JPS61188975A - 薄型化ＧａＡｓ太陽電池の製造方法 - Google Patents
薄型化ＧａＡｓ太陽電池の製造方法Info
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- JPS61188975A JPS61188975A JP60029139A JP2913985A JPS61188975A JP S61188975 A JPS61188975 A JP S61188975A JP 60029139 A JP60029139 A JP 60029139A JP 2913985 A JP2913985 A JP 2913985A JP S61188975 A JPS61188975 A JP S61188975A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、Ｓｉ基板を用いた薄型化ＧａＡｓ太陽電池の
製造方法に関する。
製造方法に関する。
（従来の技術）
ＧａＡｓ太陽電池は、 １９５６年、 Ｊｅｎｎｙ （
Ｐｈｙｓ。
Ｐｈｙｓ。
Ｒｅｖ、＋ １０１．１２０８（１９５６））らによっ
てｎ型ＧａＡｓにＣｄを拡散したのものが形成されて以
来研究が進み、ｐ型ＧａＡｌ１Ａｓ／ ｐ型Ｇ ａ
Ａ ｓ ／ ｎ型ＧａＡｓ構造で高変換効率を実現して
一躍注目をあびるようになった。
てｎ型ＧａＡｓにＣｄを拡散したのものが形成されて以
来研究が進み、ｐ型ＧａＡｌ１Ａｓ／ ｐ型Ｇ ａ
Ａ ｓ ／ ｎ型ＧａＡｓ構造で高変換効率を実現して
一躍注目をあびるようになった。
ＧａＡｓ太陽電池はＳｔ太陽電池と比較すると光電変換
に非常に好都合な特性をもち、また耐放射線特性が良い
ため例えば宇宙用太陽電池として用いられるが０反面以
下のような欠点がある。
に非常に好都合な特性をもち、また耐放射線特性が良い
ため例えば宇宙用太陽電池として用いられるが０反面以
下のような欠点がある。
（１）ＧａＡｓ単結晶ウェハの価格が高い。
（２）Ｓｉに比べて重い。したがって重量当りの力（ｗ
／ｇ）が小さくなる。
／ｇ）が小さくなる。
（３）Ｓｔに比べて割れやすい。
そこで、上記欠点を改良するために、厚さ１５０μｍ以
下のＳｉ基板上にＧａＡｓ太陽電池を形成すればよく、
従来、この種の薄型化ＧａＡｓ太陽電池は第２図に示す
工程［相］〜［相］によって製造されている。
下のＳｉ基板上にＧａＡｓ太陽電池を形成すればよく、
従来、この種の薄型化ＧａＡｓ太陽電池は第２図に示す
工程［相］〜［相］によって製造されている。
第２図において、工程［相］で厚さ３００〜４００μｍ
のＳｉ基板を受は入れ、工程０でエツチングによって薄
型化し、５０μｍ〜１００μｍ以下の厚みにする。この
エツチング液としては９例えば４Ｑｗｔ％のＮ−ａＯＨ
水溶液が用いられる０次いで、工程＠にてＳｉとＧａＡ
ｓとの格子定数の違いを緩和させる中間層を真空蒸着法
あるい・はＭ０ＣＶＤ法で成長させ、さらに工程０にて
ｐ−ｎ接合を有するＧａＡｓ層をＭＯＣＶＤ法で形成す
る。
のＳｉ基板を受は入れ、工程０でエツチングによって薄
型化し、５０μｍ〜１００μｍ以下の厚みにする。この
エツチング液としては９例えば４Ｑｗｔ％のＮ−ａＯＨ
水溶液が用いられる０次いで、工程＠にてＳｉとＧａＡ
ｓとの格子定数の違いを緩和させる中間層を真空蒸着法
あるい・はＭ０ＣＶＤ法で成長させ、さらに工程０にて
ｐ−ｎ接合を有するＧａＡｓ層をＭＯＣＶＤ法で形成す
る。
このＧａＡｓ層の厚みは合計３μｍ程度である。
次いで、工程■にて裏面電極を形成し、工程［相］にて
表面電極を形成する。最後に、工程［相］にてメサエッ
チングを施した後、工程＠で反射防止膜を形成し、工程
［相］にてスクライブ分離して工程を終わる。
表面電極を形成する。最後に、工程［相］にてメサエッ
チングを施した後、工程＠で反射防止膜を形成し、工程
［相］にてスクライブ分離して工程を終わる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかるに、上述した従来の製造工程では、工程■で薄型
化されたＳｉ基板が５０μｍ〜１００μｍと薄いため、
ｐ−ｎ接合を有するＧａＡｓ層を形成したのち、エピウ
ェハを室温に戻すと、ＳｉとＧａＡｓ０線膨張係数の違
いによりウェハのそりが生じる。そして、このそりのた
め電極形成プロセス（特に表面電極形成工程でのマスク
アライメント）において、エピウェハの取扱いが困難と
なるばかりか、エピウェハにクラックあるいは割れが発
生しやすくなるという問題がある。
化されたＳｉ基板が５０μｍ〜１００μｍと薄いため、
ｐ−ｎ接合を有するＧａＡｓ層を形成したのち、エピウ
ェハを室温に戻すと、ＳｉとＧａＡｓ０線膨張係数の違
いによりウェハのそりが生じる。そして、このそりのた
め電極形成プロセス（特に表面電極形成工程でのマスク
アライメント）において、エピウェハの取扱いが困難と
なるばかりか、エピウェハにクラックあるいは割れが発
生しやすくなるという問題がある。
（発明の目的）
本発明はかかる従来の問題点に鑑みてなされたもので、
エピタキシャル成長後のウェハのそりを軽減し、素子化
プロセスにおけるハンドリングを容易にし、さらに、エ
ピウェハのクランクあるいは割れを減少させる薄型化Ｇ
ａＡｓ太陽電池の製造方法を提供することを目的とする
。
エピタキシャル成長後のウェハのそりを軽減し、素子化
プロセスにおけるハンドリングを容易にし、さらに、エ
ピウェハのクランクあるいは割れを減少させる薄型化Ｇ
ａＡｓ太陽電池の製造方法を提供することを目的とする
。
（発明の構成）
本発明は、５ｉ基板上に薄型化ＧａＡｓ太陽電池を製造
する方法であって、ｐ−ｎ接合を有するＧａＡｓ層を形
成した後に、Ｓｉ基板裏面側をエツチングして薄型化す
る薄型化ＧａＡｓ太陽電池の製造方法に係わる。
する方法であって、ｐ−ｎ接合を有するＧａＡｓ層を形
成した後に、Ｓｉ基板裏面側をエツチングして薄型化す
る薄型化ＧａＡｓ太陽電池の製造方法に係わる。
（実施例）
以下９本発明の実施例について図面に示す工程図に沿っ
て説明する。
て説明する。
本例の工程は、従来の工程に比較すると９表面電極を形
成する工程■と、裏面電極を形成する工程■とが分離さ
れ、この工程■の前工程■にてＳｉ基板の薄型化が行わ
れる。
成する工程■と、裏面電極を形成する工程■とが分離さ
れ、この工程■の前工程■にてＳｉ基板の薄型化が行わ
れる。
工程■で厚さ３００〜４００μｍのＳｉ基板を受は入れ
、工程■でＳｔとＧａＡｓとの格子定数の違いを緩和さ
せる中間層を形成する。そして。
、工程■でＳｔとＧａＡｓとの格子定数の違いを緩和さ
せる中間層を形成する。そして。
中間層の形成方法および材料としては種々の種類があり
９例えば真空蒸着法によるＧｅ層、ＭＯＣＶＤ法による
多結晶ＱａＡｓまたはアモルファスＧａＡｓ等がある。
９例えば真空蒸着法によるＧｅ層、ＭＯＣＶＤ法による
多結晶ＱａＡｓまたはアモルファスＧａＡｓ等がある。
そして、工程■にてｐ−ｎ接合を有するＧａＡｓへテロ
エピタキシャル成長を行う。なお、前記工程■を省略し
てＳｉ基板に直接ＧａＡｓ層を形成してもよい。
エピタキシャル成長を行う。なお、前記工程■を省略し
てＳｉ基板に直接ＧａＡｓ層を形成してもよい。
ついで、工程■で表面電極を形成し、工程■にてメサエ
ッチングを施し、工程■で反射防止膜を形成する。さら
に、工程■でＳｉ基板裏面側をエツチングしてＳｉ基板
薄型化を図り、この工程によってＳｉ基板を１００μｍ
以下まで薄型化させる。
ッチングを施し、工程■で反射防止膜を形成する。さら
に、工程■でＳｉ基板裏面側をエツチングしてＳｉ基板
薄型化を図り、この工程によってＳｉ基板を１００μｍ
以下まで薄型化させる。
このエツチング液としては２例えば４０−ｔ％のＮａＯ
Ｈ水溶液が用いられる。そして、所定の寸法まで薄型化
したのち、工程■にて裏面電極を形成し、工程■にてス
クライプ分離する。
Ｈ水溶液が用いられる。そして、所定の寸法まで薄型化
したのち、工程■にて裏面電極を形成し、工程■にてス
クライプ分離する。
なお、Ｓｉ基板裏面のエツチングに際し、エピタキシャ
ル層および表面電極をエツチング液から保護するために
１例えばテープ（商品名ＫＴＨ−１）または、樹脂（グ
リコールフタレート）あるいは、レジスト（商品名ＯＭ
Ｒ−８３）で被覆するとよい。
ル層および表面電極をエツチング液から保護するために
１例えばテープ（商品名ＫＴＨ−１）または、樹脂（グ
リコールフタレート）あるいは、レジスト（商品名ＯＭ
Ｒ−８３）で被覆するとよい。
（発明の効果）
以上述べたように９本発明の製造方法によれば、
″エピタキシャル成長後のエピウェハのそりを軽減でき
、素子化プロセスにおけるエピウェハの取扱いが容易と
なり、さらに、エピウェハのクランクあるいは割れを減
少できる。よって、製造の歩留り向上、コストダウンを
図ることができる。
″エピタキシャル成長後のエピウェハのそりを軽減でき
、素子化プロセスにおけるエピウェハの取扱いが容易と
なり、さらに、エピウェハのクランクあるいは割れを減
少できる。よって、製造の歩留り向上、コストダウンを
図ることができる。
第１図は１本発明に係わる薄型化ＧａＡｓ太陽電池の製
造工程を例示する工程図、第２図は従来の製造工程を示
す工程図である。 ほか１名 第７図 第２図
造工程を例示する工程図、第２図は従来の製造工程を示
す工程図である。 ほか１名 第７図 第２図
Claims (1)
- １）Ｓｉ基板上に薄型化ＧａＡｓ太陽電池を製造する方
法であって、ｐ−ｎ接合を有するＧａＡｓ層を形成した
後に、Ｓｉ基板裏面側をエッチングして薄型化すること
を特徴とする薄型化ＧａＡｓ太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60029139A JPS61188975A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | 薄型化ＧａＡｓ太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60029139A JPS61188975A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | 薄型化ＧａＡｓ太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61188975A true JPS61188975A (ja) | 1986-08-22 |
Family
ID=12267945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60029139A Pending JPS61188975A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | 薄型化ＧａＡｓ太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61188975A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5913130A (en) * | 1996-06-12 | 1999-06-15 | Harris Corporation | Method for fabricating a power device |
| GB2520399A (en) * | 2013-11-01 | 2015-05-20 | Ibm | Silicon heterojunction photovoltaic device with non-crystalline wide band gap emitter |
| US9373743B2 (en) | 2011-11-07 | 2016-06-21 | International Business Machines Corporation | Silicon heterojunction photovoltaic device with wide band gap emitter |
-
1985
- 1985-02-15 JP JP60029139A patent/JPS61188975A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5913130A (en) * | 1996-06-12 | 1999-06-15 | Harris Corporation | Method for fabricating a power device |
| US6078077A (en) * | 1996-06-12 | 2000-06-20 | Intersil Corporation | Power device |
| US6236083B1 (en) | 1996-06-12 | 2001-05-22 | Intersil Corporation | Power device |
| US9373743B2 (en) | 2011-11-07 | 2016-06-21 | International Business Machines Corporation | Silicon heterojunction photovoltaic device with wide band gap emitter |
| US9716201B2 (en) | 2011-11-07 | 2017-07-25 | International Business Machines Corporation | Silicon heterojunction photovoltaic device with wide band gap emitter |
| US10050166B2 (en) | 2011-11-07 | 2018-08-14 | International Business Machines Corporation | Silicon heterojunction photovoltaic device with wide band gap emitter |
| GB2520399A (en) * | 2013-11-01 | 2015-05-20 | Ibm | Silicon heterojunction photovoltaic device with non-crystalline wide band gap emitter |
| GB2520399B (en) * | 2013-11-01 | 2017-10-25 | Ibm | Silicon heterojunction photovoltaic device with non-crystalline wide band gap emitter |
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