３図は、本発明に係る
一実施例の挿入損失特性のグラフであり、第４図は、本
発明の実施例と比較例とのガーネットの厚さに対する挿
入損失のグラフである。 １０１・・−中心導体、１０２・・・ガーネット、１０
３・・・セラミック基板、１０４・・・永久磁石、１０
５゜１０６・・・ケース。 第１図 第２図 第３図 ８２０８３５８５０　　（ＭＨｚ１ 周波敷 周波図 手続補正書輸発） 昭和　陣、８．Ｐ＋７　　日 件の表示 昭和６ｍｍ年　特許願第２５３４０１ 号明の名称　　　　集中定数型サーキュレータ及びアイ
ソレータ正をする者 事件との関係　　特許出願人 居　所　　東京都薪箸ｌ冒欠叶Ｔ−２５−１甘軍フェラ
イト株式会社阿 正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」及び「図面の簡単な説明
」の欄及び図面 補正の内容 １．明細書第５頁第２行の「構成した。この実施例の」
をｒ構成した。また、第５図に中心導体部分の平面図を
示す、この実施例の」に補正する。 ２、明細書第５頁第３行の「導体部分の幅は」を「導体
部分の幅ａは」に補正する。 ３、明細書第６頁第２０行の「グラフである。」を「グ
ラフであり、第５図は、本考案に係る一実施例の中心導
体部分の平面図である。」に補正する。 ４、第５図を追加する。 以上 第５図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　相互に絶縁状態で配置される中心導体と、厚さ０．６
    ｍｍ以下の１枚のガーネットと、中央部に前記ガーネッ
    トを挿入可能な透孔を有し、かつパターン電極の形成さ
    れた１枚のセラミック基板と、前記ガーネットに直流磁
    界を印加する永久磁石とから成る集中定数型サーキュレ
    ータ及びアイソレータ。
JP61253401A 1986-10-23 1986-10-23 集中定数型サ−キユレ−タ及びアイソレ−タ Expired - Lifetime JP2526219B2 (ja)

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US07/110,342 US4812787A (en) 1986-10-23 1987-10-20 Lumped constant non-reciprocal circuit element

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