JPS6299461A - 薄膜形成装置および薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成装置および薄膜形成方法Info
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- JPS6299461A JPS6299461A JP60237258A JP23725885A JPS6299461A JP S6299461 A JPS6299461 A JP S6299461A JP 60237258 A JP60237258 A JP 60237258A JP 23725885 A JP23725885 A JP 23725885A JP S6299461 A JPS6299461 A JP S6299461A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/046—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はスパッタリング法によるM膜形成技術に係り、
特に段差被覆性に優れた薄膜形成を可能にするための薄
膜形成装置に関する。
特に段差被覆性に優れた薄膜形成を可能にするための薄
膜形成装置に関する。
従来の薄膜形成装置及び方法の一例を、第2図を用いて
説明する。第2図は従来の薄膜形成装置の一例を示す。
説明する。第2図は従来の薄膜形成装置の一例を示す。
これはバイアススパッタ装置と呼ばれるものである。同
図においてカソード]1は直流又は高周波電源(図示せ
ず)に接続されている。真空槽10内にAr等のガスを
導入し、カソード11に電力を印加して負電位にバイア
スしてグロー放電を発生させる。放電によって発生した
Arイオンは、カソード11表面に入射して、表面のタ
ーゲット13をエツチングする。シャッタ14を開放す
ると被エツチング粒子は基板電極12上に堆積する。こ
の過程において基板電極12にも高周波電力を印加する
とArイオンは基板電極11にも入射し、堆積した粒子
の一部は再度エツチングされる(再スパツタ効果)。堆
積する粒子に対して、再度エツチングされる粒子の割合
せ再スパツタ率と呼ぶ。
図においてカソード]1は直流又は高周波電源(図示せ
ず)に接続されている。真空槽10内にAr等のガスを
導入し、カソード11に電力を印加して負電位にバイア
スしてグロー放電を発生させる。放電によって発生した
Arイオンは、カソード11表面に入射して、表面のタ
ーゲット13をエツチングする。シャッタ14を開放す
ると被エツチング粒子は基板電極12上に堆積する。こ
の過程において基板電極12にも高周波電力を印加する
とArイオンは基板電極11にも入射し、堆積した粒子
の一部は再度エツチングされる(再スパツタ効果)。堆
積する粒子に対して、再度エツチングされる粒子の割合
せ再スパツタ率と呼ぶ。
上記バイアススパッタ法によって形成された膜表面は平
坦になり段差被覆性も向上するという大きな特徴を有す
る。さらにカソードとしてプレーナマグネトロン型カソ
ードを用いるとエクステイデイツド・アブストラクト・
イー・シー・ニス・オブ・フォーティーンス・ミーティ
ング(Ext、 Absts EC3164th Me
etj、ng)P438.1983に示されている様に
、平坦化効果は維持しながら粒子の堆積速度を大幅に向
上させられる。しかしながらこのバイアススパッタ法は
以下に示す2つの問題を有していることがわかった。第
1は十分な平坦化効果、段差被覆性を得るためにはかな
り高い再スパツタの許で膜形成を行わねばならない点に
ある。再スパツタ率が低いと、特開昭59−17025
8に示されている様に、声内部に空胴を生ずる場合があ
る。このことは粒′子の堆積速度を著しく低下させる。
坦になり段差被覆性も向上するという大きな特徴を有す
る。さらにカソードとしてプレーナマグネトロン型カソ
ードを用いるとエクステイデイツド・アブストラクト・
イー・シー・ニス・オブ・フォーティーンス・ミーティ
ング(Ext、 Absts EC3164th Me
etj、ng)P438.1983に示されている様に
、平坦化効果は維持しながら粒子の堆積速度を大幅に向
上させられる。しかしながらこのバイアススパッタ法は
以下に示す2つの問題を有していることがわかった。第
1は十分な平坦化効果、段差被覆性を得るためにはかな
り高い再スパツタの許で膜形成を行わねばならない点に
ある。再スパツタ率が低いと、特開昭59−17025
8に示されている様に、声内部に空胴を生ずる場合があ
る。このことは粒′子の堆積速度を著しく低下させる。
第2は、基板電極11をバイアスすると堆積膜厚均一性
が著しく3) く低下することにある。この問題について特開昭58−
50312に示されている。
が著しく3) く低下することにある。この問題について特開昭58−
50312に示されている。
本発明の目的は改良された装置構造及びこれを用いた膜
形成法を提供し、従来技術の問題点を解消することであ
る。即ち比較的アスペクト比の大きな格子状の中間電極
をカソードと基板電極との間に設けることにより、より
低い再スパツタ率(従来の下限は約30%、本発明では
20%)での膜形成を可性にし、あわせて堆積膜厚均一
性を大幅に改善するものである。
形成法を提供し、従来技術の問題点を解消することであ
る。即ち比較的アスペクト比の大きな格子状の中間電極
をカソードと基板電極との間に設けることにより、より
低い再スパツタ率(従来の下限は約30%、本発明では
20%)での膜形成を可性にし、あわせて堆積膜厚均一
性を大幅に改善するものである。
第1図を用いて本発明の装置の特徴を、第3図を用いて
膜形成法の特徴を説明する。まず第1図について説明す
る。第1図は直空槽1o内にカソード11.基板電極1
2.ターゲット13.シャッタ14の他に複数個の孔1
5aを有する格子状の中間電極15が設けられているこ
とを示す。この中間電極15を設置することによって堆
積膜厚の均一性を向上させ、かつ従来よりも低い再スパ
ツタによる膜形成を可能にするものである。本発明者は
従来技術の問題点が主に以下の理由によって発生するこ
とを見い出した。まずカソード11としてプレーナマグ
ネトロン型又はこれに類似するカソードを用いた場合、
ターゲットから漏洩した磁場の影響が基板電極12表面
にまで及びプラズマやイオンの分布を変化させて蒸厚均
−を劣化させる。また、通常のスパッタリングにおいて
はカソード11表面のターゲット13表面は負電位にバ
イアスされる一方、プラズマの電位はほぼ0もしくは若
干の正電位に保たれるといわれている。
膜形成法の特徴を説明する。まず第1図について説明す
る。第1図は直空槽1o内にカソード11.基板電極1
2.ターゲット13.シャッタ14の他に複数個の孔1
5aを有する格子状の中間電極15が設けられているこ
とを示す。この中間電極15を設置することによって堆
積膜厚の均一性を向上させ、かつ従来よりも低い再スパ
ツタによる膜形成を可能にするものである。本発明者は
従来技術の問題点が主に以下の理由によって発生するこ
とを見い出した。まずカソード11としてプレーナマグ
ネトロン型又はこれに類似するカソードを用いた場合、
ターゲットから漏洩した磁場の影響が基板電極12表面
にまで及びプラズマやイオンの分布を変化させて蒸厚均
−を劣化させる。また、通常のスパッタリングにおいて
はカソード11表面のターゲット13表面は負電位にバ
イアスされる一方、プラズマの電位はほぼ0もしくは若
干の正電位に保たれるといわれている。
これに対して同時に基板電極12にも高層電力を印加し
、負にバイアスすると、カソード11、基板電極12間
のプラズマの電位が場所によって変化し、結果として膜
厚均一性を劣化させる。中間電極15はこの様なプラズ
マの電位の不安定性を改善する効果を有するものと考え
られる。また必要に応じてこの中間電極25の少なく共
一部を軟磁性体によって構成することにより、カソード
11からの漏洩磁場の影響をより少なくすることができ
る。さらに中間電極15の格子のアスペクト比を0.1
以上とすることにより、通常のスパッタ法において第3
図に、バイアススパッタ法については第4図に示す様に
堆積膜の被覆形状が改善され、従来よりも低い再スパツ
タ率120%の許での平坦化が可能となり、再スパツタ
率20〜70%で良好な結果が得られることを見い出し
た。
、負にバイアスすると、カソード11、基板電極12間
のプラズマの電位が場所によって変化し、結果として膜
厚均一性を劣化させる。中間電極15はこの様なプラズ
マの電位の不安定性を改善する効果を有するものと考え
られる。また必要に応じてこの中間電極25の少なく共
一部を軟磁性体によって構成することにより、カソード
11からの漏洩磁場の影響をより少なくすることができ
る。さらに中間電極15の格子のアスペクト比を0.1
以上とすることにより、通常のスパッタ法において第3
図に、バイアススパッタ法については第4図に示す様に
堆積膜の被覆形状が改善され、従来よりも低い再スパツ
タ率120%の許での平坦化が可能となり、再スパツタ
率20〜70%で良好な結果が得られることを見い出し
た。
また基板電極に高周波電力を印加しない、通常のスパッ
タリング法においても、膜の段差被覆性が大幅に改善さ
れることを見い出した。
タリング法においても、膜の段差被覆性が大幅に改善さ
れることを見い出した。
〔発明の実施例〕
以下本発明の実施例を第1図、第2図および第3図を用
いて説明する。
いて説明する。
実施例1
第1図を用いて説明する。プレーナマグネトロンカソー
ド11及び基板電極12の外径は1.5■、Afiから
なるターゲット13表面と基板電極J2の表面との距離
を60とした。カソード11に2 W/cxlの直流電
力を加え、基板電極1.2上のウェーハ16表面上に平
均厚さ約1μmのAQ模膜形6) を形成した。A Q圧力は0.67Pa、AQ膜形成速
度は約0.3μm / m i mであった。Afl膜
厚が±10%の範囲にある領域(はぼ円形領域)の径r
1の基板電極径Rに対する比r / Rは約0.5であ
った。次にアスペクト比0.3の格子で開口率が約80
%の厚さが5mの中間電極15を第1図に示す様に設置
した、電位は基板電極12と同じ接地とした。シャッタ
14を開放して、はぼ同一条件で膜を形成した。膜形成
速度は約0.2μm/m j、 m に低下したが、±
10均一領域の比r / Rは約0.7 と大幅に向
上した。開口率を中間電極内部では低く1周辺部で高く
調整することによりr / Rは0.8〜0.9へと更
に改善された。また、Siウェハ1−6表面の段差部に
おける被覆性も大幅に改善されることが認められた。第
2図にその結果の一例を示す。同図にはSiウェハ20
表面に形成された5jOz膜21中の溝部分におけるA
Q、膜22の堆積形状の、中間電極の有無による変化
を比較して示す。溝のアスペクト比は約1で深さ、幅共
に1μmであった。まず中間電極が存断面は22aとし
て示すようにオーバーハング状となっていた。段差被覆
係数S、即ち溝部におけるAQ膜の最も薄い部分の厚さ
Tlの平坦部の膜厚Tに対する比T I / T はた
かだか0.1〜0.2であり信頼性の点で問題がある。
ド11及び基板電極12の外径は1.5■、Afiから
なるターゲット13表面と基板電極J2の表面との距離
を60とした。カソード11に2 W/cxlの直流電
力を加え、基板電極1.2上のウェーハ16表面上に平
均厚さ約1μmのAQ模膜形6) を形成した。A Q圧力は0.67Pa、AQ膜形成速
度は約0.3μm / m i mであった。Afl膜
厚が±10%の範囲にある領域(はぼ円形領域)の径r
1の基板電極径Rに対する比r / Rは約0.5であ
った。次にアスペクト比0.3の格子で開口率が約80
%の厚さが5mの中間電極15を第1図に示す様に設置
した、電位は基板電極12と同じ接地とした。シャッタ
14を開放して、はぼ同一条件で膜を形成した。膜形成
速度は約0.2μm/m j、 m に低下したが、±
10均一領域の比r / Rは約0.7 と大幅に向
上した。開口率を中間電極内部では低く1周辺部で高く
調整することによりr / Rは0.8〜0.9へと更
に改善された。また、Siウェハ1−6表面の段差部に
おける被覆性も大幅に改善されることが認められた。第
2図にその結果の一例を示す。同図にはSiウェハ20
表面に形成された5jOz膜21中の溝部分におけるA
Q、膜22の堆積形状の、中間電極の有無による変化
を比較して示す。溝のアスペクト比は約1で深さ、幅共
に1μmであった。まず中間電極が存断面は22aとし
て示すようにオーバーハング状となっていた。段差被覆
係数S、即ち溝部におけるAQ膜の最も薄い部分の厚さ
Tlの平坦部の膜厚Tに対する比T I / T はた
かだか0.1〜0.2であり信頼性の点で問題がある。
これに対して中間電極を設置した場合、AQ堆稙断面は
32bとして示す形状となり、オーバーハングは殆ど見
られなくなった。段差被覆係数’I”、 x / Tは
約0.4と大幅に向上した。
32bとして示す形状となり、オーバーハングは殆ど見
られなくなった。段差被覆係数’I”、 x / Tは
約0.4と大幅に向上した。
実施例2
第1図及び第3図を用いて説明する。
装置形状及び膜形成条件は実施例1とほぼ同一とした。
ただし本実施例においては基板電極12にも約0.6W
/a#の13.56MHzの高周波電力を印加した。ま
ず中間電極15のない場合、膜形成速度は基板電極12
への電力印加により0.3→0.23μyn / +n
inと約25%(再スパッタ約25%)低下した、また
r / Rは0.5から0.2へと低下した。AQ膜の
堆積断面形状は第3図に32aとして示す様にオーバー
ハング形状は解消し、表面はほぼ平坦化されたものの、
溝内部のAQ腹膜中は空洞33が形成された。この空洞
33が解消される為には再スパツタ率として約50%が
必要であったが、その時のr / Rは更に減少した。
/a#の13.56MHzの高周波電力を印加した。ま
ず中間電極15のない場合、膜形成速度は基板電極12
への電力印加により0.3→0.23μyn / +n
inと約25%(再スパッタ約25%)低下した、また
r / Rは0.5から0.2へと低下した。AQ膜の
堆積断面形状は第3図に32aとして示す様にオーバー
ハング形状は解消し、表面はほぼ平坦化されたものの、
溝内部のAQ腹膜中は空洞33が形成された。この空洞
33が解消される為には再スパツタ率として約50%が
必要であったが、その時のr / Rは更に減少した。
次に中間電極15を設け、AQ膜形成速度がO−2μm
/ mj、nから0.15 p m/minと約25
%低下するように基板電極15に高周波電力を印加した
。その結果r / R二o 、 5 を保つことがで
きた。また格子の開口率の調整によりr / Rは0.
7にまで高めることができた。
/ mj、nから0.15 p m/minと約25
%低下するように基板電極15に高周波電力を印加した
。その結果r / R二o 、 5 を保つことがで
きた。また格子の開口率の調整によりr / Rは0.
7にまで高めることができた。
またAΩ堆積膜断面形状は第3図32bとして示すよう
に、第1図の中間電極15によって若干改善されたのみ
であったが、空洞33は消失し、低い再スパツタ率の許
でも十分な平坦化効果の得られることがわかった。
に、第1図の中間電極15によって若干改善されたのみ
であったが、空洞33は消失し、低い再スパツタ率の許
でも十分な平坦化効果の得られることがわかった。
実施例3
第1図と第3図を用い、S i 02膜のバイアススパ
ッタ法による形成例について説明する。第1図に示す装
置において、プレーナマグネトロン力ソード11には高
周波電力を、3.5W/d印加し、基板電極12には0
.6W/cdの高周波電力を印加した。基板電極12へ
の高周波電力印加により、SiO2堆積速度は0 、6
n m /minが0.4n m / minと約3
0%低下した。r / ’Rは0.7が0.2へと低下
した。
ッタ法による形成例について説明する。第1図に示す装
置において、プレーナマグネトロン力ソード11には高
周波電力を、3.5W/d印加し、基板電極12には0
.6W/cdの高周波電力を印加した。基板電極12へ
の高周波電力印加により、SiO2堆積速度は0 、6
n m /minが0.4n m / minと約3
0%低下した。r / ’Rは0.7が0.2へと低下
した。
次にアスペクト比1の格子を有する中間電極25を設置
した。同一のカソード電力に対して再スパツタ率が30
%となる様に約0.75W/cdの高周波電力を基板電
極に印加した。中間電極25の設置により、r/Rは約
0.6 と大幅に改善された。また第3図に於いて示さ
れた様な、SiウェハのAQ膜31中の溝部分に堆積し
た5iOz膜32には空洞33が発生していないことも
わかった。
した。同一のカソード電力に対して再スパツタ率が30
%となる様に約0.75W/cdの高周波電力を基板電
極に印加した。中間電極25の設置により、r/Rは約
0.6 と大幅に改善された。また第3図に於いて示さ
れた様な、SiウェハのAQ膜31中の溝部分に堆積し
た5iOz膜32には空洞33が発生していないことも
わかった。
本発明の格子状中間電極を有するスパッタ装置を用いる
ことにより、従来装置によるよりも膜形成速度は若干低
下するものの、膜厚均一性は大幅に向上する。格子の開
口率@整により、膜厚均一性は更に向上する。また中間
電極中の孔又は溝のアスペクト比を適当に選ぶことによ
って膜の段差被覆性も大幅に向上し、特にバイアススパ
ッタ法に於てはより低い再スパツタ率の許で膜を形成し
ても十分な平坦化と空洞は消失させる効果が得られるこ
とがわかった。シャッタ14と中間電極15との位置関
係は、特に制約はないが中間電極15、シャッタ14よ
りも近くするとシャッタに付着する膜の剥離がやや発生
しにくいという効果が得られた。
ことにより、従来装置によるよりも膜形成速度は若干低
下するものの、膜厚均一性は大幅に向上する。格子の開
口率@整により、膜厚均一性は更に向上する。また中間
電極中の孔又は溝のアスペクト比を適当に選ぶことによ
って膜の段差被覆性も大幅に向上し、特にバイアススパ
ッタ法に於てはより低い再スパツタ率の許で膜を形成し
ても十分な平坦化と空洞は消失させる効果が得られるこ
とがわかった。シャッタ14と中間電極15との位置関
係は、特に制約はないが中間電極15、シャッタ14よ
りも近くするとシャッタに付着する膜の剥離がやや発生
しにくいという効果が得られた。
格子の開口部は円、正方形その他任意の多角形であって
良い。また格子開口のアスペクト比は0゜1以」二であ
れば段差被覆性改善効果が現れる。アスペクト比の大き
い方が改善効果が著しいが、あまり大きいと堆積速度の
低下が発生するので、目的に応じて調整した方が好まし
い。実用上アスペクト比を0.3〜1.0の範囲に選べ
ば好ましい結果が得られる。なお膜形成材料としてはA
QやAflを主成分とする合金の他遷移金属など、殆ど
の金属9合金、金属間化合物、金属硅化物など導電性材
料に適用可能である。またS j02.S jN。
良い。また格子開口のアスペクト比は0゜1以」二であ
れば段差被覆性改善効果が現れる。アスペクト比の大き
い方が改善効果が著しいが、あまり大きいと堆積速度の
低下が発生するので、目的に応じて調整した方が好まし
い。実用上アスペクト比を0.3〜1.0の範囲に選べ
ば好ましい結果が得られる。なお膜形成材料としてはA
QやAflを主成分とする合金の他遷移金属など、殆ど
の金属9合金、金属間化合物、金属硅化物など導電性材
料に適用可能である。またS j02.S jN。
AQzOsなどの他、T(1,’T’i 、Cr、AQ
などの酸化物や窒化物など各種絶縁物も適用可能である
。
などの酸化物や窒化物など各種絶縁物も適用可能である
。
なおAQ等の低融点材料の膜形成には、中間電極25を
冷却した方がより平滑性の高い膜が得られた。逆にSj
、Oz膜等の形成に於いては、中間電極25を加熱する
方が段差損性、膜質の両面で望ましい結果が得られた。
冷却した方がより平滑性の高い膜が得られた。逆にSj
、Oz膜等の形成に於いては、中間電極25を加熱する
方が段差損性、膜質の両面で望ましい結果が得られた。
また膜形成前もしくは途中に中間電極を加熱することに
より、真空槽内の不純物ガスがより効果的に排出された
り、膜の結晶粒径が大きくなる等の効果が得られた。ま
たプレーナマグネトロン型カソードのみならず、従来の
カソードを用いた場合についても同様な効果の得られる
ことはいうまでもない。なお中間電極の孔のアスペクト
比は0.1 以上であれば段差被覆性改善効果が得られ
るが、0.3以−J=の場合がより望ましい。
より、真空槽内の不純物ガスがより効果的に排出された
り、膜の結晶粒径が大きくなる等の効果が得られた。ま
たプレーナマグネトロン型カソードのみならず、従来の
カソードを用いた場合についても同様な効果の得られる
ことはいうまでもない。なお中間電極の孔のアスペクト
比は0.1 以上であれば段差被覆性改善効果が得られ
るが、0.3以−J=の場合がより望ましい。
さらに5i02等の絶縁膜形成に適用する場合にも、m
8272)に示した如く、高周波電力に直流電力を重畳
させたものをカソードもしくは基板電極の少なくともい
ずれかと中間電極との間に加えることによって、中間電
極表面を相対的に任意の電位に保つことができた。
8272)に示した如く、高周波電力に直流電力を重畳
させたものをカソードもしくは基板電極の少なくともい
ずれかと中間電極との間に加えることによって、中間電
極表面を相対的に任意の電位に保つことができた。
第1図は本発明の一実施例を説明するための図、第2図
および第3図は本発明の詳細な説明するための図である
。 10・・・真空槽、11・・・カソード、12・・・基
板電極、13・・・ターゲット、]、4・・・シャッタ
、15・・・中間電極、20.30・・・Siウェハ、
21,31・・・段差を有する5iOz又はAQの段差
、22.32・・・AQ又は5jOz膜、 22a、3
2a=−従来法による堆積膜断面形状、22b、32b
・・・本発明に(]3) 茅1図
および第3図は本発明の詳細な説明するための図である
。 10・・・真空槽、11・・・カソード、12・・・基
板電極、13・・・ターゲット、]、4・・・シャッタ
、15・・・中間電極、20.30・・・Siウェハ、
21,31・・・段差を有する5iOz又はAQの段差
、22.32・・・AQ又は5jOz膜、 22a、3
2a=−従来法による堆積膜断面形状、22b、32b
・・・本発明に(]3) 茅1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、負電位にバイアスされた電極(カソード)表面をイ
オンによつてエッチングし、被エッチング粒子を対応し
て設置された基板電極上に堆積させるスパッタリング法
を用いた薄膜形成装置において、カソードと基板電極と
の間に溝又は孔の深さ(D)と幅(W)の比D/Wが0
.1以上の孔又は溝を少なく共1個含むことを特徴とす
る薄膜形成装置。 2、上記中間電極の電位をカソードもしくは基板電極の
いずれかとほぼ同電位もしくはそのいずれかよりも正電
位に保つ機構を有することを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の薄膜形成装置。 3、上記中間電極の少なくとも一部が軟磁性体によつて
構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
もしくは第2項記載の薄膜形成装置。
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