JPS6293981A - 薄型半導体装置の製造法 - Google Patents
薄型半導体装置の製造法Info
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- JPS6293981A JPS6293981A JP60235086A JP23508685A JPS6293981A JP S6293981 A JPS6293981 A JP S6293981A JP 60235086 A JP60235086 A JP 60235086A JP 23508685 A JP23508685 A JP 23508685A JP S6293981 A JPS6293981 A JP S6293981A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は薄型半導体装置の製造法に関し、特に厚さ１５
０μｍ以下のＳｉ基板を用いて作製する半導体装置の製
造方法に関する。
０μｍ以下のＳｉ基板を用いて作製する半導体装置の製
造方法に関する。
〈従来の技術〉
ＧａＡｓ太陽電池は、１９５６年、 ＪｅｎｎｙＣＰＩ
ＩｙＳ。
ＩｙＳ。
Ｒｅｖ、 １０１ 、１２０８（１９５６） ：）らに
よってｎ型ＧａＡｓにＣｄを拡散したものが形成されて
以来研究が進み、ｐ型ＧａＡｊ！Ａｓ ／ ｐ型ＧａＡ
ｓ／ｎ型ＧａＡｓ構造で高変換効率を実現することがで
きるようになってから一躍注目を浴びるようになった。
よってｎ型ＧａＡｓにＣｄを拡散したものが形成されて
以来研究が進み、ｐ型ＧａＡｊ！Ａｓ ／ ｐ型ＧａＡ
ｓ／ｎ型ＧａＡｓ構造で高変換効率を実現することがで
きるようになってから一躍注目を浴びるようになった。
この種のＧａＡｓ太陽電池は、従来のＳｉ太陽電池と比
較すると充電変換動作に非常に好都合な特性をもち、ま
た耐放射線特性が良いため例えば宇宙用太陽電池として
用いることが可能である。
較すると充電変換動作に非常に好都合な特性をもち、ま
た耐放射線特性が良いため例えば宇宙用太陽電池として
用いることが可能である。
従来から試みられているＧａＡｓ系太陽電池の製造工程
を第２図を用いて説明する。
を第２図を用いて説明する。
ｎ型ＧａＡｓ基板１上にＬＰＥ法或いはＭ ＯＣＶ Ｄ
法等によりｐ型ＧａＡｓ層２、続いてｐ型ＧａＡｆ！、
Ａｓ層３が形成される。このようなＰＮ接合を作製した
半導体基板に対してｎ型ＧａＡｓ基板１にオーミック電
極４を形成し、更にホトリソグラフィ技術を用いてｐ型
ＧａＡｓ層２にくし型オーミック電極５を形成する。く
し型オーミック電極５が形成された受光面側は５ｉＮｘ
ｌＥｉ等の反射防ｄ＝膜６で被われて太陽電池が作製さ
れる。
法等によりｐ型ＧａＡｓ層２、続いてｐ型ＧａＡｆ！、
Ａｓ層３が形成される。このようなＰＮ接合を作製した
半導体基板に対してｎ型ＧａＡｓ基板１にオーミック電
極４を形成し、更にホトリソグラフィ技術を用いてｐ型
ＧａＡｓ層２にくし型オーミック電極５を形成する。く
し型オーミック電極５が形成された受光面側は５ｉＮｘ
ｌＥｉ等の反射防ｄ＝膜６で被われて太陽電池が作製さ
れる。
〈発明が解決しようとする回頭点〉
上記従来のＧａＡｓ太陽電池においては、光？ＩＬ変換
特性はＳｉ太陽電池より優れているものの、ｉｌ）
Ｇ ａ Ａ ｓ単結晶ウェハの価格が高い、（２１Ｓｉ
に比べて重いために重量当りの出力（％）が小さくなる
、 （３）Ｓｉに比べて割れ易い、 等の欠点があり、実用化するには問題があった。
特性はＳｉ太陽電池より優れているものの、ｉｌ）
Ｇ ａ Ａ ｓ単結晶ウェハの価格が高い、（２１Ｓｉ
に比べて重いために重量当りの出力（％）が小さくなる
、 （３）Ｓｉに比べて割れ易い、 等の欠点があり、実用化するには問題があった。
〈問題点を解決するための手段〉
上記従来のＧａＡｓ太陽電池の問題点に鑑み、基板厚さ
の薄型化を図った半導体装置を提供するもので、半導体
基板を１５０μｍ以下の厚さに機械的に研磨し、続いて
この研磨部分における表面層を化学的にエツチングして
、研磨に伴って生じた歪層を除去することにより、平担
な安定した半導体基板を作製する。
の薄型化を図った半導体装置を提供するもので、半導体
基板を１５０μｍ以下の厚さに機械的に研磨し、続いて
この研磨部分における表面層を化学的にエツチングして
、研磨に伴って生じた歪層を除去することにより、平担
な安定した半導体基板を作製する。
〈作 用〉
半導体基板は機械的研磨によって薄型加工されるものの
、機械研磨によって歪を受けた層は化学エツチングによ
って除去されるため、素子が作製された半導体基板は薄
く加工されても歪の残留する慣れがほとんどなく、反り
等の変形を伴うことのない安定した半導体基板を得る。
、機械研磨によって歪を受けた層は化学エツチングによ
って除去されるため、素子が作製された半導体基板は薄
く加工されても歪の残留する慣れがほとんどなく、反り
等の変形を伴うことのない安定した半導体基板を得る。
〈実施例〉
第１図において、取扱いに容易なように比較的厚く切り
出して表面加工された３５０μｍ以上のＳｉ基板１１を
用いて、その基板１１の一方の表面にＭＯＣＶＤ法等に
よりｎ−ＧａＡｓ層＋２．ｐ−ＧａＡｓ層１３及びｐ−
ＧａＡｌＡｓ層を合計の厚さが３μｍ程度になるように
順次成長させる。
出して表面加工された３５０μｍ以上のＳｉ基板１１を
用いて、その基板１１の一方の表面にＭＯＣＶＤ法等に
よりｎ−ＧａＡｓ層＋２．ｐ−ＧａＡｓ層１３及びｐ−
ＧａＡｌＡｓ層を合計の厚さが３μｍ程度になるように
順次成長させる。
次にホトリソグラフィ技術を用いて上Ｅｐ−ＧａＡｓ層
１３にオーミック電極１６を形成し、その後Ｓｉ基板を
各太陽電池素子に分割するためのメサエッチングを施こ
す。この工程まではＳｉ基板１１は比較的厚い状態で進
められる。
１３にオーミック電極１６を形成し、その後Ｓｉ基板を
各太陽電池素子に分割するためのメサエッチングを施こ
す。この工程まではＳｉ基板１１は比較的厚い状態で進
められる。
次に上記Ｓｉ基板１１の薄型化をはかるべく裏面を薄型
研磨が可能なグラインダを用いて厚さ１５０μｍ以下好
ましくは１００μｍ程度に機械研磨する。機械研磨され
た基板裏面は、深さ数μｍにわたって応力歪が生じてい
る。このような歪は薄型加工された基板に対して、反り
等による変形を招く慣れがあり好ましくない。従って基
板裏面を、Ｎａ０Ｈ（３０％）或いはＫＯＨ（３０％）
等のエツチング液で処理して応力歪層を除去する。
研磨が可能なグラインダを用いて厚さ１５０μｍ以下好
ましくは１００μｍ程度に機械研磨する。機械研磨され
た基板裏面は、深さ数μｍにわたって応力歪が生じてい
る。このような歪は薄型加工された基板に対して、反り
等による変形を招く慣れがあり好ましくない。従って基
板裏面を、Ｎａ０Ｈ（３０％）或いはＫＯＨ（３０％）
等のエツチング液で処理して応力歪層を除去する。
応力歪層を残したままの基板では曲率半径１ｍ以上の反
りが発生するが、上述のようにエツチングによって除去
したＳｉ基板では発生する反りは曲率半径７ｍ以上にも
改善され、この程度の変形は実用上はとんど支障がない
。
りが発生するが、上述のようにエツチングによって除去
したＳｉ基板では発生する反りは曲率半径７ｍ以上にも
改善され、この程度の変形は実用上はとんど支障がない
。
上記機械研磨に続いて応力歪層がエツチング除去された
基板】１は裏面にオーミック電極１５が形成され、続い
て受光面側に反射防止膜１７が形成される。
基板】１は裏面にオーミック電極１５が形成され、続い
て受光面側に反射防止膜１７が形成される。
上記Ｓｉ基板ＩＩは予め形成された分割線に沿って分割
され、各太陽電池素子となる。
され、各太陽電池素子となる。
上記太陽電池はＳｉを基板としているため軽量化が図ら
れると共に、薄型加工されているためより一層の出力／
重量の改善がなされたものになる。
れると共に、薄型加工されているためより一層の出力／
重量の改善がなされたものになる。
〈発明の効果〉
以上本発明によれば、歪を残すことなく薄型半ての特性
を損うことなく行うことができ、特性のすぐれた半導体
装置を経済性よく作製することができる。
を損うことなく行うことができ、特性のすぐれた半導体
装置を経済性よく作製することができる。
第１図は本発明による一実施例を説明するためのＧａＡ
ｓ太陽電池の断面図、第２図は従来装置の製造工程を説
明するための断面図である。
ｓ太陽電池の断面図、第２図は従来装置の製造工程を説
明するための断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体素子を作製するための半導体基板の製造法に
おいて、 半導体基板の一方の表面を機械的に研磨して厚さ１５０
μｍ以下に加工する工程と、 機械研磨された表面を化学的にエッチングして表面の歪
層を除去する工程とを備えてなることを特徴とする薄型
半導体装置の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60235086A JPS6293981A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 薄型半導体装置の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60235086A JPS6293981A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 薄型半導体装置の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6293981A true JPS6293981A (ja) | 1987-04-30 |
Family
ID=16980858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60235086A Pending JPS6293981A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 薄型半導体装置の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6293981A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01235699A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | Ｉｃカード及びｉｃチップの製造方法 |
| EP1610370A2 (en) | 2004-06-16 | 2005-12-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, and fabrication method of semiconductor device |
| JP2009076921A (ja) * | 2007-09-24 | 2009-04-09 | Emcore Corp | 多接合ソーラーセル及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-10-18 JP JP60235086A patent/JPS6293981A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01235699A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | Ｉｃカード及びｉｃチップの製造方法 |
| EP1610370A2 (en) | 2004-06-16 | 2005-12-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, and fabrication method of semiconductor device |
| EP1610370A3 (en) * | 2004-06-16 | 2006-06-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, and fabrication method of semiconductor device |
| JP2009076921A (ja) * | 2007-09-24 | 2009-04-09 | Emcore Corp | 多接合ソーラーセル及びその製造方法 |
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