JPS6295749A - 光メモリ用スタンパの製造方法 - Google Patents
光メモリ用スタンパの製造方法Info
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- JPS6295749A JPS6295749A JP23554885A JP23554885A JPS6295749A JP S6295749 A JPS6295749 A JP S6295749A JP 23554885 A JP23554885 A JP 23554885A JP 23554885 A JP23554885 A JP 23554885A JP S6295749 A JPS6295749 A JP S6295749A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、コンパクトディスク、レーザディスク等の光
メモリ用ディスク基板の製造において必要となるスタン
パの製造方法に関する。
メモリ用ディスク基板の製造において必要となるスタン
パの製造方法に関する。
本発明は、光メモリー用スタンパ製造工程において、ガ
ラス基板上のレジストパターンをシリコンゴムによって
転写しシリコンゴムマスターを作り、さらにシリコンゴ
ムマスターのパターンをネガ型紫外線硬化樹脂によりて
転写してネガ型紫外線硬化樹脂マスクを作ることにより
レジストの現像後、３回行う電鋳を１回にすることによ
る大幅な時間短縮、歩留りの向上及びコスト減の効果を
得るものである。
ラス基板上のレジストパターンをシリコンゴムによって
転写しシリコンゴムマスターを作り、さらにシリコンゴ
ムマスターのパターンをネガ型紫外線硬化樹脂によりて
転写してネガ型紫外線硬化樹脂マスクを作ることにより
レジストの現像後、３回行う電鋳を１回にすることによ
る大幅な時間短縮、歩留りの向上及びコスト減の効果を
得るものである。
従来の光メモリ用スタンパ製造工程は、第１図に示され
ているガラス原板α図にレジストをスピンコードしｂ図
、前乾燥をし、レーザーカッティングによる信号パター
ンの記録をし６図、現像処理をしｄ図、後乾燥させ、第
２図に示す導電化処理に図の後、電鋳を行う。導電化処
理されたレジストを電鋳してマスタースタンパが得られ
５図、次いでマスタースタンパを電鋳してマザースタン
パが得られているＮ図。つまり３回の電鋳を経てスタン
パは製造されているＯ 〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし前述
の従来技術では特にマスタースタンパ製造、マザースタ
ンパ製造及びスタンパ製造の３回の電鋳を行なわなけれ
ばならず、１回の電鋳が３，４時間かかり、しかもその
後研磨などの後加工の時間を含め大幅な時間がかかって
いた。また電鋳層を基板から離型すると、大きなそりが
発生し、研磨できない場合もある〇 またレジスト層からマスタースタンパをはがす時、マス
タースタンパの信号ピット形状にレジストが付着したま
ま残っている場合、このレジストがとれない時があり、
その場合ピット形状が正しく転写できていないのでマザ
ースタンパ製造に悪影響を及ぼすという問題点がある。
ているガラス原板α図にレジストをスピンコードしｂ図
、前乾燥をし、レーザーカッティングによる信号パター
ンの記録をし６図、現像処理をしｄ図、後乾燥させ、第
２図に示す導電化処理に図の後、電鋳を行う。導電化処
理されたレジストを電鋳してマスタースタンパが得られ
５図、次いでマスタースタンパを電鋳してマザースタン
パが得られているＮ図。つまり３回の電鋳を経てスタン
パは製造されているＯ 〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし前述
の従来技術では特にマスタースタンパ製造、マザースタ
ンパ製造及びスタンパ製造の３回の電鋳を行なわなけれ
ばならず、１回の電鋳が３，４時間かかり、しかもその
後研磨などの後加工の時間を含め大幅な時間がかかって
いた。また電鋳層を基板から離型すると、大きなそりが
発生し、研磨できない場合もある〇 またレジスト層からマスタースタンパをはがす時、マス
タースタンパの信号ピット形状にレジストが付着したま
ま残っている場合、このレジストがとれない時があり、
その場合ピット形状が正しく転写できていないのでマザ
ースタンパ製造に悪影響を及ぼすという問題点がある。
そこで本発明はかかる問題点を解決するもので、その目
的とするところは、電鋳工程を１回にすることにより、
電鋳時間の短縮を図るとともに後加工も１回になり、そ
りの問題も１回となり時間の短縮及び歩留りが向上し、
また電鋳層にレジストが付着して残りても、その信号ピ
ット形状付レジストのガラスマスクを工程初めから製造
せずに短時間で複製でき、コストも安く・大量生産でき
る光メモリ用スタンパの製造方法を提供するものである
。
的とするところは、電鋳工程を１回にすることにより、
電鋳時間の短縮を図るとともに後加工も１回になり、そ
りの問題も１回となり時間の短縮及び歩留りが向上し、
また電鋳層にレジストが付着して残りても、その信号ピ
ット形状付レジストのガラスマスクを工程初めから製造
せずに短時間で複製でき、コストも安く・大量生産でき
る光メモリ用スタンパの製造方法を提供するものである
。
本発明の光メモリ用スタンパの製造方法は・（１）光メ
モリ用信号ピット形状をもつレジスト面と、平担度の良
い基板の間にシリコンゴムをはさみこみ加熱することに
よりシリコンゴムを硬化させて、シリコンゴムマスター
を製造することを特、−とする。
モリ用信号ピット形状をもつレジスト面と、平担度の良
い基板の間にシリコンゴムをはさみこみ加熱することに
よりシリコンゴムを硬化させて、シリコンゴムマスター
を製造することを特、−とする。
（２） 前述のシリコンゴムマスターとガラス原板の
間にネガ型紫外線硬化樹脂をはさみこみ、紫外線を照射
することにより硬化させてネガ型紫外線硬化樹脂マスタ
ーを製造することを特徴とする。
間にネガ型紫外線硬化樹脂をはさみこみ、紫外線を照射
することにより硬化させてネガ型紫外線硬化樹脂マスタ
ーを製造することを特徴とする。
（３）前述（２）のネガ型紫外線硬化樹脂マスターに、
導電化処理をし、電鋳をおこなって光メモリ用スタンパ
を製造することを特徴とする。
導電化処理をし、電鋳をおこなって光メモリ用スタンパ
を製造することを特徴とする。
以下、本発明について実施例に基づき詳細に説明する◎
第１図は本発明の実施例におけるスタンパ製造工程を示
す断面（２）である。６図において、１は表面粗さが０
．０２３に仕上げられたφ２ＱＱＩｍ）、厚みが１０±
０．００５１１のガラス原板である。ｂｍはレジスト塗
布時であり、２はポジレジストであり、スピンフート法
で１３ｏｏＸの厚みを形成する。次いで０図は、レザー
カッティングマシーンで信号ピットをレザー光で形成し
た後の断面図でｄ図はレザー照射部を、アルカリ現像液
で現像した時の断面図である＠現像後ガラス原板上にレ
ジストでピット形状が形成されたガラスマスターができ
るＣ 次に上記ガラスマスターのピット形状をシリコンゴム５
を用いて基板４に転写する。まずガラスマスターの中央
部にシリフンゴム３のオリゴマーを滴下し、その上にブ
ライマー処理された基板４でサンドイッチしシリコンゴ
ム３を硬化させるとガラスマスターとは逆パターンのマ
スターができる。上記のシリコンゴム３は市販のものを
用いることができる。例えば、東芝シリコーン社ＷＹＥ
５６２６、ダウコーニング社製シルボッ） １８４＃、
１８６＃、シ５ Ｘ コ＞ ＲＴ Ｖ ７５００が適当
である◎硬化条件は、８０℃の場合３０分で充分硬化す
る。シリコンゴム３をサンドイッチする際空気が入らな
いようにすることが重要である。また、シリコンゴム３
の厚みは１００μ以下が望ましい。
す断面（２）である。６図において、１は表面粗さが０
．０２３に仕上げられたφ２ＱＱＩｍ）、厚みが１０±
０．００５１１のガラス原板である。ｂｍはレジスト塗
布時であり、２はポジレジストであり、スピンフート法
で１３ｏｏＸの厚みを形成する。次いで０図は、レザー
カッティングマシーンで信号ピットをレザー光で形成し
た後の断面図でｄ図はレザー照射部を、アルカリ現像液
で現像した時の断面図である＠現像後ガラス原板上にレ
ジストでピット形状が形成されたガラスマスターができ
るＣ 次に上記ガラスマスターのピット形状をシリコンゴム５
を用いて基板４に転写する。まずガラスマスターの中央
部にシリフンゴム３のオリゴマーを滴下し、その上にブ
ライマー処理された基板４でサンドイッチしシリコンゴ
ム３を硬化させるとガラスマスターとは逆パターンのマ
スターができる。上記のシリコンゴム３は市販のものを
用いることができる。例えば、東芝シリコーン社ＷＹＥ
５６２６、ダウコーニング社製シルボッ） １８４＃、
１８６＃、シ５ Ｘ コ＞ ＲＴ Ｖ ７５００が適当
である◎硬化条件は、８０℃の場合３０分で充分硬化す
る。シリコンゴム３をサンドイッチする際空気が入らな
いようにすることが重要である。また、シリコンゴム３
の厚みは１００μ以下が望ましい。
厚くなると熱収縮による寸法変化が大きくなるからであ
る。シリコンゴム５と一体となる基板４はガラスまたは
金属の平担度のあるものが用いられる。また基板４とシ
リコンゴム３の密着性を良くするために基板表面にあら
かじめプライマー処理をしておく。
る。シリコンゴム５と一体となる基板４はガラスまたは
金属の平担度のあるものが用いられる。また基板４とシ
リコンゴム３の密着性を良くするために基板表面にあら
かじめプライマー処理をしておく。
次いでｆ図は、ガラス原板５に接着処理を施こす工程で
ある。接着剤６は、シリコンカップリング剤を用い、等
速引き上げ法で均一に塗布した後、１００℃で１時間乾
燥させる。
ある。接着剤６は、シリコンカップリング剤を用い、等
速引き上げ法で均一に塗布した後、１００℃で１時間乾
燥させる。
次いで２図は、６図の工程で作られたシリコンゴム乙の
マスターのピットパターンを、ネガ型紫外線硬化樹脂７
を使って転写しマスターを作る工程である。まず、シリ
コンゴムマスターの中央部にネガ型紫外線硬化樹脂７を
滴下した後、真空脱泡をする。またｆ図の工程のガラス
原板５の中央部にも、ネガ型紫外線硬化樹脂７を滴下し
、真空脱泡をする６次いで上記のシリコンゴムマスター
とガラス原板５をはりあわせる０このはりあわせする際
に空気がはいらないようにすることが重要である。また
紫外線硬化樹脂７は、はりあわされた際の厚みが１００
μ以下の厚みであることが望ましい。厚くなると硬化時
の収縮による寸法変化が大きくなるからである。またネ
ガ型紫外線硬化樹脂は、市販のアクリル系の感光樹脂を
用いることができる。次いでシリコンゴムマスターとガ
ラス原板５にサンドイッチ状にはさまれたネガ型紫外線
硬化樹脂７へ、紫外線を照射する。紫外線はガラス原板
５中を透過して、ネガ型紫外線硬化樹脂７に到達する０
露光条件は、光源ｉ ｏ、、ｖで、１分間照射する〇 次いで五図は、ネガ型紫外線硬化樹脂７のマスターであ
る・これは、シリコンゴムと紫外線硬化したネガ型紫外
線硬化樹脂７の界面から分離することによって得られる
。
マスターのピットパターンを、ネガ型紫外線硬化樹脂７
を使って転写しマスターを作る工程である。まず、シリ
コンゴムマスターの中央部にネガ型紫外線硬化樹脂７を
滴下した後、真空脱泡をする。またｆ図の工程のガラス
原板５の中央部にも、ネガ型紫外線硬化樹脂７を滴下し
、真空脱泡をする６次いで上記のシリコンゴムマスター
とガラス原板５をはりあわせる０このはりあわせする際
に空気がはいらないようにすることが重要である。また
紫外線硬化樹脂７は、はりあわされた際の厚みが１００
μ以下の厚みであることが望ましい。厚くなると硬化時
の収縮による寸法変化が大きくなるからである。またネ
ガ型紫外線硬化樹脂は、市販のアクリル系の感光樹脂を
用いることができる。次いでシリコンゴムマスターとガ
ラス原板５にサンドイッチ状にはさまれたネガ型紫外線
硬化樹脂７へ、紫外線を照射する。紫外線はガラス原板
５中を透過して、ネガ型紫外線硬化樹脂７に到達する０
露光条件は、光源ｉ ｏ、、ｖで、１分間照射する〇 次いで五図は、ネガ型紫外線硬化樹脂７のマスターであ
る・これは、シリコンゴムと紫外線硬化したネガ型紫外
線硬化樹脂７の界面から分離することによって得られる
。
この後の工程としてｆ図に示す導電化処理及び１図に示
す電鋳及び裏面研磨でスタンパが・できあがる。導電化
処理は導電化膜８をニッケルとし、ネガ型紫外線硬化樹
脂マスターに厚みで１０００Ａ位つける。方法として無
電解ニッケルメッキもしくは、スパッタ方式が用いられ
る。電鋳工程ではニッケル電鋳層９を厚み３００μ程度
とする〇電鋳後、ニッケル電鋳層の裏面を市販のポリッ
シングマシーンを用いて表面粗さが０．１〜００４Ｓの
範囲に研磨する。次にネガ型紫外線硬化樹脂マスターか
らニッケル電鋳層をはがし、所望の寸法に内外径加工す
るとスタンパが完成する。
す電鋳及び裏面研磨でスタンパが・できあがる。導電化
処理は導電化膜８をニッケルとし、ネガ型紫外線硬化樹
脂マスターに厚みで１０００Ａ位つける。方法として無
電解ニッケルメッキもしくは、スパッタ方式が用いられ
る。電鋳工程ではニッケル電鋳層９を厚み３００μ程度
とする〇電鋳後、ニッケル電鋳層の裏面を市販のポリッ
シングマシーンを用いて表面粗さが０．１〜００４Ｓの
範囲に研磨する。次にネガ型紫外線硬化樹脂マスターか
らニッケル電鋳層をはがし、所望の寸法に内外径加工す
るとスタンパが完成する。
上述の如く本発明の製造工程によれば、（１） −ｒＸ
タースタンパ製造及びマザースタンパ製造は電鋳法にて
行なわれているが、これをシリフンゴム及びネガ型紫外
線硬化樹脂でマスターを製造することによって、この工
程の時間を大幅に短縮することができ、また低コストで
ある。
タースタンパ製造及びマザースタンパ製造は電鋳法にて
行なわれているが、これをシリフンゴム及びネガ型紫外
線硬化樹脂でマスターを製造することによって、この工
程の時間を大幅に短縮することができ、また低コストで
ある。
（２） シリコンゴムマスターは、信号ピット付レジ
スト面をきれいに転写し、しかもレジストがシリコンゴ
ムに密着して残ることがなく、簡単に精度の良いものが
製造できる。
スト面をきれいに転写し、しかもレジストがシリコンゴ
ムに密着して残ることがなく、簡単に精度の良いものが
製造できる。
（３） ネガ型紫外線硬化樹脂マスターは・シリコン
ゴムマスターをきれいに転写し、しかもきれいに離型す
るため、簡単に精度の良いものが製造できる。
ゴムマスターをきれいに転写し、しかもきれいに離型す
るため、簡単に精度の良いものが製造できる。
（４） シリコンゴムマスター及びネガ型紫外ＩＪＩ
化樹脂マスターは・平担度のある基板に密着しているた
め、そりの発生がなく、また、電鋳後に必要な外径加工
や研磨の工程が、必要ないため時間の短縮と歩留りの向
上ができる。
化樹脂マスターは・平担度のある基板に密着しているた
め、そりの発生がなく、また、電鋳後に必要な外径加工
や研磨の工程が、必要ないため時間の短縮と歩留りの向
上ができる。
（５）ネガ型紫外線硬化樹脂マスターが電鋳後、電鋳層
に付着してピット形状がくずれても、製造工程始めのス
ピンコードから打う必要がなく、シリコンゴムマスター
から簡単に複製でき、大量に精度よく、短時間に、歩留
り良く製造することが可能である。
に付着してピット形状がくずれても、製造工程始めのス
ピンコードから打う必要がなく、シリコンゴムマスター
から簡単に複製でき、大量に精度よく、短時間に、歩留
り良く製造することが可能である。
（６） シリコンゴムマスターは、電鋳によって製造
されるマスタースタンパより耐久性があり何度も使える
うえ、低コストであるり 以上述べた効果を本発明は有する。
されるマスタースタンパより耐久性があり何度も使える
うえ、低コストであるり 以上述べた効果を本発明は有する。
’Ｍ Ｉ 図（ａ）〜（ｊ）は、本発明の光メモリ用ス
タンパの製造工程の断面図。 ２１７、２ 図（ａ）〜（ｄ）は、従来のスタンパ製造
における電鋳工程の断面図。 １・・・ガラス原板 ２・・・レジスト ３・・・シリコンゴム ４・・・基板 ５・・・ガラス基板 ６・・・接着剤 ７・・・ネガ型紫外線硬化樹脂 ８・・・導電化膜 ９・・・スタンパのＮ１電鋳層 １０・・・マスタースタンパのＮｉｔ鋳層１１・・・マ
ザースタンパのＮｉ１！！鋳層１２・・・スタンパのＮ
１電鋳層 以 上 と 咄 票 一 へ う 本、 ｃｓａ 記−ノ
、−８ １ ・・・ 力′う７−７！’Ｎ ２−・・ レツ′ス１− ３〜・・ しリコ〉つＬＸ ４ ・ ・・ 少レオ（ ■、、、−７フーラスＬ力（ ６２１，忰Ａな１ ワ 、１．−＋カ・ｔう５ダＹ子業石咲メしＭ指？・
−・ Ｉ４囁ダノｅ７Ｉ憂Ｊ ｏ、、 ・、２７ンハａｒ） Ｍ電＠４ｔｏ 、、 、
７ｚ９．７４ンＪ＼’ｎＡ／２’Ｔｊ−Ｑ’Ｐ％１２・
−・又７ン昌物Ｎ澤μ泡
タンパの製造工程の断面図。 ２１７、２ 図（ａ）〜（ｄ）は、従来のスタンパ製造
における電鋳工程の断面図。 １・・・ガラス原板 ２・・・レジスト ３・・・シリコンゴム ４・・・基板 ５・・・ガラス基板 ６・・・接着剤 ７・・・ネガ型紫外線硬化樹脂 ８・・・導電化膜 ９・・・スタンパのＮ１電鋳層 １０・・・マスタースタンパのＮｉｔ鋳層１１・・・マ
ザースタンパのＮｉ１！！鋳層１２・・・スタンパのＮ
１電鋳層 以 上 と 咄 票 一 へ う 本、 ｃｓａ 記−ノ
、−８ １ ・・・ 力′う７−７！’Ｎ ２−・・ レツ′ス１− ３〜・・ しリコ〉つＬＸ ４ ・ ・・ 少レオ（ ■、、、−７フーラスＬ力（ ６２１，忰Ａな１ ワ 、１．−＋カ・ｔう５ダＹ子業石咲メしＭ指？・
−・ Ｉ４囁ダノｅ７Ｉ憂Ｊ ｏ、、 ・、２７ンハａｒ） Ｍ電＠４ｔｏ 、、 、
７ｚ９．７４ンＪ＼’ｎＡ／２’Ｔｊ−Ｑ’Ｐ％１２・
−・又７ン昌物Ｎ澤μ泡
Claims (1)
- 光メモリ用信号ピット形状をもつレジスト付ガラス原板
面を、シリコンゴムで転写することによってシリコンゴ
ムマスターを製造し、次いでこのシリコンゴムマスター
をネガ型紫外線硬化樹脂で転写することによってネガ型
紫外線硬化樹脂マスターを製造し、次いでこのネガ型紫
外線硬化樹脂マスターに導電化処理及び電鋳を、おこな
ってスタンパを製造することを特徴とする光メモリ用ス
タンパの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23554885A JPS6295749A (ja) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | 光メモリ用スタンパの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23554885A JPS6295749A (ja) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | 光メモリ用スタンパの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6295749A true JPS6295749A (ja) | 1987-05-02 |
Family
ID=16987610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23554885A Pending JPS6295749A (ja) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | 光メモリ用スタンパの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6295749A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0481753A2 (en) * | 1990-10-19 | 1992-04-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Molding roll, method for manufacturing it, and apparatus for forming substrate sheet for optical recording medium |
| JPH04228129A (ja) * | 1973-10-15 | 1992-08-18 | Discovision Assoc | 光ディスク製造用金型の形成法 |
| WO1999052104A1 (en) * | 1998-04-06 | 1999-10-14 | Imation Corp. | Process for making multiple data storage disk stampers from one master |
| US6616867B2 (en) | 2001-02-07 | 2003-09-09 | Imation Corp. | Multi-generation stampers |
| US6638692B1 (en) | 2001-07-16 | 2003-10-28 | Imation Corp. | Replicated regions on optical disks |
| KR100501734B1 (ko) * | 2002-05-14 | 2005-07-18 | 주식회사 엘지에스 | 광학필름 제조장치 |
| US6977052B1 (en) | 2002-01-18 | 2005-12-20 | Imation Corp | Check disk for optical data storage disk manufacturing |
| US7008208B1 (en) | 2002-01-17 | 2006-03-07 | Imation Corp. | Grounded molding tool for manufacture of optical components |
| CN107672331A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-02-09 | 广东星弛光电科技有限公司 | 一种平面玻璃视窗防护屏uv纹理转印制备工艺 |
-
1985
- 1985-10-22 JP JP23554885A patent/JPS6295749A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH04228129A (ja) * | 1973-10-15 | 1992-08-18 | Discovision Assoc | 光ディスク製造用金型の形成法 |
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