JPS6281070A - 薄型ＧａＡｓ太陽電池の製造方法 - Google Patents
薄型ＧａＡｓ太陽電池の製造方法Info
- Publication number
- JPS6281070A JPS6281070A JP60220734A JP22073485A JPS6281070A JP S6281070 A JPS6281070 A JP S6281070A JP 60220734 A JP60220734 A JP 60220734A JP 22073485 A JP22073485 A JP 22073485A JP S6281070 A JPS6281070 A JP S6281070A
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- Japan
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- Pending
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は薄型Ｇａ Ａｓ太陽電池の信頼性を向上させ
る薄型Ｇａ Ａｓ太陽電池の製造方法に関する。
る薄型Ｇａ Ａｓ太陽電池の製造方法に関する。
（ロ）従来の技術
Ｇａ ＡＳ太ｍ７Ｍ池は、１９５６年、 Ｊｅｎｎｙ（
ｐｈｙｓ 。
ｐｈｙｓ 。
Ｒｅｖ、、 １０１．１２０８ （１９５６） ）ら
によってｎ型ＧａＡＳにＣｄを拡散したものが形成され
て以来研究が進み、ｐ型Ｇａ Ａｔ Ａｓ ／ｐ型Ｇａ
Ａｓ ／ｎ型ＧａＡｓ構造で高変換効率を実現して一
躍注目をあびるようになった。
によってｎ型ＧａＡＳにＣｄを拡散したものが形成され
て以来研究が進み、ｐ型Ｇａ Ａｔ Ａｓ ／ｐ型Ｇａ
Ａｓ ／ｎ型ＧａＡｓ構造で高変換効率を実現して一
躍注目をあびるようになった。
Ｑａ Ａｓ太陽電池は３ｉ太陽電池と比較すると光電変
換に非常に好都合な特性をもち、また耐放射線特性が良
いため例えば宇宙用太陽電池として用いられるが、反面
以下のような欠点がある。
換に非常に好都合な特性をもち、また耐放射線特性が良
いため例えば宇宙用太陽電池として用いられるが、反面
以下のような欠点がある。
＋ａ） ＧａＡｓ単結晶ウェハの価格が高い。
＋ｂ＋３ｉに比べて重い。したがってｆｆ１ｆｆｉ当り
の出力（Ｗ／Ｑ）が小さくなる。
の出力（Ｗ／Ｑ）が小さくなる。
＋ｃ＋ Ｓｉに比べて割れやすい。
そこで、上記欠点を改良するために、厚さ１５０ｐ以下
の３ｉ基板上にＧａＡＳ太陽電池を形成すればよく、従
来、この種の薄型化Ｇａ Ａｓ太陽電池は第３図に示す
工程（１１）〜■によって製造されている。
の３ｉ基板上にＧａＡＳ太陽電池を形成すればよく、従
来、この種の薄型化Ｇａ Ａｓ太陽電池は第３図に示す
工程（１１）〜■によって製造されている。
工程０１１で厚さ３００〜４００膚の３ｉ基板を受は入
れ、工程側で３ｉ とＧａ Ａｓとの格子定数の違いを
緩和させる中間層を形成する。そして、工程（＋３１に
てｐ−ｎ接合を有するＧａＡＳヘテロエピタキシャル成
長を行う。なお、前記工程面を省略して８１基板に直接
Ｇａ Ａｓ層を形成してもよい。
れ、工程側で３ｉ とＧａ Ａｓとの格子定数の違いを
緩和させる中間層を形成する。そして、工程（＋３１に
てｐ−ｎ接合を有するＧａＡＳヘテロエピタキシャル成
長を行う。なお、前記工程面を省略して８１基板に直接
Ｇａ Ａｓ層を形成してもよい。
ついで、工程（１４）で上記中間層上に表面電極を形成
し、工程［１５）にてこの表面電極が形成された基板の
受光面にメサエッチングを施し、工程（５）で基板の受
光面にパッシベーション膜を兼ねた反射防止膜を形成す
る。ざらに、公知のアルカリ系エツチング液を用いて３
ｉ基基板面側をエツチングして８１Ｍ板を１００）ａ以
下まで薄型化した後、工程（財）にて基板の裏面に裏面
電極を形成する。工程のにて表面電極及び裏面電極のオ
ーミック接触を得るための熱処理を行ない、工程■にて
スクライブ分離する。上記の薄型Ｇａ Ａｓ太ｌ！ＪＩ
電池の製造プロセスにおいては、ハンドリングやマスク
アライメント等によるウェハの割れ損失を軽減するため
に、基板の薄型化を受光面側の製造工程を経た後に行な
うことが特に重要である。
し、工程［１５）にてこの表面電極が形成された基板の
受光面にメサエッチングを施し、工程（５）で基板の受
光面にパッシベーション膜を兼ねた反射防止膜を形成す
る。ざらに、公知のアルカリ系エツチング液を用いて３
ｉ基基板面側をエツチングして８１Ｍ板を１００）ａ以
下まで薄型化した後、工程（財）にて基板の裏面に裏面
電極を形成する。工程のにて表面電極及び裏面電極のオ
ーミック接触を得るための熱処理を行ない、工程■にて
スクライブ分離する。上記の薄型Ｇａ Ａｓ太ｌ！ＪＩ
電池の製造プロセスにおいては、ハンドリングやマスク
アライメント等によるウェハの割れ損失を軽減するため
に、基板の薄型化を受光面側の製造工程を経た後に行な
うことが特に重要である。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
しかし、上記製造工程で製造した薄型Ｇａ Ａｓ太陽電
池では、反射防止膜形成前の薄型Ｇａ Ａｓ太陽電池の
受光面に洗浄で除去しきれずに残存する有償物等が、反
射防止膜形成後に脱ガス化することによって、受光面に
斑点状の模様が形成される場合がある。この様子は顕微
鏡で観察される。
池では、反射防止膜形成前の薄型Ｇａ Ａｓ太陽電池の
受光面に洗浄で除去しきれずに残存する有償物等が、反
射防止膜形成後に脱ガス化することによって、受光面に
斑点状の模様が形成される場合がある。この様子は顕微
鏡で観察される。
このような場合、反射防止膜のパッシベーション効果を
低下させ、耐湿試験実施後に出力が著しく劣下し、太陽
電池としての信頼性が低くなる欠点があった。
低下させ、耐湿試験実施後に出力が著しく劣下し、太陽
電池としての信頼性が低くなる欠点があった。
この発明は以上の事情に鑑みなされたもので、製造プロ
セスを前記の熱処理後に反射防止膜を形成するようにし
て、ＧａＡｓ太陽電池の信頼性を向上させることができ
るようにするものである。
セスを前記の熱処理後に反射防止膜を形成するようにし
て、ＧａＡｓ太陽電池の信頼性を向上させることができ
るようにするものである。
（ニ）１２！’Ｊ題点を解決するための手段この発明は
、薄型ＧａＡｓ太陽電池の製造方法であって、Ｇａ Ａ
ｓ層が形成された基板上に表面電極を形成し、この表面
電極が形成された基板の受光面をメサエッチングし、次
いで基板の裏面をエツチングすることにより基板の厚み
を１５０膚以下の薄型とし、この薄型の基板の裏面に裏
面電極を形成し、次いで基板を表面電極及び裏面電極の
オーミック接触を得るための熱処理し、その直後に基板
の受光面に反射防止膜を形成したものである。
、薄型ＧａＡｓ太陽電池の製造方法であって、Ｇａ Ａ
ｓ層が形成された基板上に表面電極を形成し、この表面
電極が形成された基板の受光面をメサエッチングし、次
いで基板の裏面をエツチングすることにより基板の厚み
を１５０膚以下の薄型とし、この薄型の基板の裏面に裏
面電極を形成し、次いで基板を表面電極及び裏面電極の
オーミック接触を得るための熱処理し、その直後に基板
の受光面に反射防止膜を形成したものである。
（ホ）作 用
この発明は、熱処理により受光面に残存している有機物
等を飛散させた後に、受光面に反射防止膜を形成するよ
うにしたものである。
等を飛散させた後に、受光面に反射防止膜を形成するよ
うにしたものである。
（へ）実施例
以下図に示す実施例に基づいてこの発明を詳述する。な
お、これによってこの発明が限定されるものではない。
お、これによってこの発明が限定されるものではない。
第１図はこの発明の製造工程図である。同図において、
工程（１）から工程（５）までは従来例と同様であるの
で説明は省略する。工程（６）で３ｉ基基板面側をエツ
チングして８１基叛簿型化を図り、この工程によって３
ｉ基板を１５０）ａ以下まで薄型化する。工程（刀にて
、基板の裏面に裏面ｆｆ１ｆｆｉを形成した後、工程（
８）にて表面電極及び裏面電極のオーミック接触を得る
ための熱処理を行う。そして、その直後に、基板の受光
面に反射防止膜を形成する。
工程（１）から工程（５）までは従来例と同様であるの
で説明は省略する。工程（６）で３ｉ基基板面側をエツ
チングして８１基叛簿型化を図り、この工程によって３
ｉ基板を１５０）ａ以下まで薄型化する。工程（刀にて
、基板の裏面に裏面ｆｆ１ｆｆｉを形成した後、工程（
８）にて表面電極及び裏面電極のオーミック接触を得る
ための熱処理を行う。そして、その直後に、基板の受光
面に反射防止膜を形成する。
反射防止膜としては、プラズマＣｖＤ法による窒化シリ
コン（Ｓｉ Ｎ）膜等がある。その後、■程鳴にてスク
ライプ分Ｍする。
コン（Ｓｉ Ｎ）膜等がある。その後、■程鳴にてスク
ライプ分Ｍする。
以上のごとく製造された薄型Ｇａ Ａｓ太陽電池の受光
面を顕微鏡で観察しても斑点状の模様が観察されなかっ
た。これは、反射防止膜形成直前の熱処理により、薄型
ＧａＡｓ太陽電池の表面に残存している有機物等が飛散
されたためと考察される。 第２図は他の実施例の製造
工程図である。
面を顕微鏡で観察しても斑点状の模様が観察されなかっ
た。これは、反射防止膜形成直前の熱処理により、薄型
ＧａＡｓ太陽電池の表面に残存している有機物等が飛散
されたためと考察される。 第２図は他の実施例の製造
工程図である。
第１実施例と異なる点は、基板として厚さ２５０虐〜５
００虐のＧａ ＡＳ Ｗ板を用いた点と、３ｉとＱａ
Ａｓとの格子定数の違いを緩和させるための中間層を必
要としない点とであり、その他は第１実施例と同様であ
る。
００虐のＧａ ＡＳ Ｗ板を用いた点と、３ｉとＱａ
Ａｓとの格子定数の違いを緩和させるための中間層を必
要としない点とであり、その他は第１実施例と同様であ
る。
この場合においても、薄型ＧａＡｓ太陽電池の受光面の
状態は第１実施例と同様である。
状態は第１実施例と同様である。
次に、第１表に示す試験条件及び試験方法によって、こ
の発明の工程に従って製造したＧａ Ａｓ基板上の薄型
Ｑａ Ａｓ太陽電池（実施例）と従来例の工程に従って
製造したＧａ ＡＳ基板上の薄型Ｑａ Ａｓ太ｒｌＡ電
池（比較例）との耐湿試験結果を第２表に示す。
の発明の工程に従って製造したＧａ Ａｓ基板上の薄型
Ｑａ Ａｓ太陽電池（実施例）と従来例の工程に従って
製造したＧａ ＡＳ基板上の薄型Ｑａ Ａｓ太ｒｌＡ電
池（比較例）との耐湿試験結果を第２表に示す。
（以下余白、次頁に続く。）
第１表
第２表
第２表は、耐湿試験前後のセルの特性パラメーターの変
化率を測定した表で、試験前の初期状態のセル出力はＡ
ＭＯで約８５１１Ｗ４であり、試験結果は２０枚のサン
プルの変化率の平均値を示している。第２表によれば、
実施例の方が開放電圧、短絡Ｎ流及び効率の変化率が優
れていることがわかる。したがって、実施例のＧａＡＳ
太陽電池の方が、信頼性に優れており、太陽電池として
高性能である。
化率を測定した表で、試験前の初期状態のセル出力はＡ
ＭＯで約８５１１Ｗ４であり、試験結果は２０枚のサン
プルの変化率の平均値を示している。第２表によれば、
実施例の方が開放電圧、短絡Ｎ流及び効率の変化率が優
れていることがわかる。したがって、実施例のＧａＡＳ
太陽電池の方が、信頼性に優れており、太陽電池として
高性能である。
（ト）発明の効果
この発明によれば、反射防止膜成形後の薄型ＧａＡＳ太
陽電池の受光面に微小な斑点状の模様が形成されるのを
防止することができる。したがって、反射防止膜のパッ
シベーション効果の低下及び耐湿試験実施後の出力の低
下を防止することができ、太陽電池としての信頼性を向
上させることができる。
陽電池の受光面に微小な斑点状の模様が形成されるのを
防止することができる。したがって、反射防止膜のパッ
シベーション効果の低下及び耐湿試験実施後の出力の低
下を防止することができ、太陽電池としての信頼性を向
上させることができる。
第１図はこの発明の一実施例を示す製造工程説明図、第
２図はこの発明の他の実施例の製造工程第２図 第３図
２図はこの発明の他の実施例の製造工程第２図 第３図
Claims (1)
- １、ＧａＡｓ層が形成された基板上に表面電極を形成し
、この表面電極が形成された基板の受光面をメサエツチ
ングし、次いで基板の裏面をエッチングすることにより
基板の厚みを１５０μｍ以下の薄型とし、この薄型の基
板の裏面に裏面電極を形成し、次いで基板を表面電極及
び裏面電極のオーミック接触を得るための熱処理し、そ
の直後に基板の受光面に反射防止膜を形成してなる薄型
ＧａＡｓ太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60220734A JPS6281070A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 薄型ＧａＡｓ太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60220734A JPS6281070A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 薄型ＧａＡｓ太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6281070A true JPS6281070A (ja) | 1987-04-14 |
Family
ID=16755688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60220734A Pending JPS6281070A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 薄型ＧａＡｓ太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6281070A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2014014112A1 (ja) * | 2012-07-19 | 2016-07-07 | 日立化成株式会社 | 太陽電池素子及びその製造方法、並びに太陽電池モジュール |
| JPWO2014014113A1 (ja) * | 2012-07-19 | 2016-07-07 | 日立化成株式会社 | 太陽電池素子及びその製造方法、並びに太陽電池モジュール |
-
1985
- 1985-10-03 JP JP60220734A patent/JPS6281070A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2014014112A1 (ja) * | 2012-07-19 | 2016-07-07 | 日立化成株式会社 | 太陽電池素子及びその製造方法、並びに太陽電池モジュール |
| JPWO2014014113A1 (ja) * | 2012-07-19 | 2016-07-07 | 日立化成株式会社 | 太陽電池素子及びその製造方法、並びに太陽電池モジュール |
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