JPS6294013A - 温度補償型ｍｉｓ発振器 - Google Patents

温度補償型ｍｉｓ発振器

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JPS6294013A
JPS6294013A JP61245160A JP24516086A JPS6294013A JP S6294013 A JPS6294013 A JP S6294013A JP 61245160 A JP61245160 A JP 61245160A JP 24516086 A JP24516086 A JP 24516086A JP S6294013 A JPS6294013 A JP S6294013A
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    • Y02P80/15—On-site combined power, heat or cool generation or distribution, e.g. combined heat and power [CHP] supply

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「発明の技術分野１ 本発明は、温度補償電流源を有するモノリシック集積回
路の相補型金属−絶縁体一半導体型（以下、ＭＩＳとい
う）発振器に関するものである。
［従来の技術及び従来の技術の問題点１集積回路のＭＩ
Ｓ発Ｓ器において、金属−酸化物−半導体型電界効果ト
ランジスタ（以下、ＭＯＳＦＥＴという）を用いるもの
でしばしば生じる問題の一つは、発振器がおかれている
周囲の温度が変化するにつれてその発振周期が変化して
動作がしばしば不安定になるとい−）ことである。そこ
で発保器の不安定性を引き出Ｊ温度の問題を解決するた
めに従来いくつかの試みがされでいる。
解決策の一つでは、集積回路のパッケージのピンに接続
される外付けの抵抗素子’（ｙ容帛素ｆを使用ケること
により達成されている。この解決策では、外部素子を取
付けるために常に印刷回路ｖ板上に付加的なスペースを
必要どするという点で集積回路の７．−リ゛−にとって
不便なものとな−）でいる。これに加えて、外部素子を
使用することは、１４に電子回路のコスｌ−を増大させ
ることになる。
温度に安定ｆ、【発振周期を得るために、リング昆振器
又はシュミツ］へ１〜リガ一発振器を用いることも従来
から試みられている。しかし１５から、これらの試みは
殆んど成功していない。アイ・イー　・イー・イー　・
ジＶ−ナル・オブ・ソリッド・スデイ１へ・サーキット
（ｔｈｅ　ＩＥＥＥ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｒ　５ｏｌｉ
ｄＳｔａｔｅ　Ｃ１ｒｃｕｉｔｓ）のＶｏｔ、５Ｃ−１
８，１９８３年１０月の５２５ページから５３２ページ
の［コン１へロール・【コシツク・アンド・セル・デザ
イン・フォア・エヌヴイラム（ＣＯＮＴＲＯＬ　ＬＯＧ
ＩＣＡＮＤ　ＣＥＬＬ　ＤＥＳＩＧＮ　ＦＯＲＡ　ＮＶ
ＲＡＨ）　Ｊという表題におイテ、一つの解決策が提案
されている。この発表されたＮＭＯ８回路は、前）ホし
たリング発振器やシュミット発振器とは違って温度補償
手段を有しているが、この回路はディプレッション型電
界効果１〜ランジスタ〈以下、ＦＥＴという）を包含し
ているので、ＣＭＯ８集積回路の一部分として構成１゛
るためには付加的なプロセス工程が必要となってくる。
温度補償された０Ｍ０８発振器は、エレクトリカリ−・
イレイザブル・プログラマブル・リード・オンリー・メ
モリーズ（ｅｌｅｃｔｏｒｉｃａｌｌｙ　ｅｒａｓａｂ
Ｉｅ　ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ　ｒｃａｄｏｎｌｙ　
ｍｅｍｏｒｉｅｓ　）　　（ＥＥＰＲＯＨ）のＪ、うな
メモリ回路を使用する場合において、特に、消去又は書
込み動作を行なう回路で要求される信号を発生するため
に用いられる、タイミング信号を発生するための温度依
存性のないクロックとして特に利用される。
必要とされていることは、温度安定性のある０Ｍ０３発
振器の構成部分の全てを、一つの集積回路ダイス十に実
現さけることであり、このようにｚＪ’れば、集積回路
のユーリ“−は、いかなる付加的な技術を実施したり、
あるいは回路にいかなる付加的４ｆｆｉ素子をつけ加え
る必要らなくなる。
Ｌ問題点を解決するための手段１ Ｆ記問題点を解決するため、本出願の温度補償型発振器
では、半導体ダイス上にモノリシック集積回路として形
成された温度補（ａ望ＭＩＳ発振器にＪ３いて、電気的
エネル−に一を受け入れるエネルギー受入手段と、バイ
アス電圧を発生させるために潟度女定基準電圧とスレシ
ョールド電圧とを加１？１するｒｆｉ几加Ω手段と、Ｍ
ＩＳＦＥＴと、実質的に温度依存性のない電流を１）ｑ
記ＭＩＳＦＥＴを通して発生させるために前記バイアス
電圧どｐｎ半導体接合部にかかる温度依存性電圧との差
で該ＭＩＳＦＥＴをバイアスするバイアス手段と、前記
実質的に温度位依存性のない電流を受（１人れて電力が
付与され発振電気信号を発生させる発振電気信号発生手
段とから構成した。本発明によれば、発振電気信号を実
質的に温度依存性のない周明を右する信号とすることが
できる。
［発明の概要１ 集積回路ダイス上に形成された温度補償されたＭＩＳ発
振器がこの明細書に示しである。この温ｌσ補償された
発振器１０は、温度安定電圧を受け入れて温度安定減衰
基準電圧を発生するのに適した″市しｔ分圧Ｘ（２８，
３０）を有している。この電圧分圧器＜２８．３０）に
接続された第１の電流ミラー（ｍｉｒｒｏｒ）　４２は
、温度安定減衰基準電１１で制御されるセンシングレッ
グ（ｓｅｎｓｉｎｇ　ｌｅ！＋）４５を通して電流を流
し、はぼ１マイクロアンペア（ｍｉｃｒｏａｍｐｅｒｅ
　）の第１のミラー電流を発′［１ろ。第１のｎチャン
ネルＭＯＳＦＥＴ６２は、第１のソース電極６６、第１
のドレイン電極６４及び第１のゲート電極６８を有し、
第１のソース電極６６は温度安定減衰電圧Ｖｏでバイア
スされている。第１のゲート６８と第１のドレイン電極
６４ｔま共通に接続されており、１マイクロアンペ／’
　＜ｍｉｃｒｏａｍｐｃｒｅ　＞の第１のミラー電流を
受け入れて、後段の回路におけるスレッシ１−ルド電圧
効果を相殺するために、温度安定減衰電圧と集積回路ダ
イスＪｌのｎ　’３−ヤンネルＭ　ＯＳ　Ｆ　Ｅ　Ｔの
すｌ！型的なスレッシコールド電圧との和に等しいバイ
アス電圧を発生する。
このバイアス電圧は、第２のソース電極７８、第２のベ
ース電極８０及び第２のドレイン電極７６をｈする第２
のｎチャンネルＭＯ３Ｆ　Ｅ　Ｔ　７４に供給される。
第２のｆ）チャンネルＭＯ８Ｆ　Ｅ　第７４の第２のソ
ース電極７８は、バイポーラダイオード８２の順方向降
下電圧Ｖ「によってアース電位以りにバイアスされてい
る。順方向降下電圧Ｖｆは、第２のｎｆｐンネルＭＯ８
Ｆ　Ｅ　Ｔ　７４　ニおける温度変化を補償り゛るため
に、集積回路ダイスの温度の上昇りるに伴って減少する
ようになっている。第２のｎチャンネルＭＯＳＦＥＴ７
４の第２のゲート電極８０と第２のソース電極７８との
間にかかっている電圧は次のように表わされる。
Ｖａｓ　＝Ｖｏ　　＋ｖ丁−ｖｒ この式から、第２のｎチャンネルＭＯ３ＦＥＴ７４の第
２のドレイン電極７６と第２のソース電極７８との間に
流れている電流１６ｓは次のにうに現される。
［ｄｓ−（Ｗ／２Ｌ）ＣＯＸ　　（ＶＯ−ｖｒ）ｘμこ
こで、ＷはＭＯＳＦＥＴのチャンネル幅であり、ＬはＭ
Ｏ３ＦＥＴチャンネルの長さで、ＣＯＸはゲート酸化物
の単位面積当りのキャパシタンスである。このように、
電荷キャリアの移動度μが上昇温度に対して減少すると
、順方向降下電圧の項であるＶｆちまた減少し、これに
よって温度依存性のない一定電流ｉｄｓを第２のチャン
ネルＭ　ＯＳ　ＦＦＴを通して供給することになる。
レンジングレッグ８３と２個のミラーレッグ（ｍｉｒｒ
ｏｒ　ｌｅｇｓ　＞　９０及び９２から構成される第１
の電流ミラー１４は、温度依存性のない補償電流を検知
して、第２のミラーレッグ９２に、それに線形的に比例
する第２の温度補償充電電流を発生する。第１の電流ミ
ラー１４の第２のミラーレッグ９０は第３の電流ミラー
１１２のセンシングレッグ１１８に接続されＣいる。第
３の電流ミラー１１２は、温度依存性のない一定電：・
今に線形的に比例する渇仰補償放電電流を放出させる。
本発明の実施例ではこれら充電及び放電電流を等しくし
ている。
充電ゲート１３０と放電ゲルト１８０をｔｊ−するシュ
ミツ１−トリガー発振器１６は、温度補償充放電電流に
よって周期的に充電及び放電されているキャパシタ１５
４の両端の電圧を検知する。このタイミングキＶバシタ
１５４は、電流ミラーによっで一定の時間で充放電され
るので、シュミツ１−１−リガー発振器１６は温度に関
して一定の周＋９１を持っている。
「発明の目的１ 本発明の第１の目的は、いかなる分離されたブップ素子
をも使用することなく、それ自体ぐ温度補償電流を発生
することがでさる温度補償されたＭＩＳ発振器を提供す
ることにある。
さらに本発明の目的は、タイミングキャパシタに供給さ
れる充電及び放電電流の両方を等しくして温度補償され
ていることを特徴とする温度補償されたＭＩＳ発振器を
提供することにある。
また、本発明のさらに他の目的は、すべての素子は単一
の集積回路ダイスＦにあって、特に温度安定発振信号を
前記集積回路ダイスの他の部分に供給するに適している
ことを特徴とする温度補償されたＭＩＳ発１Ｊｉｉ！器
を提供することにある。
し実施例１ 図面には、全体的に数字１０で示され、本発明の一実施
例である温度補償されたＭＩＳ発振器が示されている。
さらに詳細に述べると、回路１０は温度補償された相補
型ＭＯ８（ＣＮＯ８）発振器から構成されている。この
温度補償された０Ｍ０３発振器１０はモノリシック集積
回路としてシリコン半導体上に形成されることが望まれ
ている１゜以上の説明及び特許請求の範囲の解釈におい
て０ＭＯ３，ＭＯＳＦＥＴｆ’その類い（７）用ｕは、
金属−酸化物−半導（Ａ型電界効果トランジスタと同様
に電界効果１−ノンジスタのグー！−電（＋として多結
晶シリコン、金属シリサイド又はイの他の良導電体を使
用したデバイスを含む乙のである１゜湿度補償された０
Ｍ０３発振器１０は、温度補償された電流を発生させる
温度補償電流発生源１２・を有している。電流ミラーア
レー１４はこのン晶度補償電流を受け入れ【、充電電流
や放電電流を含む複数の線形的に相関関係のある電流を
９　’４シたり又は放出したりする。ン１ミツｌ−１−
リガー発振器１６は、電流ミラーレッレ４から光゛市電
！々を受け入れ、そして放電電流を電流ミラアレ　１４
に供給するように電流ミラーアレー１４に接続されてい
る。充電電流と放電電流とは、シュミツ１−　ｔ−リガ
ー発＠器１６に温度に実質的に依存しＩ多い周期を有づ
る方形波ｆｔ号を発生させる３、４＋ｕ補１’Ｉｔ　Ｑ
　ｈ　ｆ、−ＣＭ　ＯＳ　Ｒｋ　Ｌ”ｌ：　１０　ｆｔ
、外部〕直流電圧源に接続されたＶＤＤリード端子１ε
３をＬｉしている。このＶＤＤリード端了１８は、該端
［′味二接続されている母線２０に直流電圧を供給１ろ
。
電Ｉｆ５）圧器２２は温ｉ安Ｊ゛基準電圧νｒ１３ｊを
′適当な電源からノード２４に受け入れ、温邸安定基準
雷圧ｖｒｅｒを出力リード端子２６に供給する。この電
圧分圧器２２は、ノード２４に接続された１９．５にΩ
（ｋｉｌｏｒ＋ｍ）の抵抗２８と、この抵抗２８とアー
スとの間に接続された２０にΩ（ｋｉｌｏｈｉ＋）の抵
抗３０とから構成される。減衰電圧基準信号Ｖｏは抵抗
２８と抵抗３０とが接続された点に位置するノード３２
に発生される。この信号ＶＯの電位は以下に詳述する目
的のためにリード端子３４に供給される。この２つの抵
抗２８及び３０はｎつｌ−水拡散プロセスによって実現
される。この日つＩ水拡散プロセスはすぐに１分よく知
られ又いることである。温度安定基Ｑ電圧ｖｒｅｒの電
圧が加えられるリード端子２６は、ｎチャンネルエンハ
ンスメント型ＭＯＳＦＥＴ３６のゲート電極３３８に接
続されている。ＭＯＳＦＥＴ３６は、ドレイン電極４０
とソース電極４１とを（ｊしており、このソース電極４
１はアースに接続され、ドレイン電極４０は第１の電流
ミラー４２に接続されている。この第１の電流ミラー４
２は、電圧付与のだめに母線２０に接続されでいる。。
第１の電流ミラー４２は、グー１へ電極４６．ソース電
極４８及びドレイン電＋４！５０を右（ｒ　Ｆ”　’Ｊ
−ｓｒンネルエンハスメント型Ｍ　ＯＳ　Ｆ　Ｅ　ｒ　
４４を備１ている。ドレイン電極５０は、また、従来の
゛１ｈ流ミラーにおいて行われているようにリードＯａ
　ｆ５２によってゲートｉ４：ｆＡ４６に１８続されて
いる５、このＰヂャンネルＭＯＳＦＥＴ４４は、電流ミ
ノ−４２のピンシンブレツブ４５をｈしている。、Ｌ−
（７）電流ミラー４２は、また、ソース電極５６．ｌ〜
レイン電極５８及びグー１〜電極６０を有するＰヂ）・
ンネルエンハンスメンＩ−’Ｉ　Ｍ　ＯＳ　Ｆ　Ｅ　’
Ｔ’　５４　Ｔ”構成される出力端子すなわら、ミラー
レッグ５：３をａ／Ｖている。ゲート電極６０は制御電
位を受ｔノ入れるためにリード端子５２と１１０記ゲー
ト電極４６とに接続されている。ソース電極５６は電流
を受１−１入れるためにソース電極４８に対してＶ１１
／り１１にＱるように母線２０に接続されている。ミラ
ー１ノ・′ｆプ５３を流れる電流けは、Ｍ　ＯＳ　Ｆ　
Ｅ１３６のノ＋’　−１−ｆｆｊ　ｍ　３８　ｔこ表わ
さねる電［ＥＶｒｅｆどＭ　ＯＳ　Ｆ　ＥＴ３６のヂＸ
・ンネル艮に対づ゛るチャンネル幅の比とによって限定
される。本実施例において、この）品度安定化基準電圧
ＶｒｅｆＬよＩｖｌ　０　Ｓ　Ｆ　Ｅ　Ｔ　３６をバイ
アスして、１００マイクロアンペア（ｍｉｃｒｏａｍｐ
ｅｒａ　）のドレインソース７Ｔｆ流１ｄｓをドレイン
に発生させる。また、この１００マイクロアンペアの電
流は、ＭＯＳＦＥＴ４４のソースドレイン回路を流れ、
その結果母線２０から引き出されｖＯ８ＦＥＴ５４のソ
ースドレイン回路を流れる１マイクロアンペア電流によ
って反映される。この１マイクロアンペアの電流は温度
補償はされていないが、この電流を温度補償づることは
この回路の本来の機能にとって本質的なことではない。
この１マイクロアンペアの電流はドレイン電極５８から
ドレイン電極６４．ソース電極６６及びゲート電極６８
を有するｎチャンネルエンハンスメントｘＭｏｓＦＥｖ
６２へ流れる。ゲート電極６８とドレイン電極６４は、
接続点７２で結合され同電位でバイアスされるようにリ
ード端子７゜によって−緒に接続されている。ソース電
極６６にはリード、端子３４が１８続され、電位ｖｏｒ
−バイアスされＣいる３、この１？イクロ７ンベアの電
流はｎチャンネルＭ　ＯＳ　Ｆ　Ｅ　Ｔ　６２のドレイ
ンソース回路に供給される。このｎｆ−ヤンネル〜ｊＯ
８Ｆ［Ｔ６２は、チャンネル幅とデセンネル長さの比が
ほぼ５０：３の比率をｈしており、このＭＯ８ＦＦＴ６
２を比較的太さく’Ｃトランジスタとしているので、低
、インピーダンスのドレインソース回路を流れる１マイ
クロアンペアの電流は、接続点７２でＶｏ　＋ＶＴのバ
イアス電位を発生させる。ＶＴはｎチャンネルＭＯＳＦ
ＥＴ６２のスレシー」−ルド電圧ぐある。このように、
このＭ　ＯＳ　Ｆ　Ｅ王６２はバイアス電位を発生さＶ
るために使用され、半導体ダイス上の複数のＭＯＳＦＥ
Ｔの典型的なスレショールド電圧に足し合わせる。
ドレイン電極７６、ソース電極７８及びゲート電極８０
を有するエンハンスト型ｎチャンネルＭＯ８ＦＦＴ７４
は、グー＋−′１ｆ極８０がリード端子８１を介して接
続点７２に接続され、ｖｏ＋ＶＴに等しい電位でバイア
スされている。ソー・スミ極７８はバイポーラダイオー
ド８２に接続されている。よく知られているｎウェル０
ｖＯ８Ｍ造工程において、縦型のＰＮＰデバイスは、Ｐ
基板をコレクタ、ｎウェルをベース、ｐ十ｇをエミッタ
とすることで形成される。このバイポーラダイオード８
２は、このような縦型ＰＮＰデバイスのエミッタをダイ
オードのアノードとして使用することにより１ｑられ、
縦型ＰＮＰデバイスのベースとコレクタは、バイポーラ
ダイオード８２のカソードを形成するために電気的に一
緒に結合されている。
このエミッタは、低寄生ベース抵抗（ｐａｒａｓｔｔｉ
ｃｂａｓｅ　ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ　）を持たせるため
に、およそ２０ミクロン（ｍｉｃｒｏｎ）　ｘ　２０ミ
クロンの面積をダイス上に占めている。このダイオード
８２は負の温度係数を有する順方向降下電圧Ｖｆを示す
。
ＭＯＳＦＥＴ７４は、そのドレイン電極７６に接続され
ている第２の電流ミラー１４を介して母線２０から供給
される電流によって駆動される。
ドレイン電極７６とソース電極７８との間を流れる電流
量はグー１〜電極８０とソース電極７８とに現われる双
方の電圧によって制器される。グー１へ・ソース電圧Ｖ
ｇｓは次のように表わされる。
Ｖｇｓ＝Ｖｏ　　＋ＶＴ　　−Ｖｆ’ 次に式はよく知られでいるので、 Ｉｄｓ父μ（Ｖｇｓ−ＶＴ　）　？ 代入することにより、ＭＯＳＦＥＴ（７’ｌｌのドレイ
ンソース回路の電流は次にようになる。
Ｉｄｓｏｃμ（Ｖｏ　−Ｖｆ　）　？ 電流ｉｄｓは、また、さらに完全に次ににうに定ぺする
ことができる。
Ｉｄｓ−（Ｗ／２ｍ）Ｃ（Ｖｏ　−Ｖｆ　）　２ｘｕＯ
× 両方の電流式において、μｍよＭ　ＯＳ　Ｆ　Ｆ　Ｔ　
７４のデセンネルにおける充電キャリアの移動度に等し
い。ｖＯは選択されうるムので、本実施例では、充電キ
ャリアの移動度の温度依存性による影響を最大限に相殺
できるようにするために、１２５ボルトになるようにし
ている。このように回路１０の温度が下ると、μとＶ［
の両方は増加し、その結果１ｄｓを実質的に同じ値に維
持することが理解されるであろう。また、同様に、回路
１０の温度が１臂すると、μと■［の両方は減少し、ま
た、ＭＯＳ　Ｆ　Ｅ　Ｔ　７　／ｌのドレインソース電
流を同じ値に維持することになる。その結果、ＭＯ３Ｆ
ＥＴ７４のドレインソース回路を流れる電流は温度補償
されることになる。
第２の電流ミラー・アセンブリ１４は、ソース電極８４
．ドレイン電極８６及びゲート電極８８を右する電流検
知用のＰチ１ンネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴ８
３を含んでいる。符号９０と９２で表わされる一λｊの
ミラーＰチャンネルエンハンスメン１へ型ＭＯ３ＦＥＴ
は電流検知用ＭＯＳＦＥＴ８３に接続されている。さら
に詳細に述べると、ＰチャンネルＭＯ３ＦＥＴ９０は、
ソース電極９４．ドレイン電８ｉ９６及びゲート電極９
８を有している。同様にＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ９２
は、ソース電極ｉ　ｏｏ、ドレイン電極１０２及びゲー
ト電極１０４を有している。全てのソース電極８４．９
４及び１００は、それぞれ電圧を付加する母線２０に接
続されている。全てのゲート電極８８．９８及び１０４
は並列にそしてフィード９ぶ了１０６を介しＣ電流検知
用ＭＯ３ＦＥＴ８３のドレイン電極８６に接続されてい
る。作動しでいるどきに、電流検知用ＭＯ３ＦＦＴ８３
は、ｎ′ｆｒンネルＭＯ３ＦＥＴ７４を通して流れる温
度補償電流の人ささを検知して、ＰチャンネルＭＯＳＦ
ＥＴ９０どＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ９２に線形的に比
例した電流を発生させる。このように、線形的に比例し
た温度補市ミラー電流は、ＭＯＳＦＥＴ９０を通して流
れ、それに接続されているリード端子１０８に供給され
る。第２の線形的に比例した温度補償電流は、ＭＯＳＦ
ＥＴ９２を通して流れ、ドレイン電極１０２に接続され
ているリード端子１１０に供給される。この第２の線形
的に比例した温度補償ミラー電流は、本実施例では、一
定で実質的に温度依存性のないキトパシタ充電電流とな
っている。
符号１１２で示される第３の電流ミラーを構成する放電
電流ミラーは、ドレイン電ＶＭ１１６．ゲート’弔１４
１１８及び”／−ス１極１２０を’４ｉ　１’るｎチャ
ンネルエンハンスメン１−望電流検知用ＭＯＳＦＥＴ１
１４を右している。ドレインＩＩ”＋１６は第２の温度
補償ミラー電流を受Ｉプ入れるためにリード端子１０８
に接続されている。第２の温度補償ミラー電流はドレイ
ン電極１１６．ソース電極１２０を通して、ソース電極
１２０が接続されているアースへ流れる。リード端子１
２２はドレイン電極１１６をよく知られている方法でゲ
ート電極１１８に接続している。そしてｎチャンネルの
電流検知用ＭＯＳＦＥＴ１１４は、リード端子１０８を
流れる電流を検知し、後述するように放電電流を放出し
たり或は受け入れるように設けられたｎチャンネルエン
ハンスメン１〜型ミラーＭＯ３ＦＥＴ１２４を制御する
。このｎチャンネルミラーＭＯＳＦＥＴ１２４はドレイ
ン電極１２６、グー１〜電極１２８及びソース電極１２
９を有している。このソース電極１２９はアースされて
いる。
ゲート電極１２８は検知用ＭＯＳＦＥＴ１１４のグー１
〜電極１１８及びリード端子１２２に接続されている。
放電電流ミラー１１２は、電流検知用ＭＯ３ＦＥＴ１１
４のドレイン１１６及びソース電極１２０を通る電流の
流れの割合いに線形的に比例する率ぐ電流を引出したり
或（ま放出したりする。その放出電流は、ＭＯ８ＦＥ丁
７４を通して流れる温度補償電流に順々に線形的に比例
する。
本実施例では、ＭＯＳＦＥＴ９２からの充電電流とＭＯ
ＳＦＥＴ１２４を通して流れる放電電流は大きさにおい
て等しくなっている。ＭＯＳ　Ｆ　Ｆ　Ｔａ２．４４，
５４．６２，７４，８３，９０．９２．１１４及び１２
４は全て飽和領域で作動しでいる。
シュミットトリガ−１成回路１６は電力付与のためのリ
ード端子１１０とＭＯＳＦＥＴ１２４のドレイン電極１
２６に接続されている。このシュミットトリガ−発振回
路１６は、ドレイン電Ｋ１１３４、ゲート電極１３６及
びソース電極１３Ｂを有するｎチ１１ンネルエンハンス
メント型ＭＯＳＦＥＴ１３２から構成される第１のすな
わら充電ゲ−Ｉ−１３０をイｊしている。ｐチャンネル
エンハンスメント型ＭＯ８ＦＦＴ１４０は、前記ｎチャ
ンネルエンハンスメント型ＭＯ３ＦＥＴ１３２に並列に
接続され、ドレイン電極１４２．ゲート電極１４４及び
ソース電極１４６を有している。これらのソース電極１
３８と１４６は、そこから調整された温度補償充電電流
を受け入れるために並列に接続されている。ドレイン電
極１３４と１４２は−（ヤパシタリード端子１５２に接
続されている１−ｓ□バシタリード端子１５０に接続さ
れている。
タイミングキャパシタ１５４はチップ上に実現されｔこ
Ｍ　ＯＳ　をキャパシタである。タイミングキャパシタ
１５４はリード端子１５２に接続されたｎチャンネルＭ
Ｏ８）−Ｅ丁のゲートを構成している。
こ”の〜ｌ０８ＦＥＴのソース電極とドレイン電極は一
緒に接続されアースに接続されている。入力リ−ド端子
１５８と出力リード端子１６０を右してい’ｆ、）（’
；　Ｍ　ＯＳシフミラｌ−・トリガーインバータ１５’
：：ｊ　Ｌ；Ｌ、キャパシタ１５４から電位を受け入れ
るためにキャパシタリード端子１５０と１５２との接続
部にその入力リード端子１５８が接続されている１、第
１のＣＭＯＳインバータ１６２はこのＣＭＯＳジｌミツ
１−・ｉ−リガー・インバータ１５６の出力リード端子
１６０に入力リード（強ｆ１６４が接続（ぎれている。
このＣＭＯＳインバータ１６２は、Ｅた、出力り−１：
端子１Ｇ〔３を（１している１、人力リード端子１７０
と出力リード端子１７２とをイエ−俳る。第２のＣＭＯ
Ｓイ〕／バータ１６８は、第１のＣＭＯＳイン八−タ゛
１６２の出力リード端ｒ１６６にイの入力リード端子１
７０で接続されＣいる。フィードバックリード端子１７
４は第１のＣＭＯＳインバータ１６２の出力リード端子
１６６とｐチＶ’ンネルＭ　ＯＳ　Ｆ　Ｅ　−１’−１
４０のゲート電１４ｉ１４４に接続されている。
放電ゲート１８０はリード端子１８２によ−）てタイミ
ングキャパシタ１５４に接続さ１′）、また、タイミン
グキャパシタ１５４．６’　１Ｊ−Ｊｌ−メに電流を放
出づるためにＭ　□二３）トＴ　ｉ　２４０）ｌ−レイ
ン電極１２６に接続されζ−いる。Ｌ−Ｌ　（１）　ｆ
）交電ゲート１８０は実質的に充電グ〜ｌ・１３０と同
じ（−１）ｉ−１−電ｔｌｉ　１８６、ソース電極１８
８及びド１．・イン電極］９０を有するｎヂｔ７ンネル
１ンハンスメンｌ−型ＭＯＳＦＥＴ１８４から構成され
てい◇。グー１〜電極１９４、ソース電極１９６及びド
レイン電極１０８を有するｐチｔ・ンネルエンハンスメ
ント型〜＋０８ＦＥＴ１９２＋よ、並列にＭＯ８ＦＦＴ
１８４（二接続されている。９ε：れらのソース電極１
８８＋Ｉ：、　’１９６は並列に前記ミラーｎチャンネ
ルＭＯ８３Ｆ−Ｔ　Ｉ　２４のドレイン電極１２６に接
続されている。第１の出力リード端子２００は、第２の
０Ｍ０Ｓインバータ１６８の出力電圧をゲート電極１３
６にフィードバック４るために、この第２のＣＭＯＳイ
ンバータ１６８の出力端子１７２とｎブヤンネルＭＯ８
Ｆト１１３２のゲート電極１３０とに接続されている。
第２の出力リード端子２０２１、ｔ、第２のＭＯＣＭＯ
Ｓインバータ１６８の出力電圧を前記ｐチャンネルＭＯ
８ＦＥ丁１９２の１ｉ−１−電極１９４にフィードバッ
クするために、出力端子１７２に接続されている。
次に動作について述べると、一定の温度補償電流が電流
ミラー・アｔ・ンブリ′１４によって充電グー・１・１
３０に供給されると、シコミットトリガーイ二ノバータ
１５６の出り端子１６０の電圧が心くなり、ＣＭＯＳイ
ンバータ１（１２の出力端Ｔ−１６（３の電圧は低り４
ｆる。、ぞの結束、ｐ　ｆ　ｔンネルＭＯＳＦＥＴ１４
０を導通ざＱ、ｎチーｉｙンネルＭＯ８Ｆ１１１８４が
１１するごど（、−なる。同時に、ＣＭＯＳインバータ
１６８３はリード端子２００ど２０２に高電Ｉ王を発生
し、ｐｆ１７ノ・ネル〜ｌ０３Ｆ（−ｒ　１９２を遮断
させ、１）ブ＼・ンネルＭＯ８Ｆ　１１１３２を導通さ
せることになる。この５上うに、ンユミットトリガーイ
ンバータ１５６からの高電圧出力は、充電ゲート１３０
を導通さぜ、放電ケ＝１〜１８０を非導通とり−る。（
丁の結果、一定の温１α補償電流をタイミングキャパシ
タ１′−１４に一定の割合で流入させ、一定の温度依存
性く、ｌ〉ない割合ぐこのキ１７バシタ１５・１を充電
４ることトニなる。
シュミインバー・夕１５６か状態を変える二つの電位レ
ベルは、実質的に温度依存性がないので、こりシ］ミッ
トトリノ５−インバータ１５６は温度【５４関係なく同
電圧で状態を変えることに！ｊる１、タイミングキャパ
シタ１５４がシ１ミツｌ−トリガーインバータ１５６が
低’Ｎ　’ＦＴ出力をＲ１りろ電圧まで充電されると、
このシフミツ１〜ｉ−リガーの出力端子１６０の電位は
下がり、ＭＯＳＦＥＴ１３２と１４０を遮断さ１古、放
電グーｉ〜１８０を）９通させイ）ことになり、タイミ
ングキャパシタ１５４の電荷は充電されたときと同じ割
合でアースに１１１電されることになる。放電ゲート１
８０は放電電流ミラー１１２に接続されているので、こ
の電流ミラー１１２は、タイミングキャパシタ１５４か
ら流４′１．出づ一定の温度依存性のない電流放出割合
を雑４Ｓｊ　シ、その結果、一定の温度依存性のないキ
ャパシタ放電割合を供給することになる。タイミングキ
ャパシタ１５４の電位がＣＭＯＳシｌミツトトリガーイ
ンバータ１５６のスイッチング電圧１ス下に下がってし
まうと、シュミットトリガルインバー／１１５６は再び
状態を変化させ、発振の過程が・□、り返される。この
ように一定の周期の方形波型ｆ−１−，７）（出力リー
ド端子２００と２０２に発生されるＬ−−１”、　Ｌ５
なる。一定の周期の方形波電圧は実質的じ温度に依存し
ない周期を有していることになる。
Ｊのように、集積回路の温度補償されたＣＭＯ８介振器
１０は母線２０からのＶ［］［］電圧Ｑ電）Ｂ付加され
る。汁１Ｔ１−分圧器２２は温度依存性のないＬ１１Ｐ
電圧ｖｒｅｒを、メート２４′Ｃ：’２け入れ、温度安
定減衰型ｆｆＶＯを接続点３２に発生１゛るａｎチトン
ネルＭＯ８ＦＥ丁３６１沫電１１＼／ｒｅｆｒ′：ぞの
ゲート電極３８ムニおいてバイアスされ、１００マイク
１−１アンペアの電流がそのソースドレイン回路に流れ
る。ＭＯＳＦＥＴ４／Ｉ及び５４は−ぞの電流を反映さ
せ、ｎ　ｆ−ｉ−ンネルＭ　ＯＳ　Ｆ　Ｅ　Ｔ　６２　
Ｍ　１　？　イク［１アンペアの電流を供給する。ｎチ
Ｘ・ンネルＭＯ３ＦＥ丁６２は電圧０でそのソース電極
６６　Ｉｌｌおいてバイアスされ、スレシ・］−ルド電
圧と電［１Ｖ０との和に等しいバイアス電圧を発生する
。（二のバイアス電［１−はｎ″ｆｆヤンネルＭ　Ｓ　
Ｆ［１”　７７ｉのゲート電極８０（二供給される１慝
度依存性（Ｉ）あるダ・イオード８２の順ブ）向降下電
圧もまｌ’ｌ：、：　Ｍ　０８ＦＥＴ７＝１をバイアス
し、ぞ（二′ｒ″温度変化に７・１シて補償することに
なる。その結果、Ｍ　ＯＳ　Ｆ　［−１７４を通し℃流
れるじしツイン゛！−ス電流は実質的に温度依存１／Ｉ
のないものどｔ；　、−ｉ　”（いる１、Ｍ　ＯＳ　Ｆ
（王［ア・１のドレインソース電流は電流ミラー・戸ｌ
−゛ン−プリ１４によつで反映され、同じ温ＩＷ依存＋
／１０％　（、ｓ一定の充電及びｔｌｌ電電流を発生さ
せる。シーコミット１〜リガー発振器１６はこの充電及
び放電２１−ｊ流によって駆動され、高精度のタイミン
グあるい（よりロック信号として用いられる温度依存性
のｔ（い一定置１］の方形波電圧を発生する。
本発明の特別な優位性は、全ての素子を単一の集積回路
ダイスに形成させた温度安定性のある０Ｍ０８発振器を
提供することにあることは理解されるであろう。この回
路によって作られる方形波信号は、高安定であり、メモ
リ特にＥ　Ｅ　Ｐ　ｆｌ　ＯＭ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ
ｌｙ　ｅｒａｓａｂｌｅ　ｐｏｒｏｒａｍｍａｂｌｅ　
ｒｅａｄ　０ＩＮｙ　ＩＩｌｅｍｏｒｉｅｓ）のための
クロック信号を発生させるｔ、−めに使われるであろう
。
以下本発明のＭＩＳ発振器で用いる電流源の態様を明ら
かにする。
（ａ）半導体ダイス上にモノリシック集積回路とし−（
形成された温度補償型ＭＩＳ電流源において、電気的に
エネルギーを受け入れ？、）−■ネル１′−・受入手段
と（２８，３０，６２）、バイアス′市圧を一発／［さ
せるために温度安定基ｔ１（電圧とスＩｔシー１−ルド
電圧とを加締する電圧加専手段６２ど、〜＋＋８電界効
果トランジスタ７４ど、前記バーイアスミ］−１−どｐ
　ｎ　’４′導体接合部８２両喘の温度依存性の−３）
る電圧との差で前記ＭＩＳ電’Ｊｉ’Ａ＋果１ヘランジ
スタ７４をバイアスして該前記ＭＩＳ電Ｗ電果効果１−
ランジスタフ流れる電流を実質的に温同依存性のない電
流とするバイアス手段とから構成されることを特徴とす
る温度補償型ＭＩＳ電流源。
（ｂ）前記電圧和ｎ′ｆ一段は、前記温度安定す型車ｌ
を受け入れ了前記スレショールド電Ｈを発１１する第２
０Ｍｌ５電界効！＄！１ヘランジスク６２を含むＪどを
特徴とする第８項に記載の温度補信望Ｍ　Ｉ　Ｓ電流源
６゜ （Ｃ）前記Ｏｎ　４’導体１ａ合部Ｆｌ　２１Ｊ、前記
ｈ□ｉ　Ｉ　Ｓ電界効果トランジスタ７・１のソース電
極７８どアスとの間に接続され、前記ＭＩＳ電界効宋＋
−５〕・ジスタの温度変化４補償１するために、温旧依
存ｔ１のある順方向降下電圧を供給するバイポーラダイ
オードを含むことを特徴とする第８項に記載の温度補償
型ＭＩＳ電流源。
（ｄ）前記電圧加算手段は、スレショールド電圧を発生
さけるために付勢され且つ前記温度安定電圧によってバ
イアスされる第２のＭＩＳ電界効果トランジスタ６２を
含むことを特徴とする第０項に記載の温度補償型ＭＩＳ
電流源。
（Ｑ）バイアス電圧を発生させるために温度安定基準電
圧とスレショールド電圧とを加算する電圧加算手段（２
８，３０，６２＞と、前記バイアス電圧を受け入れるゲ
ート電極８０とｐｎ接合部８２に接続されるソース電極
７８を有するエンハンス１〜型ＭＯ３ＦＥＴ７４とを具
備し、前記ＭＯ８ＦＦＴ７４の温度伶変化を補償するた
めに前記ソース電極７８を温度依存性のある順方向電圧
でバイアスし、前記ＭＯ３ＦＥＴ７４が実質的に温度依
存性のない電流を発生するようにしたことを特徴とづる
温度補償型ＭＩＳ電流源。
（ｆ）前記電圧加算手段は、前記温度安定基準電圧を受
け入れ−ＣＣ前記スレショートド電圧発生させる第２の
ＭＯ８ＦＦ−丁６２を含むことを特徴とする特許請求の
範囲第５項に記載の温磨補償型ＭＩＳ電流゛源。
（ｇ）前記第２のＭＩＳＦＥＴ６２は、ソ（７）　チ１
−　ンネ・ル長より１０倍以上のチャンネル幅をわし、
前記バイアス電圧が前記温度安定基準電圧より前記スレ
ショールド電圧に等しい吊だけ越えるように小電流で電
力付与されたドレイン・ソース回路を含んでいることを
特徴とする特許請求の範囲第６項に記載の温度補償型Ｍ
ＩＳ電流源。
（ｈ）電気的エネルギーを受け入れるエネルギー受入手
段２２と、温度安定基準電圧を受け入れるｌ準電圧受入
手段２４と、ａ度安定減衰電圧ＶＯを発生させるために
前記温度安定基準電圧Ｖｒｅｒを減衰さける電圧減衰手
段（２８，３０）と、第１のバイアス電圧を発生させる
ために第１のＭＯ８Ｆ　Ｅ　Ｔ　６２のスレショールド
電圧に前記温度安定減衰電圧ＶＯを加算する電圧加算手
段６２と、前記第１のバイアス電圧によってバイアスさ
れるゲート電極８０とｐｎ接合部で形成される温度依存
性のある順方向降下電圧によってバイアスされるソース
電極７８とを有する第２のＭＯＳＦＥＴ７４とから構成
され、前記第２のＭＯＳＦＥＴ７４はそのドレイン電極
７６と前記ソース電極とを返して温度依存性のない電流
を発生さけることを特徴とする温良補償型ＭＩＳＦＥＴ
。
次に本発明の態様を明らかにする。
■半導体ダイス上にモノリシック集積回路として形成さ
れた温度位補償型ＭＩＳ発振器において、電気的エネル
ギーを受け入れるエネルギー受入手段２２と、バイアス
電圧を発生させるために温度安定基準電圧とスレショー
ルド電圧とを加算する電圧加算手段６２と、ＭＩＳＦＥ
Ｔ７４と、実質的に温度依存性のない電流を前記ＭＩＳ
ＦＥＴ７４を通して発生させるために前記バイアス電圧
とｐｎ半導体接合部８２にかかる温度依存性電圧との差
で該ＭＩＳＦＥＴ７４をバイアスするバイアス手段と、
前記実質的に湿度位依存性のない電流を受り入れて電力
が付与されて発振電気信号を発生させる発振電気信号発
生手段１６とから構成され、前記発振電気信号は実質的
に温度依存性のない周期を有することを特徴とする ■前記電圧加算手段は、そのソース電極６６で温度安定
基準電圧を受け入れそのドレイン電極６４ぐスレショー
ルド電圧に実質的に等しいけだけソース電圧を越えた電
圧を発生させる第２のＭＩＳＦＥＴ６２を含むことを第
１項に記載の温度位補償型ＭＩＳ５Ｒ，娠器。
■前記ｐｎ半導体接合部は、アース電位と前記ＭＯＳＦ
ＥＴ７４のソース電極７８との間に接続されたバイポー
ラダイオード８２を含むことを特徴とする特許請求の範
囲第０項に記載の温度位補償型ＭＩＳ発振器。
■バイアス電圧を発生させるために温度安定基準電Ｊ［
にスレショールド電圧を加算する電圧加Ｃ）手段６２と
、前記バイアス電圧を受け入れるゲート電極８０とｐｎ
接合部８２に接続されたソース電極７８が温度依存性の
ある電圧でバイアスされるエンハンスメン１〜型ＭＯ３
Ｆ　Ｅ　Ｔ　７４と、前記実質的に温度依存性のない電
流によって電力付与された発振電気信号を発生させる発
振電気信号発生手段１６とから構成され、前記発振電気
信号は実質的に温度依存性のない周１刀を有することを
特徴どする温度補償型ＭＯ８発振器。
■前記電圧加算手段は、ソース電極６６から前記温度安
定基ｔ′！！−電圧を受け入れて２マイクロアンペアよ
り小さい電流で電力付与されドレイン電極に前記バイア
ス電圧を発生する第２のＭＯＳＦＥＴ６２を含むことを
特徴とする第０項記載の温度補償型ＭＯ８発振器。
■前記第２のＭＯ８ＦＦＴ６２は、そのチャンネル長よ
り１０倍以上のチャンネル幅を有することを特徴とする
第０項記載の温度補償型ＭＯ８発振器。
■電気的エネルギーを受ｔノ入れるエネルギー受入１段
２２ど、温度安定基準電圧を受け入れる基準電圧受入手
段２４と、温度安定減衰電圧を発生させるために前記温
度安定基準電圧信号を減衰する電圧減Ｑ手段（２８，３
０）と、第１のバイアス電圧を発生させるために前記温
度安定減衰電圧を第１のＭＯ８ＦＦＴ６２のスレショー
ルド電圧に付加する電圧付加下段と、ドレイン電ｔｆｉ
　７６とソース電極７８とを通して温度依存性のない電
流を流すために前記第１のバイアス電圧でバイアスされ
るゲート電極８０とｐｎ接合部８２にかかつている温痘
依存性のある順方向降下電圧でバイアスされる第２のＭ
ＯＳＦＥＴ７４と、前記温度依存性のない電流によ−）
Ｃ電力付与されて実質的に温度依存性のない周期の発振
電気信号を発生さゼアる発振電気信号発生手段１６とか
ら構成されることを特徴とする温度補償望ＭＯ３発振器
。
■前記ρｎ接合品は、アース電位と前記第２のＭＯＳＦ
ＥＴ７４の前記ソース電極７８とに接続されたバイポー
ラダイオード８２を含み、前記温度依存性のある順方向
降下電圧が前記第２のＭＯ８ｒＥＴ７４における温度依
存性の変化を補償することを特徴とすると第０項に記載
の温度補償型ＭＯ８発振器。
■１１ｉ１記発振電気信号発生手段１６は、前記温度依
存性のない電流によって充電されるキャパシタ１５４と
１１り開発振出力信号を供給するために前記キＡ・パシ
タ１５４に接続されたシュミットトリガ回路１５６とか
ら構成されること特徴とする第０項に記載の温度補償型
ＭＯ８発撮器。
■温度安定基準電圧源から温度安定基準電圧を受け入れ
減衰された温度安定減衰電圧を発生させる電圧分圧２５
（２８，３０）と、第１のドレイン電極４０と第１のソ
ース電極４１との間を流れる第１の電流の大きさを制御
するために前記温度安定基準電圧をゲート電極３８に印
加づるため前記電圧分圧器の出力２４に前記ゲート電極
３８が接続された第１のＭＯＳＦＥＴ３６と、前記第１
のＭＯＳＦＥＴ３６に接続され該ＭＯＳＦＥＴ３６を通
して流れる前記第１の電流に比例する第２の電流を発生
させる第１の電流ミラー４２と、第２のゲート電極６８
及び第２のソース電極６６並びに第２のドレイン電極６
４を有し、該第２のゲート電極６８及び第２のドレイン
電極６４は共通接続されで１１０記第２の電流を受け入
れ前記第２のソース電極６６は前記電圧分圧器（２８，
３０）に接続されて渇［η安定減衰電圧ＶＯを受け入れ
るようにして前記第２のゲート電極６８と＋Ｖｉ記第２
のドレイン電極６４との接続点７２に前記温度安定減衰
電圧Ｖｏとスレショールド電圧ＶＴとの和に等しいバイ
アス電圧を発生させる第２のＭＯＳＦＥＴ６２と、第３
のゲート電極８０及び第３のドレイン電極７６並びに第
３のソース電極７８とをイラし前記接続点７２に該第３
のゲート電Ｉ（１８０が接続されて前記バイアス電圧を
受け入れるようにし、前記第３のドレイン電極７６が電
流源１４に連結された第３のＭＯ３ＦＥＴ７４と、前記
第３のソース電極７８に接続され該第３のソース電極７
８を温度依存性のある順方向電圧でバイアスして前記第
３のＭＯＳ　Ｆ　Ｆ　Ｔ　７４の特性における温度の変
化を補償するようにして１１」２第３のＭＯＳＦＥＴ７
４をバイアスし、実質的に温度依存性のないドレインソ
ース電流を発生させるようにしたｐｎ接合バイポーラダ
イオード８２と、前記一定の温度依存性のない電流によ
って駆動され一定の温度依存性のない周期をｈするイ３
号を出力するシュミットミーリガー発振器１６とから構
成されることを特徴とするり［Ｊツク川の温度安定相補
型ＭＯ８発振器。
■前記各Ｍ　ＯＳ　Ｆ　ＩＥ　Ｔ　Ｃよ、エンハンスト
メント型Ｍ　ＯＳ　Ｆ　Ｅ　Ｔであることを特徴とする
第０項記載のクロック用の渇瓜〃定相補型ＭＯ８発振器
。
［発明の効果］ 本発明によれば、バイアス電圧を発生させるために温度
安定ｉｌｌ電圧とスレショールド電圧とを加締する電圧
加口手段と、ＭＩＳＦＥＴと、実質的に温度依存性のな
い電流をＭＩＳＦＥＴを通して発生させるためにバイア
ス電圧とｐｎ半導体接合部にかかる温度依存性電圧との
差で該ＭＩＳＦ［「をバイアスするバイアス手段とを設
けて電流源を構成したので、発振手段は実質的に温度依
存性のない電流を受け入れて、実質的に温度依存性のな
い周期を有する発振電気信号を発生することができる。
【図面の簡単な説明】
図面は、本発明の一実施例を示す温度補償されたＭＩＳ
発振器の回路の概略図である。 １０・・・温度補償形ＭＩＳ発振器、１２・・・）易摩
補償電流発生器、１４・・・電流ミラー、１６・・・シ
ーＪミツトトリガー発振回路、２２・・・電圧分圧器、
６：２・・・第一のＭＯ８ＦＥ丁、７４・・・第二のＭ
　ＯＳ　Ｆ　Ｆ■゛、８２・・・バイポーラダイオード
、１５４・・・ギＶバシタ。 代理人　”ｔｍＡ！（２，、ニー〉、 （外１名）・、　２ユ、） パ−′

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体ダイス上にモノリシック集積回路として形
    成された温度補償型ＭＩＳ発振器において、電気的エネ
    ルギーを受け入れるエネルギー受入手段と、 バイアス電圧を発生させるために温度安定基準電圧とス
    レショールド電圧とを加算する電圧加算手段と、 ＭＩＳＦＥＴと、実質的に温度依存性のない電流を前記
    ＭＩＳＦＥＴを通して発生させるために前記バイアス電
    圧とｐｎ半導体接合部にかかる温度依存性電圧との差で
    該ＭＩＳＦＥＴをバイアスするバイアス手段と、 前記実質的に温度位依存性のない電流を受け入れて電力
    が付与され発振電気信号を発生させる発振電気信号発生
    手段とから構成され、前記発振電気信号は実質的に温度
    依存性のない周期を有することを特徴とする温度補償型
    ＭＩＳ発振器。
  2. （２）前記電圧加算手段は、そのソース電極で温度安定
    基準電圧を受け入れそのドレイン電極でスレショールド
    電圧に実質的に等しい量だけソース電圧を越えた電圧を
    発生させる第２のＭＩＳＦＥＴを含むことを特許請求の
    範囲第１項に記載の温度位補償型ＭＩＳ発振器。
  3. （３）前記ｐｎ半導体接合部は、アース電位と前記ＭＩ
    ＳＦＥＴのソース電極との間に接続されたバイポーラダ
    イオードを含むことを特徴とする特許請求の範囲第２項
    に記載の温度位補償型ＭＩＳ発振器。
  4. （４）バイアス電圧を発生させるために温度安定基準電
    圧にスレショールド電圧を加算する電圧加算手段と、 前記バイアス電圧を受け入れるゲート電極とｐｎ接合部
    に接続されたソース電極が温度依存性のある電圧でバイ
    アスされるエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴと、 前記実質的に温度依存性のない電流によって電力付与さ
    れた発振電気信号を発生させる発振電気信号発生手段と
    から構成され、前記発振電気信号は実質的に温度依存性
    のない周期を有することを特徴とする温度補償型ＭＩＳ
    発振器。
  5. （５）前記電圧加算手段は、ソース電極から前記温度安
    定基準電圧を受け入れて２マイクロアンペアより小さい
    電流で電力付与されドレイン電極に前記バイアス電圧を
    発生する第２のＭＯＳＦＥＴを含むことを特徴とする特
    許請求の範囲第４項記載の温度補償型ＭＩＳ発振器。
  6. （６）前記第２のＭＯＳＦＥＴは、そのチャンネル長よ
    り１０倍以上のチャンネル幅を有することを特徴とする
    特許請求の範囲第５項記載の温度補償型ＭＩＳ発振器。
  7. （７）電気的エネルギーを受け入れるエネルギー受入手
    段と、 温度安定基準電圧を受け入れる基準電圧受入手段と、 温度安定減衰電圧を発生させるために前記温度安定基準
    電圧信号を減衰する電圧減衰手段と、第１のバイアス電
    圧を発生させるために前記温度安定減衰電圧を第１のＭ
    ＯＳＦＥＴのスレショールド電圧に付加する電圧付加手
    段と、 ドレイン電極とソース電極とを通して温度依存性のない
    電流を流すために前記第１のバイアス電圧でバイアスさ
    れるゲート電極とｐｎ接合部にかかつている温度依存性
    のある順方向降下電圧でバイアスされる第２のＭＯＳＦ
    ＥＴと、 前記温度依存性のない電流によって電力付与されて実質
    的に温度依存性のない周期の発振電気信号を発生させる
    発振電気信号発生手段とから構成されることを特徴とす
    る温度補償型ＭＩＳ発振器。
  8. （８）前記ｐｎ接合部は、アース電位と前記第２のＭＯ
    ＳＦＥＴの前記ソース電極とに接続されたバイポーラダ
    イオードを含み、前記温度依存性のある順方向降下電圧
    が前記第２のＭＯＳＦＥＴにおける温度依存性の変化を
    補償することを特徴とすると特許請求の範囲第７項に記
    載の温度補償型ＭＩＳ発振器。
  9. （９）前記発振電気信号発生手段は、前記温度依存性の
    ない電流によって充電されるキャパシタと前記発振出力
    信号を供給するために前記キャパシタに接続されたシュ
    ミットトリガ回路とから構成されること特徴とする特許
    請求の範囲第７項に記載の温度補償型ＭＩＳ発振器。
  10. （１０）温度安定基準電圧源から温度安定基準電圧を受
    け入れ減衰された温度安定減衰電圧を発生させる電圧分
    圧器と、 第１のドレイン電極と第１のソース電極との間を流れる
    第１の電流の大きさを制御するために前記温度安定基準
    電圧をゲート電極に印加するため前記電圧分圧器の出力
    に前記ゲート電極が接続された第１のＭＯＳＦＥＴと、 前記第１のＭＯＳＦＥＴに接続され該ＭＯＳＦＥＴを通
    して流れる前記第１の電流に比例する第２の電流を発生
    させる第１の電流ミラーと、第２のゲート電極及び第２
    のソース電極並びに第２のドレイン電極を有し、該第２
    のゲート電極及び第２のドレイン電極は共通接続されて
    前記第２の電流を受け入れ前記第２のソース電極は前記
    電圧分圧器に接続されて温度安定減衰電圧Ｖ＿０を受け
    入れるようにして前記第２のゲート電極と前記第２のド
    レイン電極との接続点に前記温度安定減衰電圧Ｖ＿０と
    スレショールド電圧ＶＴとの和に等しいバイアス電圧を
    発生させる第２のＭＯＳＦＥＴと、 第３のゲート電極及び第３のドレイン電極並びに第３の
    ソース電極とを有し前記接続点に該第３のゲート電極が
    接続されて前記バイアス電圧を受け入れるようにし、前
    記第３のドレイン電極が電流源に連結された第３のＭＯ
    ＳＦＥＴと、 前記第３のソース電極に接続され該第３のソース電極を
    温度依存性のある順方向電圧でバイアスして前記第３の
    ＭＯＳＦＥＴの特性における温度の変化を補償するよう
    にして前記第３のＭＯＳＦＥＴをバイアスし、実質的に
    温度依存性のないドレインソース電流を発生させるよう
    にしたｐｎ接合バイポーラダイオードと、 前記一定の温度依存性のない電流によって駆動され一定
    の温度依存性のない周期を有する信号を出力するシュミ
    ットトリガー発振器とから構成されることを特徴とする
    クロック用の温度安定相補型ＭＩＳ発振器。
  11. （１１）前記各ＭＯＳＦＥＴは、エンハンストメント型
    ＭＯＳＦＥＴであることを特徴とする特許請求の範囲第
    １０項記載のクロック用の温度安定相補型ＭＩＳ発振器
    。
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